专利名称：一种芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种芯片，包括磁感应线圈、键合线。
背景技术：
现代移动支付业务中交易距离即卡与读卡器之间的距离控制很重要。现在的技术是用一种低频交变磁场近距离检测结合RF高频通信的系统和方法，来解决上述的距离控制问题。该系统利用低频交变磁场，实现读卡器到卡的单向通信，完成距离控制及身份认证，再利用RF通道实现读卡器和卡间的高速通讯。该系统的特点为无需改造移动终端，只需更换终端内部的SIM卡/TF/SD卡，即可实现可靠的双向距离通讯。现有技术中卡中的磁通信芯片必须通过磁感应模块来感应低频交变磁场信号，将感应后所得到的电信号进行放大处理。其中的磁感应模块的实现方式就包括在磁通信芯片 中采用金属线围绕着芯片低频信号处理模块绕制而成的磁感应线圈。当采用在磁通信芯片中采用金属线围绕着芯片低频信号处理模块绕制而成的磁感应线圈时，为了得到足够信号强度，磁感应线圈的匝数数量较大，因此磁感应线圈将在芯片中占据一定面积。芯片低频信号处理模块位于磁感应线圈内部，在对芯片进行封装后，用于引出低频信号处理模块电信号接口的键合线将跨过磁线圈，键合线上的信号将有部分耦合到磁线圈，从而对磁芯片的正常工作造成干扰。
实用新型内容本实用新型要解决的主要技术问题是，提供一种芯片，能够减小键合线上的信号对磁感应线圈的干扰，从而减小其对磁芯片的正常工作的影响。为解决上述技术问题，本实用新型提供技术方案如下一种芯片，包括磁感应线圈、键合线，所述磁感应线圈环绕形成磁感应线圈面，所述键合线经过所述磁感应线圈面上方，其特征在于，至少在所述键合线与所述磁感应线圈面之间设有用于屏蔽键合线信号对磁感应线圈干扰的屏蔽体。进一步地，所述屏蔽体设置在所述磁感应线圈面上方，且所述键合线位于所述屏蔽体上方。进一步地，所述屏蔽体为屏蔽层。进一步地，所述屏蔽体为屏蔽套，所述屏蔽套包裹在所述磁感应线圈外表面和/或所述键合线外表面。进一步地，所述的屏蔽层材料为金属材质。进一步地,所述屏蔽套的材料为金属材质。进一步地，所述的屏蔽层的形状为多边形、椭圆形或圆形。进一步地，所述的屏蔽层为内部带有孔的金属屏蔽层。进一步地，所述的屏蔽体接所述芯片电路中的固定电平或处于电位悬空的状态。更进一步地，所述的屏蔽层的材料为铝、银、铜或铝铜合金。[0016]本实用新型的有益效果是本实用新型通过至少在键合线与磁感应线圈之间设置用于屏蔽键合线信号对磁感应线圈干扰的屏蔽体，如屏蔽层、屏蔽套，来屏蔽掉干扰信号。当键合线导出信号并通过磁感应线圈上方时，位于键合线与磁感应线圈之间的屏蔽体会屏蔽掉来自键合线上的信号，减少了磁感应线圈的耦合，使芯片可以正常工作。
图I为本实用新型实施例一的芯片结构示意图。图2为本实用新型实施例二的芯片结构示意图。图3为本实用新型实施例三的芯片结构示意图。 图4为本实用新型实施例三的芯片另一种结构示意图。图5为本实用新型实施例四的芯片结构示意图。
具体实施方式
本实用新型的构思是，至少在键合线与磁感应线圈面之间设置用于屏蔽键合线信号对磁感应线圈干扰的屏蔽体，该屏蔽体可以设置在键合线对磁感应线圈干扰最强的位置，即设置在磁感应线圈面上方，同时键合线位于该屏蔽体的上方。屏蔽体可以为屏蔽层或者屏蔽套。下面通过具体实施方式
结合附图对本发明作进一步详细说明。实施例一如图I所示，为本实用新型实施例一的芯片结构示意图。图I中，本实施方式的芯片，包括磁感应线圈、第一键合线12、第二键合线13，所述磁感应线圈环绕形成磁感应线圈面11，所述第一键合线12、第二键合线13经过所述磁感应线圈面11上方，所述屏蔽体设置在所述磁感应线圈面11上方，且所述第一键合线12、第二键合线13位于所述屏蔽体上方。本实施例中的屏蔽体为屏蔽层14。屏蔽层14的材料可以为金属材质，如铝、铜、银或铝铜合金；屏蔽层14的形状是不受限制的，可以为矩形、圆形、梯形、菱形；屏蔽层14可以是完整的也可以是不完整的，如带有小孔的屏蔽层14 ;屏蔽层14也可以接固定电平或处于电位悬空的状态。当第一键合线12和第二键合线13导出信号并且经过磁感应线圈面11上方时，位于磁感应线圈面11与第一键合线12、第二键合线13之间的屏蔽层14，屏蔽第一键合线12、第二键合线13周围的电场，从而减小磁感应线圈对来自于第一键合线12、第二键合线13的信号的耦合，减弱了第一键合线12、第二键合线13中信号对磁感应线圈的干扰，使芯片正
常工作。实施例二 如图2所示，为本实施例的芯片结构示意图。图2中的本实施方式中的芯片和图I所示的实施例一的芯片相似，包括磁感应线圈、第一键合线12、第二键合线13，所述磁感应线圈环绕形成磁感应线圈面11，所述第一键合线12、第二键合线13经过所述磁感应线圈面11上方，所述屏蔽体设置在所述磁感应线圈面11上方，且所述第一键合线12、第二键合线13位于所述屏蔽体上方。但唯一不同的是，本实施例中的屏蔽体为第一屏蔽套15，该屏蔽套包裹在实施例一所述磁感应线圈的外表面。当第一键合线12、第二键合线13导出信号并且经过磁感应线圈面11上方时，包裹在磁感线圈外表面的第一屏蔽套15将屏蔽第一键合线12、第二键合线13周围的电场，从而减小磁感应线圈对来自于第一键合线12、第二键合线13的信号耦合，减弱了第一键合线12、第二键合线13中信号对磁感应线圈的干扰，使芯片正常工作。实施例三如图3所示，为实施例三的芯片结构示意图。图3中的本实施方式中的芯片如上述实施例所述，包括磁感应线圈、第一键合线12、第二键合线13，所述磁感应线圈环绕形成磁感应线圈面11，所述第一键合线12、第二键合线13经过所述磁感应线圈面11上方，所述屏蔽体设置在所述磁感应线圈面11上方，且所述第一键合线12、第二键合线13位于所述屏蔽体上方。但不同的是，本实施例中的屏蔽体为第二屏蔽套16、第三屏蔽套17。第二 屏蔽套16包裹在第一键合线12的外表面，第三屏蔽套17包裹在第二键合线13的外表面。第二屏蔽套16、第三屏蔽套17的材料可以为金属材质，如铝、铜、银或铝铜合金。当第一键合线12、第二键合线13导出信号并且经过磁感应线圈面11上方时，分别包裹在第一键合线12、第二键合线13外表面上的第二屏蔽套16、第三屏蔽套17将会屏蔽第一键合线12、第二键合线13周围的电场,从而减小磁感应线圈上对来自于第一键合线12、第二键合线13的信号的耦合，减弱了第一键合线12、第二键合线13中的信号对磁感应线圈的干扰，使芯片正常工作。如图4所示，根据本实施例的构思也可设置一个屏蔽套18同时包裹在第一键合线12和第二键合线13外表面，将两根键合线包裹在一起，屏蔽这两根键合线中的信号对磁感应线圈的干扰，图4中所示芯片设置的屏蔽套18用于当第一键合线12、第二键合线13导出信号并且经过磁感应线圈面11上方时，屏蔽第一键合线12、第二键合线13周围的电场，从而减小磁感应线圈对来自于第一键合线12、第二键合线13的信号耦合，减弱了第一键合线
12、第二键合线13中信号对磁感应线圈的干扰，使芯片正常工作。实施例四如图5所示，为本实施例的芯片结构示意图。图5中本实施方式芯片和实施例三芯片大致相同，包括磁感应线圈、第一键合线12、第二键合线13，所述磁感应线圈环绕形成磁感应线圈面11，所述第一键合线12、第二键合线13经过所述磁感应线圈面11上方，设置为第二屏蔽套16、第三屏蔽套17分别包裹在第一键合线12或第二键合线13的外表面。不同的是图5中的芯片在实施例三的基础上增加了一个屏蔽套，包裹在磁感应线圈外表面，例如实施例二中所述的第一屏蔽套15。本实施例是实施例二与实施例三的综合。增加的屏蔽套的材料可以为金属材质，如铝、铜、银或铝铜合金。如图5所示的芯片，当第一键合线12、第二键合线13导出信号并且经过磁感应线圈面11上方时，包裹在磁感应线圈外表面上和第一键合线12、第二键合线13外表面上的第一屏蔽套15、第二屏蔽套16、第三屏蔽套17，会屏蔽第一键合线12、第二键合线13周围的电场，从而减小磁感应线圈对来自于第一键合线12、第二键合线13的信号的耦合，减弱了第一键合线12、第二键合线13中的信号对磁感应线圈的干扰，使芯片正常工作。根据本实施例的思路也可在实施例一的基础上增加一个屏蔽套包裹在第一键合线和第二键合线的外表面或者增加两个屏蔽套分别包裹在第一键合线、第二键合线的外表面如实施例三所述的第二屏蔽套、第三屏蔽套；同样也可在实施例二的基础上增加一个屏蔽套包裹在第一键合线和第二键合线的外表面，将两根键合线包裹在一起。以上内容是结合具体的本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型 的具体实施只局限于这些说明。对于实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于实用新型的保护范围。
权利要求1.一种芯片，包括磁感应线圈、键合线，所述磁感应线圈环绕形成磁感应线圈面，所述键合线经过所述磁感应线圈面上方，其特征在于，至少在所述键合线与所述磁感应线圈面之间设有用于屏蔽键合线信号对磁感应线圈干扰的屏蔽体。
2.如权利要求I所述的芯片，其特征在于，所述屏蔽体设置在所述磁感应线圈面上方，且所述键合线位于所述屏蔽体上方。
3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述屏蔽体为屏蔽层。
4.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述屏蔽层的材料为金属材质。
5.如权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述金属屏蔽层的材料为铜、铝、银或铝铜合金。
6.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述屏蔽层的形状为多边形、椭圆形或圆形。
7.如权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述金属屏蔽层内部带有孔。
8.如权利要求1-7中任一项所述的芯片，其特征在于，所述的屏蔽体接固定电平或处于电位悬空的状态。
9.如权利要求I所述的芯片，其特征在于，所述屏蔽体为屏蔽套，所述屏蔽套包裹在所述磁感应线圈外表面和/或所述键合线外表面。
10.如权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述屏蔽套的材料为金属材质。
专利摘要本实用新型公开了一种芯片。本实用新型的芯片包括磁感应线圈、键合线，所述磁感应线圈环绕形成磁感应线圈面，所述键合线经过所述磁感应线圈面上方，其特征在于，至少在所述键合线与所述磁感应线圈面之间设有用于屏蔽键合线信号对磁感应线圈干扰的屏蔽体。当键合线导出信号并经过磁感应线圈面上方时，位于所述键合线与所述磁感应线圈面之间的屏蔽体会屏蔽掉屏蔽键合线周围的电场，从而减小磁感应线圈对来自于键合线的信号的耦合，减弱了键合线中的信号对磁感应线圈的干扰，使芯片正常工作。
文档编号H05K9/00GK202523703SQ20112048811
公开日2012年11月7日 申请日期2011年11月30日 优先权日2011年11月30日
发明者潘文杰 申请人:国民技术股份有限公司