一种屏蔽帽的制作方法

专利名称：一种屏蔽帽的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种屏蔽帽。
背景技术：
目前，电子元器件会产生电磁信号，该等电磁信号会干扰其他电子元器件。因此，迫切需要一种能够对电子元器件的电磁信号进行屏蔽，进而能够实现使待保护电子元器件既不对其它元器件产生电磁干扰，也保护待保护器件不受其它元器件的电磁干扰的屏蔽帽
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能够屏蔽电磁信号的屏蔽帽。为实现上述目的，本实用新型所提供屏蔽帽，包括帽体，帽体具有一收容腔，帽体于收容腔形成有帽体壁，帽体壁包括绝缘层和导电层。帽体壁的绝缘层和导电层有两种结构方式，一种是绝缘层位于内层，导电层位于外层，另一种是导电层位于内层，绝缘层位于外层。优选地，所述屏蔽帽的帽体壁进一步包括导磁层。优选地，所述导磁层由高导磁率高分子材料制成。帽体壁的绝缘层、导电层以及导磁层的结构方式有以下六种第一种，所述帽体壁的绝缘层、导电层、导磁层从内到外依次排列。第二种，所述帽体壁的绝缘层、导磁层、导电层从内到外依次排列。第三种，所述帽体壁的导磁层、绝缘层、导电层从内到外依次排列。第四种，所述帽体壁的导电层、绝缘层、导磁层从内到外依次排列。第五种，所述帽体壁的导电层、导磁层、绝缘层从内到外依次排列。第六种，所述帽体壁的导磁层、导电层、绝缘层从内到外依次排列。优选地，所述屏蔽帽为热缩屏蔽帽。优选地，所述绝缘层为热融胶层、PVC层或PET层。优选地，所述导电层由复合型导电高分子材料制成。如上所述，本实用新型屏蔽帽包括帽体，帽体具有一收容腔，帽体于收容腔形成有帽体壁，帽体壁包括绝缘层和导电层，导电层能够屏蔽电磁信号，尤其对高频电磁信号的屏蔽效果更佳。

图I为本实用新型屏蔽帽第一实施例的示意图；图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8为本实用新型屏蔽帽第二实施例不同结构形式的示意图。图中各附图标记说明如下[0023]帽体10收容腔11帽体壁12绝缘层121导电层122导磁层12具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1，其揭示了本实用新型屏蔽帽的第一实施例，包括帽体10，帽体10具有一收容腔11，帽体10于收容腔11形成有帽体壁12。帽体壁12包括绝缘层121和导电层122。帽体壁12的绝缘层121和导电层122有两种结构方式，一种是绝缘层121位于内层，导电层122位于外层(如图I所示)，另一种是绝缘层121位于外层，导电层122位于内层(如图2所示)。绝缘层121可为热融胶层、PVC层或PET层，主要起绝缘密封作用。导电层122可由复合型导电高分子材料制成，复合型导电高分子材料是指经物理改性后具有导电性的高分子复合材料，它以非导电型高分子材料为基体，加入一定数量的导电材料。导电材料包括碳系导电材料(石墨、炭黑、碳纤维)、金属系导电材料(金属粉、金属纤维、金属氧化物)等。导电层122能够对高频信号进行有效的屏蔽。请参阅图2，其揭示了本实用新型屏蔽帽的第二实施例，本实施例与第一实施例类似，其区别在于屏蔽帽的帽体壁12进一步包括导磁层123。导磁层123可由高导磁率高分子材料制成，高导磁率高分子材料可以以高分子材料为基材，加入一定数量的高导磁率材料共混而成。高导磁率材料包括锰锌铁氧体材料、镍锌铁氧体材料、铜锌铁氧体材料、铁娃招材料、碳基铁等。导磁层123采用高导磁率的材料，形成低磁阻的通路，通过屏蔽体的吸收衰减以达到屏蔽的效果，能够对电磁信号尤其是低频信号进行有效的屏蔽，从而能够使本实用新型屏蔽帽不仅能够对高频信号进行有效屏蔽，对低频信号也能够进行有效的屏蔽。帽体壁的绝缘层、导电层以及导磁层的结构方式有以下六种第一种，所述帽体壁12的绝缘层121、导电层122、导磁层123从内到外依次排列(如图3所示)。第二种，所述帽体壁12的绝缘层121、导磁层123、导电层122从内到外依次排列(如图4所示)。第三种，所述帽体壁12的导磁层123、绝缘层121、导电层122从内到外依次排列(如图5所示)。第四种，所述帽体壁12的导电层122、绝缘层121、导磁层123从内到外依次排列(如图6所示)。第五种，所述帽体壁12的导电层122、导磁层123、绝缘层121从内到外依次排列(如图7所示)。第六种，所述帽体壁12的导磁层123、导电层122、绝缘层121从内到外依次排列(如图8所示)。本实用新型屏蔽帽具有导电层122能够对高频信号进行有效的屏蔽，同时进一步包括能够对低频信号进行有效屏蔽的导磁层123，能够对高频信号、低频信号进行全方位的屏蔽。
本实用新型并不局限于上述具体实施方式
，熟悉本技术领域的人员还可据此做出多种变化，但任何与本实用新型等同或相类似的变化都应涵盖在本实用新型权利要求的范围内。
权利要求1.一种屏蔽帽，包括帽体，帽体具有一收容腔，帽体于收容腔形成有帽体壁，其特征在于帽体壁包括绝缘层和导电层。
2.如权利要求I所述的屏蔽帽，其特征在于所述绝缘层位于内层，所述导电层位于外层。
3.如权利要求I所述的屏蔽帽，其特征在于所述导电层位于内层，所述绝缘层位于外层。
4.如权利要求I所述的屏蔽帽，其特征在于所述屏蔽帽的帽体壁进一步包括导磁层。
5.如权利要求1、2、3或4所述的屏蔽帽，其特征在于所述导磁层由高导磁率高分子材料制成。
6.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽体壁的绝缘层、导电层、导磁层从内到外依次排列。
7.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽体壁的绝缘层、导磁层、导电层从内到外依次排列。
8.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽体壁的导磁层、绝缘层、导电层从内到外依次排列。
9.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽体壁的导电层、绝缘层、导磁层从内到外依次排列。
10.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽体壁的导电层、导磁层、绝缘层从内到外依次排列。
11.如权利要求4所述的屏蔽帽，其特征在于所述帽体壁的导磁层、导电层、绝缘层从内到外依次排列。
12.如权利要求1、2、3、4、6、7、8、9、10或11所述的屏蔽帽，其特征在于所述屏蔽帽为热缩屏蔽帽。
13.如权利要求12所述的屏蔽帽，其特征在于所述绝缘层为热融胶层、PVC层或PET层。
14.如权利要求12所述的屏蔽帽，其特征在于所述导电层由复合型导电高分子材料制成。
15.如权利要求5所述的屏蔽帽，其特征在于所述屏蔽帽为热缩屏蔽帽。
专利摘要本实用新型公开一种屏蔽帽，包括帽体，帽体具有一收容腔，帽体于收容腔形成有帽体壁，帽体壁包括绝缘层和导电层。帽体壁进一步包括导磁层，导磁层能够对低频信号进行有效屏蔽。本实用新型屏蔽帽的绝缘层能够起到绝缘密封的作用，导电层能够屏蔽电磁信号，尤其对高频电磁信号的屏蔽效果更佳。
文档编号H05K9/00GK202476027SQ20112050812
公开日2012年10月3日 申请日期2011年11月24日 优先权日2011年11月24日
发明者康树峰, 张定雄, 张明明, 陈锦龙, 饶喜梅 申请人:深圳市沃尔核材股份有限公司