专利名称：收集器反射镜组件以及用于产生极紫外辐射的方法
技术领域：
本发明涉及用于光刻设备的收集器反射镜组件和用于产生极紫外辐射的方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示CD = L(I)
NA其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，Ic1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小Ic1的值。为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如波长在13-14nm范围内。还已经提出可以使用波长小于IOnm的EUV辐射，例如波长在5-lOnm范围内，例如6. 7nm或6. 8nm的波长。这样的辐射被用术语极紫外辐射或软X-射线辐射表示。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。可以通过使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器模块。等离子体可以例如通过引导激光束至燃料来产生，燃料例如是合适的材料(例如锡)的颗粒，或合适的气体或蒸汽的流，例如氙气或锂蒸汽。所形成的等离子体辐射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包围结构或腔，所述包围结构或腔布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。除极紫外辐射之外，等离子体通常产生成颗粒形式的碎片，诸如热能化原子、离子、中性物质、纳米簇和/或微粒。碎片可能导致对收集器反射镜和其它光学装置的损坏。在尝试防止碎片造成损坏时，缓冲气体可以用在等离子体的附近区域中，用于减缓碎片。然而，用于提供缓冲气体的现有方法和设备不是令人满意的。
发明内容
期望至少提供消除或缓解不论在此处或其它地方所提及的现有技术的至少一个不足的收集器反射镜组件，或提供对现有组件的替代。根据一个方面，提供了一种收集器反射镜组件，包括具有反射表面的收集器反射 镜和具有边缘的孔。所述孔延伸通过反射表面。所述组件包括管状主体，所述管状主体延伸通过孔。所述管状主体具有内表面和外表面。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导主气流。所述组件还包括在管状主体的外表面和孔的边缘之间的开口。所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。管状主体的外表面和孔的边缘形成布置成引导另外的气流的开口，所述另外的气流与大致横向于反射表面的气流分开。所述开口可以布置成大致沿着反射表面引导所述另外的气流。所述管状主体的内表面和外表面中的一者或两者的至少一部分可以沿着与气流相反的方向逐渐收缩(tapered)。一个或更多的壁(例如成一个或更多的额外的管状主体的形式)可以设置在管状主体的外表面和孔的边缘之间，所述一个或更多的壁被构造和布置成将所述另外的气流分隔成一个或更多的子流。所述收集器反射镜可以构造成将从第一焦点发射的辐射聚焦到第二焦点。所述气流可以被引导远离反射表面到达第一焦点和第二焦点中的一者或两者。根据一个方面，提供了一种构造成产生极紫外辐射的模块，所述模块包括供给装置，配置成供给点燃材料的一个或更多的液滴至预定的目标点燃位置；辐射源，配置成供给被布置成聚焦到预定的目标点燃位置的激光束，和通过撞击处在所述预定的目标点燃位置处的液滴产生等离子体，以便将液滴改变成产生极紫外辐射的等离子体；和收集器反射镜组件，所述收集器反射镜组件包括具有反射表面的收集器反射镜和具有边缘的孔。所述孔延伸通过反射表面。所述收集器反射镜组件包括管状主体，所述管状主体延伸通过孔。所述管状主体具有内表面和外表面。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导气流。开口在管状主体的外表面和孔的边缘之间，所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。收集器反射镜可以构造成将由第一焦点发射的辐射聚焦至第二焦点。主气流可以被引导远离反射表面到达第一焦点和第二焦点中的一者或两者。所述目标点燃位置可以是第一焦点。根据本发明的一个方面，提供了一种光刻投影设备，布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上。所述设备包括收集器反射镜组件，其包括具有反射表面的收集器反射镜和具有边缘的孔。所述孔延伸通过反射表面。所述收集器反射镜组件包括管状主体，所述管状主体延伸通过孔。所述管状主体具有内表面和外表面。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导主气流。开口在管状主体的外表面和孔的边缘之间。所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。管状主体的外表面和孔的边缘可以形成布置成引导另外的气流的开口。根据本发明的一个方面，提供了一种光刻投影设备，布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上。所述设备包括一模块，所述模块包括供给装置，配置成将点燃材料的一个或更多的液滴供给至预定的目标点燃位置；辐射源，配置成供给激光束，所述激光束被布置成聚焦到该预定的目标点燃位置和通过撞击在预定的目标点燃位置处的液滴产生等离子体，以便将液滴改变成产生极紫外辐射的等离子体；和收集器反射镜组件，所述收集器反射镜组件包括具有反射表面的收集器反射镜和具有边缘的孔。所述孔延伸通过反射表面。所述组件包括管状主体，所述管状主体延伸通过孔。所述管状主体具有内表面和外表面。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导主气流。所述组件还包括在管状主体的外表面和孔的边缘之间的开口。所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。管状主体的外表面和孔的边缘可以形成布置成引导所述另外的气 流的开口。根据本发明的一个方面，提供了一种用于产生极紫外辐射的方法。所述方法包括步骤引导诸如激光束等辐射束到点燃材料的液滴上，所述液滴定位在预定的目标点燃位置，以便将所述液滴改变成配置成产生极紫外辐射的等离子体。所述方法包括使用根据本发明的一个方面的收集器反射镜组件、模块和/或光刻投影设备反射辐射。根据本发明的一个方面，提供了一种构造成用于产生极紫外辐射的模块。所述模块包括供给装置，配置成将点燃材料的一个或更多的液滴供给至预定的目标点燃位置；辐射源，配置成供给激光束，所述激光束被布置成聚焦到所述预定的目标点燃位置和通过撞击处在该预定的目标点燃位置处的液滴来产生等离子体，以便将液滴改变成产生极紫外辐射的等离子体；和收集器反射镜组件。所述收集器反射镜组件包括具有反射表面的收集器反射镜和具有边缘的孔。所述孔延伸通过反射表面。所述组件包括管状主体，所述管状主体延伸通过孔。所述管状主体具有内表面和外表面，所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导主气流。在管状主体的外表面和孔的边缘之间设有开口。所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。管状主体的外表面和孔的边缘可以形成布置成引导所述另外的气流的开口。根据本发明的一个方面，提供了一种光刻投影设备，其包括收集器反射镜组件。所述收集器反射镜组件包括收集器反射镜，所述收集器反射镜具有配置成将由第一焦点发射的辐射聚焦到第二焦点的反射表面；以及具有边缘的孔。所述孔延伸通过反射表面，管状主体延伸通过孔。所述管状主体具有内表面和外表面。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导主气流。所述设备还包括开口，处在管状主体的外表面和孔的边缘之间。所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。所述设备还包括支撑件，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成在辐射已经穿过第二焦点之后对所述辐射进行图案化，用于形成图案化的辐射束；和投影系统，配置成将所述图案化的辐射束投影到衬底上。管状主体的外表面和孔的边缘可以形成布置成引导所述另外的气流的开口。根据本发明的一个方面，提供了一种用于产生极紫外辐射的方法。所述方法包括步骤引导辐射束到点燃材料的液滴上，所述液滴定位在预定的目标点燃位置，以便将所述液滴改变成配置成产生极紫外辐射的等离子体；和使用收集器反射镜组件朝向该预定的目标点燃位置反射辐射和引导气流。所述收集器反射镜组件包括具有反射表面的收集器反射镜，以及具有边缘的孔。所述孔延伸通过反射表面，管状主体延伸通过孔。所述管状主体包括内表面和外表面。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向弓I导主气流。在管状主体的外表面和孔的边缘之间设有开口。所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。管状主体的外表面和孔的边缘可以形成布置成引导所述另外的气流的开口。在适合的情况下，本发明的一个或更多的方面可以具有关于本发明的一个或更多的其他方面描述的一个或额外的特征。
现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本发明的实施例，其中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中图I示出根据本发明的一实施例的光刻设备；图2是图I的设备的更详细的示例的视图；图3是图I和2的设备中的源收集器模块的实施例的更详细的视图；图4示意性地示出可以应用于图3的源收集器模块中的组件的实施例；和图5示意性地示出图4的组件的实施例。
具体实施例方式图I示意地示出了根据本发明一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。所述设备包括照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射束B (例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如反射式投影系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底W的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。与照射系统类似，投影系统可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学部件、或其它类型的光学部件，或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可以期望将真空环境用于EUV辐射，因为其它气体可能会吸收太多的辐射。因此可以借助真空壁和真空泵在 整个束路径上提供真空环境。如此处所示，所述设备是反射型的(例如采用反射式掩模)。光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。参照图1，所述照射器IL接收从源收集器模块SO发出的极紫外辐射束。用于产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，该材料具有至少一种元素(例如氙、锂或锡)，其中在EUV范围内具有一个或更多个发射线。在一种这样的方法中，通常称为激光产生等离子体(“LPP”)，所需的等离子体可以通过以激光束照射燃料来产生，燃料例如是具有所需线发射元素的材料的液滴、流或簇团。源收集器模块SO可以是包括用于提供激光束激发燃料的激光器(图I中未示出)的EUV辐射系统的一部分。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块内的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体(例如当使用CO2激光器提供用于燃料激发的激光束时)。在这种情况下，不会将激光器考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从激光器传到源收集器模块。在其它情况下，所述源可以是源收集器模块的组成部分(例如当所述源是放电产生的等离子体EUV产生器(通常称为DPP源)时)。所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和ο-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置(或称为多小平面反射镜装置和多小平面光瞳反射镜装置)。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)ΜΤ上的所述图案形成装置(例如，掩模)ΜΑ上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经被图案形成装置(例如，掩模)ΜΑ反射后，所述辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2 (例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PSl用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记Ml、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。示出的设备可以用于下列模式中的至少一种I.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图 案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常可以采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。图2更详细地示出光刻设备100的示例，包括源收集器模块S0、照射系统IL以及投影系统PS。源收集器模块SO构造并布置成使得在源收集器模块SO的包围结构202内可以保持真空环境。可以通过放电产生的等离子体源来形成发射EUV辐射的等离子体210。可以通过例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽等气体或蒸汽来产生EUV辐射，其中产生温度非常高的等离子体210用于发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。例如通过导致至少部分电离的等离子体的放电来产生温度非常高的等离子体210。例如分压为IOPa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它的适合的气体或蒸汽对于有效地产生辐射可能是需要的。在一实施例中，被激励的锡(Sn)的等离子体被提供用于产生EUV辐射。由高温的等离子体210发射的辐射从源腔211经由可选的气体阻挡件或污染物阱230 (在一些情况下也称作为污染物阻挡件或翼片阱)到达收集器腔212中，所述气体阻挡件或污染物阱定位在源腔211的开口中或其后面。污染物阱230可以包括通道结构。污染物阱230还可以包括气体阻挡件或气体阻挡件和通道结构的组合。在此处被进一步显示的污染物阱或污染物阻挡件230至少包括本领域中已知的通道结构。收集器腔212可以包括辐射收集器CO，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横越收集器CO的辐射可以被反射离开光栅光谱滤光片240，以被聚焦到虚源点IF处。虚源点IF通常被称作为中间焦点，源收集器模块被布置成使得中间焦点IF定位在包封结构220的开口 221处或附近。虚源点IF是发射辐射的等离子体210的像。随后，辐射横越照射系统IL，其可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24布置成提供在图案形成装置MA处的辐射束21的期望的角度分布以及在图案形成装置MA处的辐射强度的期望的均匀性。在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射辐射束21时，形成了图案化的束26，通过投影系统PS将图案化的束26经由反射元件28、30成像到由晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。比图示更多的元件可以通常设置在照射光学装置单元IL和投影系统PS中。光栅光谱滤光片240可以依赖于光刻设备的类型被可选地设置。另外，可以设置比图示更多的反射镜，例如在投影系统PS中设置比图2显示的多1-6个额外的反射元件。如图2中所显示的收集器光学装置CO被显示为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的不例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O轴向对称设置，这一类型的收集器光学装置CO优选地与通常称为DPP源的放电产生等离子体源组合使用。可替代地，源收集器模块SO可以是图3中显示的LPP辐射系统的一部分。激光 器LA布置成沉积激光能量到燃料中，诸如由供给装置(在图中未显示)提供的氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)，从而产生具有几十eV的电子温度的高度电离的等离子体210。在这些离子的去激励和再复合期间产生的高能辐射由等离子体发射，被近正入射收集器光学装置CO收集且被聚焦到包封结构220中的开口 221上。如之前讨论的，除极紫外辐射之外，等离子体通常产生成颗粒形式的碎片，诸如热能化的原子、离子、中性物质、纳米簇和/或微粒。碎片可能导致对收集器反射镜和其它光学装置的损坏。在尝试防止碎片造成损坏时，可以将缓冲气体用在等离子体的附近区域中，以便减缓碎片。在已有的布置中，缓冲气体可以被通过收集器中的孔且朝向收集器的焦点引导，在产生等离子体时使用的激光束可以穿过所述孔。然而，这不足以防止污染物到达远离所述孔的收集器表面。可替代地或另外地，可以从收集器的外边缘朝向所述孔引导缓冲气体，但是这可能使污染物通过孔并朝向敏感的光学部件运动。因此，虽然这些布置可能减小或抑制污染，但是它们仍然可以被改善。图4公开了包括收集器光学装置的收集器反射镜组件302，在这一示例中收集器光学装置是收集器反射镜CO'。收集器反射镜CO'具有反射表面304。收集器反射镜CO'的反射表面304被构造用于将从第一焦点发射的辐射聚焦到第二焦点。收集器反射镜是正入射收集器。收集器反射镜组件302可以包括在类似于图3中示出的源收集器模块SO中。第一焦点可以与产生发射辐射的等离子体210所在的位置重合。所述位置也被称作为预定的目标点燃位置。由于发射辐射的等离子体210在第一焦点处被产生的事实，虚源点IF与第
二焦点重合。典型地，但是不是必须的，收集器反射镜可以是多层反射镜。这样的多层反射镜可以包括Mo和Si的交替层。抗扩散层可以被设置用于防止Mo层和Si层之间的扩散。用于这样的抗扩散层的适合的材料是B4C。收集器反射镜CO'还包括孔306 (图4)，其延伸通过收集器反射镜CO'的反射表面304。孔306定位在收集器CO'的轴对称线AX上。孔306具有边缘308。组件302设置有管状主体310，管状主体310延伸通过孔306。管状主体310具有内表面312和外表面314。技术人员可以将措词“管状”理解成广义的术语，其可以包括各种不同的结构或与各种不同的结构同义。例如，管状主体可以不具有平行的壁，但是可以替代地是圆锥形或喇叭形。管状主体可以是形成从收集器的一侧(即非收集表面)至收集器的另一相反侧(例如收集表面)的管道的任何结构。管状主体可以具有圆形的横截面，或椭圆形的横截面，或任何其他的适合的横截面。在使用中，主气流GF被引导通过管状主体310，其在这一实施例中被构造和布置成沿着横向于反射表面304的方向引导气流GF。例如,管状主体310的内表面312被构造和布置成沿着横向于反射表面304的方向引导气流GF。典型地,气流GF被朝向第一焦点和第二焦点中的一者或两者引导。开口 316可以定位在管状主体310的外表面314和孔306的边缘308之间。在图4的实施例中，外表面314和边缘308形成或限定开口 316。开口316(其包括形成所述开口 316的至少一部分的一个或更多的结构，例如管状主体310的外表面314和边缘308)被布置成引导另外的气流GF’，所述另外的气流GF’与气流GF分开。分开的气流是有利的，因为可以抑制在更宽的区域上的污染，还可以驱使污染物远离管状 主体310、和/或开口 316和/或收集器CO'的反射表面304。例如，开口 316 (例如形成所述开口 316的一部分的管状主体310的外表面314)可以被设置形状以大致沿着反射表面304并远离管状主体310引导另外的气流GF’。这可能是有利的，因为可以驱使污染物远离管状主体310和/或收集器CO'的开口 316和/或反射表面304。相比，在已知的布置中，缓冲气体可以沿着大致相反的方向从收集器外边缘并朝向收集器中的开口流动。这可能增加了污染物被驱使通过孔并朝向敏感的光学部件等运动的风险，其可以被用于调节在形成等离子体中使用的激光束。这是不期望的。在图4的实施例中，管状主体310的内表面312和外表面314的部分318沿着大致与气流GF相逆的方向逐渐收缩，用于产生之前描述的分流。因为孔306典型地用于传送来自激光器的激光能量，所以管状主体310的适合的布置可能限制了对收集器反射镜CO'的反射表面304的成像能力的任何潜在的损害。例如管状主体310可以定位在不能收集辐射的遮蔽区域中，或在不需要收集的区域中。一个或更多的壁可以设置在管状主体310的外表面314和孔306的边缘之间。为了示出其，图5示意性地显示图4的组件302的修改。因为组件围绕图5中显示的轴对称线AX是对称的，所以仅实际上显示出该组件的一部分。如图5所见，三个壁320a，320b和320c被设置在管状主体310的外表面314和孔306的边缘308之间。这些壁320A，320B和320c将所述另外的气流分隔成一个或更多的子流GF’ a，GF’ b，GF’。和GF’ D。分隔成这样的子流增加了流GF和子流GF’ A，GF’ B，GF’ c和GF’ D的层流性。这些流的层流性是期望的，因为层流通常比非层流(即湍流)更好控制。引入一个或更多的壁32(^，32(^和320。可以可替代地或另外地增加对整个气流的控制度和/或对所述气流的特定分量的方向的控制度。一个或更多的壁320a，320b和320。可以形成另外的管状主体的至少一部分，其围绕已经被描述的管状主体310。将认识到，图4和5中显示的组件被示出为穿过收集器组件的截面。虽然气流被显示为位于图所在的平面中，但是应当认识到气流将是或还可以是围绕轴对称线分布的，或均匀分布的，例如沿着围绕轴对称线的圆周方向。以这种方式，整个收集器表面可以由气流来保护。上述的一个或更多的管状主体或开口可以包括变窄部或约束件，因此形成文氏管。变窄部或约束件可能使得气流在文氏管的区域中被加速，其可能是有利的。包括用于形成或限定这些开口的结构的一个开口或更多个开口，和/或管状主体可以被定义成或形成一个或更多的喷嘴。喷嘴可以包括如之前所述的约束件。穿过收集器和/或管状主体中的开口的气体将通常是同一气体，由同一源供给。气流可以例如是每分钟50和250(标)升之间。该气体可以是氢(原子或分子)、氘、氦和
/或U。包括用于限定所述开口(或另外的开口)的壁的开口和/或中心管状主体可以布置成确保实现气流的特定的分割(split)，该分割位于穿过中心管状主体的气体与周围的一个开口或更多个开口之间。例如，分割可能导致80%的气体流过中心管状主体，20%的气 体通过周围的一个开口或通过周围的更多个开口。在另一示例中，分割可能导致20 %的气体流过中心管状主体和80 %的气体通过周围的一个开口或通过周围的更多个开口。在另一示例中，分割可以在之前的两个示例之间的任何位置，例如分割可能导致50%的气体流过中心管状主体和50 %的气体通过周围的一个开口或通过周围的更多个开口。所述分割可以配置成确保沿着收集器表面的气流不被朝向横向于所述表面的气流拖拉，和/或所述分割可以配置成确保横向于收集器表面的气流不被朝向沿着收集器表面的气流拖拉。这样的分割或这样的分割之间的平衡可以确保气体被朝向收集器的焦点并沿着收集器的表面适当地引导。分割的确切数值将依赖于气体流量和收集器组件等的尺寸变化，和可以例如由反复试验或常规模型化来确定。分割的数值可以可替代地或另外地依赖于操作条件，例如源在哪一占空比下工作。例如，在高的占空比(例如全功率)下，通过中心管状主体的流量可以是80 %，通过周围的一个开口或通过周围的更多个开口的是20 %。在源处在低的占空比下或停止的，分割可以是颠倒的，-20%的气体通过中心管状主体而80%的气体通过周围的一个开口或通过周围的更多个开口。虽然在本文中详述了光刻设备用于制造IC(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层1C，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其它应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
在允许的情况下，术语“透镜”可以表示不同类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的和静电的光学部件。尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。上 文描述意图是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域技术人员应当理解在不背离所附的权利要求的范围的情况下，可以对所述的本发明进行修改。
权利要求
1.一种收集器反射镜组件，包括 具有反射表面的收集器反射镜和具有边缘的孔，所述孔延伸通过反射表面； 管状主体，所述管状主体延伸通过所述孔，所述管状主体具有内表面和外表面，所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导主气流；和 开口，在管状主体的外表面和孔的边缘之间，所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。
2.根据权利要求I所述的组件，其中所述开口布置成大致沿着反射表面引导所述另外的气流。
3.根据权利要求I或2所述的组件，其中所述管状主体的内表面和外表面中的一者或两者的至少一部分沿着与主气流相逆的方向逐渐收缩。
4.根据前述权利要求中任一项所述的组件，其中一个或更多的壁设置在管状主体的外表面和孔的边缘之间，所述一个或更多的壁被构造和布置成将所述另外的气流分成一个或更多的子流。
5.根据前述权利要求中任一项所述的组件，其中所述收集器反射镜构造成将从第一焦点发射的辐射聚焦到第二焦点，其中所述主气流被引导远离反射表面到达第一焦点和第二焦点中的一者或两者。
6.根据前述权利要求中任一项所述的组件，其中所述开口由管状主体的外表面和孔的边缘形成。
7.—种构造用于产生极紫外辐射的模块，所述模块包括 供给装置，配置成将点燃材料的一个或更多的液滴供给至预定的目标点燃位置； 辐射源，配置成供给激光束，所述激光束被布置成聚焦到所述预定的目标点燃位置和通过撞击处在所述预定的目标点燃位置处的液滴来产生等离子体，以便将液滴改变成产生极紫外辐射的等离子体；和 根据前述权利要求中任一项所述的组件。
8.根据权利要求7所述的模块，所述组件是根据权利要求5或6所述的组件，所述目标点燃位置是第一焦点。
9.一种光刻投影设备，布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上，所述设备包括根据权利要求1-6中任一项所述的组件，或根据权利要求7或8所述的模块。
10.一种用于产生极紫外辐射的方法，包括步骤 将诸如激光束等辐射束引导到点燃材料的液滴上，所述液滴定位在预定的目标点燃位置，以便将所述液滴改变成配置成产生极紫外辐射的等离子体； 使用根据权利要求1-6中任一项所述的组件、根据权利要求7或8所述的模块或根据权利要求9所述的光刻投影设备朝向所述预定的目标点燃位置反射辐射和引导气流。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述收集器反射镜构造成将由第一焦点发射的辐射聚焦到第二焦点。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法包括步骤 提供通过管状主体的主气流和/或通过开口的所述另外的气流，所述主气流被朝向第一和第二焦点中的一者或两者引导。
13.—种构造成用于产生极紫外辐射的模块，所述模块包括供给装置，配置成将点燃材料的一个或更多的液滴供给至预定的目标点燃位置；辐射源，配置成供给激光束，所述激光束被布置成聚焦到预定的目标点燃位置和通过撞击在所述预定的目标点燃位置处的液滴产生等离子体，以便将液滴改变成产生极紫外辐射的等离子体；和 收集器反射镜组件，包括 具有反射表面的收集器反射镜和具有边缘的孔，所述孔延伸通过反射表面； 管状主体，所述管状主体延伸通过孔，所述管状主体具有内表面和外表面，所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导主气流；和 开口，在管状主体的外表面和孔的边缘之间，所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。
14.一种光刻投影设备，包括 收集器反射镜组件，包括 收集器反射镜以及具有边缘的孔，收集器反射镜具有配置成将由第一焦点发射的辐射聚焦到第二焦点的反射表面，所述孔延伸通过反射表面， 管状主体，所述管状主体具有内表面和外表面，所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导主气流；和 开口，在管状主体的外表面和孔的边缘之间，所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开， 支撑件，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成在辐射已经穿过第二焦点之后图案化所述辐射，用于形成图案化的辐射束；和 投影系统，配置成将所述图案化的辐射束投影到衬底上。
15.一种用于产生极紫外辐射的方法，包括 将诸如激光束等辐射束引导到点燃材料的液滴上，所述液滴定位在预定的目标点燃位置，以便将所述液滴改变成配置成产生极紫外辐射的等离子体； 使用收集器反射镜组件朝向所述预定的目标点燃位置反射辐射和引导气流，所述收集器反射镜组件包括 具有反射表面的收集器反射镜以及具有边缘的孔，所述孔延伸通过反射表面， 管状主体，所述管状主体具有内表面和外表面，所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导主气流；和 开口，在管状主体的外表面和孔的边缘之间，所述开口布置成引导另外的气流，所述另外的气流与所述主气流分开。
全文摘要
一种收集器反射镜组件(302)包括包括反射表面(304)的收集器反射镜(co’)和具有边缘(308)的孔(306)。所述孔延伸通过反射表面。所述组件还包括管状主体(310)，所述管状主体(310)具有内表面(312)和外表面(314)。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导气流(GF)。所述管状主体的外表面和孔的边缘形成开口(316)，所述开口布置成引导另外的气流(GF’)，所述另外的气流与大致横向于反射表面的气流分开。
文档编号H05G2/00GK102859442SQ201180019319
公开日2013年1月2日 申请日期2011年3月18日 优先权日2010年4月22日
发明者D·兰贝特斯基, E·鲁普斯特拉, A·凯姆鹏 申请人:Asml荷兰有限公司