专利名称：高频天线单元、有其的磁共振装置以及用于其的制造方法
技术领域：
本发明涉及ー种具有高频天线和屏蔽单元的高频天线単元，其特别是用于磁共振装置。
背景技术：
磁共振装置的梯度线圈在磁共振測量期间流过用于产生变化的梯度磁场的脉冲的电流。该脉冲的电流或变化的电流与磁共振装置的恒定磁场在 用于容纳患者的容纳区域内部互相作用并且从而产生了不期望的振动和噪声。借助梯度线圈产生的并且是交变的梯度磁场，在磁共振装置的高频天线的高频导体内部和/或在磁共振装置的高频屏蔽装置内部感应出涡流。该感应出的涡流与静态的磁场互相作用并且从而导致在高频天线、高频导体和高频屏蔽装置内部的不期望的振动，该振动又产生附加的噪声。此外，该感应出的涡流可以在高频天线和/或高频屏蔽装置内部产生热。该在高频天线和/或高频屏蔽装置中所产生的热可以导致在容纳区域和/或患者内部的不期望的温升。从而例如可以不利地影响对于患者的舒适性和/或由于特别是热噪声和/或高频天线的功率损耗的增加而减小磁共振测量的效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，提供ー种用于磁共振设备的高频天线単元，其中降低和/或防止了涡流的感应。本发明从具有高频天线和屏蔽单元的高频天线単元出发，其特别是用于磁共振装置。本发明建议，屏蔽単元和/或高频天线至少部分地由具有至少ー种导电材料和不导电材料的复合材料形成。有利地，可以利用高频天线和/或屏蔽单元防止交变的梯度场和/或交变的梯度脉冲的感应并且从而至少降低和/或防止在高频天线和/或屏蔽单元内部的不期望的涡流的感应。此外，由于在高频天线和/或屏蔽单元内部涡流的降低，还可以至少降低和/或防止在成像期间声学噪声和/或热产生和/或伪影的形成。就此而论，应当特别地将屏蔽単元理解为被构造为用于向外屏蔽(特别是梯度单元的)高频信号和/或用于将高频天线与外部的干扰信号屏蔽的単元。优选地，这样构造屏蔽单元，使得高频天线的高频信号在屏蔽单元上被反射。为此，将屏蔽单元沿着在高频天线和梯度单元之间的径向方向布置。优选地，屏蔽单元和/或高频天线这样构造，使得利用高频天线和/或屏蔽单元通过与梯度场和/或梯度脉冲的相互作用产生的涡流的感应，由于复合材料的电特性、特别是导电性，在高频单元和/或屏蔽单元内部可以被抑制。此外，特别应当将复合材料理解为包括了两个或多个互相连接的材料和/或原料的原料，其中其原料特性可以构造为与复合材料的单个的材料和/或原料的材料特性不同。特别是对于复合材料的材料特性，单个成分和/或材料的物质特征和/或几何特征(例如微粒大小)是重要的。例如，在纤维复合材料的情况下纤维和/或微粒嵌入到复合材料的，例如复合材料的阵列的另ー个成分中。不导电材料优选地包括绝缘体，后者可以至少部分地具有陶瓷和/或环氧树脂和/或玻璃和/或云母和/或阳极化的铜和/或金属氧化物和/或天然橡胶和/或合成橡胶和/或硅。此外，本发明建议，导电材料具有为至少SOXlO6Q-1Hr1的值的电导率，由此可以实现在高频情况下、特别是在高频天线的高频信号的频率范围中的复合材料的有利的传导。导电材料在20°c的温度和直流电流情况下具有至少30 X IO6^r1nT1的电导率的值。如果在磁共振装置中采用高频天线単元，则该导电材料在20°c的温度的情况下和在直流条件下优选地具有至少SS.OXKfQ—inT1的值的电导率。例如，高频天线的高频信号的频率范围，在具有主磁场的大约I. 5T的磁场强度的磁共振设备中位于大约63MHz,并且在具有主磁场的大约3. OT的磁场强度的磁共振设备中位于大约123MHz。此外，本发明建议，导电材料包括至少部分地互相分离地布置在复合材料内部的导电材料成分(Werkstoffelemente),由此可以有利地产生在复合材料内部单个导电材料元件之间的电容分离。单个导电材料成分的电容分离产生复合材料的取决于频率的电导率，从而优选地实现在兆赫兹范围内的频率范围中的频率信号的电传导和在千赫兹范围中 的频率范围中的频率信号的电不传导和/或绝缘。优选地，至少部分地互相分离布置的导电材料成分形成三维的、特别是不规则的框架和/或三维的、特别是不规则的结构，其至少是部分地中断的并且其嵌入在由不导电材料所包括的阵列内部。在此，导电材料的单个导电材料成分在复合材料内部通过不导电材料分离。例如，可以由单个微粒和/或单个粒子形成互相分离的导电材料成分。然而特别有利的是，导电材料包括至少部分地由纤维和/或线形成的导电材料成分。由此，可以特别有利地实现在复合材料内部对于屏蔽功能重要的网络结构。优选地，纤维和/或线包括至少大约I y m的长度和大约2000 u m的最大长度、然而优选为大约200 u m的最大长度。在此,纤维和/或线的横截面可以包括大约IOiim的最大值，优选大约I. Oiim的最大值并且特别优选地包括大约0. 5 ii m的最大值。特别优选地，导电材料包括至少部分由碳纳米管和/或石墨材料(Graphen-Werkstoff)形成的导电材料成分，由此，可以为屏蔽单元和/或高频天线提供具有在高频情况下、特别是在兆赫兹范围内的频率情况下具有非常小的欧姆损耗的导电材料成分的复合材料。在此，特别应当将碳纳米管理解为这样的导电材料，其至少部分地由碳的微小管型结构、特别是由分子的纳米管(carbon nanotubes=CNT)形成。在本发明的另ー个构造中建议，高频天线具有包括了布置在高频天线的天线片段内部的至少ー个导体元件的高频天线失谐单元。就此而论，特别应当将高频天线失谐单元理解为可以用来将在被动的(passiv)和/或非主动的(nicht-aktiv)运行模式中的高频天线的失谐频率范围关于在主动的运行模式中的频率范围失谐的単元。在此，失谐频率范围被构造为与在主动的运行模式中的频率范围不同，其中，该频率范围可以由高频天线的发送频率范围和/或接收频率范围形成。在此，可以将高频天线构造为发射机天线和/或构造为接收机天线。高频天线优选地包括多个天线片段。通过按照本发明的构造可以有利地对于高频天线的失谐实现非线性的电组件、例如PIN ニ极管的接通，方法是，借助导体元件可以将失谐电流与高频信号重叠。优选地，对于每个非线性电组件和/或一组非线性电组件设置具有导体元件的失谐电路，其中将该导体元件布置在复合材料内部。
如果至少一个导体元件至少部分地具有铜丝，则可以特别简单和有效地实现高频天线的失谐。由于该至少ー个导体元件作为铜丝的构造，提供适合于高频天线的失谐的好的导体，其特别是对至少部分地由具有相对于失谐的高的电阻的复合材料形成的高频天线提供失谐电压。借助直流电流的馈入来进行高频天线的失谐，其中复合材料具有相对于直流电流的高的电阻。然而，可以特别有利地借助铜丝来抑制该高的电阻。优选地，铜丝具有至少0. 5mm2的横截面，由此可以有利地防止铜丝的过热，特别是在铜丝中施加的电流强度为至少数百mA吋。此外，由于小的横截面还可以抑制在铜丝内部的涡流的感应。作为至少一个导体元件作为铜丝的构造的替换或附加，该至少一个导体元件还可以至少部分地以薄导体层的形式布置在天线片段内部。优选地，薄导体层的横截面积为至少0. 5_2，从而在此同样可以防止薄导体层的过热和/或不期望的损坏，特别是在薄导体层中施加的至少数百mA的电流强度的情况下。此外，由于薄导体层的小的横截面，可以抑制在导体层内部的涡流的感应。特别优选地，薄导体层可以至少部分地由金属粉末和/或金属薄片和/或银材料和/或包含石墨的材料和/或氧化铟锡和/或掺氟的氧化锡和/或掺杂的氧化锡和/或由碳纳米管构成的有机导体层和/或石墨材料(Graphen-Werkstoff)形成。在此，可以将该薄的导体层嵌入地布置在复合材料内部。 此外，本发明还从ー种具有包括了高频天线単元、主磁体和梯度单元的磁体单元和分析単元的磁共振装置出发。此外，本发明还从ー种用于制造高频天线単元的方法出发，其中，屏蔽单元和/或高频天线由具有至少ー种导电材料和不导电材料的复合材料制造。本发明建议,将复合材料喷涂到载体单元上。优选地,该载体单元具有载体材料，该载体材料由电绝缘的材料形成，以便防止对屏蔽単元和/或高频天线的不期望的损害。载体单元例如可以由在环氧树脂中浇注的圆柱形梯度线圈的内侧形成。通过按照本发明的构造，可以有利地实现屏蔽单元和/或高频天线的特别低成本的和快速的制造。此外，本发明建议，将复合材料在液体的聚集态和/或在溶剂中溶解地喷涂到载体単元上。可以将特别薄的复合材料层以均匀厚的层厚喷涂到载体単元上。例如，可以将复合材料按照复合材料墨水的形式通过喷墨エ序喷涂到载体単元上。复合材料的层厚优选地取决于复合材料的材料。然而特别地，这样构造复合材料的最小层厚，使得最小层厚为电磁波的大约1-2个入射深度，其中在复合材料中的ー个入射深度之后，电磁波的振幅还相应于击中屏蔽单元的电磁波的振幅的1/e。如果将具有40% (体积百分比)并且优选最大30% (体积百分比)至40% (体积百分比)的最大比例导电材料的复合材料喷涂到载体单元上，则可以实现对在高频天线内部不期望的涡流的特别有利的降低。特别优选地，喷涂具有包括了石墨材料和/或碳纳米管的导电材料的复合材料，由此可以对于屏蔽单元和/或高频天线提供具有在高频情况下，特别是在兆赫兹范围中的频率情况下具有非常小的欧姆损耗的导电材料的复合材料。优选地，具有包括了石墨材料和/或碳纳米管的导电材料的复合材料的层的最小厚度至少为2 ii m。在本发明的ー种优选扩展中建议，将高频天线失谐单元的至少ー个导体元件定位在载体单元上，并且然后将复合材料喷涂到载体单元上。可以与高频天线失谐单元一起特别简单地制造高频天线单元、特别是高频天线。
替换地，本发明从一种用于制造高频天线単元的方法出发，其中，屏蔽单元和/或高频天线由具有至少ー种导电材料和至少ー种不导电材料的复合材料制造。本发明建议，通过注塑成型エ艺来制造屏蔽单元和/或高频天线由复合材料，由此可以实现屏蔽单元和/或高频天线的特别简单和成本低的制造。
本发明的其他优点、特征和细节从以下结合附图对实施例的描述中得出。附图中，图I以示意图示出了按照本发明的磁共振装置，图2示出了具有按照本发明的高频天线単元的磁体单元，图3示出了具有高频天线失谐单元的高频天线单元,和
图4示出了按照本发明的制造方法。
具体实施例方式图I示出了按照本发明的磁共振装置10。磁共振装置10包括具有用于产生强的和特别是恒定的主磁场13的磁体单元11 (图I和2)。磁体单元11的主磁体12为此包括超导励磁线圈40。此外，磁共振装置10还具有用于容纳患者15的圆柱形容纳区域14，其中容纳区域14在圆周方向上由磁体单元11包围。患者15可以借助磁共振装置10的患者卧榻16被移动到容纳区域中。患者卧榻16为此可移动地布置在磁共振装置10内部。磁体单元11还具有用于产生磁场梯度的梯度线圈17，其用于在成像期间的位置编码。借助梯度控制単元18控制梯度线圈17。此外磁体単元11具有匀场单元19，其沿着径向方向20布置在梯度线圈17和主磁体12之间。借助匀场单元19均衡主磁场13的非均匀性，从而提供用于磁共振检查的尽可能均匀的主磁场13 (图I和2)。磁体单元11还包括高频天线单元21,其包括高频天线22和高频天线控制单元23，用于激励在由主磁体12所产生的主磁场13中建立的极化。高频天线22由高频天线控制单元23控制并且将高频的磁共振序列入射到基本上由容纳区域14形成的检查空间中。由此将磁化从其均衡位置偏转。此外，借助高频天线22接收磁共振信号。高频天线単元21此外还具有屏蔽单元24 (图2)。为了控制主磁体12、梯度控制单元18和为了控制高频天线控制单元23，磁共振装置10具有由计算单元所形成的控制单元25。控制单元25中央地控制磁共振装置10，例如实施预定的成像梯度回波序列。此外，控制单元25包括用于分析图像数据的分析単元。控制信息(诸如成像參数)以及重建的磁共振图像可以在磁共振装置10的显示单元26上，例如在至少ー个监视器上显示给磁共振装置10的操作者。此外，磁共振装置10还具有输入単元27，借助该输入単元可以由操作者在测量过程期间输入信息和/或參数。输入单元27例如可以包括键盘和/或计算机鼠标和/或其他输入元件。所示出的磁共振装置10当然还可以包括磁共振装置10通常具有的其他组件。磁共振装置10的一般性工作原理对于专业人员是公知的，从而对一般的组件不作详细描述。屏蔽单元24沿着径向方向20布置在高频天线22和梯度线圈17之间。此外屏蔽単元24圆柱形地构造并且布置在梯度线圈17的圆柱形的载体单元29的内側。借助圆柱形的载体单元29放置梯度线圈17，其中圆柱形的载体单元29由电绝缘的材料、特别是由环氧树脂形成。在此，将梯度线圈17浇注在圆柱形的载体单元29内，其中载体单元例如由环氧树脂或玻璃纤维增强塑料(GFK)形成。在高频天线单元21的一种替换的构造中，屏蔽单元24可以独立于梯度线圈17和/或在可以实现有利的屏蔽的其他区域上，布置在高频天线单元21内部。高频天线22具有高频天线导线31，其构造为用于对高频天线22传输和/或提供高频信号。高频天线导线31被布置在由高频天线22的高频天线支架形成的圆柱形载体单元32上。高频天线22的圆柱形载体单元32由电绝缘的和/或不导电材料，例如环氧树脂和/或玻璃纤维增强塑料形成。为了高频信号的有效信号传导和在直到数千赫兹的频率范围中感应的 涡流的有效抑制，屏蔽单元24和高频天线22至少部分地由具有导电的第一材料和不导电的第二材料的复合材料形成。在本发明的一种替换的构造中，复合材料还可以具有其他导电材料和/或不导电材料。不导电材料例如由陶瓷形成。此外，不导电材料在高频、特别是在高频天线的高频信号的频率下，具有小的介电损耗tan( S)，其中，损耗角8反正切定义了不导电材料的有功功率与无功功率的比例。替换地或附加地，不导电材料还可以由环氧树脂和/或玻璃和/或云母和/或阳极氧化的铜和/或金属氧化物和/或天然橡胶和/或合成橡胶和/或硅和/或其他专业人员认为是有意义的材料形成。不导电材料在复合材料内部形成不导电阵列，其中导电材料的导电材料成分嵌入和/或布置在不导电阵列内部。导电材料具有如下的电导率该电导率在大约20°C的温度和直流电流情况下具有至少58. OX IO6Q-1HT1的值，以便使得在高频天线22和屏蔽单元24内部、特别是复合材料内部具有在兆赫兹范围中的频率的信号的传导成为可能。在高频天线単元21的用于磁共振装置10的替换的应用中，导电材料还可以具有在20°C和在直流电流情况下至少30 X IO6 Q 的电导率。此外，导电材料由单个的导电材料成分形成，后者在由不导电材料形成的不导电阵列内部被至少部分互相分离地布置。导电材料的导电材料成分优选由线和/或纤维形成。优选地，导电材料的导电材料成分由碳纳米管(CNT)和/或石墨材料形成，从而呈现对于导电材料的具有小的欧姆损耗的特别有利的电导率和/或在高频天线22和屏蔽单元24内部具有在兆赫兹范围中的频率的信号的有利的传导。由碳纳米管和/或由石墨材料构成的纤维和/或线具有大约10 ii m的最大横截面、优选大约I. 0 ii m的最大横截面并且特别优选大约0. 5 y m的最大横截面值。由碳纳米管和/或由石墨材料构成的纤维和/或线的长度为I 和最大大约2000 iim之间，然而优选在I ii m和最大200 之间。导电材料的导电材料成分在复合材料或由不导电材料形成的阵列内部被布置为三维的不规则框架和/或三维的不规则结构，从而导电材料成分在不导电阵列内部形成网状的框架和/或网状的结构。然而，三维的不规则框架和/或三维的不规则结构中断，使得单个导电材料成分至少部分地在空间上互相分离地布置在三维不规则框架和/或三维不规则结构内部。但是，单个导电材料成分的布置是不规则的，从而在单个导电材料成分之间的间隔也是不规则的。在单个导电材料成分之间的中间空间由不导电材料填满。由于在单个导电材料成分之间的空间分离，在单个导电材料成分之间形成电容分离。在此，这样选择在单个导电材料成分之间的间隔，使得对于在兆赫兹范围中的频率信号进行频率信号传导并且对于在赫兹范围直到千赫兹范围的频率信号在复合材料内部的频率信号传导被阻止。在此，在单个导电材料成分之间的间隔取决于复合材料内部的导电材料成分的长度和/或横截面积和/或浓度。复合材料内部的导电材料成分的浓度为最大40% (体积百分比)、但优选为最大30% (体积百分比)至40% (体积百分比)。对于在低频范围中的频率信号，特别是在赫兹范围至千赫兹范围中的频率信号，复合材料由于中断的三维不规则框架和/或中断的三维不规则结构而具有低的电导率，从而降低和/或阻止了通过具有优选在千赫兹范围中的频率的梯度场和/或梯度脉冲感应出的电涡流。优选地，复合材料的电导率在该频率范围具有绝缘体的电导率值。相反，在高频天线的频率信号情况下，特别是在兆赫兹范围中的频率信号的情况下，复合材料具有闻的电导率，从而这样在数兆赫兹的频率范围中进行闻频天线22和屏蔽单兀24的闻频信号的传导。这样构造复合材料的组合，使得在兆赫兹范围中的比电阻(spezif ischerWiderstand)最小，但是在赫兹范围和千赫兹范围中取最大的值。此外，高频天线単元21包括高频天线失谐单元33，其构造为用于在高频天线22的 被动的运行模式中和/或在非运行(Nichtbetrieb)中高频天线22的失谐(图3)。高频天线失谐単元33具有多个导体元件34，其分别布置在天线片段35中，其中在图3中示例性示出了具有导体元件34的天线片段35。导体元件34由细铜丝形成。细铜丝的横截面积为至少0. 5mm2，从而在高频天线失谐单元33的运行中抑制细铜丝的变热并且因此防止细铜丝的损坏。在高频天线失谐单元33的运行中至少数百mA的直流电流流过导体元件34。铜丝由复合材料包围地布置在天线片段35内部(图3)。铜丝在高频天线失谐单元33的失谐电路36内部在第一端与PIN ニ极管37导电相连并且在第二端经过线圈41与偏置电压源38相连。线圈41具有高的阻抗以抑制在失谐电路36中高频信号的不期望的耦合。高频天线22的天线片段35集成在高频信号电路39中。在高频天线22的被动运行模式和/或非运行期间，借助高频天线失谐单元33在天线片段上施加失谐电流，从而在高频天线22的被动运行模式和/或非运行的当前频率与在天线元件22的运行模式、例如发送运行模式和/或接收运行模式中高频天线22的运行频率相区別。作为高频天线失谐単元33的导体元件34作为铜丝的构造的替换，导体元件34还可以构造为薄的导体层，其中薄的导体层优选地由具有诸如铜的电导率的类似的好的电导率的材料形成。在此，薄的导体层可以由金属粉末和/或金属薄片和/或银材料和/或包含石墨的材料和/或氧化铟锡和/或掺氟的氧化锡和/或掺杂氧化锡和/或由碳纳米管构成的有机导体层和/或石墨材料和/或专业人员认为是有意义的其他材料形成。在此，薄的导体层的横截面积应当为至少0. 5_2，从而在这里高频天线失谐单元33的运行同样可以防止薄的导体层的变热并且由此防止薄的导体层的损坏。对于上面描述的具有屏蔽单元24的高频天线元件21的制造，在图4中描述了用于制造高频天线单元21的方法。在该方法中，在喷涂エ序101中将复合材料为了制造屏蔽単元21和高频天线22借助未详细示出的喷涂装置喷涂到载体单元29、32上。在此，将复合材料在喷涂エ序101中喷涂到梯度线圈17的圆柱形载体单元29的在径向方向20上位于内部的侧面上。此外，将复合材料在喷涂エ序101中喷涂到高频天线22的圆柱形载体单元32的在径向方向20上位于外部的侧面上。在喷涂エ序101之前,将复合材料转换到液体的聚集态(Aggregatzustand)和/或在溶剂中溶解然后以喷液的形式在喷涂エ序中借助喷涂装置喷涂到载体单元29、32上。喷液例如可以是具有液体的和/或溶解的复合材料的墨状的液体，其借助喷涂的墨水束被喷涂到载体単元29、32上。还可以考虑喷液的其他构造。复合材料在液体聚集态和/或在溶解状态具有大约40% (体积百分比)的最大比例导电材料并且优选最大30%至40% (体积百分比)，其中导电材料优选包括碳纳米管和/或石墨材料。通过喷涂在液体聚集态和/或在溶剂中溶解的状态的复合材料，实现了在高频天线22和屏蔽单元24内部对于复合材料的均匀厚的层厚。为了在高频天线22内部集成高频天线失谐单元33,在定位エ序100中将高频天线失谐单元33的导体元件34预先定位在圆柱形载体单元32上并且然后喷涂按照液体聚集态和/或在溶解状态的复合材料。在喷涂エ序101之后，在干燥エ序102中干燥复合材料的喷涂的层。在此，在圆柱形载体单元29上的复合材料的层厚对于高频天线22以及对于 屏蔽单元24都为至少2 ym，但是优选直至数百ym。然而，复合材料的层厚构造得越厚，则屏蔽单元24和高频天线22构造得越坚固和稳定，从而层厚可以为直至数毫米。作为复合材料到载体单元的载体元件上的喷涂的替换，还可以按照注塑成型方法来制造屏蔽单元24和高频天线22。
权利要求
1.一种具有高频天线(22)和屏蔽单元(24)的高频天线单元，特别是用于磁共振装置(10)，其特征在于，所述屏蔽单元(24)和/或所述高频天线(22)至少部分地由具有至少一种导电材料和至少一种不导电材料的复合材料形成。
2.根据权利要求I所述的高频天线单元，其特征在于，所述导电材料具有如下的电导率该电导率具有至少Soxio6Q-1Iir1的值。
3.根据权利要求I或2所述的高频天线单元，其特征在于，所述导电材料包括至少部分地互相分离地布置在复合材料内部的导电材料成分。
4.根据权利要求I至3中任一项所述的高频天线单元，其特征在于，所述导电材料包括至少部分地由纤维和/或线形成的导电材料成分。
5.根据权利要求I至4中任一项所述的高频天线单元，其特征在于，所述导电材料包括至少部分由碳纳米管形成的导电材料成分。
6.根据上述权利要求I至5中任一项所述的高频天线单元，其特征在于，所述导电材料包括至少部分由石墨材料形成的导电材料成分。
7.根据上述权利要求I至6中任一项所述的高频天线单元,其特征在于，所述高频天线(22)具有包括了布置在天线片段(35)内部的至少一个导体元件(34)的高频天线失谐单元(33)。
8.根据权利要求7所述的高频天线单元，其特征在于，所述至少一个导体元件(34)至少部分地具有铜丝。
9.根据权利要求7所述的高频天线单元，其特征在于，至少一个导体元件(34)至少部分地以薄导体层的形式被布置在天线片段(35)内部。
10.根据权利要求9所述的高频天线单元，其特征在于，所述薄导体层至少部分地由金属粉末和/或金属薄片和/或银材料和/或包含石墨的材料和/或氧化铟锡和/或掺氟的氧化锡和/或掺杂氧化锡和/或由碳纳米管构成的有机导体层和/或石墨材料形成。
11.一种具有磁体单元(11)和分析单元的磁共振装置，该磁体单元包括了按照权利要求I所述的高频天线单元(21)、主磁体(12)和梯度单元(17)。
12.一种用于制造按照权利要求I所述的高频天线单元(21)的方法，其中，屏蔽单元(24)和/或高频天线(22)由具有至少一个导电材料和至少一种不导电材料的复合材料制造，其特征在于，将复合材料喷涂到载体单元(29，32)。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，将复合材料在液体的聚集态和/或在溶剂中溶解地喷涂到所述载体单元(29，32 )上。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，喷涂具有40%(体积百分比)的最大比例导电材料的复合材料。
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，喷涂具有包括了石墨材料和/或碳纳米管的导电材料的复合材料。
16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，将高频天线失谐单元(33)的至少一个导体元件(34)定位在所述载体单元(29，32)上并且然后将复合材料喷涂到该载体单元(29,32)上。
17.一种用于制造按照权利要求I所述的高频天线单元(21)的方法，其中屏蔽单元(24)和/或高频天线(22)由具有至少一种导电材料和至少一种不导电材料的复合材料制造，其 特征在于，所述屏蔽单元(24)和/或高频天线(22)由复合材料通过注塑成型工艺制造。
全文摘要
高频天线单元、有其的磁共振装置以及用于其的制造方法。本发明涉及一种具有高频天线(22)和屏蔽单元(24)的高频天线单元，特别是用于磁共振装置(10)，其特征在于，所述屏蔽单元(24)和/或所述高频天线(22)至少部分地由具有至少一种导电材料和至少一种不导电材料的复合材料形成。
文档编号H05K9/00GK102810724SQ20121017415
公开日2012年12月5日 申请日期2012年5月30日 优先权日2011年5月30日
发明者S.波佩斯库 申请人:西门子公司