一种盲孔加工方法
【专利摘要】本发明公开了一种盲孔加工方法，包括：采用控深钻工艺在电路板的外层铜箔上加工盲孔，所述外层铜箔的厚度为a，控深钻深度为b，其中，a大于3OZ，a减去b小于1OZ；采用蚀刻工艺继续加工所述盲孔，使所述盲孔贯穿所述外层铜箔；采用激光钻工艺将所述盲孔下方的介质层去除。本发明技术方案由于先采用控深钻工艺加工盲孔至一定深度，再采用蚀刻工艺继续加工；可以防止因控深钻精度差在介质层厚度小于4mil的情况下对铜箔层的伤害，并减轻侧蚀的影响，很容易加工出小孔径的合格盲孔。
【专利说明】一种盲孔加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电路板【技术领域】，具体涉及一种盲孔加工方法。
【背景技术】
[0002]盲孔加工技术是电路板发展的关键技术之一。通常使用的盲孔加工技术包括蚀亥IJ、机械钻和激光钻等。但是，对于铜箔厚度大于30Z且介质厚度小于4mil的厚铜电路板，现有技术很难加工出合格的盲孔。
[0003]采用控深钻工艺时，如果铜厚大于30Z，则控深钻的精度就无法有效控制，在介质厚度小于4mil时，容易伤害到盲孔下层的铜箔。。采用激光钻工艺时，厚度大于30Z的铜箔很难被钻穿。采用蚀刻工艺时，如果铜厚大于30Z，则侧蚀的问题会很严重，无法加工孔径较小，例如小于8密耳(mil)的盲孔。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种盲孔加工方法，以解决现有技术对于厚铜电路板很难加工出合格盲孔的技术问题。
[0005]一种盲孔加工方法,包括:
[0006]采用控深钻工艺在电路板的外层铜箔上加工盲孔，所述外层铜箔的厚度为a，控深钻深度为b，其中，a大于30Z，a减去b小于IOZ ；
[0007]采用蚀刻工艺继续加工所述盲孔，使所述盲孔贯穿所述外层铜箔；
[0008]采用激光钻工艺将所述盲孔下方的介质层去除。
[0009]本发明实施例技术方案先采用控深钻工艺加工盲孔至一定深度，再采用蚀刻工艺继续加工，可以减少如介质厚度太薄时控深钻精度不足对铜箔层造成的伤害，并减轻侧蚀的影响，很容易加工出小孔径的合格盲孔。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本发明实施例提供的盲孔加工方法的流程图；
[0011]图2至图7是本发明实施例方法加工过程中各个步骤的电路板的示意图。
【具体实施方式】
[0012]本发明实施例提供一种盲孔加工方法，可以解决现有技术对于厚铜电路板很难加工出合格盲孔的技术问题。以下进行详细说明。
[0013]实施例一、
[0014]请参考图1，本发明实施例提供一种盲孔加工方法，包括:
[0015]101、采用控深钻工艺在电路板的外层铜箔上加工盲孔，所述外层铜箔的厚度为a，控深钻深度为b，其中，a大于30Z，a减去b小于10Z。
[0016]所说的电路板可以包括多层子板，其外层铜箔的厚度a大于30Z。本实施例中，盲孔加工过程分几个阶段进行。首先，采用控深钻工艺在外层铜箔上钻设盲孔，但不钻穿该外层铜箔。假设控深钻的深度为b，则应使a减去b小于10Z，即，外层铜箔留下小于IOZ —层不被钻穿。
[0017]102、采用蚀刻工艺继续加工所述盲孔，使所述盲孔贯穿所述外层铜箔。
[0018]本步骤中，采用外用蚀刻工艺去除盲孔底部未被钻穿的外层铜箔，使盲孔贯穿外层铜箔，具体步骤包括:先采用干膜保护所述外层铜箔上除所述盲孔以外的区域；再采用蚀刻工艺将所述盲孔蚀刻加深，直到贯穿所述外层铜箔；然后去除所述干膜。本步骤中，由于蚀刻深度小于10Z，侧蚀的影响被降低到很小，不会对盲孔孔径造成大的不良影响。
[0019]103、采用激光钻工艺将所述盲孔下方的介质层去除。
[0020]本步骤中，采用激光钻工艺沿着盲孔继续加工盲孔下方的介质层，将外层铜箔和次外层铜箔之间的介质层烧蚀去除。该介质层的厚度优选为小于4mil。激光钻过程中，部分介质层会被去除，但也可能有部分介质层会碳化，形成碳化物遗留在盲孔中。于是，需要清除盲孔内因激光钻工艺产生的碳化物。具体应用中，可以采用高锰酸钾药水清除所述碳化物。然后，还可以采用清水等对盲孔做进一步清洗。
[0021]至此，贯穿外层铜箔和紧邻外层铜箔的介质层的盲孔已经加工完毕。后续，可以继续采用常规工艺进行电路板加工，例如，沉铜电路，图形转移，阻焊加工等。
[0022]综上，本发明实施例提供了一种盲孔加工方法，该方法先采用控深钻工艺加工盲孔至一定深度，再采用蚀刻工艺继续加工，使盲孔贯穿厚度大于30Z的外层铜箔，可以减少控深钻深度过大、精度不足时对铜箔层造成的伤害，并减轻侧蚀的影响，很容易加工出孔径较小，例如小于8密耳(miI)的合格盲孔。
[0023]实施例二、
[0024]下面，结合加工过程中各个步骤的电路板的示意图，对本发明实施例方法做进一步详细的说明，包括以下步骤:
[0025]下料和层压:如图2所示，根据产品需要，提供若干依次间隔排列的介质层和铜箔层压合到一起，最外侧的两面都是铜箔层，且外层铜箔201的厚度大于30Z ；
[0026]钻孔:如图3所示，在压合后的电路板上钻设出需要的通孔202 ；
[0027]控深钻:如图4所示，采用控深钻工艺钻穿部分层铜箔201，形成具有一定深度的盲孔203，此步骤中，盲孔203的加工深度小于外层铜箔201的厚度，盲孔203底部距离外层铜箔201的底部不超过IOZ ；
[0028]外层图形:如图5所不,在铜箔201表面设置干膜204,但露出盲孔203,以保护盲孔203以外的区域；
[0029]外层蚀刻:如图6所示，蚀刻所述盲孔203，将盲孔203底部的外层铜箔201蚀刻掉，使盲孔203加深至贯穿外层铜箔201，然后去除干膜204 ；
[0030]激光钻:如图7所示，采用激光钻工艺加工盲孔203底部，将下方的介质层205烧除掉或碳化，这里所说的介质层205是外层铜箔201和次外层铜箔之间的介质层；
[0031]去钻污:将盲孔203内激光钻烧过形成的碳化物用高猛酸价药水去除干净；
[0032]内层清洗:采用清水等清洗盲孔203内残留的污物；
[0033]其它流程:例如沉铜电路，图形转移，阻焊加工等。
[0034]采用上述流程加工盲孔，可以减轻侧蚀的影响，加工出孔径小于8密耳(mil)的合格盲孔。
[0035]本发明实施例方法特别适用于铜箔较厚而介质较薄，例如铜箔厚度超过30Z，介质厚度小于4mil的电路板。
[0036]以上对本发明实施例所提供的盲孔加工方法进行了详细介绍，但以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，不应理解为对本发明的限制。本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种盲孔加工方法，其特征在于，包括: 采用控深钻工艺在电路板的外层铜箔上加工盲孔，所述外层铜箔的厚度为a，控深钻深度为b，其中，a大于30Z，a减去b小于IOZ ; 采用蚀刻工艺继续加工所述盲孔，使所述盲孔贯穿所述外层铜箔； 采用激光钻工艺将所述盲孔下方的介质层去除。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括: 清除所述盲孔内因激光钻工艺产生的碳化物。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的清除所述盲孔内因激光钻工艺产生的碳化物包括: 采用高锰酸钾药水清除所述碳化物。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的采用蚀刻工艺继续加工所述盲孔包括: 采用干膜保护所述外层铜箔上除所述盲孔以外的区域； 采用蚀刻工艺将所述盲孔蚀刻加深，直到贯穿所述外层铜箔； 然后去除所述干膜。
5.根据权利要求1至4中任一所述的方法，其特征在于: 所述盲孔的孔径不大于8mil。
6.根据权利要求1至4中任一所述的方法，其特征在于: 所述盲孔下方的介质层的厚度小于4mil。
【文档编号】H05K3/40GK103813653SQ201210447393
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2012年11月9日 优先权日:2012年11月9日
【发明者】刘宝林, 郭长峰, 崔荣 申请人:深南电路有限公司