专利名称：一种大尺寸类单晶籽晶的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种大尺寸类单晶籽晶。
背景技术：
目前传统类单晶籽晶受到切割工艺的限制目前市场上所制尺寸为156*156方块，如图I所示，其主要缺点为在切割生产过程中对于单晶硅棒使用面积过少，造成成本偏高。其尺寸限制主要为受生产设备线开方机限制，只能切割出此最大156*156尺寸的籽晶。目前156*156的小籽晶如需拼接成最终成品780*780的籽晶，需要拼接25±夹，由于拼接时拼接不当造成缝隙过大，同时在类单晶铸锭过程中多晶原料融化后呈液体状，液体将通过籽晶缝隙流入，由于单块籽晶较轻易受到液体的浮力影响漂浮起来，影响最终的类单晶成晶，由于大尺寸籽晶单块几倍于156*156的重量，浮力对其影响几乎可以忽略不计。另外大尺寸籽晶组合只需少数几块即可达到780*780的面积，比小尺寸籽晶组合缝隙少了近一半，潜在受到浮力的影响大大减少。
实用新型内容本实用新型目的在于针对现有技术的缺陷提供一种单晶硅棒利用率高，切割籽晶尺寸大的大尺寸类单晶籽晶及其生产工艺。本实用新型为实现上述目的，采用如下技术方案一种大尺寸类单晶籽晶，其特征在于其长度为700-1200mm，厚度为5_30mm，宽度为 50-400mm。—种大尺寸类单晶籽晶的生产工艺，包括下述步骤(I)将大直径单晶硅棒去头尾，切割成设定长度尺寸；(2)将去头尾的单晶硅棒纵向切割成设定厚度的薄片；(3)将切割好的薄片去边皮，得到最终成品。本实用新型大尺寸类单晶籽晶面积大，拼接数量少，更利于类单晶的铸锭。大尺寸类单晶籽晶工艺可以在同等长度和直径大小的单晶硅棒中做出更多的籽晶产品，因其最大范围的使用了整个单晶硅棒的圆面积使得利用率大大提高，也使生产成本得到了降低。
图1、2为现有技术切割示意图，图中虚线为切割线；图3为本实用新型切割示意图，图中虚线为切割线；图4为本实用新型示意图。
具体实施方式
如图4所示一种大尺寸类单晶籽晶，其长度为700-1200mm，厚度为5_30mm，宽度为50-400mmo[0016]如图3所示一种大尺寸类单晶籽晶的生产工艺，包括下述步骤(I)将大直径单晶硅棒去头尾，切割成设定长度尺寸；(2)将去头尾的单晶硅棒纵向切割成设定厚度的薄片；(3)将切割好的薄片去边皮，得到最终成品。以8寸单晶硅棒直径200mm举 例，长度切割780mm，其最大产品可做成780*196，远远超出同厚度情况下的156*156产品。
权利要求1.ー种大尺寸类单晶籽晶，其特征在于其长度为700-1200mm，厚度为5-30mm，宽度为50-400mmo
专利摘要本实用新型公布了一种大尺寸类单晶籽晶，其特征在于其长度为700-1200mm，厚度为5-30mm，宽度为50-400mm。一种大尺寸类单晶籽晶的生产工艺，包括下述步骤(1)将大直径单晶硅棒去头尾，切割成设定长度尺寸；(2)将去头尾的单晶硅棒纵向切割成设定厚度的薄片；(3)将切割好的薄片去边皮，得到最终成品。本实用新型大尺寸类单晶籽晶面积大，拼接数量少，更利于类单晶的铸锭。大尺寸类单晶籽晶工艺可以在同等长度和直径大小的单晶硅棒中做出更多的籽晶产品，因其最大范围的使用了整个单晶硅棒的圆面积使得利用率大大提高，也使生产成本得到了降低。
文档编号C30B11/14GK202808987SQ201220327258
公开日2013年3月20日 申请日期2012年7月6日 优先权日2012年7月6日
发明者孙勇 申请人:无锡中硅科技有限公司