专利名称：一种用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板的制作方法
技术领域：
本实用新型属于晶体硅太阳能电池制造领域，涉及一种适用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板。
背景技术：
在半导体硅和太阳能电池制造中，槽式湿法制绒工艺是对晶体硅片表面进行湿法蚀刻，形成微沟、绒面，降低硅片表面的反射率，从而使太阳光在硅片表面进行多次反射，以提闻光的利用率。在多晶硅太阳能电池的制备工艺中，目前大多数厂家都是采用价格不菲的进口链式制绒设备，原因是市面上的槽式多晶制绒设备还存在几个大的问题:(1)很难保证制绒后硅片表面绒面的大小及均匀性，这样当电池制作进行到镀膜工序时，由于绒面的不均匀会导致镀膜后出现明显的色差，从而降级；(2)目前的槽式制绒机都采用单层的匀流板设计，温度较低的药液通过匀流板小孔直接喷射到硅片的下表面，很难做到所有硅片上下表面的药液浓度和温度达到均匀。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是，针对现有技术存在的缺陷，提供一种适用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板结构，可有效改善槽式制绒过程中硅片上下表面的药液浓度和温度的均匀性。本实用新型的技术方案为，一种用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板，该匀流板分为上下两层，并在上层匀流板和下层匀流板上分别设有匀流孔。所述上层匀流板上的匀流孔与下层匀流板上的匀流孔交错布置。所述上层匀流板与下层匀流板之间设有支撑件，防止匀流板变形。所述上层匀流板顶部设有花篮支撑。所述上层匀流板与下层匀流板均为聚四氟乙烯板。本实用新型在原有单层匀流板的基础上把匀流孔进一步缩小，同时采用双层匀流板，上下两层的匀流孔位置错开，在使用时，温度较低的药液不会直接通过匀流孔冲击到硅片底部，而是通过第一层匀流孔后，遇到第二层匀流板的阻挡，在两层匀流板之间充分的混合后再从第二层匀流孔中进入到主反应槽。这样，使得反应槽中的药液温度和浓度更加均匀，硅片底部由于不受到新药夜的冲击，上下绒面的均匀性得到保证。本实用新型与现有的匀流板相比，能够有效改善槽式制绒过程中硅片上下表面的药液浓度和温度的均匀性，使硅片制绒后绒面分布更加均匀，镀膜后颜色均匀，进一步降低反射率。
图1是本实用新型双层匀流板结构示意图；[0013]图2是本实用新型双层匀流板中上层板的结构示意图。
具体实施方式
如图1、图2所示，一种用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板，该匀流板分为上下两层，并在上层匀流板2和下层匀流板3上分别设有匀流孔I ;上层匀流板2上的匀流孔与下层匀流板3上的匀流孔交错布置。上层匀流板2与下层匀流板3之间设有支撑件4，上层匀流板2顶部设有花篮支撑5。上层匀流板2与下层匀流板3均为聚四氟乙烯板。其中，勻流孔I的直径5mm,间距20mm ;两层勻流板面积一样,厚度均为IOmm,间距15mm ;花篮支撑，高 30mm,宽 20mm,长 400mm。
权利要求1.一种用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板，其特征是，该匀流板分为上下两层，并在上层匀流板(2)和下层匀流板(3)上分别设有匀流孔(I)。
2.根据权利要求1所述用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板，其特征是，所述上层匀流板(2)上的匀流孔与下层匀流板(3)上的匀流孔交错布置。
3.根据权利要求1所述用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板，其特征是，所述上层匀流板(2)与下层匀流板(3)之间设有支撑件(4)。
4.根据权利要求1所述用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板，其特征是，所述上层匀流板(2)顶部设有花篮支撑(5)。
5.根据权利要求1-4之一所述用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板，其特征是，所述上层匀流板(2)与下层匀流板(3)均为聚四氟乙烯板。
专利摘要本实用新型属于晶体硅太阳能电池制造领域，涉及一种适用于槽式多晶硅制绒的双层匀流板，该匀流板分为上下两层，并在上层匀流板和下层匀流板上分别设有匀流孔。本实用新型与现有的匀流板相比，能够有效改善槽式制绒过程中硅片上下表面的药液浓度和温度的均匀性，使硅片制绒后绒面分布更加均匀，镀膜后颜色均匀，进一步降低反射率。
文档编号C30B33/10GK202989355SQ20122054588
公开日2013年6月12日 申请日期2012年10月24日 优先权日2012年10月24日
发明者刘文峰, 廖章斌, 成文 申请人:湖南红太阳光电科技有限公司