专利名称：生产十一或十二根硅芯水的高频线圈的制作方法
技术领域：
生产H—或十二根娃芯水的高频线圈
技术领域：
本实用新型涉及人工晶体技术领域，尤其是涉及一种生产十一或十二根硅芯水的高频线圈。
背景技术：
目前，硅芯在国内使用量非常巨大；现有的硅芯、单晶硅及其它材料晶体区熔方式生产的工艺过程中，大多使用的是一种单目高频线圈，其工作原理是:工作时通过给高频线圈通入高频电流，使高频线圈产生电流对原料棒进行感应加热，加热后的原料棒上端头形成融化区，然后将仔晶通过拉制孔后插入原料棒上端的熔化区，然后慢慢提升仔晶，熔化后的原料就会跟随仔晶上升，形成一个新的柱形晶体，这个新的柱形晶体便是硅芯或其它材料晶体的制成品。本设计人在线申请了多项实用新型或实用新型的高频线圈专利，使用中虽然得到了较好的技术效果，但如何在高频线圈上分布较多的拉制孔和拉制出的硅芯椭圆度问题一直是一个技术瓶颈，这主要是在原料棒的上端对应拉制孔或化料孔形成的小溶区在拉制过程中，小溶区处的局部凹陷，另外的熔化原料向凹陷的小溶区流淌，也就是环绕中部拉制孔或化料孔的拉制孔的之间的原料棒的上端没有得到利用，相应的拉制根数也得不到拓展，在先申请中的拉制孔通过改变为球拍形拉制孔或水滴形拉制孔，使得椭圆度问题得以较大的克服。在高频线圈上孔位布局不是随便的，也就是高频线圈上设置多少个拉制孔，相对应的电压调整、籽晶夹头结构等均需要做适应性调整，设备的匹配程度也是主要环节，所以高频线圈拉制孔的数量必须对应相应设备，形成一个可适应设备的关键零部件。在本人近期多次实验中发现，导流`槽处的空白区域通过添加拉制孔可以有效克服拉制根数限制的技术瓶颈，而且通过在导流槽处添加拉制孔，不仅使得拉制数量得到提升，而且对于原料棒上端减少局部过高也具有很好的益处，得到了相对平稳度的提升；需要说明的是，高频线圈看似一个简单的铜板，实际制作难度极高，所以高频线圈的单个售价都在3000元以上，其中的制作研发为主要成本；而且高频线圈属于易耗品，也就是原料棒上端以及拉制过程中的硅芯都不得与高频线圈有任何接触，一旦出现接触便会出现瞬间打火，这时不得不停炉进行高频线圈的更换，这中间的停炉成本、线圈成本以及耗费工时都是难以克服的生产成本，通常情况下一个高频线圈使用期限在一个星期左右。多晶硅是太阳能光伏发电产业链的重要组成部分。光伏发电产业链从上游到下游，主要包括的产业链条包括多晶硅、硅片、电池片以及电池组件。整个光伏产业的利润和成本几乎都集中在上游的多晶硅生产环节，也就是使用高频线圈的晶体拉制，还原炉的晶体还原过程耗电量和加工成本占到很大部分。但是，由于欧洲金融危机的出现和国外技术的提升，美国对本国的多晶硅加工企业使用政府补贴方法，使得具有高技术和政府补贴的企业可以低价销售，对于我国企业采取高关税政策，并且欧洲国家纷纷取消太阳能补贴，国外订单锐减，多晶硅价格一路暴跌。所以摆在我国多晶硅企业面前的是实实在在的生存问题。事实上，多晶硅价格降低，终端市场价格也在降低，多晶硅的制作成本我国现在还无法跟国外先进的多晶硅企业相媲美，我们中国的多晶硅是迎合了太阳能光伏产业发展的需要而匆忙上阵的一个模式；无论是自主研发还是引进设备、技术的企业，与国际先进技术相比，仍然有较大差距。本实用新型人在试验成功的同时拉制多根硅芯技术“一炉五芯”，实现了国内的多根硅芯同时拉制技术突破，节能效果明显，成为江苏中能、洛阳中硅等大型多晶硅企业的主选设备，不仅获得了生产、用电成本的大幅度降低，也获得了巨大的商业成功。然而，进一步降低成本是实用新型人不懈的技术诉求，只有降低生产成本，多晶硅行业才能够有效增强竞争力，这也是我国多晶硅行业起死回生的必经之路。参考文献:网上对于本实用新型人在先申请技术的报道我国硅材料生产实现“一炉五芯”；链接网址http://www.cpcia.0rg.cn/html/news/20094/65746_9044.shtml以下为相关中国专利申请；1、专利或申请号、200810182052.X ;专利名称、可同时生产七根硅芯及其它晶体材
料的高频线圈结构；2、专利或申请号、200810182053.4 ;专利名称、可同时生产八根硅芯及其它晶体材
料的高频线圈结构；3、专利或申请号、200810182055.3 ;专利名称、可同时生产五根硅芯及其它晶体材
料的高频线圈结构；4、专利或申请号、200810182054.9 ;专利名称、可同时生产四根硅芯及其它晶体材
料的高频线圈结构；5、专利或申请号、200810181998.4 ;专利名称、可同时生产六根硅芯及其它晶体材
料的高频线圈结构；6、专利或申请号、201120352975.2 ;专利名称、生产八或九根硅芯的水滴形拉制孔
结构的闻频线圈；7、专利或申请号、201120365572.1 ;专利名称、生产七或八根硅芯水滴形和球拍形·组合拉制孔的高频线圈；8、专利或申请号、201120365577.4 ;专利名称、生产五或六根硅芯水滴形和球拍形组合拉制孔的高频线圈；9、专利或申请号、201120352910.8 ;专利名称、生产六或七根硅芯的球拍形拉制孔
结构的闻频线圈；10、专利或申请号、201120365569.X ;专利名称、生产六或七根硅芯水滴形和球拍
形组合拉制孔的高频线圈；11、专利或申请号、201120365581.0 ;专利名称、生产八或九根硅芯水滴形和球拍
形组合拉制孔的高频线圈；12、专利或申请号、201120352917.X ;专利名称、生产六或七根硅芯的水滴形拉制
孔结构的高频线圈；13、专利或申请号、201120352923.5 ;专利名称、生产七或八根硅芯的水滴形拉制孔结构的高频线圈；14、专利或申请号、201120352971.4 ;专利名称、生产七或八根硅芯的球拍形拉制
孔结构的高频线圈；15、专利或申请号、201120365527.6 ;专利名称、生产五或六根硅芯的水滴形拉制
孔结构的高频线圈；16、专利或申请号、201120352958.9 ;专利名称、生产八或九根硅芯的球拍形拉制
孔结构的高频线圈；17、专利或申请号、201120366356.9 ;专利名称、生产五或六根硅芯的球拍形拉制
孔结构的高频线圈。
发明内容为了实现所述发明目的，本实用新型公开了一种生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，本实用新型在通过球拍形拉制孔或水滴形拉制孔结合导流槽上设置的拉制孔以及导流槽长度的有机结合，实现了同样或接近大小的高频线圈能够拉制出更多符合设计要求的硅芯，也使原料棒上端减少了不规则凸起，大幅度减少了原料棒上端与高频线圈接触的概率，高频线圈的使用寿命也得到了有效延长。为了实现上述发明的目的，本实用新型采用如下技术方案:一种生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，包括高频线圈、冷却水道、连接座和地线连接机构，所述高频线圈 的上部面中部设有向下凹陷面，在高频线圈的下部面中部设有向上凹陷平面，在高频线圈的外部环绕设置冷却水道，拉制孔或化料孔设置在高频线圈的中部，在拉制孔或化料孔外部的高频线圈上均匀设置六个环绕的拉制孔，由拉制孔或化料孔向外呈放射状设有六个导流槽，六个导流槽形成六“ >K ”形结构，在“ >κ ”形导流槽除了下部的一根导流槽以外的五个导流槽的中部或外端分别设置导流槽拉制孔，所述除了下部一个导流槽的另外五根导流槽的外端头或导流槽外端头的导流槽拉制孔和下部导流槽的下端设置在六个均匀分布的拉制孔之间，六个“>Κ”形结构导流槽下部的导流槽的端部通过开口贯通至高频线圈的外缘面，冷却水道的两端设置在开口两侧的延伸管路分别形成水道A端、水道B端，其中水道A端为进水端、水道B端为出水端，在水道A端、水道B端的端部分别设置有连接座，所述高频线圈的外部设有地线连接机构。所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，在导流槽拉制孔的上部孔口处设有倒角。所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，在拉制孔或化料孔外部的高频线圈上设置的六个所述环绕的拉制孔为球拍形拉制孔或水滴形拉制孔中的任意一种；或设置为至少一个球拍形拉制孔，另外的为水滴形拉制孔；或至少一个水滴形拉制孔，另外的为球拍形拉制孔；所述球拍形拉制孔的“V”形豁口和所述水滴形拉制孔的引流槽朝向拉制孔或化料孔。所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，在拉制孔或化料孔、球拍形拉制孔、水滴形拉制孔和所述拉制孔的上部孔口处分别设有倒角。所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，所述“>Κ”形导流槽除了下部一根另外的五个导流槽中部设置导流槽拉制孔时，所述五个导流槽的外端分别设有端孔；所述端孔为圆形或多角形。所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，所述水道A端和水道B端通孔穿过两个连接座，在所述两个连接座的水道A端、水道B端的上下或一侧分别设有安装孔。所述的生产i^一或十二根硅芯水的高频线圈，所述连接座为多角形连接座；或双半圆形连接座；或椭圆形连接座。所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，在高频线圈外部环绕设置冷却水道为，在高频线圈的外部上环面或外部下环面或外缘面开槽，将铜管形成的所述冷却水道环埋在高频线圈内，然后由封盖通过钎焊或铜焊或银焊焊接；或在高频线圈的外缘面通过钎焊或铜焊或银焊焊接冷却水道，使冷却水道与高频线圈形成一体。所述的生 产十一或十二根硅芯水的高频线圈，所述开口设置为“U”形开口或“V”形开口或“》”形开口或斜开口。所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，所述地线连接机构，在高频线圈的外部上环面或下环面或外缘面设有地线连接板，或在高频线圈的外部上环面或下环面或外缘打孔通过螺丝连接地线。由于采用上述技术方案，本实用新型具有如下有益效果:本实用新型所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，通过将六根呈“>K”形结构导流槽的中部或端部设置导流槽拉制孔，“ >Κ”形导流槽除了下部的一根导流槽以外的五个导流槽的以及下部的一根导流槽的外端部之间分别设置球拍形拉制孔或水滴形拉制孔，使得高频线圈的孔位布局更为合理，并且所述球拍形拉制孔或水滴形拉制孔的引流槽和“V”形豁口可以将电流更深入的引导至中部的拉制孔或化料孔，由引流槽或“V”形豁口引导电流使得拉制孔内侧电流降低，避免了所述球拍形拉制孔或水滴形拉制孔的内侧过热问题，使得电流分布较为合理，拉制出的籽晶椭圆度得到了很大的克服；本实用新型由于使用了导流槽处设置的导流槽拉制孔，使得拉制孔孔位布局相对较为均匀的对应原料棒上端的熔化区，本实用新型实现了同样或接近大小的高频线圈能够拉制出更多符合设计要求的硅芯，也使原料棒上端减少了不规则凸起“拉制中原料棒上端的高低不平现象”，大幅度减少了原料棒上端与高频线圈接触的概率，高频线圈的使用寿命也得到了有效延长；本实用新型所述结构使得硅芯成品率大幅度提高；本实用新型提高能量利用率，降低生产成本和减少次品率并且具有加热均匀、大量节约能源、减少设备投资及人工综合成本可有效降低等优点，易于在多晶硅行业推广实施。
图1是本实用新型的拉制孔与导流槽布局结构示意图。图2是图1的A-A示图。图3是本实用新型的拉制孔与导流槽布局另一实施例结构示意图。图4是本实用新型开口的第一实施例斜开口结构示意图。图5是本实用新型开口的第二实施例直开口结构示意图。图6是本实用新型开口的第三实施例“U”形开口结构示意图。图7是本实用新型开口的第四实施例“V”形开口结构示意图。图8是本实用新型开口的第二实施例“》”形开口结构示意图。[0054]图9是本实用新型的球拍形拉制孔引流槽第一实施例结构示意图。图10是本实用新型的球拍形拉制孔引流槽第二实施例结构示意图。图11是本实用新型的球拍形拉制孔引流槽第三实施例结构示意图。图12是本实用新型的球拍形拉制孔引流槽第四实施例结构示意图。图13是本实用新型的水滴形拉制孔立体结构示意图。图14是本实用新型的连接座第一实施例长方形连接座立体结构示意图。图15是本实用新型的连接座第二实施例双半圆形连接座立体结构示意图。图16是本实用新型的连接座第三实施例长方形连接座另一替换结构示意图。图17是本实用新型的导流槽外端设置为方形端孔结构示意图。图18是本实用新型的导流槽外端设置为半圆形端孔结构示意图。图19是本实用新型的导流槽外端设置为菱形端孔结构示意图。图20是本实用新型的导流槽外端设置为圆形端孔结构示意图。图21是本实用 新型的导流槽外端设置为椭圆形端孔结构示意图。图22是本实用新型的导流槽外端设置为三角形端孔结构示意图。在图中:1、高频线圈；2、倒角；3、球拍形拉制孔；4、拉制孔或化料孔；5、导流槽拉制孔；6、水滴形拉制孔；7、开口 ；8、水道A端；9、连接座；10、水道B端；11、导流槽；12、冷却水道；13、向下凹陷面；14、端孔；15、地线连接板；16、向上凹陷平面；17、封盖；18、引流槽；19、“V”形豁口 ；20、安装孔。
具体实施方式参考下面的实施例，可以更详细地解释本实用新型；但是，本实用新型并不局限于这些实施例。结合附图1、2或3中所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，包括高频线圈
1、冷却水道12、连接座9和地线连接机构，所述高频线圈I的上部面中部设有向下凹陷面13 “在附图2中可以看出”，所述向下凹陷面13为中部平底或接近平底，由平底向外呈环形坡度向外延伸，构成外高内低的结构，本实用新型所述向下凹陷面13是为了克服电流运行时出现的肌肤效应，容易导致电流由高频线圈上部面运行时，拉制孔的中部温度相对于高频线圈的上部面和下部面过低温度而设置的，结合高频线圈I下部面中部设有的向上凹陷平面16，形成中部厚度小于外缘厚度；其中向上凹陷平面16与高频线圈的下部面过度设置为至少一个环形台阶或上小下大的喇叭口状结构。进一步，在高频线圈I的外部环绕设置冷却水道12，所述冷却水道为，在高频线圈I的外部上环面或外部下环面或外缘面开槽，然后埋入铜管“当铜管通入冷却水或冷却介质时便成为本实用新型所述的冷却水道12”，所述铜管呈“C”形，在开口处的两端部分别设置一段顺延开口向外方向的延伸铜管，将铜管的圆形部分埋入高频线圈I的开槽中，然后由封盖17通过钎焊或铜焊或银焊焊接，使铜管与高频线圈I形成一体结构；也可使用另一替换方式，在高频线圈I的外部上环面或外部下环面或外缘面开槽，利用两根短铜管替代“C”形铜管所述开口处的两顺延开口向外方向的延伸铜管，高频线圈I上的开槽直接由封盖17封闭，两根短铜管分别焊接在原延伸铜管处，由两根短铜管和开槽形成冷却水道12，本实用新型公开这种方式但不建议使用，这是用于任何焊接处出现不牢固容易引起事故的发生，若技术达到并能够确保不漏冷却介质，也可作为备用方案。进一步，拉制孔或化料孔4设置在高频线圈I的中部，所述拉制孔或化料孔4可根据技术能力而定，也就是拉制孔或化料孔4既可以作为拉制孔，也可以作为化料孔，这是由于中部相对于外部的温度较高，通过调整拉制孔或化料孔4的大小，便可实现作为拉制孔或作为化料孔的替换；在不脱离本实用新型结构的情况下，本实用新型也可拉制除了i^一或十二根娃芯以下的十、九、八、七、六、五、四、三、两或一根娃芯，优选^ 或十二根娃芯的拉制。进一步，在拉制孔或化料孔4外部的高频线圈I上均匀设置六个环绕的拉制孔，所述六个环绕的拉制孔为球拍形拉制孔3 “附图9 12给出了球拍形拉制孔3的可变化种类，也就是引流槽18与拉制孔的连接一端和另一端倒角或尖或圆形变化”或水滴形拉制孔6 “附图13给出了水滴形拉制孔6的由下部观察的立体结构”中的任意一种；或设置为至少一个球拍形拉制孔3另外的为水滴形拉制孔6 ;或设置为至少一个水滴形拉制孔6另外的为球拍形拉制孔3，其中所述拉制孔或化料孔4、球拍形拉制孔3和水滴形拉制孔6的上部孔口处分别设有倒角2 ;所述球拍形拉制孔3的“V”形豁口 19和所述水滴形拉制孔6的引流槽18朝向拉制孔或化料孔4，由拉制孔或化料孔4向外呈放射状设有六个导流槽11，六个导流槽11形成“ 形结构，在“ 形导流槽11上部及两侧的五个导流槽11中部或外端分别设置导流槽拉制孔5，在导流槽拉制孔5的上部孔口处设有倒角2，“附图1中给出了导流槽拉制孔5设置在“>Κ”形导流槽11上部五根中部的实施方式，附图2给出了导流槽拉制孔5设置在“ >Κ ”形导流槽11上部五根端部的实施方式”;其中，所述“ >Κ ”形导流槽11上部五根的中部设置导流槽拉制孔5时，在“>Κ”形导流槽11上部五根的外端分别设有圆形或多角形端孔14“结合附图17 22给出了端孔14的变化形式，需要说明的是受到专利法要求申请文件简洁的要求，本实用新型并未对端孔14的进一步变形进行解释，但多角形端孔14、圆形端孔14或几何形端孔14均在本实用新型构思的范围之内”;所述上部五根导流槽11的外端头或导流槽11外端头的导流槽拉制孔5以及下部的导流槽11端部设置在六个均匀分布的拉制孔之间， 六个呈“ >Κ”形结构导流槽11下部的导流槽11下端设置的端孔14通过开口 7贯通至高频线圈I的外缘面，形成由外缘面至拉制孔或化料孔4的断开的导流槽11和开口 7，开口 7与导流槽11连接处设置的所述端孔14仅为过度所用，没有其它任何用途，所述端孔14便于斜开口与导流槽11的对接过度，当然为了进一步保护本实用新型给出的方案，结合附图4 8给出的实施方式，所述开口 7设置为可供选择的“U”形开口 7或“V”形开口 7或“》”形开口 7或斜开口 7，本实用新型优选斜开口 7。进一步冷却水道的两端设置在开口 7两侧的延伸管路“也叫延伸铜管”分别形成水道A端8、水道B端10,其中水道A端8为进水端、水道B端10为出水端,或将水道A端8作为出水端、水道B端10作为进水端,在水道A端8、水道B端10的端部分别设置有连接座9，所述水道A端8 “延伸铜管”和水道B端10 “另一延伸铜管”穿过两个连接座9，在所述两个连接座9的水道A端8、水道B端的上下或一侧分别设有安装孔20。结合附图14 16所述连接座9为多角形连接座9 ;或双半圆形连接座9 ;或椭圆形连接座9 ;所述高频线圈I外部的地线连接机构，在高频线圈I的外部上环面或下环面或外缘面设有地线连接板15，或在高频线圈I的外部上环面或下环面或外缘打孔通过螺丝连接地线。[0076]实施本实用新型所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，本实用新型所述高频线圈的使用过程如下所述:原料棒上端最好设置为平面或接近平面，利用设备的下轴升降系统将原料棒缓慢送至高频线圈I下部，所述高频线圈I的向上凹陷平面16尽可能的接近原料棒上端，但不得与原料棒有接触，生产过程中一旦接触便会出现打火而烧坏高频线圈，然后在高频线圈I上连接座9的水道A端8、水道B端10通电送水，水道A端8和水道B端10—个进水另一个排水，这时高频电流促使高频线圈I产生强大的磁力线，使原料棒上端头靠近高频线圈I的部分利用磁力线进行感应加热，所述球拍形拉制孔3、水滴形拉制孔
6、导流槽11、导流槽拉制孔5和拉制孔或化料孔4形成的空隙，使原料棒上端对应空隙处受到感应加热大于其它部位形成溶区“本实用新型的导流槽11以及开口 7使得水道A端8和水道B端10 —个为电流进入另一个为电流回路，电流受到走近路特性的影响，经由“ ”形导流槽11上部五根所述导流槽11端部时，也同时由最上部的球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔6两侧经过，同理球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔6也使电流经由两侧经过，“>Κ”形导流槽11的作用是减少高频电流过于在高频线圈的中部集中，使电流在高频线圈I上均匀分布，以实现受热均匀的效果”，待原料棒的端头靠近高频线圈I下面靠近向上凹陷平面16的部位融化后，仔晶夹头带着仔晶下降，使仔晶通过拉制孔后插入原料棒的熔化区，然后提升仔晶，原料棒上部的熔化液体会跟随仔晶上升，其它部位融化的液体也会随之向拉制部位流淌，原料棒上端接近平面但还是不太平整“本实用新型所述高频线圈平整度明显优于本人在先申请，通过相同的操作工和相同的设备实验证明本实用新型所述高频线圈使用寿命延长了至少一倍以上”，在这一过程中原料棒下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，但是其原料棒要保持不与高频线圈I接触；原料棒上部的熔化区在仔晶的粘和带动并通过高频线圈I拉制孔后，由于磁力线的减弱而冷凝，便形成一个新的柱型晶体，其仔晶夹头夹带仔晶缓慢上升，便可形成所需长度的成品硅芯。本实用新型未详述部分为现有技术。
权利要求1.一种生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，包括高频线圈(I)、冷却水道(12)、连接座(9)和地线连接机构，所述高频线圈(I)的上部面中部设有向下凹陷面(13)，在高频线圈(I)的下部面中部设有向上凹陷平面(16)，在高频线圈(I)的外部环绕设置冷却水道(12)，其特征在于:拉制孔或化料孔(4)设置在高频线圈(I)的中部，在拉制孔或化料孔(4)外部的高频线圈(I)上均匀设置六个环绕的拉制孔，由拉制孔或化料孔(4)向外呈放射状设有六个导流槽(11)，六个导流槽(11)形成六“ ”形结构，在“ ”形导流槽(11)除了下部的一根导流槽(11)以外的五个导流槽(11)的中部或外端分别设置导流槽拉制孔(5)，所述除了下部一个导流槽(11)的另外五根导流槽(11)的外端头或导流槽(11)外端头的导流槽拉制孔(5)和下部导流槽(11)的下端设置在六个均匀分布的拉制孔之间，六个“>Κ”形结构导流槽(11)下部的导流槽(11)的端部通过开口(7)贯通至高频线圈(I)的外缘面，冷却水道的两端设置在开口(7)两侧的延伸管路分别形成水道A端(8)水道B端(10)，其中水道A端(8)为进水端、水道B端(10)为出水端,在水道A端(8)、水道B端(10)的端部分别设置有连接座(9)，所述高频线圈(I)的外部设有地线连接机构。
2.如权利要求1所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，其特征是:在导流槽拉制孔(5)的上部孔口处设有倒角(2)。
3.如权利要求1所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，其特征是:在拉制孔或化料孔(4)外部的高频线圈(I)上设置的六个所述环绕的拉制孔为球拍形拉制孔(3)或水滴形拉制孔￠)中的任意一种；或设置为至少一个球拍形拉制孔(3)，另外的为水滴形拉制孔(6);或至少一个水滴形拉制孔(6)，另外的为球拍形拉制孔(3);所述球拍形拉制孔(3)的“V”形豁口(19)和所述水滴形拉制孔(6)的引流槽(18)朝向拉制孔或化料孔(4)。
4.如权利要求3所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，其特征是:在拉制孔或化料孔(4)、球拍形拉制孔(3)、水滴形拉制孔(6)和所述拉制孔的上部孔口处分别设有倒角⑵。
5.如权利要求1所述的生产十`一或十二根硅芯水的高频线圈，其特征是:所述“>K”形导流槽(11)除了下部一根另外的五个导流槽(11)中部设置导流槽拉制孔(5)时，所述五个导流槽(11)的外端分别设有端孔(14);所述端孔(14)为圆形或多角形。
6.如权利要求1所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，其特征是:所述水道A端(8)和水道B端(10)通孔穿过两个连接座(9)，在所述两个连接座(9)的水道A端(8)、水道B端的上下或一侧分别设有安装孔(20)。
7.如权利要求6所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，其特征是:所述连接座(9)为多角形连接座(9);或双半圆形连接座(9);或椭圆形连接座(9)。
8.如权利要求1所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，其特征是:在高频线圈(I)外部环绕设置冷却水道为，在高频线圈(I)的外部上环面或外部下环面或外缘面开槽，将铜管形成的所述冷却水道环埋在高频线圈(I)内，然后由封盖(17)通过钎焊或铜焊或银焊焊接；或在高频线圈(I)的外缘面通过钎焊或铜焊或银焊焊接冷却水道，使冷却水道与高频线圈(I)形成一体。
9.如权利要求1所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，其特征是:所述开口(7)设置为“U”形开口(7)或“V”形开口(7)或“》”形开口(7)或斜开口(7)。
10.如权利要求1所述的生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，其特征是:所述地线连接机构，在高频线圈(I)的外部上环面或下环面或外缘面设有地线连接板(15)，或在高频线圈(I)的外部上 环面或下环面或外缘打孔通过螺丝连接地线。
专利摘要一种生产十一或十二根硅芯水的高频线圈，涉及人工晶体技术领域，在拉制孔或化料孔(4)外部的高频线圈(1)上均匀设置；六个环绕的拉制孔，由拉制孔或化料孔(4)向外呈放射状设有六个导流槽(11)，在“Ж”形导流槽(11)的上部五个中部或外端分别设置导流槽拉制孔(5)，“Ж”形的上部五个导流槽的外端头或导流槽外端头的导流槽拉制孔以及下部导流槽(11)的下端设置在六个均匀分布的拉制孔之间，在水道A端(8)、水道B端(10)的端部分别设置有连接座(9)；本实用新型在通过球拍形拉制孔或水滴形拉制孔结合导流槽上设置的拉制孔以及导流槽长度的有机结合，实现了同样或接近大小的高频线圈能够拉制出更多符合设计要求的硅芯。
文档编号H05B6/40GK202989337SQ201220751319
公开日2013年6月12日 申请日期2012年12月25日 优先权日2012年12月25日
发明者刘朝轩 申请人:洛阳金诺机械工程有限公司