Pcb同轴电缆的制作方法及pcb同轴电缆的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种PCB同轴电缆的制作方法及PCB同轴电缆，包括：制作包裹芯线的介质层，以及制作在所述介质层内位于所述芯线两侧的线形的两个金属连接体；其中，所述金属连接体与所述芯线无交叉；从所述介质层的表面蚀刻，形成裸露所述两个金属连接体的至少两个凹槽；其中，所述芯线在所述凹槽之间的介质层内；金属化所述凹槽以及所述凹槽之间的介质层表面，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层，得到PCB同轴电缆。由于采用在介质层蚀刻两个凹槽、填充凹槽、并金属化凹槽之间介质层的工艺，能够简单、快速的在芯线周围形成金属屏蔽层，得到具有屏蔽层的同轴电缆。与现有技术相比，工艺少、加工效率高。
【专利说明】PCB同轴电缆的制作方法及PCB同轴电缆
【技术领域】
[0001]本发明涉及PCB制作领域，具体而言，涉及一种PCB同轴电缆的制作方法及PCB同轴电缆。
【背景技术】
[0002]在PCB领域，需要采用同轴电缆传输信号。在同轴电缆的外表面，包裹金属箔，以屏蔽外界信号的干扰。
[0003]现有技术在制作同轴电缆的过程中，采用先制作金属化的凹槽，然后填充芯线和绝缘体的方式，在金属化的凹槽内形成同轴电缆。在多次金属化和多次填充后，得到包裹了金属箔的同轴电缆。这种制作过程，需要多次填充，工艺步骤较繁琐，制作效率较低。
【发明内容】
[0004]本发明旨在提供一种PCB同轴电缆的制作方法及PCB同轴电缆，以解决上述的同轴电缆的制作过程工艺繁琐，制作效率低的问题。
[0005]本发明提供了一种PCB同轴电缆的制作方法，包括:
[0006]制作包裹芯线的介质层，以及制作在所述介质层内位于所述芯线两侧的线形的两个金属连接体；其中，在PCB形成平面投影上，所述金属连接体与所述芯线无交叉；
[0007]从所述介质层的表面蚀刻，形成裸露所述两个金属连接体的至少两个凹槽；其中，所述芯线在所述凹槽之间的介质层内；
[0008]金属化所述凹槽以及所述凹槽之间的介质层表面，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层，得到PCB同轴电缆。
[0009]本发明还提供一种PCB同轴电缆的制作方法，包括:
[0010]在金属箔基板的表面,制作包裹芯线的介质层；
[0011]从所述介质层的表面蚀刻，形成裸露所述金属箔的两个凹槽；其中，所述芯线在所述两个凹槽之间介质层内；
[0012]金属化所述凹槽以及所述凹槽之间的介质层表面，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层，得到PCB同轴电缆。
[0013]本发明还提供了一种PCB同轴电缆，包括芯线和包裹芯线的介质层，进一步包含:所述芯线两侧的线形的金属连接体，和与所述金属连接体和所述介质层表面相通的凹槽，所述凹槽及凹槽之间的介质层表面覆盖金属，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层。
[0014]本发明还提供了一种PCB同轴电缆，包括芯线和包裹芯线的介质层，以及所述介质层一侧的金属箔基板，所述芯线两侧至少各有一个凹槽，连通金属箔基板和所述介质层的另一侧；所述凹槽及凹槽之间的介质层表面覆盖金属，形成包裹所述凹槽之间的介质层
的金属屏蔽层。
[0015]本发明由于采用在介质层蚀刻两个凹槽、填充凹槽、并金属化凹槽之间介质层的工艺，能够简单、快速的在芯线周围形成金属屏蔽层，得到具有屏蔽层的同轴电缆。与现有技术相比，工艺少、加工效率高。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0017]图1示出了实施例的流程图；
[0018]图2示出了实施例中在介质层中形成芯线及金属连接体的截面示意图；
[0019]图3示出了实施例中将金属连接体L制作到介质层底部的示意图；
[0020]图4A示出了实施例中从介质层表面开设凹槽后的截面示意图；
[0021]图4B示出了实施例中金属化后得到屏蔽层的截面示意图；
[0022]图5示出了实施例中在介质层中间蚀刻芯线及金属连接体的截面示意图；
[0023]图6示出了实施例中压合介质层后的截面示意图；
[0024]图7示出了实施例中从正、反两面蚀刻凹槽后的截面示意图；
[0025]图8示出了实施例中金属化凹槽后的截面示意图；
[0026]图9不出了实施例中选择的金属箔基板；
[0027]图10示出了实施例在金属箔基板加工出芯线和金属连接体的截面示意图；
[0028]图11不出了实施例压合介质层和金属箔后的截面不意图；
[0029]图12示出了实施例中在两个金属箔表面开设凹槽的开口的截面示意图；
[0030]图13示出了实施例中开设凹槽后的截面示意图；
[0031]图14不出了实施例中在PCB同轴电缆表面电镀金属层S2的截面不意图；
[0032]图15示出了实施例中蚀刻后同轴电缆的截面示意图；
[0033]图16示出了实施例中在加工双芯线的截面示意图；
[0034]图17示出了实施例中双芯线的同轴电缆的截面示意图；
[0035]图18示出了实施例中双芯线形成十字形的同轴电缆的正面示意图；
[0036]图19示出了实施例中图18的PCB金属化凹槽后的正面示意图；
[0037]图20示出了另一个实施例的流程图；
[0038]图21示出了实施例中在单面金属箔基板上制作芯线的截面示意图；
[0039]图22示出了实施例中开设凹槽后的截面示意图；
[0040]图23示出了实施例金属化凹槽后的截面示意图；
[0041]图24示出了实施例中在双面金属箔之间的介质层中形成芯线的截面示意图；
[0042]图25示出了实施例中将图24的PCB开设凹槽的截面示意图。
【具体实施方式】
[0043]下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本发明。参见图1所示的实施例的流程图，包括以下步骤:
[0044]Sll:制作包裹芯线的介质层，以及制作在所述介质层内位于所述芯线两侧的线形的两个金属连接体；其中，在PCB形成平面投影上，所述金属连接体与所述芯线无交叉；
[0045]S12:从所述介质层的表面蚀刻，形成裸露所述两个金属连接体的至少两个凹槽；其中，所述芯线在所述凹槽之间的介质层内；
[0046]S13:金属化所述凹槽以及所述凹槽之间的介质层表面，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层，得到PCB同轴电缆。
[0047]上述实施例中，由于采用在介质层蚀刻两个凹槽、填充凹槽、并金属化凹槽之间介质层的工艺，能够简单、快速的在芯线周围形成金属屏蔽层，得到具有屏蔽层的同轴电缆。与现有技术相比，工艺少、加工效率高。
[0048]优选地，可采用单面基板制作实施例中的同轴电缆。单面基板为具有一面介质层和一层金属箔的PCB。在单面基板的一面蚀刻出芯线K后，表面制作覆盖芯线K的介质层，在另一面的介质层表面压制金属层，用于制作后续的金属连接体L。形成如图2所示的结构。
[0049]将用于制作连接体L的金属层进行蚀刻，蚀刻出两个金属连接体L。在蚀刻出金属连接体L后，覆盖厚度不超过金属连接体L厚度的介质层，形成如图3所示的结构。
[0050]还可采用双面基板制作，先在基板上制作单面图形即芯线部分K，再在芯线一侧涂布树脂层或压制一层半固化片，形成如2所示的结构，再进行图形制作出连接体L，在蚀刻出金属连接体L后，覆盖厚度不超过金属连接体L厚度的介质层，形成如图3所示的结构。
[0051]当然，除了这两种工艺外，还有多种实现方案可将金属连接体L嵌入到介质层内，裸露表面，或嵌入一部分的深度，裸露另一部分。
[0052]在加工凹槽的过程中，可通过激光蚀刻出两个凹槽，如图4A所示。
[0053]将两个凹槽金属化后，形成包裹凹槽之间的介质层的屏蔽层。如图4B所示。
[0054]在另一实施例中，芯线K和金属连接体L可同时位于介质层的中间位置。
[0055]可通过以下方式在介质层的中间位置形成芯线K和金属连接体L。
[0056]参见图5，在单面基板表面的金属箔蚀刻出所述芯线及所述金属连接体；
[0057]在所述单面基板表面压制覆盖所述芯线和所述金属连接体的介质层。形成如图6所示的在介质层的中间位置形成芯线K和金属连接体L的结构。
[0058]优选地，在实施例中，所述形成凹槽的过程包括:
[0059]在所述压制介质层后的单面基板的正、反两面，采用激光蚀刻出如图7所示的四个凹槽。然后，金属化凹槽及凹槽之间的介质层表面后，形成如图8所示的PCB同轴电缆。
[0060]在另一个实施例中，除了在单面基板上制作PCB同轴电缆外，还可以在金属箔基板上制作PCB同轴电缆。这样，在蚀刻凹槽时，既可以采用激光蚀刻，也可以采用等离子体(PLASMA)蚀刻。在等离子体的蚀刻过程中，凹槽之外的介质层需要金属箔的保护。虽然增加了制作金属箔的工艺，但等离子体的蚀刻凹槽的时间少于激光蚀刻的时间，依然能提高制作PCB同轴电缆的效率。
[0061]优选地，还可采用金属箔基板制作PCB同轴电缆，参见图9，选择一个双面金属箔的基板。制作过程如下:
[0062]参见图10，在一面金属箔表面蚀刻出芯线K及金属连接体L。
[0063]参见图11，在芯线表面覆盖介质层及金属箔，形成正、反两面具有金属箔的基板。
[0064]参见图12，按照所述凹槽的位置及宽度，在所述正、反两面的金属箔SI表面蚀刻，裸露介质层。
[0065]参见图13，按照所述凹槽的位置，采用等离子体或激光蚀刻裸露的介质层，形成四个凹槽。
[0066]参见图14,金属化凹槽，同时,金属化的凹槽与基板表面的金属箔SI形成PCB同轴电缆的金属屏蔽层。
[0067]优选地，金属化的凹槽与金属箔SI融合后，在相接触的位置，会存在粗糙的连接不紧密的接缝。为了消除这些接缝位置的粗糙表面，还包括，在所述PCB同轴电缆的正、反两面，电镀金属箔S2。
[0068]对于实施例中图4或图8中的PCB同轴电缆，也可以在两面分别再电镀一层金属箔，形成如图14所示的PCB同轴电缆。
[0069]优选地，按照凹槽之间的间隔，对同轴电缆进行蚀刻，形成如图15所示的PCB同轴电缆。
[0070]优选地，上述实施例中，所述芯线的数量为一条或多条；多条芯线之间，既可以相互平行，也可以存在交汇点，也可以两种情况都有。
[0071]通过上述的实施例的方法，得到PCB同轴电缆，包括:芯线和包裹芯线的介质层，进一步包含:所述芯线两侧的线形的金属连接体，和与所述金属连接体和所述介质层表面相通的凹槽，所述凹槽及凹槽之间的介质层表面覆盖金属，形成包裹所述凹槽之间的介质
层的金属屏蔽层。
[0072]如图16、图17所示，在蚀刻芯线的过程中，蚀刻出两条相互平行的芯线。
[0073]参见图18，蚀刻的芯线K为两条交叉具有交汇点的芯线。从而形成信号传递的一个输入，多个输出的传递模式。当然，也可以是三条交叉的芯线，形成的具有两个交汇点的图形，如一条水平的芯线和两条竖直的芯线形成两个交汇点，这样有6个芯线的端点，可形成一个输入，五个输出。
[0074]图18中的芯线制作完成后，覆盖介质层，开设凹槽并金属化以后，形成图19所示的图形，其表面为屏蔽层Si。
[0075]上述的实施例中，制作过程简单，得到的PCB同轴电缆良品率高。上述的实施例中采用设置金属连接体的形式，开设凹槽，这种方式，有益于凹槽深度较深的PCB，由于金属连接体的存在，可从正、反两面朝金属连接体蚀刻凹槽。对于较浅的凹槽，也可采用下面的实施例制作PCB同轴电缆。
[0076]参见图20，该实施例包括以下步骤:
[0077]S21:在金属箔基板的表面,制作包裹芯线的介质层；
[0078]S22:从所述介质层的表面蚀刻，形成裸露所述金属箔的两个凹槽；其中，所述芯线在所述两个凹槽之间介质层内；
[0079]S23:金属化所述凹槽以及所述凹槽之间的介质层表面，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层，得到PCB同轴电缆。
[0080]采用该实施例中的步骤，可实现不蚀刻金属连接体，也能蚀刻凹槽，制作PCB同轴电缆，减少了工艺过程，提高了制作效率。
[0081]参见图21，在制作好包裹芯线的介质层后，在介质层的表面采用激光蚀刻所述介质层的表面，形成如图22所述两个凹槽；
[0082]金属化凹槽并电镀凹槽之间的介质层，形成图23所示的PCB同轴电缆。
[0083]为提高蚀刻凹槽的效率，还可采用等离子体蚀刻凹槽，但需要像前述的实施例中的方案，增加电镀的金属箔保护介质层在等离子体蚀刻过程中不受破坏。
[0084]参见图24，在制作包裹芯线的介质层之后，在该介质层表面，电镀金属箔；形成双面都有金属箔的基板。
[0085]按照所述凹槽的位置及宽度，在所述电镀的金属箔表面蚀刻，裸露介质层；
[0086]按照所述凹槽的位置，采用等离子体或激光蚀刻出所述凹槽，得到图25所示的凹槽。然后金属化凹槽，得到PCB同轴电缆。
[0087]通过上述的实施例中的方法步骤，得到的PCB同轴电缆包括:芯线和包裹芯线的介质层，以及所述介质层一侧的金属箔基板，所述芯线两侧至少各有一个凹槽，连通金属箔基板和所述介质层的另一侧；所述凹槽及凹槽之间的介质层表面覆盖金属，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层。
[0088]优选地，还包括:在所述PCB同轴电缆的正、反两面，电镀金属箔；如同前述实施例中增加金属箔S2—样。电镀后的同轴电缆，可消除凹槽金属化过程中表面的粗糙面及缝隙，便于后续制作图形。
[0089]该实施例中的芯线的数量为一条或多条；多条芯线之间，既可以相互平行，也可以存在交汇点，也可以两种情况都有。
[0090]优选地，上述的实施例中，具有金属箔的基板科采用各种树脂涂布基板(RCC)JH箔基板(CCL)等材料。
[0091]优选地，上述的实施例中，介质层可采用压制半固化片、涂覆树脂层等方式制作。
[0092]优选地，上述的实施例中，凹槽金属化可采用电镀方式、填铜方式、电镀结合塞树月旨、电镀结合锡膏等方式均可，或直接填充导电材料等方式制作。
[0093]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种PCB同轴电缆的制作方法，其特征在于，包括: 制作包裹芯线的介质层，以及制作在所述介质层内位于所述芯线两侧的线形的两个金属连接体；其中，在PCB形成平面投影上，所述金属连接体与所述芯线无交叉； 从所述介质层的表面蚀刻，形成裸露所述两个金属连接体的至少两个凹槽；其中，所述芯线在所述凹槽之间的介质层内； 金属化所述凹槽以及所述凹槽之间的介质层表面，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层，得到PCB同轴电缆。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作包裹芯线的介质层和所述金属连接体的过程包括: 在单面基板表面的金属箔蚀刻出所述芯线及所述金属连接体； 在所述单面基板表面覆盖所述芯线和所述金属连接体的介质层。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述形成凹槽的过程包括: 在所述压制介质层后的单面基板的正、反两面，采用激光蚀刻出四个凹槽。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属连接体的位置介于所述包裹芯线的介质层的底部； 所述形成凹槽的过程包括: 在所述介质层的一面，采用激光蚀刻出两个凹槽。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用金属箔基板制作所述包裹芯线的介质层、以及所述金属连接体； 在所述制作的介质层表面电镀金属箔，形成正、反两面具有金属箔的基板； 所述形成凹槽的过程包括: 按照所述凹槽的位置及宽度，在所述正、反两面的金属箔表面蚀刻，裸露介质层； 按照所述凹槽的位置，采用等离子体或激光蚀刻裸露的介质层，形成四个凹槽。
6.根据权利要求1、3、4或5所述的制作方法，其特征在于，还包括: 在所述PCB同轴电缆的正、反两面，电镀金属箔。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述芯线的数量为一条或多条； 所述多条芯线之间相互平行，或，具有一个或多个交汇点。
8.—种PCB同轴电缆的制作方法，其特征在于，包括: 在金属箔基板的表面，制作包裹芯线的介质层； 从所述介质层的表面蚀刻，形成裸露所述金属箔的两个凹槽；其中，所述芯线在所述两个凹槽之间介质层内； 金属化所述凹槽以及所述凹槽之间的介质层表面，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层，得到PCB同轴电缆。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，采用激光蚀刻所述介质层的表面，形成所述两个凹槽； 或，在所述制作包裹芯线的介质层之后，在该介质层表面，电镀金属箔； 按照所述凹槽的位置及宽度，在所述电镀的金属箔表面蚀刻，裸露介质层； 按照所述凹槽的位置，采用等离子体或激光蚀刻出所述凹槽。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，还包括:在所述PCB同轴电缆的正、反两面，电镀金属箔； 所述芯线的数量为一条或多条； 所述多条芯线之间相互平行，或，具有一个或多个交汇点。
11.一种PCB同轴电缆，包括芯线和包裹芯线的介质层，其特征在于，进一步包含:所述芯线两侧的线形的金属连接体，和与所述金属连接体和所述介质层表面相通的凹槽，所述凹槽及凹槽之间的介质层表面覆盖金属，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层。
12.—种PCB同轴电缆，包括芯线和包裹芯线的介质层，以及所述介质层一侧的金属箔基板，其特征在于，所述芯线两侧至少各有一个凹槽，连通金属箔基板和所述介质层的另一侧；所述凹槽及凹槽之间的介质层表面覆盖金属，形成包裹所述凹槽之间的介质层的金属屏蔽层。
【文档编号】H05K3/44GK103974564SQ201310027419
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年1月24日 优先权日:2013年1月24日
【发明者】唐国梁 申请人:北大方正集团有限公司, 重庆方正高密电子有限公司