一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，包括线圈（1）和水路接头（2）；所述线圈（1）为横截面是矩形的多层螺旋盘管状；所述水路接头（2）有两个分别焊接在所述线圈（1）两端的伸出部分。本实用新型提供一种可以生长高品质大尺寸的碳化硅晶体。
【专利说明】一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种感应圈，具体涉及一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈。【背景技术】
[0002]碳化硅生长过程中需要2200度以上的高温，并且要求温度要满足一定的梯度，目前PVT法多用感应加热实现，线圈采用单股矩形铜管弯制而成，可以实现快速加热。一般的大尺寸感应加热线圈温场不够细分，水路焊点较多，线圈间隙并不均匀，难以生长高品质大尺寸的碳化硅晶体。
实用新型内容
[0003]为解决上述问题，本实用新型提供一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈。
[0004]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，包括线圈I和水路接头2 ;所述线圈I为横截面是矩形的多层螺旋盘管状；所述水路接头2有两个分别焊接在所述线圈I两端的伸出部分。
[0005]进一步，所述线圈I横截面矩形的长宽比例1:2，所述线圈I横截面矩形的宽边与坩埚的外表面平行；所述线圈I层与层之间的间距为5mm ;所述水路接头2为S形状。
[0006]本实用新型的有益效果是:提供一种可以生长高品质大尺寸的碳化硅晶体。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型整体结构示意图；
[0008]图2为传统线圈结构示意图。
[0009]附图中，各标号所代表的部件列表如下:
[0010]1、线圈，2、水路接头，3、焊点。
【具体实施方式】
[0011]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0012]如图1所示，一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，包括线圈I和水路接头2 ；大尺寸碳化硅晶体尺寸在4寸到6寸之间；所述线圈I为横截面是矩形的多层螺旋盘管状；所述水路接头2有两个分别焊接在所述线圈I两端的伸出部分，所述水路接头2引入温度控制在28摄氏度到32摄氏度范围内的温水进入线圈I内；所述线圈I横截面矩形的长宽比例1:2，线圈I层与层之间的间距为5mm ;如图2所示，传统感应线圈横截面矩形的长正对坩埚外表面，本实用新型所述大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈I横截面矩形的宽边与坩埚的外表面平行，这样可以达到当总高度H不变时线圈I的匝数增加了，使内部温场更加均匀；所述水路接头2为S形状，与传统感应线圈的水路接头相比比减少了焊点3和水阻，使得加热时温场分布均匀，坩埚移动时内部温场变化连续并且均匀平滑。[0013]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，其特征在于:包括线圈(I)和水路接头(2);所述线圈(I)为横截面是矩形的多层螺旋盘管状；所述水路接头(2)有两个分别焊接在所述线圈(I)两端的伸出部分。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，其特征在于:所述线圈(I)横截面矩形的长宽比例为1:2，所述线圈(I)横截面矩形的宽边与坩埚的外表面平行。
3.根据权利要求1或2所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，其特征在于:所述线圈(I)层与层之间的间距为5mm。
4.根据权利要求3所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，其特征在于:所述水路接头(2)为S形状。
5.根据权利要求1或2所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，其特征在于:所述水路接头(2)为S形状。
【文档编号】C30B35/00GK203546207SQ201320740351
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年11月20日 优先权日:2013年11月20日
【发明者】段聪, 赵梅玉, 高宇, 邓树军, 陶莹 申请人:河北同光晶体有限公司