一种准单晶硅片绒面的制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种准单晶硅片绒面的制备方法，包括先对以（100）晶粒为主的准单晶硅片采用酸制绒工序，再采用两次碱制绒工序。本发明通过下述技术方案给予实现：1）将硅片酸制绒；2）第一次各向异性碱制绒；3）第二次各向同性碱制绒；4）硅片清洗。这种湿法化学腐蚀法制备准单晶硅片绒面工艺，硅片外观无色差，所得绒面结构细小而均匀，有效降低硅片表面的反射率，利于提高准单晶电池片的转换效率，成本低且操作简单，适合工业化生产。
【专利说明】一种准单晶硅片绒面的制备方法【技术领域】
[0001]本发明涉及光伏和半导体领域，具体涉及一种准单晶硅片绒面的制备方法。
【背景技术】
[0002]太阳能以其清洁环保、取之不竭在全球范围受到追捧，被认为是21世纪最重要的新能源之首。在太阳能光伏领域，晶体硅太阳能电池的转换效率较高，原材料来源简单，当前仍是太阳能电池行业的主力。其中单晶硅太阳能电池由于具有较高的光电转换效率，而备受人们的关注，但是其制造成本居高不下，影响其推广应用。多晶硅太阳电池具有易制成方形片、价格低廉等优点，但多晶硅片本身存在许多晶界、杂质和缺陷，转换效率要比单晶硅太阳能电池低。如果能将单晶、多晶两者优势融合，制备一种高效低成本晶体硅太阳能电池，必将推动太阳能电池产业的发展，用多晶铸锭方法生产的准单晶技术正是顺应这种需求。
[0003]在晶硅太阳能电池制备工艺中，硅表面的状态对电池的转换效率起着至关重要的影响，制绒和钝化工艺是制造高效太阳能电池最有效途径。其中一种低成本的湿法化学溶液腐蚀法制绒，在当前电池工艺生产中大规模应用:单晶硅片是利用具有各向异性腐蚀特性的碱腐蚀液制备“金字塔”绒面结构；多晶硅片利用具有各向同性腐蚀特性的酸腐蚀液制备“蚯蚓”状腐蚀坑绒面结构。
[0004]目前生产的准单晶硅片，通常以(100)晶粒为主，同时还存在不同晶向的晶粒部分，即准单晶硅片同时含有单晶区域和多晶区域。若准单晶硅片采用酸制绒，能形成外观均匀的绒面，但效率大大降低；若采用碱制绒，则会在多晶区域发亮，影响外观。针对此状况，中国专利CN102034900采用两步腐蚀法制绒，先酸制绒后碱制绒，CN102306681反过来先碱制绒后酸制绒。但这些工艺都没能充分发挥准单晶硅片的优点，在实际生产中工艺不稳定，形成绒面结构差别大。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种准单晶硅片绒面的制备方法，采用一次酸腐蚀和两次碱腐蚀法制绒。该法结合了酸碱制绒的工艺特点，降低准单晶硅片整体反射率，减少单晶、多晶区域色差，减小晶界处台阶高度，在单晶区域形成密布的“金字塔”结构，在多晶区域“蚯蚓”状腐蚀坑表面又形成类似蜂窝状绒面。同时该工艺简单稳定，重复性高，所制得的电池转换效率高，制绒溶液的化学药品廉价易得，并省去盐酸的应用和后续处理，适应工业化大规模生产，因此有很高的商业价值。
[0006]本发明的技术方案提供了一种准单晶硅片绒面的制备方法，包括以下步骤:1)将准单晶硅片进行各向同性酸制绒；2)将步骤I)得到的硅片进行第一次各向异性碱制绒；3)将步骤2)得到的硅片进行第二次各向同性碱制绒；4)将步骤3)得到的硅片清洗并干燥，即可得绒面结构准单晶硅片。
[0007]在一些实施方式中，步骤I)还包括酸制绒后用去离子水冲洗的步骤。[0008]在一些实施方式中，本发明步骤I)中所述准单晶硅片以(100)晶粒为主，厚度为100-300 μ m。在一些实施方式中，酸制绒所用制绒液是氢氟酸、酸制绒腐蚀试剂与水的混合液，其中氢氟酸的质量分数为5-30%，酸制绒腐蚀试剂的质量分数为10-40% ;所述酸制绒腐蚀试剂选自硝酸，醋酸，磷酸，硫酸或铬酸。在一些实施方式中，酸制绒时间为10-150秒，酸制绒温度为3-15°C，制绒腐蚀量为0.05-0.lmg/cm2。
[0009]在一些实施方式中，本发明步骤2)中所述碱制绒所用的制绒液是无机碱、异丙醇、制绒添加剂与水的混合溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-5%，异丙醇的质量分数为2-15%，制绒添加剂的质量分数为0.05-2% ;所述制绒添加剂为时创单晶制绒添加剂S929-A或昆山长优电子材料公司的单晶制绒添加剂CYC-3或其它市场上可购买的单晶制绒添加剂。在一些实施方式中，无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾；制绒时间为5-30分钟，制绒温度为70-85°C，制绒腐蚀量为0.05-0.3mg/cm2。
[0010]在一些实施方式中，本发明步骤3)中所述碱制绒所用的制绒液是次氯酸盐、磷酸盐、无机碱与水的混合溶液，其中次氯酸盐的质量分数为1_20%，磷酸盐的质量分数为0.5-15%，无机碱的质量分数为1-15%。在一些实施方式中，次氯酸盐选自次氯酸钠、次氯酸钾、次氯酸钙或次氯酸铵；所述磷酸盐选自磷酸钠、磷酸钾或磷酸铵；所述无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾。在一些实施方式中，制绒时间为10-30分钟，制绒温度为 70-85 °C，制绒腐蚀量为 0.05-0.3mg/cm2。
[0011]在一些实施方式中，本发明步骤4)中所述清洗为先用含氢氟酸溶液漂洗，再用去离子水冲洗。其中，含氢氟酸溶液氢氟酸的质量分数为3-10%，漂洗温度为15-30°C，漂洗时间为1-15分钟。 [0012]除非明确地说明与此相反，否则，本发明引用的所有范围包括端值。例如，“制绒时间为10-150秒”表示酸制绒的时间T范围为10秒≤T ( 150秒。
[0013]本发明使用的术语“或”表示备选方案，如果合适的话，可以将它们组合，也就是说，术语“或”包括每个所列出的单独备选方案以及它们的组合。例如，“次氯酸盐选自次氯酸钠、次氯酸钾、次氯酸钙或次氯酸铵”表示次氯酸盐可以是次氯酸钠、次氯酸钾、次氯酸钙、次氯酸铵的一种，也可以是其一种以上的组合。
[0014]本发明使用的术语“干燥”表示借能量直接除去物料中的水，或使物料中水或溶剂气化并带走所生成的蒸汽，或使用化学干燥剂除去物料中的水的过程。干燥的方法包括但不限于甩干、烘干、真空干燥、冷冻干燥、气流干燥、微波干燥、红外线干燥或高频率干燥。
[0015]本发明所述“第二次各向同性碱制绒”具体是指经第二次碱制绒后，硅片表面形成各项同性的绒面结构，与各向同性酸制绒具有类似效果。
[0016]与现有准单晶制绒工艺相比，本发明具有如下优点:
[0017]1、综合酸碱制绒特性，采用具有各向同性的酸制绒、各向异性的第一次碱制绒、各向同性的第二次碱制绒，因此能够在准单晶多晶区域原有“蚯蚓”状绒面上形成更细小蜂窝状的结构，在单晶区域形成细小均匀“金字塔”绒面结构，绒面深度适中而且均匀。
[0018]2、在第二次碱制绒过程中，采用次氯酸盐和磷酸盐溶液腐蚀硅片，反应速率较慢，各向同性好，使得在多晶区域晶界的腐蚀速率和其它区域的腐蚀速率较为接近，有效减少晶界间台阶高度，晶界不明显，硅片外观无色差，颜色均一；制绒过程中产生的氯离子可作为很好的吸杂剂，能够有效地去除硅片表面金属杂质，减少复合，提高少子寿命，提升电池转换效率；制绒过程中次氯酸盐的应用，省去了在产业化生产过程中需用盐酸中和残留的碱液步骤，从而改善生产环境，简化生产工艺。
[0019]3、能够将单晶、多晶区域统一，外观无差异，绒面平整，制绒深度为1-15 μ m，宽度
0.5-10 μ m。
[0020]4、按照本发明提供的方法制绒的准单晶硅片所制备的准单晶太阳能电池，其准单晶硅片的转换效率达17.2%-18.6%。
[0021]5、所用原料廉价易得，成本低，且工艺操作简单，重复性和均匀性好，适合工业化大规模生产，适用范围广，对于P型或N型准单晶硅片都适用，而且对准单晶硅片多晶区域的面积大小无要求。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1为本发明实施例1-4准单晶硅片表面反射率曲线。
[0023]图1中，I为实施例1的表面反射率曲线；2为实施例2的表面反射率曲线；3为实施例3的表面反射率曲线；4为实施例4的表面反射率曲线
[0024]图2为本发明实施例4准单晶硅片单晶区域SEM图。
[0025]图3为本发明实施例4准单晶硅片多晶区域SEM图。
【具体实施方式】
[0026]以下所述的是本发明的优选实施方式，本发明所保护的不限于以下优选实施方式。应当指出，对于本领域的技术人员来说在此发明创造构思的基础上，做出的若干变形和改进，都属于本发明的保护范围。
[0027]实施例1
[0028]I)将电阻率为1-3Ω.cm，厚度为180±5μπι，(100)晶粒面积占整个硅片面积^ 50%，尺寸为156Χ 156mm2的P型准单晶硅片进行酸制绒，酸溶液由氢氟酸、硝酸和水组成，其中氢氟酸质量分数为5%，硝酸质量分数为40%，酸制绒时间20秒，制绒温度15°C，制绒腐蚀量为0.05mg/cm2，制绒后硅片用去离子水冲洗。
[0029]2)将步骤I)得到的硅片进行第一次碱制绒，碱溶液由氢氧化钠、异丙醇、时创单晶制绒添加剂S929-A和水组成，其中氢氧化钠质量分数0.5%，异丙醇质量分数2%，时创单晶制绒添加剂S929-A质量分数0.05%,碱制绒时间30分钟，制绒温度70°C，制绒腐蚀量为
0.06mg/cm2。
[0030]3)将步骤2)得到的硅片进行第二次碱制绒，碱溶液由次氯酸钙、磷酸钠、氢氧化钠和水组成，其中次氯酸钙质量分数1%，磷酸钠质量分数15%,氢氧化钠质量分数1%,碱制绒时间30分钟，制绒温度70°C，制绒腐蚀量为0.08mg/cm2。
[0031]4)将步骤3)得到的硅片在氢氟酸溶液漂洗，质量分数为3%，漂洗时间15分钟，漂洗温度15°C，再用去离子水冲洗后，甩干。
[0032]得到的硅片绒面结构均匀，无明显的色差，晶界不明显，绒面深度1-6 μ m，测试反射率如图1所示，在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为12.3%。
[0033]实施例2
[0034]I)将电阻率为1-3Ω.cm，厚度为200±5μπι，(100)晶粒面积占整个硅片面积^ 60%，尺寸为156X 156mm2的P型准单晶硅片进行酸制绒，酸溶液由氢氟酸、磷酸和水组成，其中氢氟酸质量分数为8%，磷酸质量分数为37%，酸制绒时间40秒，制绒温度13°C，制绒腐蚀量为0.056mg/cm2，制绒后硅片用去离子水冲洗。
[0035]2)将步骤I)得到的硅片进行第一次碱制绒，碱溶液由氢氧化钾、异丙醇、昆山长优电子材料公司的单晶制绒添加剂CYC-3和水组成，其中氢氧化钾质量分数0.6%，异丙醇质量分数2.5%，昆山长优电子材料公司的单晶制绒添加剂CYC-3质量分数0.08%,碱制绒时间25分钟，制绒温度75 °C，制绒腐蚀量为0.09mg/cm2。
[0036]3)将步骤2)得到的硅片进行第二次碱制绒，碱溶液由次氯酸钾、磷酸氨、氢氧化钠和水组成，其中次氯酸钾质量分数10%,磷酸铵质量分数0.5%,氢氧化钠质量分数5%,碱制绒时间25分钟，制绒温度75°C，制绒腐蚀量为0.llmg/cm2。
[0037]4)将步骤3)得到的硅片在氢氟酸溶液漂洗，质量分数为5%，漂洗时间10分钟，漂洗温度20°C，再用去离子水冲洗后，甩干。
[0038]得到的硅片绒面结构均匀，无明显的色差，晶界不明显，绒面深度2-10 μ m，测试反射率如图1所示，在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为11.2%。
[0039]实施例3
[0040]1)将电阻率为1-3Ω.cm，厚度为180±5μπι，(100)晶粒面积占整个硅片面积^ 70%，尺寸为156 X 156mm2的N型准单晶硅片进行酸制绒，酸溶液由氢氟酸、醋酸和水组成，其中氢氟酸质量分数为30%，醋酸质量分数为20%，酸制绒时间150秒，制绒温度8°C，制绒腐蚀量为0.083mg/cm2，制绒后硅片用去离子水冲洗。 [0041]2)将步骤I)得到的硅片进行第一次碱制绒，碱溶液由氨水、异丙醇、昆山长优电子材料公司的单晶制绒添加剂CYC-3和水组成，其中氨水质量分数15%，异丙醇质量分数15%，昆山长优电子材料公司的单晶制绒添加剂CYC-3质量分数2%，碱制绒时间15分钟，制绒温度80°C，制绒腐蚀量为0.23mg/cm2。
[0042]3)将步骤2)得到的硅片进行第二次碱制绒，碱溶液由次氯酸铵、磷酸钾、氢氧化钠、氨水和水组成，其中次氯酸铵质量分数20%，磷酸钾质量分数1.5%，氢氧化钠质量分数
1.5%，氨水质量分数10%，碱制绒时间20分钟，制绒温度80°C，制绒腐蚀量为0.2mg/cm2。
[0043]4)将步骤3)得到的硅片在氢氟酸溶液漂洗，质量分数为10%，漂洗时间10分钟，漂洗温度25°C，再用去离子水冲洗后，甩干。
[0044]得到的硅片绒面结构均匀，无明显的色差，晶界不明显，绒面深度2-15 μ m，测试反射率如图1所示，在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为10.3%。
[0045]实施例4
[0046]I)将电阻率为1-3Ω.cm，厚度为180±5μπι，(100)晶粒面积占整个硅片面积≥90%，尺寸为156X156mm2的P型准单晶硅片进行酸制绒，酸溶液由氢氟酸、硝酸、硫酸和水组成，其中氢氟酸质量分数为15%，硝酸质量分数为30%，硫酸质量分数5%，酸制绒时间90秒，制绒温度6°C，制绒腐蚀量为0.07mg/cm2，制绒后硅片用去离子水冲洗。
[0047]2)将步骤I)得到的硅片进行第一次碱制绒，碱溶液由氢氧化钾、异丙醇、时创单晶制绒添加剂S929-A和水组成，其中氢氧化钾质量分数3%，异丙醇质量分数7%，时创单晶制
绒添加剂S929-A质量分数1%，碱制绒时间20分钟，制绒温度83°C，制绒腐蚀量为0.16mg/
2
cm ο[0048]3 )将步骤2 )得到的硅片进行第二次碱制绒，碱溶液由次氯酸钾、磷酸钠、氢氧化钾和水组成，其中次氯酸钾质量分数15%,磷酸钠质量分数15%,氢氧化钾质量分数3%,碱制绒时间20分钟，制绒温度83°C，制绒腐蚀量为0.16mg/cm2。
[0049]4)将步骤3)得到的硅片在氢氟酸溶液漂洗，质量分数为7%，漂洗时间5分钟，漂洗温度25 °C，再用去离子水冲洗后，甩干。
[0050]得到的硅片绒面结构均匀，无明显的色差，晶界不明显，绒面深度2-18 μ m，测试反射率如图1所示，在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为9.6% ;其单晶区域和多晶区域SEM照片分别如图2和3所示。
[0051]实施例5
[0052]I)将电阻率为1-5Ω.cm，厚度为180±5μπι，(100)晶粒面积占整个硅片面积^ 40%，尺寸为156X 156mm2的P型准单晶硅片进行酸制绒，酸溶液由氢氟酸、磷酸、铬酸和水组成，其中氢氟酸质量分数为25%，磷酸质量分数为20%，铬酸质量分数10%，酸制绒时间120秒，制绒温度3°C，制绒腐蚀量为0.06mg/cm2，制绒后硅片用去离子水冲洗。
[0053]2)将步骤I)得到的硅片进行第一次碱制绒，碱溶液由氢氧化锂、氨水、异丙醇、昆山长优电子材料公司的单晶制绒添加剂CYC-3和水组成，其中氢氧化锂质量分数4%，氨水质量分数4%，异丙醇质量分数10%，昆山长优电子材料公司的单晶制绒添加剂CYC-3质量分数1.5%，碱制绒时间5分钟，制绒温度85°C，制绒腐蚀量为0.08mg/cm2。
[0054]3)将步骤2)得到的硅片进行第二次碱制绒，碱溶液由次氯酸钠、磷酸钾、氨水和水组成，其中次氯酸钠 质量分数5%,磷酸钾质量分数10%,氨水质量分数15%,碱制绒时间15分钟，制绒温度85 °C，制绒腐蚀量为0.25mg/cm2。
[0055]4)将步骤3)得到的硅片在氢氟酸溶液漂洗，质量分数为9%，漂洗时间7分钟，漂洗温度30°C，再用去离子水冲洗后，甩干。
[0056]得到的硅片绒面结构均匀，无明显的色差，晶界不明显，绒面深度1-10μπι，在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为12%。
[0057]实施例6
[0058]I)将电阻率为1-5Ω.cm，厚度为180±5μπι，(100)晶粒面积占整个硅片面积^ 80%，尺寸为156 X 156mm2的N型准单晶硅片进行酸制绒，酸溶液由氢氟酸、硫酸和水组成，其中氢氟酸质量分数为10%，硫酸质量分数为15%，酸制绒时间100秒，制绒温度15°C，制绒腐蚀量为0.04mg/cm2，制绒后硅片用去离子水冲洗。
[0059]2)将步骤I)得到的硅片进行第一次碱制绒，碱溶液由氢氧化钠、异丙醇、时创单晶制绒添加剂S929-A和水组成，其中氢氧化钠质量分数2%，异丙醇质量分数5%，时创单晶制绒添加剂S929-A质量分数1.8%，碱制绒时间27分钟，制绒温度78°C，制绒腐蚀量为
0.26mg/cm2。
[0060]3)将步骤2)得到的硅片进行第二次碱制绒，碱溶液由次氯酸铵、磷酸铵、氨水和水组成，其中次氯酸铵质量分数7%，磷酸铵质量分数12%,氨水质量分数7%,碱制绒时间10分钟，制绒温度82V，制绒腐蚀量为0.19mg/cm2。
[0061]4)将步骤3)得到的硅片在氢氟酸溶液漂洗，质量分数为8%，漂洗时间8分钟，漂洗温度16°C，再用去离子水冲洗后，甩干。
[0062]得到的硅片绒面结构均匀，无明显的色差，晶界不明显，绒面深度2-13 μ m，在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为11%。
[0063]实施例7
[0064]I)将电阻率为1-5Ω.cm，厚度为180±5μπι，(100)晶粒面积占整个硅片面积^ 65%，尺寸为156Χ 156mm2的P型准单晶硅片进行酸制绒，酸溶液由氢氟酸、硝酸、醋酸和水组成，其中氢氟酸质量分数为20%，硝酸质量分数为10%，醋酸质量分数15%，酸制绒时间60秒，制绒温度10°C，制绒腐蚀量为0.067mg/cm2，制绒后硅片用去离子水冲洗。
[0065]2)将步骤I)得到的硅片进行第一次碱制绒，碱溶液由氢氧化钾、氨水、异丙醇、时创单晶制绒添加剂S929-A和水组成，其中氢氧化钾质量分数0.5%，氨水质量分数0.8%，异丙醇质量分数4%，时创单晶制绒添加剂S929-A质量分数0.07%,碱制绒时间22分钟，制绒温度84°C，制绒腐蚀量为0.057mg/cm2。
[0066]3 )将步骤2 )得到的硅片进行第二次碱制绒，碱溶液由次氯酸钠、磷酸铵、氨水和水组成，其中次氯酸钠质量分数12%,磷酸铵质量分数3%,氢氧化钠质量分数7%,碱制绒时间27分钟，制绒温度84°C，制绒腐蚀量为0.18mg/cm2。
[0067]4)将步骤3)得到的硅片在氢氟酸溶液漂洗，质量分数为6%，漂洗时间9分钟，漂洗温度18°C，再用去离子水冲洗后，甩干。
[0068]得到的硅片绒面结构均匀，无明显的色差，晶界不明显，绒面深度3-15 μ m，在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为10.5%。
[0069]实施例8
[0070]I)将电阻率为1-5Ω.cm，厚度为180±5μπι，(100)晶粒面积占整个硅片面积^ 75%，尺寸为156Χ 156mm2的N型准单晶硅片进行酸制绒，酸溶液由氢氟酸、硝酸和水组成，其中氢氟酸质量分数为7%，硝酸质量分数为30%，酸制绒时间80秒，制绒温度12°C，制绒腐蚀量为0.075mg/cm2，制绒后硅片用去离子水冲洗。
[0071]2)将步骤I)得到的硅片进行第一次碱制绒，碱溶液由氢氧化钠、异丙醇、昆山长优电子材料公司的单晶制绒添加剂CYC-3和水组成，其中氢氧化钠质量分数3.5%，异丙醇质量分数3%，昆山长优电子材料公司的单晶制绒添加剂CYC-3质量分数1.2%，碱制绒时间10分钟，制绒温度77°C，制绒腐蚀量为0.llmg/cm2。
[0072]3 )将步骤2 )得到的硅片进行第二次碱制绒，碱溶液由次氯酸钙、磷酸钠、氢氧化锂和水组成，其中次氯酸钙质量分数18%,磷酸钠质量分数9%,氢氧化锂质量分数9%,碱制绒时间22分钟，制绒温度83 °C，制绒腐蚀量为0.3mg/cm2。
[0073]4)将步骤3)得到的硅片在氢氟酸溶液漂洗，质量分数为4%，漂洗时间12分钟，漂洗温度20°C，再用去离子水冲洗后，甩干。
[0074]得到的硅片绒面结构均匀，无明显的色差，晶界不明显，绒面深度3-20 μ m，在350-1 IOOnm波长范围内平均反射率为10%。
[0075]根据实施例1-8可知，本发明提供的准单晶制绒方法，能有效减少晶界间台阶高度，改善准单晶硅片外观，所得绒面结构细小而均匀，反射率较低；同时所用原料廉价易得，不需要盐酸，采用次氯酸盐溶液能有效吸除硅片表面金属杂质，减少复合，提高少子寿命，改善硅片质量，提高电池效率；而且整个工艺操作简单，工艺重复性和均匀性好，适合于产线上批量生产要求，具有广阔的应用前景。
【权利要求】
1.一种准单晶硅片绒面的制备方法，其特征是，包含以下步骤: 1)将准单晶硅片进行各向同性酸制绒； 2)将步骤I)得到的硅片进行第一次各向异性碱制绒； 3)将步骤2)得到的硅片进行第二次各向同性碱制绒； 4)将步骤3)得到的硅片清洗并干燥，即可得绒面结构准单晶硅片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述准单晶硅片以(100)晶粒为主，厚度为 100-300 μ m。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤I)中，酸制绒所用制绒液是氢氟酸、酸制绒腐蚀试剂与水的混合液，其中氢氟酸的质量分数为5-30%，腐蚀试剂的质量分数为 10-40%。
4.根据权利要求 3所述的制备方法，其特征是，所述酸制绒腐蚀试剂选自硝酸、醋酸、磷酸、硫酸或铬酸。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤I)中，制绒时间为10-150秒，制绒温度为3-15°C，制绒腐蚀量为0.05-0.lmg/cm2。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤2)中，碱制绒所用制绒液是无机碱、异丙醇、制绒添加剂与水的混合溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-5%，异丙醇的质量分数为2-15%，制绒添加剂的质量分数为0.05-2%。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征是，所述无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤2)中，制绒时间为5-30分钟，制绒温度为70-85°C，制绒腐蚀量为0.05-0.3mg/cm2。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤3)中，制绒液是次氯酸盐、磷酸盐、无机碱与水的混合溶液，其中次氯酸盐的质量分数为1_20%，磷酸盐的质量分数为0.5-15%，无机碱的质量分数为1-15%。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征是，所述次氯酸盐选自次氯酸钠、次氯酸钾、次氯酸钙或次氯酸铵，磷酸盐选自磷酸钠、磷酸钾或磷酸铵，无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤3)中，制绒时间为10-30分钟，碱制绒温度为70-85°C，制绒腐蚀量为0.05-0.3mg/cm2。
12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是，步骤4)中所述清洗为先用含氢氟酸溶液漂洗，再用去离子水冲洗。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征是，所述含氢氟酸中溶液氢氟酸的质量分数为3-10%，漂洗温度为15-30°C，漂洗时间为1-15分钟。
【文档编号】C30B33/10GK103924305SQ201410016395
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年1月14日 优先权日:2013年1月14日
【发明者】郑兰花, 李国民, 卢海江, 程四兴 申请人:东莞市长安东阳光铝业研发有限公司