专利名称:制造包含分离层的多层结构的方法
技术领域：
本发明涉及材料处理的一般技术领域：
，具体涉及薄膜特别是半导体薄膜领域、晶片材料领域、半导体晶片尤其是硅晶片以及IV型、IV-IV型半导体晶片领域，目的是获得如集成电路、光电元件或电池或微电子机械系统(MEMS)或微光电子机械系统(MOEMS)或显示器件(如平板屏幕或摄像器件)的电子或光电子部件。
背景技术：
欧洲专利EP-A-0924 769公开了一种方法，其中通过连续堆叠多层制造一种结构。在其生产过程中，一特定层被置于最终结构的深度范围内，所述层在随后经受光通量时具有选择性吸收该光通量和导致剥落效应的固有特性，所述剥落效应可以使所述结构分成两个晶片。
根据所描述的一个实施例，通过多层堆叠制造的结构在它的深度范围内包括富氢的非晶硅层。对该结构施加光通量导致在所述层内的氢快速释放，这样该结构分裂。
发明内容本发明的一个目的具体是制造多层结构，该多层结构在其深度范围内具有分离层。
本发明的另一个目的具体是在制造所述多层结构之后制造所述分离层。
本发明的又一目的具体是制造多层结构，该多层结构在其深度范围内在表面层和剩余结构之间具有分离层，所述表面层是要从所述结构上分离开的。
本发明的另一个目的具体是使得对基础结构的选择更加容易而且更多样化，在所述基础结构上制造计划待分离的表面。
作为实例，本发明的一个目的具体是在多层结构中制造分离层，其中计划待分离的表面层是单晶层并通过在具有相同晶格参数的单晶衬底上生长获得，而不会深刻影响单晶表面层和/或单晶衬底的特性。
本发明主题具体是一种用于制造多层结构的方法，所述多层结构在其深度范围内包括分离层。
根据本发明，所述方法包括-制造初始多层结构，该多层结构包括基础衬底、表面衬底、吸收剂层和可液化中间层。所述吸收剂层衬底衬底可以在至少一个区域吸收光功率通量。所述可液化中间层至少在一个区域中包括杂质，该杂质相对于构成所述中间层的材料的偏析系数小于1；并且-在规定的时间内将所述初始结构暴露于至少一个脉冲形式的所述光功率通量，调节该光功率通量以使得所述中间层的至少一部分在热能传播效应下液化，这是光功率被所述吸收剂层吸收然后从所述吸收剂层转移至所述中间层和/或光能被所述中间层吸收的结果，通过这样一种方式，由于所述杂质开始就存在，导致了所述中间层的至少一种特性和/或至少一种性质因该中间层至少部分固化而发生改变，这样该中间层至少部分构成分离层。
因此，本发明使获得一种最终结构成为可能，所述最终结构具有例如在表面层下面的计划待分离的分离层，该分离层的特性和/或性质与组成中间层的初始材料不同，尤其是机械性能和/或电和/或光和/或热和/或化学性能不同，这样，如果需要，通过向所述最终结构物理性施加机械和/或电和/或光和/或热和/或化学处理，可以使计划从结构其它部分分离的表面层物理性分离，对分离层的作用和对结构其它部分的作用完全不同，不会损害所述表面层和/或所述结构其它部分本发明可以有多种变化方案，具体如下。
根据本发明的首选变化方案，所述改变可以有利地包括所述中间层中的所述杂质的浓度和/或分布的改变。
根据本发明，所述改变可以有利地包括所述中间层一个区域中的所述杂质的浓度和/或分布的增加。
根据本发明，所述初始结构可以包含单一类型材料。
根据本发明，所述初始结构可以包含不同材料。
根据本发明，所述方法可以有利地包括通过离子注入将所述杂质引入所述中间层的预备步骤。
根据本发明，构成所述中间层的材料优选包含硅，所述杂质选自于铝和/或铋和/或镓和/或铟和/或锑和/或锡。
根据本发明，至少构成所述中间层的材料优选包含硅-锗。
根据本发明，至少构成所述表面衬底的材料包含硅或硅-锗。
根据本发明，构成至少所述中间层的材料和构成所述杂质的材料可以有利地通过一定方式选择，使得分离层包含内含物。
根据本发明，所述内含物优选包括沉淀物和/或气泡和/或微气泡和/或缺陷和/或相变和/或化学组成变化和/或断裂和/或孔穴和/或非均相和/或合金。
根据本发明，构成所述中间层的材料和构成所述杂质的材料可以有利地通过一定方式选择，使得分离层包括弱化部分。
根据本发明，所述弱化优选足够使基础衬底从表面衬底物理分离，同时可能伴随施加分离力。
根据本发明，构成所述中间层的材料和构成所述杂质的材料可以有利地通过一定方式选择，使得分离层包括金属部分。
根据本发明，构成所述中间层的材料和组成所述杂质的材料可以有利地以一定方式选择，使得分离层包括熔点降低的部分。
根据本发明，所述熔点的降低优选为足够使基础衬底和表面衬底在随后的加热步骤中物理分离，同时可能伴随施加分离力。
根据本发明的变化方案，光功率通量的方向可以是它穿过所述中间层后达到所述吸收剂层。
根据本发明的另一变化方案，光功率通量的方向可以是它不通过所要处理的层而达到所述吸收剂层。
根据本发明的变化方案，所述方法可以有利地包括使所述初始结构经受光功率通量，所述光功率通量是时域平稳并相对于该结构扫描。
根据本发明的另一变化方案，所述方法可以有利地包括使所述初始结构经受光功率通量，所述光功率通量是空域平稳并且可以以一个或多个时域脉冲的形式调制。
根据本发明，所述光功率通量可以有利地包括红外光通量。
根据本发明，所述光功率通量可以有利地包括激光束。
根据本发明，所述激光束可以为CO2激光。
根据本发明，所述激光束可以为化学激光。
根据本发明，所述激光束可以是在1.06微米的波长下工作的激光。
根据本发明，所述吸收剂层可以有利地包括至少一个掺杂区域。
根据本发明，所述吸收剂层可以有利地包括至少一个非晶区域。
根据本发明，所述吸收剂层优选包括至少一个硅-锗区域。
根据本发明，所述表面衬底和/或所述中间层和/或所述吸收剂层可以有利地通过外延生长产生。
通过下面关于初始结构及其处理的非限制性解释，将可以更清楚地理解本发明。
在第一具体实施方案中，基础衬底为单晶硅块，所述单晶硅通过纵向切割圆柱体晶锭获得。在第二具体实施方案中，基础衬底包括直径为200mm、厚度为0.75mm的硅晶片，该硅晶片掺杂了1×1019cm-3的浓度的锑。
吸收剂区域是对光通量具有高初始吸收系数例如500cm-1的区域。需要注意的是，该区域的吸收系数在施加光通量脉冲的过程中通常是变化的。这是因为其本身温度的升高通常产生吸收的增强，其本身产生更高的能量沉积，产生更大的温度上升。
还需要注意的是，由于热扩散，层逐渐变热，于是光吸收也逐渐增强。所有这些通常会导致在能量沉积的过程中、在与入射光功率通量的相反方向促进产生高温区域和/或液相，并且推进速率会比由于简单热扩散现象导致的更快。因为这个原因，通常明智的做法是将待处理的区域的至少一部分以一定的方式放置，使得入射功率通量在到达吸收剂区域之前通过它。
在一个具体实施方案中，吸收剂区域全部或者部分为10微米厚的硅-锗(0.85Si-0.15Ge)外延层，其在1.06微米波长具有比硅更强的吸收，并且生长在基础衬底上。
在另一个实施方案中，吸收区域为掺杂区域，例如一个掺杂了浓度为1018cm-2到1019cm-3量级的砷或锑，因为该层为10.6微米波长的CO2激光的吸收剂，但是未掺杂的硅在这一波长具有很低的吸收。
在又一个实施方案中，以2MeV的能量和1016cm-2的剂量通过低温将硅离子注入到待处理的层中生产吸收区域，其具有在待处理的表面层以下1.5微米的深度产生非晶区域的作用，所述非晶区域对1.06微米的波长的吸收系数可以达到几百cm-1，但是晶体硅的吸收系数在约10cm-1的范围内。
在一个具体实施方案中，待处理的区域为在生长过程中原位掺杂了浓度为1019cm-3的锡的硅外延层，所述外延层生长在由砷掺杂的单晶硅制成的吸收剂层上。在另一个具体实施方案中，通过离子注入5×1015cm-2剂量和200keV能量的锡离子将锡引入所述外延层，然后在1150℃下通过扩散热处理12小时。
在所有这些利用外延生长的实施例中，外延法也可以是CVD方法和液相外延法。具体地，来自浴液例如其中溶有硅的熔融锡或铝或铟的浴液的硅的液相外延可能是用于制造光电池的优选方法之一。
以下关于采用的功率通量的非限制性解释也将有助于更清楚的理解本发明。
选择光功率通量的周期足够短，选择光功率通量的强度足够高，以使得热能谱能保持足够集中，其水平能使待处理的区域至少部分液化。
为了在待处理区域获得高热能密度区域，理想的是-选择光束波长，使得大部分光束功率被沉积在吸收剂区域之内和/或附近；-选择周期Δt和功率通量，使得在施加功率通量过程中，在待处理区域之内和附近的热能积累速率基本大于该区域由于热扩散的损失速率；并且-选择功率通量强度，使得在周期Δt内供给的能量足够使待处理区域至少部分液化。
Δt和功率通量的选择通过模拟、通过解热方程来决定，例如利用有限差分方法。该方法及其在研究光通量与物质间的相互作用方面的应用是众所周知的，并且例如已经在Peter Schaaf发表的文献“Laser nitridingof metals”，Progress in Materials Science，47(2002)，1-161中有描述。
而且，在进行任何模拟之前，可以通过下面的拇指规则快速测定待沉积能量密度的量级。通过举例来说明所述拇指规则在硅的情况下，从室温开始液化1cm3需要大约7000J。当期望液化的厚度被选择之后，我们所要做的是将所谈论的厚度乘以7000J，于是获得了必需的能量密度。最后，充分考虑由于表面反射导致的损失，从而决定注入到该部分的能量密度量级。
例如，待液化的厚度为10微米，反射系数可能为0.5，则待注射的能量密度量级可能为14J/cm2。
激光脉冲的周期是已知的。在触发激光的情况下，脉冲周期从一到几十或几百纳秒，这取决于激光。该值由激光制造商提供。
由必须的能量密度和脉冲的周期，可以推导功率通量，这给出了模拟的初始点。如果必要的话，模拟的结果将允许参数的调节。
为了产生脉冲形式的功率通量，可以用几种注入方法-采用相对于待处理结构空域平稳的功率通量，其强度随时间变化并有一个或多个脉冲的形式；或-采用源通量，其强度随时间稳定，但是其位置相对于材料变化，以使给定区域的材料受到仅仅一个或多个时间间隔的通量，其中所述时间间隔对应于期望的脉冲周期；或-上述两种注入方法的组合。
为了利用空域平稳的光功率通量来实施本发明，作为非限制性的例子，可以采用TEA型的CO2激光。这类激光实际上很适合释放高功率脉冲，其周期为几十纳秒～几百纳秒，由此产生几十到几百mJ/脉冲的能量。
在一个具体的实施方案中，采用的TEA CO2激光在100纳秒内释放100mJ脉冲。光束集中于1mm2的区域，这可获得100MW/cm2功率密度和10J/cm2的能量密度。为了在每次脉冲之后处理大区域，待处理部分可以移动以便于处理新的部分。因此，利用上述类型的具有100Hz的脉冲重复频率激光，待处理的部分移动约1mm，这对应的平均速度为0.1m/s，可以通过例如把该待处理的部分固定到马达驱动台上来实现。
作为本发明的一个具体的实施方案，为了获得时域平稳的光功率通量，可使用以连续模式运行并且释放7kW能量的CO2激光。光束离开激光器之后通过光扩束系统扩束，使得该光束在扩束后为基本平行，直径为约25cm。该光束被反射镜偏转然后垂直传播。然后在光束的路径上放置焦距为1m的聚焦系统。该光束再被旋转反射镜面以一定方式偏转，使得偏转的光束在基本水平的面上传播。所述旋转反射镜通过支撑物支撑，该支撑物围绕与光聚焦系统一致的轴旋转。通过旋转，该反射镜使反射光束的轴线以一定方式旋转，使得每次反射镜旋转一次，光束焦点在水平面上画出圆周。待处理部分的表面以一定方式放置，使其位于所述圆周上。因此，反射镜每旋转一次，位于所述圆周上部分的表面上的点被处理。
作为补充，为了处理待处理部分的整个表面，可将待处理的结构固定到可以垂直移动的圆柱形支撑物上，使得待处理结构的所有点能够暴露于激光通量中。
在一个具体实施方案中，光束聚焦到80微米的直径上，圆周半径为70cm，反射镜的旋转速度为364Hz，即约22000rpm。在这样的条件下，每个点都暴露于密度为100MW/cm2的功率通量下100ns，能量密度为14J/cm2。
光学扩束和聚焦系统可以做成衍射光学系统和反射光学系统。需要注意的是，除了用连续模式运行的激光，也可以用不连续的模式运行的该相同类型的激光，其中激光释放系列长脉冲(从几个微秒持续到几百个微秒)，在此期间激光释放的过滤远远大于平均功率。
将包含由掺杂了1018cm-3水平的砷的硅制成的基础衬底的晶片固定于所述内部表面的内圆周部分，在该基础衬底上部构成计划待分离的层的吸收剂层，即厚度为7微米、掺杂了1019cm-3的锡的待处理层和厚度为20微米的未掺杂的硅表面外延层。计划待分离的层的表面可选择性地涂敷薄膜，例如抗反射膜和/或例如用作加强件的厚膜。
接受的光功率脉冲使得位于深度约21微米和约27微米之间的材料液化。
这些值可以根据功率通量脉冲变化以及吸收谱形状的变化而发生大变化，其中功率通量的变化是时间的函数，吸收谱的变化是深度的函数。
因此液体区域受深度大于21微米处的固体/液体界面和深度小于27微米处的固体/液体界面所限制。
大部分在该区域和其相邻的介质中的以固相预先存在的锡原子在液相中被发现。在冷却时发生的再固化阶段，所述两个固体/液体界面以各自的速率相向前推进，因此液体区域的宽度减小。
因为锡在硅中的偏析系数(有时也称为分布系数)较低，也就是说锡原子倾向于保留在液相中而不是进入固相中，由于这个事实，所述两个固体/液体界面的前进在推力作用下在它们的前面出现了，其中大部分锡原子被推进液相中，于是导致了液相中锡原子浓度的不断增加。
相应地，结果是在材料的再固化部分的锡损耗。总体来说，再结晶结束之后的结果是以一个非常窄的钟形曲线形式的浓度特征，其顶点位于固化界面会合平面处或附近。
当液相消失时，存在于液相中的锡原子在消失之前必然在固态的材料中。对于明智选择的实验条件，这样可以局部导致在所谓会合深度附近的狭窄区域中杂质的浓度很高，其中所述的两个固体/液体界面会合，并且液相完全消失。
然后可能是这样的一种情形，其中锡原子具有一定浓度以至于这些原子再也不能正常结合在固相内，因此导致内含物的形成。
所形成的内含物可以基本为球形和平形颗粒物、气泡的凝聚物，例如下述要素进入气相所产生杂质、原子或分子的沉淀物、缺陷、孔穴、结构缺陷、断裂、新化合物、新相、非均相、合金、或这些要素的任意组合。
因此可通过这种机理来使材料弱化和使得存在于表面和弱化区域之间的部分材料能够与剩余的材料分离。
由于本发明，也可能在固化界面会合平面附近形成熔点低于硅的区域。例如，通过将整个组件加热到会合平面区域的熔点以及可能通过施加分离力，可以有利地将会合平面上的材料的表面部分与剩余材料分离。
再固化现象可能比以上描述得更加复杂。这是因为上下两个界面的前进可能伴随着横向界面的前进，甚至伴随着不连续液体区域的形成，其中所述不连续液体区域被再固化区域分隔。然而，无论涉及的机理多么复杂，这都会随着杂质浓缩到非常小体积的材料中而结束。
在上述实施例中，采用了锡原子。其原理也可以应用于偏析系数相对于硅较低的其它原子，例如但不局限于铝、铋、镓、铟和锡。然而，如果采用其中一种吸收机理是由于自由载流子的一种光波长，如CO2激光，则所述杂质的选择将限制在那些在实验条件下不产生大量自由载流子的杂质。特别在利用CO2激光的情况下，不能使用例如铝、铟、镓、铋和锑等掺杂剂，或者仅使用低浓度的这些杂质。
为了以概括和简要的方式阐释本发明，尤其是以上实施例和说明，读者可以参考附图，其中图1表示根据本发明的初始结构的剖面图；图2表示该结构在处理过程中的剖面图；图3表示用于处理初始结构的第一装置的纵向剖面图；图4表示图3所述装置的顶视图。
具体实施方式参照图1，该图说明基于硅的初始多层结构1，其包括基础衬底2以及该在基础衬底2上相继形成吸收剂层3、待处理的中间层4和计划待分离的表面衬底5，所述表面衬底5具有外部平整表面6。在一个变化方案中，吸收剂层3和中间层4可以颠倒。
利用装置7在面对所述平整表面6近距离发射脉冲光功率通量8，所述初始结构1经受所述通量，其优选被控制以便垂直于表面6但也可以斜向于所述表面6。
被引入到结构1的光功率通量8通过表面衬底5和中间层4，到达吸收剂层3，并引起后者的温度上升并可导致它的组成材料至少部分液化。
由于吸收剂层3吸收光功率通量8导致的热能效应从该吸收剂层3向中间层4传播，导致了至少部分中间层4的材料温度上升和液化，中间层4的所述温度上升和由此产生的液相9也可能对光功率吸收有贡献。
如图2所示，该液化以下面的方式发生。随着连续施加光功率通量4，大约包含在两个基本平行于表面6的固体/液体界面10和11之间的液相9逐渐增厚，如附在这些界面上的箭头12和13所示，直到达到最厚。应该注意的是，所述两个界面10和11的前进速率可以完全不同。
从上文可看出，吸收光功率通量8并转化为热能的吸收剂层3构成结构1的部件，其引发和产生中间层4的液化，所述光功率通量8在表面衬底5区域中吸收较少。
上述相液化之后接着材料相再固化，这导致界面10和11之间的距离的逐渐减小，如附在这些界面的箭头14和15所示。该相再固化通常基本上在光功率通量4的脉冲施加后发生。
在上述的材料相液化期间，包括在中间层4中的杂质进入液相9中的溶液。
在上述的材料相再固化期间，杂质倾向于保留在液相9中，这样，在材料相再固化结束时，大部分所述杂质浓缩到最后再固化的初始中间层4的一部分或层16中，也就是说，在厚度比上述液相9的最大厚度小很多例如几十纳米的硅的容积内。
这些杂质可以随后被引入到部分16，其浓度水平远远高于其在固相中有限的溶解度，从而形成弱化浓缩区域16中的材料的沉淀和/或晶体缺陷。
通常，在部分16中高浓度的杂质显著地改变了材料的特性或特征，使得可能对结构1施加后续处理，改变部分16但不改变结构的其余部分。
所述结构1的这种后续处理可以有利地让其分为两个晶片，其中一个包括基础衬底2，另一个包含表面衬底5，该分离发生在弱化部分或包括高浓度杂质的层16。例如，可通过施加力、热处理或二者相结合来实现该分离。
图3和图4表示用于处理初始结构1的装置100。
该装置包括有垂直轴的圆柱形支撑物101，在其内表面安装并且沿圆周分布待处理的初始结构1，其垂直放置并且面向支撑物101的轴。
装置100包括用来产生时域平稳的光功率通量的发生器102，所述发生器安装在支撑物101的下面，并包括激光发射器103，该激光发射器向光扩束器104发射光，这样通过该扩束器104的通量输出是水平的，并且其轴与支撑物101的轴相交。
装置100包括光学系统105，该光学系统105包括以45°倾斜的固定反射镜106，其垂直向上偏转来自扩束器104的通量输出，通过聚焦透镜108到旋转反射镜107的方向，所述旋转反射镜107以45°安装在支撑物101的中心，并且其旋转轴沿着支撑物101的轴，这样，被旋转反射镜105反射的光功率通量被导向支撑物101的内面。
因此，当旋转反射镜107旋转时，通过驱动装置(未示出)垂直移动支撑物101，光功率通量水平连续扫描待处理的结构1。因而可能以脉冲的形式扫描待处理的结构1的整个表面6。
本发明不限于上述实施例。在不偏离所附权利要求
的范围情况下可能有许多变化方案。
权利要求
1.一种制造多层结构的方法，所述多层结构在其深度范围内包括分离层，其特征在于，所述方法包括-制造初始多层结构(1)，其包含基础衬底(2)、表面衬底(5)以及在所述基础衬底和所述表面衬底之间的吸收剂层(3)和可液化中间层(4)，所述吸收剂层可以在至少一个区域吸收光功率通量，所述可液化中间层至少在一个区域包括杂质，该杂质相对于构成所述中间层材料的偏析系数小于1；和-在限定时间内使所述初始结构(1)经受以至少一个脉冲形式的所述光功率通量，调节所述光功率通量以在热能传播效应下液化至少一部分所述中间层(4)，所述热能传播效应源自光功率在所述吸收剂层(3)中的吸收、从所述吸收剂层(3)到所述中间层(4)中和/或光功率由所述中间层(4)的吸收，这样，由于初始存在的所述杂质，导致所述中间层(4)由于至少部分固化而改变至少一个特性和/或至少一个性质，因此该中间层至少部分构成分离层(16)
2.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述改变包括改变所述中间层中所述杂质的浓度和/或分布。
3.如前述权利要求
中任一项所述的方法，其特征在于，所述改变包括所述中间层的一个区域中所述杂质的浓度和/或分布的增加。
4.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述初始结构包含单一类型材料。
5.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述初始结构包含不同的材料。
6.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述方法包括利用离子注入将所述杂质引入所述中间层的预备步骤。
7.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，构成所述中间层的材料包含硅，所述杂质选自于铝和/或铋和/或镓和/或铟和/或锑和/或锡。
8.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，至少构成所述中间层的材料包含硅-锗。
9.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，至少构成所述表面衬底的材料包含硅或硅-锗。
10.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，选择至少构成所述中间层的材料和构成所述杂质的材料，使得分离层包含内含物。
11.如权利要求
10的方法，其特征在于，所述内含物包括沉淀物和/或气泡和/或微气泡和/或缺陷和/或相变和/或化学组成变化和/或断裂和/或孔穴和/或非均相和/或合金。
12.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，选择构成所述中间层的材料和构成所述杂质的材料，使得分离层包括弱化部分。
13.如权利要求
12所述的方法，其特征在于，所述弱化足够使基础衬底从表面衬底物理性分离，同时可施加分离力。
14.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，选择构成所述中间层的材料和构成所述杂质的材料，使得分离层包括金属部分。
15.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，选择构成所述中间层的材料和构成所述杂质的材料，使得分离层包括熔点降低的部分。
16.如权利要求
15所述的方法，其特征在于，所述熔点降低足够在后续加热步骤中使基础衬底从表面衬底物理性分离，同时可伴随施加分离力。
17.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，光功率通量具有在该光功率通量通过所述中间层后到达所述吸收剂层的方向。
18.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，光功率通量具有该光功率通量达到所述吸收剂层而不通过所述待处理层的方向。
19.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述方法包括使所述初始结构经受时域稳定的光功率通量并相对于该结构扫描。
20.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述方法包括使所述初始结构经受光功率通量，所述光功率通量是空域稳定的并以一个或多个时域脉冲的形式调制。
21.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述光功率通量包括红外光通量。
22.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述光功率通量是激光束。
23.如权利要求
22所述的方法，其特征在于，所述激光束为CO2激光。
24.如权利要求
22所述的方法，其特征在于，所述激光束为化学激光。
25.如权利要求
22所述的方法，其特征在于，所述激光束在1.06微米的波长下工作。
26.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述吸收剂层包括至少一个掺杂区域。
27.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述吸收剂层包括至少一个非晶区域。
28.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述吸收剂层包括至少一个硅-锗区域。
29.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述表面衬底和/或所述中间层和/或所述吸收剂层通过外延产生。
专利摘要
一种用于生产在其深度范围内包含分离层的多层结构的方法，所述方法包括生产初始多层结构(1)，该初始多层结构包括基础衬底(2)、表面衬底(5)以及位于基础衬底和表面衬底之间的吸收剂层(3)和可液化的中间层(4)；所述吸收剂层(3)能在至少一个区域吸收光功率通量；所述中间层(4)至少在一个区域包括杂质，相对于构成所述中间层的材料，该杂质具有的偏析系数小于1；所述生产方法还包括在一定时间内将初始结构(1)暴露于至少一个脉冲方式的所述光功率通量下，调节所述功率通量以便于在热能传播效应下液化至少一部分所述中间层(4)，这样由于原来存在所述杂质，在所述中间层至少部分固化之后，所述中间层(4)的至少一个特性和/或至少一个性质被改变，从而所述中间层至少部分地形成分离层。
文档编号H01L21/762GK1998071SQ20058002184
公开日2007年7月11日 申请日期2005年5月20日
发明者米歇尔·布吕埃尔 申请人:米歇尔·布吕埃尔导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan