一种砂质土壤覆膜防渗造林方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于种苗栽培领域，更具体地说，本发明涉及一种砂质土壤覆膜防渗造林 方法。
【背景技术】
[0002] 地膜覆盖是将专用塑料薄膜贴盖于栽培地表面，促进植物生长的简易覆盖栽培方 法，我国于20世纪70年代初期利用废旧薄膜进行小面积的平畦覆盖，种植蔬菜、棉花等农作 物。由于覆盖生产的效果显著，地膜覆盖在农业生产上已经广泛使用，而应用于南方林地造 林比较少见。地膜覆盖能控制土壤水分的无效蒸发，具有增温、节水、早熟、增产等作用。
【发明内容】
[0003] 本发明目的在于，提供一种植物生长旺盛、节省水资源、造林成活率高的一种砂质 土壤覆膜防渗造林方法。该方法是由选地与整地，选苗，灌水放苗，覆膜，抚育管理步骤完 成，选择挖穴的长度为50-60cm、宽度为40-50cm、高度为30-40cm，为下一步苗的栽植提供适 合的生长环境，造林密度为每公顷1650株可以使土壤的肥力水分适当，减少植株间的竞争， 促进植株的生长，在栽植前用水浸泡苗木根部可以提高植株的存活率，膜的厚度为0.01-0.03cm，宽度为60-70cm，此种膜拉力较强，便于机械起膜作业，还可以具有很好的保水性， 施肥种类以及施肥方式有助于植物的更好的生长。采用本发明所述砂质土壤覆膜防渗造 林，具有植物生长旺盛、节省水资源、造林成活率高的优点。
[0004] 本发明所述的一种砂质土壤覆膜防渗造林方法，按下列步骤进行：
[0005] a、选地与整地:选择排水良好的平地，然后将平地用机械整平、耙细，采取横、纵拉 线人工定点，用白灰撒点，然后挖穴，穴的长度为50-60cm、宽度为40-50cm、高度为30-40cm， 造林密度为每公顷1650株；
[0006] b、选苗:选择高矮粗细一致、无病虫害、无机械损伤、有3-5个侧根的苗木，苗木在 栽植前用水浸泡根部24-48小时；
[0007] c、灌水放苗:每穴进行灌水，直到水面和穴口一平，待水渗到半穴时，将选择的苗 木放入穴内，填土，土水充分混合均匀形成泥浆，再填土，逐渐将土填满，然后将苗木进行扶 正并将土踩实；
[0008] d、覆膜:将渗水地膜中间剪一个小口，将苗木通过地膜上的小口套入地膜中，并使 地膜平坦覆盖在穴面上，在地膜的四周覆盖2-4cm得土层；
[0009] e、抚育管理：在苗木生长过程中，根据土壤、气候等自然条件按常规方法进行浇 水，施肥，除草，清杈。
[0010] 步骤d中渗水地膜的厚度为0 · 01-0 · 03cm，宽度为60-70cm。
[0011] 步骤e中施肥根据土壤需要施入氮肥、磷肥或钾肥，采用分层侧深施肥，肥在种苗 膜边5-7cm处，1/3肥施于种苗侧膜下5 - 7cm深处，2/3的肥施于种苗侧膜下10-12cm。
[0012] 有益效果：本发明提供了一种砂质土壤覆膜防渗造林方法，穴的长度为50-60厘 米、宽度为40-50厘米、高度为30-40厘米，为下一步苗的栽植提供适合的生长环境，造林密 度为每公顷1650株可以使土壤的肥力水分适当，减少植株间的竞争，促进植株的生长，在栽 植前用水浸泡苗木根部24-48小时可以提高植株的存活率，膜的厚度为0.01-0.03厘米，宽 度为60-70厘米，此种膜拉力较强，便于机械起膜作业，还可以具有很好的保水性，施肥种类 以及施肥方式有助于植物的更好的生长。采用此种砂质土壤覆膜防渗造林，具有植物生长 旺盛、节省水资源、造林成活率高的优点。
【附图说明】
[0013] 图1为本发明砂质土壤覆膜防渗造林图片。
【具体实施方式】
[0014] 实施例1
[0015] 选地与整地:选择排水良好的平地，然后将平地用机械整平、耙细，采取横、纵拉线 人工定点，用白灰撒点，然后挖穴，穴的长度为50cm、宽度为40cm、高度为30cm，造林密度为 每公顷1650株；
[0016] 选苗:选择高矮粗细一致、无病虫害、无机械损伤、有3个侧根的苗木，苗木在栽植 前用水浸泡根部24小时；
[0017] 灌水放苗:每穴进行灌水，直到水面和穴□一平，待水渗到半穴时，将选择的苗木 放入穴内，慢回填土，土水充分混合均匀形成泥浆，再慢回填土，逐渐将土填满，然后将苗木 进行扶正并将土踩实；
[0018] 覆膜:选渗水地膜的厚度为0.01cm，宽度为60cm，然后将渗水地膜中间剪一个小 口，将苗木通过膜上的小口套入渗水地膜中，并使渗水地膜平坦地覆盖在穴面上，在渗水地 膜的四周覆盖2cm的土层并固定；
[0019] 抚育管理:在苗木生长过程中，根据土壤、气候等自然条件按常规方法进行浇水、 施肥、除草、清杈，施肥根据土壤需要施入氮、磷或钾肥，且采用分层侧深施肥，肥在种苗侧 膜内5cm，l/3肥施于种苗侧膜下5cm深处，2/3的肥施于种苗侧膜下10cm。
[0020] 实施例2
[0021] 选地与整地:选择排水良好的平地，然后将平地用机械整平、耙细，采取横、纵拉线 人工定点，用白灰撒点，然后挖穴，穴的长度为55cm、宽度为45cm、高度为35cm，造林密度为 每公顷1650株；
[0022] 选苗:选择高矮粗细一致、无病虫害、无机械损伤、有4个侧根的苗木，苗木在栽植 前用水浸泡根部36小时；
[0023]灌水放苗:每穴进行灌水，直到水面和穴□一平，待水渗到半穴时，将选择的苗木 放入穴内，填土，土水充分混合均匀形成泥浆，再填土，逐渐将土填满，然后将苗木进行扶正 并将土踩实；
[0024]覆膜:选渗水地膜的厚度为0.02cm，宽度为65cm，然后将渗水地膜中间剪一个小 口，将苗木通过小口套入渗水地膜中，并使渗水地膜平坦地覆盖在穴面上，在渗水地膜的四 周覆盖3cm的土层并固定；
[0025]抚育管理:在苗木生长过程中，根据土壤、气候等自然条件按常规方法进行浇水、 施肥、除草、清杈，施肥根据土壤需要施入氮、磷或钾肥，采用分层侧深施肥，且肥在种苗侧 膜内6cm，l/3肥施于种苗侧膜下6cm深处，2/3的肥施于种苗侧膜下11cm。
[0026] 实施例3:
[0027] 选地与整地:选择排水良好的平地，然后将平地用机械整平、耙细，采取横、纵拉线 人工定点，用白灰撒点，然后挖穴，穴的长度为60cm、宽度为50cm、高度为40cm，造林密度为 每公顷1650株；
[0028] 选苗:选择高矮粗细一致、无病虫害、无机械损伤、有5个侧根的苗木，苗木在栽植 前用水浸泡根部48小时；
[0029]灌水放苗:每穴进行灌水，直到水面和穴□一平，待水渗到半穴时，将选择的苗木 放入穴内，填土，土水充分混合均匀形成泥浆，再填土，逐渐将土填满，然后将苗木进行扶正 并将土踩实；
[0030] 覆膜:选渗水地膜的厚度为0.03cm，宽度为70cm，然后将渗水地膜中间剪一个小 口，将苗木通过小口套入渗水地膜中，并使渗水地膜平坦地覆盖在穴面上，在渗水地地膜的 四周覆盖4cm的土层并固定；
[0031] 抚育管理:在苗木生长过程中，根据土壤、气候等自然条件按常规方法进行浇水、 施肥、除草、清杈，施肥根据土壤需要施入氮、磷或钾肥，采用分层侧深施肥，且肥在种苗侧 膜内7cm，l/3肥施于种苗侧膜下7cm深处，2/3的肥施于种苗侧膜下12cm。
[0032] 经过本发明所述方法后，分别取出样品，测量结果如下：
[0034]从表中数据可以得出，当实施例2参数时，植株的成活率高，且植株的长势良好，土 壤含水量适中，此时更有利于砂质土壤植株的种植。
【主权项】
1. 一种砂质土壤覆膜防渗造林方法，其特征在于按下列步骤进行： a、 选地与整地:选择排水良好的平地，然后将平地用机械整平、耙细，采取横、纵拉线人 工定点，用白灰撒点，然后挖穴，穴的长度为50-60cm、宽度为40-50cm、高度为30-40cm，造林 密度为每公顷1650株； b、 选苗:选择高矮粗细一致、无病虫害、无机械损伤、有3-5个侧根的苗木，苗木在栽植 前用水浸泡根部24-48小时； c、 灌水放苗:每穴进行灌水，直到水面和穴口一平，待水渗到半穴时，将选择的苗木放 入穴内，填土，土水充分混合均匀形成泥浆，再填土，逐渐将土填满，然后将苗木进行扶正并 将土踩实； d、 覆膜:将渗水地膜中间剪一个小口，将苗木通过地膜上的小口套入地膜中，并使地膜 平坦覆盖在穴面上，在地膜的四周覆盖2-4cm得土层； e、 抚育管理:在苗木生长过程中，根据土壤、气候等自然条件按常规方法进行浇水，施 肥，除草，清杈。2. 根据权利要求1所述的一种砂质土壤覆膜防渗造林方法，其特征在于步骤d中渗水地 膜的厚度为0.01-0.03 cm，宽度为60-70 cm〇3. 根据权利要求1所述的一种砂质土壤覆膜防渗造林方法，其特征在于步骤e中施肥根 据土壤需要施入氮肥、磷肥或钾肥，采用分层侧深施肥，肥在种苗膜边5-7cm处，1/3肥施于 种苗侧膜下5 - 7cm深处，2/3的肥施于种苗侧膜下10-12cm〇
【专利摘要】本发明涉及一种砂质土壤覆膜防渗造林方法，该方法由选地与整地，选苗，灌水放苗，覆膜，抚育管理步骤完成，该方法中穴的长度为50-60cm、宽度为40-50cm、高度为30-40cm，为下一步苗的栽植提供适合的生长环境，造林密度为每公顷1650株可以使土壤的肥力水分适当，减少植株间的竞争，促进植株的生长，在栽植前用水浸泡苗木根部可以提高植株的存活率，膜的厚度为0.01-0.03cm，宽度为60-70cm，此种膜拉力较强，便于机械起膜作业，采用本发明所述砂质土壤覆膜防渗造林，具有植物生长旺盛、节省水资源、造林成活率高的优点。
【IPC分类】A01G13/02, A01G17/00
【公开号】CN105638356
【申请号】
【发明人】于瑞德, 于洋, 杨美琳, 孙凌霄, 石冰冰, 张艳静
【申请人】中国科学院新疆生态与地理研究所
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月30日