硅晶片清洗工艺的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及到一种硅晶片清洗工艺。
【背景技术】
[0002]硅晶片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏而成为悬空键，形成表面附近的自由力场，表面极易吸附各种杂质，可能吸附的杂质有油脂、松香、蜡、环氧树脂、聚乙二醇等有机物、金属、金属离子、无机化合物、自然氧化层及其他颗粒(硅，碳化硅)，这些杂质造成硅晶片易发生变花、发蓝、发黑和影响制绒等现象，使硅晶片不合格。常规的清洗工艺能将大部分硅晶片清洗干净，清洗合格率能达到90 %以上。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是:提供一种清洗效率更高的硅晶片清洗工艺。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为:一种硅晶片清洗工艺，清洗车间温度25±3°C;湿度30%_60%，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30°C; 二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1: 20;三号池水温40°C;四号池和五号池均是温度为50°C的0.25ml/pCS的碱溶液，六号池、七号池和八号池均是温度为60°C的纯水，九号池内是温度为70°C的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，且硅晶片均位于液面下方，其中，一号池、三号池、四号池、五号池、六号池、七号池和八号池均使用超声波，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25?35s，出水后的硅晶片放入温度为75°C的烘道烘干，30s后取出。
[0005]所述三号池的水溢流至二号池，七号池的水溢流至六号池，八号池的水溢流至七号池。
[0006]本发明的有益效果是:清洗效果明显，合格率高。
【具体实施方式】
[0007]本发明所述的硅晶片清洗工艺，清洗车间温度25± 3°C ;湿度30 %_60 %，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30°C; 二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸(柠檬酸属于弱酸，用于腐蚀硅晶片上的氧化层刚好，不会影响硅晶片的质量)与水的质量比是1:20;三号池水温40°C;四号池和五号池均是温度为50°C(温度高了会发生化学反应破坏硅晶片，温度低了清洗效果达不到)的0.25ml/pCS的碱溶液，碱溶液为清洗硅晶片常用的碱溶液。六号池、七号池和八号池均是温度为60°C的纯水，九号池内是温度为70°C的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，且硅晶片均位于液面下方，其中，一号池、三号池、四号池、五号池、六号池、七号池和八号池均使用超声波，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25?35s，出水后的硅晶片放入温度为75°C的烘道烘干，30s后取出。
[0008]为了合理利用水资源，所述三号池的水溢流至二号池，七号池的水溢流至六号池，八号池的水溢流至七号池。采用上述工艺清洗后的硅晶片合格率可以达到98%以上，清洗效果十分明显，从而降低报废率，提高生产效率。
【主权项】
1.硅晶片清洗工艺，其特征在于:清洗车间温度25± 3°C ;湿度30 %-60 %，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30°C; 二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1: 20;三号池水温40°C;四号池和五号池均是温度为50°C的0.25ml/pCS的碱溶液，六号池、七号池和八号池均是温度为60°C的纯水，九号池内是温度为70°C的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，且硅晶片均位于液面下方，其中，一号池、三号池、四号池、五号池、六号池、七号池和八号池均使用超声波，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25?35s，出水后的硅晶片放入温度为75°C的烘道烘干，30s后取出。2.根据权利要求1所述的硅晶片清洗工艺，其特征在于:所述三号池的水溢流至二号池，七号池的水溢流至六号池，八号池的水溢流至七号池。
【专利摘要】本发明公开了一种清洗效率更高的硅晶片清洗工艺，清洗车间温度25±3℃；湿度30％-60％，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30℃；二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1∶20；三号池水温40℃；四号池和五号池均是温度为50℃的0.25ml/pcs的碱溶液，六号池、七号池和八号池均是温度为60℃的纯水，九号池内是温度为70℃的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25～35s，出水后的硅晶片放入温度为75℃的烘道烘干，30s后取出。本发明的优点是：清洗效果明显，合格率高。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN105655239
【申请号】
【发明人】邹文龙, 张力峰, 田利中, 白青松, 梁会宁
【申请人】苏州晶樱光电科技有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年3月31日