一种超薄型高像素影像传感器封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及带软硬结合基板的PLCC延伸封装技术领域，特别是涉及一种超薄型高像素影像传感器封装结构。
【背景技术】
[0002]目前现有技术的前置式CMOS影像传感器的应用集中在500万像素以下，随着智慧手机等的应用，前置式(Front-facing)技术的与时倶进，像素微小化以及先进制程的技术突破，带动了CMOS影像传感器高像素的市场，而芯片级封装(CSP:Chip Scale Packaged)高像素CMOS影像传感器封装会有技术的缺陷及瓶颈，板上芯片(C0B:Chip On Board)封装必定是趋势。
[0003]然而，目前绝大部分高像素CMOS影像传感器COB封装结构时电容电阻与CMOS影像传感器摆放在一起，中间没有采用隔离措施，电容电阻被动元件在SMT表面贴装工艺后会有锡珠、助焊剂，而锡珠、助焊剂很容易跑到CMOS影像传感器上面，清洁非常困难或无法清洁，这样在影像输出会产生污点等不良现象，加上结构设计时没有把光学中心偏移，传感器的倾斜等考虑到位，封装出来的产品对摄像头模组组装端组装困难，容易使影像产生暗角，影像单边解析度模糊不良，对影像品质无法保证，封装良品率降低，且之前结构无法维修。
[0004]有鉴于此，特提出本实用新型，以解决上述技术问题。
【实用新型内容】
[0005]针对上述现有的技术，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能有效防止对影像传感器的污染，提高封装品质和良品率的超薄型高像素影像传感器封装结构。
[0006]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种超薄型高像素影像传感器封装结构，其包括软硬结合基板，所述软硬结合基板上贴装有位于中部的影像传感器及位于边缘位置的电容电阻，所述软硬结合基板上还设有隔离墙底座，所述隔离墙底座底部对应于软硬结合基板上的影像传感器和电容电阻的位置分别设有容纳影像传感器的第一空位和容纳电容电阻的第二空位，所述影像传感器和电容电阻被隔离墙隔开，所述隔离墙底座正面安装有玻璃片，所述软硬结合基板上还设有直接引出的连接器。
[0007]本实用新型的进一步改进为，所述第二空位呈由隔离墙底座的外壁向内凹陷形成的凹陷形状。
[0008]本实用新型的进一步改进为，所述隔离墙底座正面设有用于粘贴玻璃片的第三空位。
[0009]本实用新型的进一步改进为，所述隔离墙底座底部与软硬结合基板结合处设有第一胶水槽，所述第三空位底部与玻璃片结合处设有第二胶水槽。
[0010]本实用新型的进一步改进为，所述影像传感器为CMOS影像传感器。
[0011]与现有技术相比，本实用新型采用隔离墙隔开影像传感器和电容电阻，结构简单实用，可以有效把锡珠、助焊剂、碎肩等脏污隔离在影像传感器外面，保护了焊接过程中影像传感器的清洁，防止对影像传感器的污染，提高封装品质和良品率，可拆解玻璃进行维修;直接引出的连接器还可在模组端减少SMT 二次回焊制程;采用软硬结合基板可以降低模组总高。本实用新型能有效防止对影像传感器的污染，实现可维修，提高封装品质和良品率。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的立体结构示意图；
[0013]图2是本实用新型拆除产品搬运装置后的立体结构示意图；
[0014]图3是本实用新型DAM正面示意图；
[0015]图4是本实用新型DAM反面示意图；
[0016]图5是本实用新型流程图。
[0017]图中各部件名称如下:
[0018]! 一软硬结合基板；
[0019]2—影像传感器；
[0020]3—电容电阻；
[0021]4 一隔离墙底座；
[0022]41 一第一空位；
[0023]42—第二空位；
[0024]43—隔离墙；
[0025]44 一第三空位；
[0026]45—第一胶水槽；
[0027]46 一第二胶水槽；
[0028]5 一玻璃片；
[0029]6—连接器。
【具体实施方式】
[0030]下面结合【附图说明】及【具体实施方式】对本实用新型进一步说明。
[0031]如图1至图5所示，一种超薄型高像素影像传感器封装结构，其包括一软硬结合基板I，所述软硬结合基板I上贴装有位于中部的影像传感器2及位于边缘位置的电容电阻3，所述软硬结合基板I上还设有隔离墙底座4，所述隔离墙底座4底部对应于软硬结合基板I上的影像传感器2和电容电阻3的位置分别设有容纳影像传感器的第一空位41和容纳电容电阻的第二空位42，所述影像传感器2和电容电阻3被隔离墙43隔开，所述隔离墙底座4正面安装有玻璃片5，所述软硬结合基板I上还设有直接引出的连接器6。在本实用新型的软硬结合基板I上有两处电容电阻3的贴装区，相应地隔离墙底座4上设有两处容纳电容电阻的第二空位42与两处电容电阻3的贴装区相对应。在软硬结合基板I上直接引出连接器6。
[0032]具体地，如图1至图5所示，所述第二空位42呈由隔离墙底座4的外壁向内凹陷形成的凹陷形状。所述隔离墙底座4正面设有用于粘贴玻璃片5的第三空位44。所述隔离墙底座4底部与软硬结合基板I结合处设有第一胶水槽45，所述第三空位44底部与玻璃片5结合处设有第二胶水槽46。所述影像传感器2为CMOS影像传感器。
[0033]为了简化隔离墙底座4的制造加工，两处容纳电容电阻的第二空位42都呈由隔离墙底座4的外壁向内凹陷形成的凹陷形状。即本实用新型的容纳影像传感器的第一空位41是一个四周封闭的区域，两处容纳电容电阻的第二空位42是向外开放的区域。
[0034]在安装玻璃片5时，一般使用胶水粘在隔离墙底座4上，为了避免粘贴时由于挤压造成胶水从玻璃片5与隔离墙底座4的结合处溢出，流到软硬结合基板I上的影像传感器2上，对影像传感器2造成污染，在本实施方式中，所述隔离墙底座4正面设有用于粘贴玻璃片5的第三空位44，所述第三空位44底部与玻璃片5结合处设有第二胶水槽46。胶水涂在第二胶水槽46中，挤压时受侧壁遮挡无法溢出到影像传感器2上，而且可以沿着第二胶水槽46流向胶水较少的部位，使玻璃片5的粘贴更加均匀。所述隔离墙底座4底部与软硬结合基板I结合处设有第一胶水槽45，可以保证隔离墙底座4与软硬结合基板I结合处增加胶厚，增加拉拔力度。
[0035]采用直接定位卡装的方式直接引出连接器6，在模组端减少SMT二次回焊制程，减少制程工作即提升制程良品率。摄像头安装固定隔离墙底座4的正面上。
[0036]本实用新型的超薄型高像素影像传感器封装结构在封装时包括以下4个步骤:
[0037]1.将两处电容电阻3和连接器6安装在软硬结合基板I上后，将CMOS影像传感器贴装在影像传感器；
[0038]2.对CMOS影像传感器与软硬结合基板I之间进行金线焊接；
[0039]3.在隔离墙底座4上贴装上玻璃片5;
[0040]4.在已贴装CMOS影像传感器的软硬结合基板I上安装上带玻璃片5的隔离墙底座4，隔离墙43使CMOS影像传感器与两处电容电阻3之间隔离开，完成组装。
[0041]安装过程中，在CMOS影像传感器贴装后，立即安装带带玻璃片5的隔离墙底座4进行隔离，使得两处电容电阻3的焊锡、焊珠不能进入CMOS影像传感器所在的空间，保护了CMOS影像传感器的清洁，提高了封装质量。
[0042]本实用新型与现有技术相比的有益效果:
[0043]1.隔离墙底座4采用隔墙结构，设有隔离墙43，可以把电容电阻与CMOS影像传感器隔离，结构简单实用，可以有效把锡珠，助焊剂，碎肩等脏污隔离在CMOS影像传感器外面；
[0044]2.隔离墙底座4的设计使得即使有污染性不良，也可以通过拆解玻璃来进行维修，具备可维修性，且后段安装固定摄像头时，光轴更易保证；
[0045]3.连接器6采用直接定位卡装方式，在模组端减少SMT 二次回焊；
[0046]4.采用软硬结合基板，可以降低模组总高，做到超薄。
[0047]本实用新型的优点在于，本实用新型采用隔离墙隔开影像传感器和电容电阻，结构简单实用，可以有效把锡珠、助焊剂、碎肩等脏污隔离在影像传感器外面，保护了焊接过程中影像传感器的清洁，防止对影像传感器的污染，提高封装品质和良品率，可拆解玻璃进行维修;直接引出的连接器还可在模组端减少SMT 二次回焊制程;采用软硬结合基板可以降低模组总高。本实用新型能有效防止对影像传感器的污染，实现可维修，提高封装品质和良品率。
[0048]以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种超薄型高像素影像传感器封装结构，其特征在于:包括软硬结合基板(I)，所述软硬结合基板(I)上贴装有位于中部的影像传感器(2)及位于边缘位置的电容电阻(3)，所述软硬结合基板(I)上还设有隔离墙底座(4)，所述隔离墙底座(4)底部对应于软硬结合基板(I)上的影像传感器(2)和电容电阻(3)的位置分别设有容纳影像传感器的第一空位(41)和容纳电容电阻的第二空位(42)，所述影像传感器(2)和电容电阻(3)被隔离墙(43)隔开，所述隔离墙底座(4)正面安装有玻璃片(5)，所述软硬结合基板(I)上还设有直接引出的连接器(6)。2.根据权利要求1所述的超薄型高像素影像传感器封装结构，其特征在于:所述第二空位(42)呈由隔离墙底座(4)的外壁向内凹陷形成的凹陷形状。3.根据权利要求1所述的超薄型高像素影像传感器封装结构，其特征在于:所述隔离墙底座(4)正面设有用于粘贴玻璃片(5)的第三空位(44)。4.根据权利要求3所述的超薄型高像素影像传感器封装结构，其特征在于:所述隔离墙底座(4)底部与软硬结合基板(I)结合处设有第一胶水槽(45)，所述第三空位(44)底部与玻璃片(5)结合处设有第二胶水槽(46)。5.根据权利要求1所述的超薄型高像素影像传感器封装结构，其特征在于:所述影像传感器(2)为CMOS影像传感器。
【专利摘要】本实用新型提供了一种超薄型高像素影像传感器封装结构，其包括软硬结合基板(1)，所述软硬结合基板(1)上贴装有位于中部的影像传感器(2)及位于边缘位置的电容电阻(3)，所述软硬结合基板(1)上还设有隔离墙底座(4)，所述隔离墙底座(4)底部对应于软硬结合基板(1)上的影像传感器(2)和电容电阻(3)的位置分别设有容纳影像传感器的第一空位(41)和容纳电容电阻的第二空位(42)，所述影像传感器(2)和电容电阻(3)被隔离墙(43)隔开，所述隔离墙底座(4)正面安装有玻璃片(5)，所述软硬结合基板(1)上还设有直接引出的连接器(6)。本实用新型能有效防止对影像传感器的污染，实现可维修，提高封装品质和良品率。
【IPC分类】H01L27/146, H01L23/31
【公开号】CN205303449
【申请号】
【发明人】朱方抱, 黄河, 莫林喜, 陈进华, 王桂权, 萧与芳
【申请人】东莞旺福电子有限公司, 深圳市凯木金科技有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年1月7日