具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具的制作方法
【专利摘要】一种具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，适用于连接至一个抽气装置，并包含一个吸附头座及一个弹性接触层。该吸附头座包括一个基座本体、多个贯穿该基座本体的第一通孔、两个间隔形成于该基座本体底面的左右两侧且分布部分的第一通孔的端槽、两个分别横向连接所述端槽两端的延伸槽，及一个形成于该基座本体的顶面且连通所述第一通孔的容置凹槽。该弹性接触层设置于该容置凹槽，并包括一个呈水平的接触面，及多个贯穿该接触面且分别连通所述第一通孔的第二通孔。本实用新型通过设置所述延伸槽，增加气体流动的空间，进而增强位于所述端槽边缘的所述第一通孔的吸力，达到提高产品良率的效果。
【专利说明】
具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种半导体加工治具，特别是涉及一种具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具。
【背景技术】
[0002]参阅图1及图2，现有的一种吸附式治具1，包含一个连接至一个抽气装置(图未示)的吸附头座11，及一个设置于该吸附头座11的橡胶层12，该吸附头座11具有多个第一通孔111及两个间隔形成于底面的左右两侧的端槽112，其中，部分第一通孔111贯穿所述端槽112，该橡胶层12具有多个分别连通所述第一通孔111的第二通孔121。
[0003]在晶圆的切割制程中，该吸附式治具I架设于一台切割机(图未示)上，并连接该抽气装置，再将一片晶圆(图未示)设置于该橡胶层12上，切割过程中，该抽气装置吸气，并通过所述第一通孔111及所述第二通孔121吸附该晶圆，然而，吸气过程中，靠近该吸附头座11中央的吸力较大，越往边缘的吸力渐弱，其中，位于所述端槽112边缘的吸力最弱，使得该晶圆于切割过程中无法稳定地吸附于该吸附式治具1，容易造成掉料或产生不良品的情形，进而降低产品的良率。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种能提尚广品良率的具有尚吸附性的晶片切割用吸附式治具。
[0005]本实用新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，适用于连接至一个抽气装置，并包含一个吸附头座及一个弹性接触层。
[0006]该吸附头座包括一个连接至该抽气装置的基座本体、多个分别贯穿该基座本体的两相反侧面的第一通孔、两个间隔形成于该基座本体底面的左右两侧且分布部分的第一通孔的端槽、两个间隔形成于该基座本体底面且分别横向连接所述端槽两端的延伸槽，及一个形成于该基座本体的顶面且连通所述第一通孔的容置凹槽。
[0007]该弹性接触层设置于该容置凹槽，并包括一个呈水平的接触面，及多个贯穿该接触面且分别连通所述第一通孔的第二通孔。
[0008]本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，所述延伸槽的宽度大于所述第一通孔的孔径。
[0009]本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具还包含一个支撑单元，该支撑单元包括多个设置于该基座本体且紧抵于该弹性接触层边缘的挡墙。
[0010]本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且呈纵横交错地分别围绕所述第二通孔的主切割槽。
[0011]本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，所述挡墙呈L字形，每一个挡墙具有一个设置于该基座本体顶面的水平板部，及一个由该水平板部向上延伸且紧抵于该弹性接触层边缘的垂直板部。
[0012]本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，每一个挡墙还具有多个形成于该垂直板部且分别连通于所述主切割槽的副切割槽。
[0013]本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该支撑单元还包括多个分别将所述挡墙锁固于该基座本体的锁固件。
[0014]本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且分别围绕所述第二通孔的气槽。
[0015]本实用新型所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层的材质为橡胶。
[0016]本实用新型的有益效果在于:通过设置连接所述端槽两端的所述延伸槽，增加气体流动的空间，进而增强位于所述端槽边缘的所述第一通孔的吸力，达到提高产品良率的效果。
【附图说明】
[0017]图1是一立体图，说明现有的一种吸附式治具；
[0018]图2是一仰视平面图，说明该现有的吸附式治具的两个端槽；
[0019]图3是一立体分解图，说明本实用新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具的一个实施例；
[0020]图4是该实施例的一立体图；
[0021]图5是该实施例的一局部放大立体图；
[0022]图6是该实施例的一仰视立体图；
[0023]图7是该实施例的一仰视平面图；
[0024]图8是沿图7的剖线VII1-VI11的一局部剖视图，说明一片晶圆吸附于该实施例待切割的情形。
【具体实施方式】
[0025]下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明。
[0026]参阅图3至图5，本实用新型具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具的一个实施例，包含一个吸附头座2、一个弹性接触层3及一个支撑单元4。
[0027]配合参阅图6及图7，该吸附头座2包括一个基座本体21、多个分别贯穿该基座本体21的两相反侧面的第一通孔22、两个间隔形成于该基座本体21底面的左右两侧且分布部分的第一通孔22的端槽23、两个间隔形成于该基座本体21底面且分别横向连接所述端槽23两端的延伸槽24，及一个形成于该基座本体21的顶面且连通所述第一通孔22的容置凹槽25。
[0028]该弹性接触层3以贴合的方式设置于该容置凹槽25，并包括一个呈水平的接触面31、多个贯穿该接触面31并分别连通所述第一通孔22的第二通孔32、多个形成于该接触面31并分别围绕所述第二通孔32的气槽33，及多个形成于该接触面31且呈纵横交错地分别围绕所述第二通孔32与所述气槽33的主切割槽34。在本实施例中，该弹性接触层3的材质为橡胶，但不以此为限。
[0029]该支撑单元4包括多个设置于该基座本体21且紧抵于该弹性接触层3边缘的挡墙41，及多个分别将所述挡墙41锁固于该基座本体21的锁固件42。在本实施例中，每一个锁固件42为一个螺丝，但不以此为限。
[0030]所述挡墙41呈L字形，每一个挡墙41具有一个设置于该基座本体21顶面的水平板部411、一个由该水平板部411向上延伸且紧抵于该弹性接触层3边缘的垂直板部412，及多个形成于该垂直板部412且分别连通于所述主切割槽34的副切割槽413。
[0031]参阅图6至图8，实际使用时，将本实施例架设于一个产线(图未示)的切割机(图未示)上，并将一个抽气装置8连接至该基座本体21，再将一片晶圆9设置于该弹性接触层3的接触面31上，接着，启动该抽气装置8，通过所述第一通孔22、所述端槽23、所述延伸槽24、所述第二通孔32及所述气槽33间的气体所形成的吸力吸附该晶圆9，切割过程中，一个切割刀(图未示)会行经所述挡墙41的副切割槽413与该弹性接触层3的主切割槽34，将该晶圆9切割成小块的晶片，以进行后续的加工。
[0032]吸气过程中，往往靠近该吸附头座2中央的吸力较大，越往边缘的吸力渐弱，本实施例通过设置连接所述端槽23两端的所述延伸槽24，且限制所述延伸槽24的宽度大于所述第一通孔22的孔径，以增加所述端槽23两端的气体流动空间，进而增强位于所述端槽23边缘的所述第一通孔22的吸力，使该晶圆9能完整地吸附于该弹性接触层3，进而提高产品的良率。
[0033]此外，通过在该弹性接触层3的边缘设置所述挡墙41，当该切割刀通过该弹性接触层3的边缘时，该弹性接触层3不容易晃动，使该晶圆9不会发生飞落或旋转的情形，同样提尚广品的良率。
[0034]值得一提的是，本实施例适用于「全切」的晶圆切割工法，也就是说切穿该晶圆9成多个完整的晶片，所述副切割槽413使该切割刀经过该弹性接触层3的边缘时不会被所述挡墙41阻挡，所述主切割槽34使该切割刀切割该晶圆9时不会被该接触面31阻挡。然而，该弹性接触层3也可以不设置所述主切割槽34，而应用于「半切」的晶圆切割工法，也就是说未完全切穿该晶圆9，此时，所述挡墙41也不须设置所述副切割槽413。
[0035]综上所述，本实用新型通过设置连接所述端槽23两端的所述延伸槽24，增加气体流动的空间，进而增强位于所述端槽23边缘的所述第一通孔22的吸力，使该晶圆9能完整地吸附于该弹性接触层3，达到提高产品良率的效果，所以确实能达成本实用新型的目的。
【主权项】
1.一种具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，适用于连接至一个抽气装置，该具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具包含一个吸附头座及一个弹性接触层，该吸附头座包括一个连接至该抽气装置的基座本体、多个分别贯穿该基座本体的两相反侧面的第一通孔、两个间隔形成于该基座本体底面的左右两侧且分布部分的第一通孔的端槽，及一个形成于该基座本体的顶面且连通所述第一通孔的容置凹槽，该弹性接触层设置于该容置凹槽，并包括一个呈水平的接触面，及多个贯穿该接触面且分别连通所述第一通孔的第二通孔，其特征在于: 该弹性接触层还包括两个间隔形成于该基座本体底面且分别横向连接所述端槽两端的延伸槽。2.根据权利要求1所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于:所述延伸槽的宽度大于所述第一通孔的孔径。3.根据权利要求1所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于:该具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具还包含一个支撑单元，该支撑单元包括多个设置于该基座本体且紧抵于该弹性接触层边缘的挡墙。4.根据权利要求3所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于:该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且呈纵横交错地分别围绕所述第二通孔的主切割槽。5.根据权利要求4所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于:所述挡墙呈L字形，每一个挡墙具有一个设置于该基座本体顶面的水平板部，及一个由该水平板部向上延伸且紧抵于该弹性接触层边缘的垂直板部。6.根据权利要求5所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于:每一个挡墙还具有多个形成于该垂直板部且分别连通于所述主切割槽的副切割槽。7.根据权利要求3所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于:该支撑单元还包括多个分别将所述挡墙锁固于该基座本体的锁固件。8.根据权利要求1所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于:该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且分别围绕所述第二通孔的气槽。9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的具有高吸附性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于:该弹性接触层的材质为橡胶。
【文档编号】H01L21/683GK205488085SQ201620110037
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月3日
【发明人】赖奕诚, 赖奕儒
【申请人】宸榤精机股份有限公司