曝光基台及曝光设备的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开一种曝光基台及曝光设备，属于显示技术领域。曝光基台包括：基台本体、气流控制系统和气体喷嘴系统；气体喷嘴系统设置在基台本体上，且气体喷嘴系统与气流控制系统连接，气流控制系统用于控制从气体喷嘴系统喷出的气体的流量，使从气体喷嘴系统喷出的气体形成用于支撑待曝光器件的气垫层。本实用新型解决了曝光的均一性较差的问题，达到了提高曝光的均一性的效果。
【专利说明】
曝光基台及曝光设备
技术领域
[0001]本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种曝光基台及曝光设备。【背景技术】
[0002]在显示基板的制造过程中，通常需要在基板上形成薄膜，然后在薄膜上涂覆光刻胶，并采用曝光设备，通过具有一定图形的掩膜版对光刻胶进行曝光，之后依次采用显影、 刻蚀和光刻胶剥离工艺对基板进行处理，得到相应的图形。
[0003]曝光设备可以包括曝光基台，可以将涂覆有光刻胶的基板设置在曝光基台上对光刻胶进行曝光。相关技术中，曝光基台包括:基台本体和设置在基台本体上的真空吸附装置，该真空吸附装置可以为真空吸嘴、吸盘等，可以通过真空吸附装置将涂覆有光刻胶的基板吸附在基台本体上对光刻胶进行曝光。
[0004]在实现本实用新型的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题:
[0005]相关技术中的曝光基台采用真空吸附装置将基板设置在曝光本体上，由于真空吸附装置的吸附作用，基板上与真空吸附装置对应的区域容易出现凹陷，导致基板的表面凹凸不平，基板不同区域的光刻胶的曝光强度不同，因此，曝光的均一性较差。【实用新型内容】
[0006]为了解决相关技术中的曝光基台曝光的均一性较差的问题，本实用新型提供一种曝光基台及曝光设备。所述技术方案如下:
[0007]第一方面，提供一种曝光基台，所述曝光基台包括:
[0008]基台本体、气流控制系统和气体喷嘴系统；[〇〇〇9]所述气体喷嘴系统设置在所述基台本体上，且所述气体喷嘴系统与所述气流控制系统连接，所述气流控制系统用于控制从所述气体喷嘴系统喷出的气体的流量，使从所述气体喷嘴系统喷出的气体形成用于支撑待曝光器件的气垫层。[〇〇1〇]可选地，所述气体喷嘴系统包括:多个气体喷嘴装置，所述基台本体的承载面上设置有均匀分布的多个开口，每个所述气体喷嘴装置通过一个所述开口设置在所述基台本体上，每个所述气体喷嘴装置包括:气体喷嘴和与所述气体喷嘴连接的喷嘴控制器；[〇〇11]其中，每个所述气体喷嘴分别与气体源连接，所述气流控制系统与每个所述喷嘴控制器电连接，所述气流控制系统用于通过任一喷嘴控制器控制与所述任一喷嘴控制器连接的气体喷嘴的开度和开口方向。
[0012]可选地，所述曝光基台还包括:
[0013]平坦度获取系统；
[0014]所述平坦度获取系统设置在所述基台本体的四周，且与所述气流控制系统电连接；
[0015]所述平坦度获取系统用于获取所述待曝光器件的待曝光表面上的各个位置点的空间坐标数据，并向所述气流控制系统发送所述各个位置点的空间坐标数据；
[0016]所述气流控制系统用于根据所述各个位置点的空间坐标数据，确定所述待曝光表面上的凹凸不平的位置点的目标空间坐标数据，根据所述目标空间坐标数据确定所述凹凸不平的位置点在所述基台本体的承载面上的正投影点，并通过控制以所述正投影点为圆心，预设距离为半径的区域内的喷嘴控制器，控制与所述喷嘴控制器连接的气体喷嘴的开度和开口方向中的至少一种来对所述待曝光表面的平坦度进行调节。
[0017]可选地，所述曝光基台还包括:
[0018]应力获取系统；
[0019]所述应力获取系统设置在所述基台本体的承载面上，且与所述气流控制系统电连接，
[0020]所述应力获取系统用于获取所述待曝光器件与所述应力获取系统接触时产生的应力的大小，并向所述气流控制系统发送所述应力的大小；
[0021]所述气流控制系统用于判断所述应力的大小是否位于预设应力数值范围内，当所述应力的大小不位于预设应力范围内，通过控制每个所述喷嘴控制器，控制与每个所述喷嘴控制器连接的气体喷嘴的开度和开口方向中的至少一种来对所述应力的大小进行调节。
[0022]可选地，所述待曝光器件上设置有对位标记，所述气流控制系统还与掩膜版对位系统电连接，
[0023]所述气流控制系统还用于接收所述掩膜版对位系统发送的对位信息，所述对位信息是所述掩膜版对位系统根据掩膜版上的对位标记与所述待曝光器件上的对位标记，对所述掩膜版和所述待曝光器件对位后，根据对位结果生成的；
[0024]所述气流控制系统还用于根据所述对位信息判断所述掩膜版上的对位标记与所述待曝光器件上的对位标记是否对准，在所述掩膜版上的对位标记与所述待曝光器件上的对位标记未对准时，通过控制每个所述喷嘴控制器，控制与每个所述喷嘴控制器连接的气体喷嘴的开度和开口方向中的至少一种来使所述待曝光器件上的对位标记与所述掩膜版上的对位标记对准。
[0025]可选地，所述基台本体为设置有空腔的立方体结构，所述气流控制系统包括:气流控制器，所述气流控制器设置在所述空腔内；
[0026]所述平坦度获取系统包括:至少两个平坦度光学感应器，所述至少两个平坦度光学感应器均匀分布在所述基台本体的四个侧面中的任意相交的两个侧面所在侧；[〇〇27] 所述应力获取系统包括:至少两个应力感应器，所述至少两个应力感应器靠近所述基台本体的承载面的四条边中的任意相交的两条边设置，且均匀分布。
[0028]可选地，所述平坦度获取系统还包括:至少两个感应器支架；
[0029]所述至少两个平坦度光学感应器通过所述至少两个感应器支架设置在所述基台本体的四个侧面中的任意相交的两个侧面所在侧。
[0030]可选地，每个所述平坦度光学感应器与所述基台本体的侧面中，靠近每个所述平坦度光学感应器的侧面所在平面之间的距离的取值范围为:〇.1厘米?10厘米；
[0031]每个所述平坦度光学感应器与所述基台本体的承载面所在平面之间的距离的取值范围为〇.1厘米?10厘米。
[0032]可选地，每个所述气体喷嘴通过管线分别与所述气体源连接；
[0033]所述气流控制器分别与每个所述喷嘴控制器、每个所述平坦度光学感应器以及每个所述应力感应器电连接。
[0034]第二方面，提供一种曝光设备，所述曝光设备包括:第一方面所述的曝光基台。
[0035]本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是:
[0036]本实用新型提供的曝光基台及曝光设备，曝光基台包括基台本体、气流控制系统和气体喷嘴系统，气体喷嘴系统设置在基台本体上且与气流控制系统连接，气流控制系统用于控制从气体喷嘴系统喷出的气体的流量，使从气体喷嘴系统喷出的气体形成用于支撑待曝光器件的气垫层。由于曝光基台形成气垫层来支撑待曝光器件，相比于真空吸附装置， 本实用新型提供的曝光基台无需吸附，可以避免由于吸附导致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同区域的光刻胶的曝光强度不同的情况，因此，解决了曝光的均一性较差的问题，达到了提高曝光的均一性的效果。
[0037]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本实用新型。【附图说明】
[0038]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0039]图1是本实用新型实施例提供的一种曝光基台的结构示意图；
[0040]图2是图1所示实施例提供的曝光基台的剖面图；
[0041]图3是图1所示实施例提供的一种气体喷嘴装置的结构示意图；
[0042]图4是本实用新型实施例提供的一种曝光基台的使用场景图；
[0043]图5是图4所示实施例提供的曝光基台和基板的剖面图。
[0044]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。【具体实施方式】
[0045]为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0046]请参考图1，其示出了本实用新型实施例提供的一种曝光基台00的结构示意图，参见图1，该曝光基台〇〇包括:基台本体001、气流控制系统002和气体喷嘴系统003。
[0047]气体喷嘴系统003设置在基台本体001上，且气体喷嘴系统003与气流控制系统002 连接(图1中未示出)，气流控制系统002用于控制从气体喷嘴系统003喷出的气体的流量，使从气体喷嘴系统003喷出的气体形成用于支撑待曝光器件(图1中未示出)的气垫层(图1中未示出)。
[0048]综上所述，本实用新型实施例提供的曝光基台，由于曝光基台形成气垫层来支撑待曝光器件，相比于真空吸附装置，本实用新型实施例提供的曝光基台无需吸附，可以避免由于吸附导致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同区域的光刻胶的曝光强度不同的情况，因此，解决了曝光的均一性较差的问题，达到了提高曝光的均一性的效果。
[0049]进一步地，请参考图2,其示出了图1所示实施例提供的一种曝光基台00的剖面图， 参见图2，从气体喷嘴系统003喷出的气体形成气垫层D，气体喷嘴系统003包括:多个气体喷嘴装置0031，基台本体001的承载面M上设置有均匀分布的多个开口(图2中未示出)，每个气体喷嘴装置0031通过一个开口设置在基台本体001上，其中，开口的形状和大小可以根据实际需要设置，本实用新型实施例对此不作限定。每个气体喷嘴装置0031包括:气体喷嘴(图2 中未示出)和与气体喷嘴连接的喷嘴控制器(图2中未示出)，每个气体喷嘴分别与气体源 (图2中未示出)连接，比如，每个气体喷嘴通过管线分别与气体源连接，气流控制系统002与每个喷嘴控制器电连接，气流控制系统002用于通过任一喷嘴控制器控制与任一喷嘴控制器连接的气体喷嘴的开度和开口方向。具体地，气流控制系统002可以向任一喷嘴控制器发送开度调节信号和/或开口方向调节信号，该任一喷嘴控制器可以根据气流控制系统002发送的开度调节信号和/或开口方向调节信号，调节与该任一喷嘴控制器连接的气体喷嘴的开度和/或开口方向。
[0050]可选地，请参考图3,其示出了图1所示实施例提供的一种气体喷嘴装置0031的结构示意图，参见图3,气体喷嘴装置0031包括:气体喷嘴00311和与气体喷嘴00311连接的喷嘴控制器00312,喷嘴控制器00312可以控制气体喷嘴00311的开度大小和开口方向，该气体喷嘴00311可以与气体源(图3中未示出)连接，该喷嘴控制器00312可以与图2所示的气流控制系统002电连接。
[0051]进一步地，请继续参考图1或图2,该曝光基台00还包括:平坦度获取系统004。平坦度获取系统004设置在基台本体001的四周，且平坦度获取系统004与气流控制系统002电连接(图1和图2中均未示出)。[〇〇52]平坦度获取系统004用于获取待曝光器件(图1和图2中均未示出)的待曝光表面上的各个位置点的空间坐标数据，并向气流控制系统002发送各个位置点的空间坐标数据;气流控制系统002用于根据各个位置点的空间坐标数据，确定待曝光表面上的凹凸不平的位置点的目标空间坐标数据，根据目标空间坐标数据确定凹凸不平的位置点在基台本体001 的承载面M上的正投影点，并通过控制以该正投影点为圆心，预设距离为半径的区域内的喷嘴控制器，控制与喷嘴控制器连接的气体喷嘴的开度和开口方向中的至少一种来对待曝光器件的待曝光表面的平坦度进行调节。其中，平坦度获取系统004可以包括至少两个平坦度光学感应器0041，至少两个平坦度光学感应器0041均匀分布在基台本体001的四个侧面中的任意相交的两个侧面所在侧，可选地，平坦度获取系统004还包括:至少两个感应器支架 (图1和图2中均未示出)，至少两个平坦度光学感应器0041通过至少两个感应器支架设置在基台本体001的四个侧面中的任意相交的两个侧面所在侧，也即是，每个平坦度光学感应器 0041由一个感应器支架支撑。[〇〇53]在本实用新型实施例中，平坦度光学感应器0041可以发射出红外光线，可以通过平坦度光学感应器0041发出的红外光线，来确定待曝光器件的待曝光表面上的各个位置点的空间坐标数据，该确定各个位置点的空间坐标数据的具体实现过程可以参考相关技术， 本实用新型实施例在此不再赘述。[〇〇54] 可选地，为了保证平坦度光学感应器0041对待曝光器件的待曝光表面上的各个位置点的空间坐标数据的有效获取，每个平坦度光学感应器0041与基台本体001的侧面中，靠近每个平坦度光学感应器0041的侧面所在平面之间的距离的取值范围为:0.1厘米?10厘米，每个平坦度光学感应器0041与基台本体001的承载面M所在平面之间的距离的取值范围为0.1厘米?10厘米。
[0055]需要说明的是，本实用新型实施例是以在基台本体001的四个侧面中的任意相交的两个侧面所在侧设置平坦度光学感应器0041为例进行说明的，实际应用中，还可以在基台本体001的每个侧面所在侧都设置平坦度光学感应器0041，本实用新型实施例对此不作限定。[〇〇56]进一步地，请继续参考图1，该曝光基台还包括:应力获取系统005。应力获取系统 005设置在基台本体001的承载面M上，且应力获取系统005与气流控制系统002电连接(图1 中未示出)。[〇〇57]应力获取系统005用于获取待曝光器件与应力获取系统005接触时产生的应力的大小，并向气流控制系统002发送应力的大小;气流控制系统002用于判断应力的大小是否位于预设应力数值范围内，当应力的大小不位于预设应力范围内，通过控制每个喷嘴控制器，控制与每个喷嘴控制器连接的气体喷嘴的开度和开口方向中的至少一种来对应力的大小进行调节。其中，应力获取系统005可以包括至少两个应力感应器0051，至少两个应力感应器0051靠近基台本体001的承载面M的四条边中的任意相交的两条边设置，且均匀分布。 预设应力数值范围可以根据实际需要进行设置，当应力的大小位于该预设应力数值范围内时，待曝光器件与应力感应器0051之间的应力较小，这样可以保证待曝光器件的变形较小， 避免待曝光器件出现凹凸不平。
[0058]需要说明的是，本实用新型实施例是以在基台本体001的承载面的四条边中的任意相交的两条边所在侧设置应力感应器0051为例进行说明的，实际应用中，还可以在基台本体001的承载面的每条边所在侧都设置应力感应器0051，本实用新型实施例对此不作限定。
[0059]可选地，待曝光器件可以为基板，且该基板可以为透明基板或者形成有一定图形的基板。当待曝光器件为形成有一定图形的基板时，该待曝光器件(图1和图2中均未示出) 上设置有对位标记，该对位标记用于掩膜版对位系统对曝光用的掩膜版与该待曝光器件对位。掩膜版对位系统可以根据掩膜版上的对位标记与待曝光器件上的对位标记，对掩膜版和待曝光器件进行对位，并根据对位结果生成对位信息。其中，掩膜版对位系统以及掩膜版对位系统对掩膜版和待曝光器件进行对位的过程可以参考相关技术，本实用新型实施例在此不再赘述。
[0060]在本实用新型实施例中，气流控制系统002还与掩膜版对位系统(图1和图2中均未示出)电连接。气流控制系统002还用于接收掩膜版对位系统发送的对位信息，对位信息是掩膜版对位系统根据掩膜版上的对位标记与待曝光器件上的对位标记，对掩膜版和待曝光器件对位后，根据对位结果生成的;气流控制系统002还用于根据对位信息判断掩膜版上的对位标记与待曝光器件上的对位标记是否对准，在掩膜版上的对位标记与待曝光器件上的对位标记未对准时，通过控制每个喷嘴控制器，控制与每个喷嘴控制器连接的气体喷嘴的开度和开口方向中的至少一种来使待曝光器件上的对位标记与掩膜版上的对位标记对准。 其中，待曝光器件上的对位标记可以设置在待曝光器件的待曝光表面上，对位信息可以为掩膜版上的对位标记在待曝光器件上的待曝光表面上的正投影，与待曝光器件上的对位标记之间的距离，本实用新型实施例对此不作限定。
[0061]可选地，如图2所示，基台本体001为设置有空腔(图2中未标出)的立方体结构，气流控制系统002可以包括气流控制器(图2中未示出)，气流控制器设置在基台本体001的空腔内，且气流控制器分别与每个喷嘴控制器、每个平坦度光学感应器以及每个应力感应器电连接。
[0062]随着薄膜晶体管液晶显不屏(英文:Thin Film Transistor Liquid Crystal Display;简称:TFT-1XD)显示技术不断进步，生产设备朝着精密化的方向发展，人们对于显示面板的画质也有了更高的追求。在显示面板的生产过程中，曝光设备的曝光精度决定了所生产的显示面板的分辨率，其中，曝光过程中，对于基板的平坦度有着极高要求，而传统的曝光设备的曝光基台采用真空吸嘴，通过真空吸附的方式固定基板，且真空吸嘴之间通常设置有用于对真空气嘴之间的气体进行导向的凹槽，这样，基板上与真空吸嘴以及凹槽对应的区域容易出现凹陷，导致基板的表面凹凸不平，曝光的均一性较差，最终导致基板的显示区域的显示亮度或显示颜色不均匀，造成显示不良。[〇〇63]中国专利(公开号:CN105045048A)公开了一种曝光基台装置，该曝光基台装置包括底座以及设置在底座上的多个基台本体和多个举起部，相较于传统的曝光基台，入射至基台本体与举起部之间的间隔区域的曝光光线发生反射的光程差减小，从而使基板的曝光更加均匀。但是其依然需要真空吸附装置，并不能从根本上解决因真空吸附所造成的显示不良，所以依然存在基板的表面凹凸不平的问题，曝光的均一性较差。
[0064]本实用新型实施例提供的曝光基台，通过形成气垫层来支撑基板，相比于真空吸附装置，无需吸附，可以避免由于吸附导致基板的表面凹凸不平，基板不同区域的光刻胶的曝光强度不同的情况，因此，可以提尚曝光的均一性，进而提尚广品的良率。
[0065]综上所述，本实用新型实施例提供的曝光基台，由于曝光基台形成气垫层来支撑待曝光器件，相比于真空吸附装置，本实用新型实施例提供的曝光基台无需吸附，可以避免由于吸附导致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同区域的光刻胶的曝光强度不同的情况，因此，解决了曝光的均一性较差的问题，达到了提高曝光的均一性的效果。
[0066]请参考图4和图5,其示出了本实用新型实施例提供的曝光基台的使用场景图，参见图4或图5,该使用场景以待曝光器件为基板01为例进行说明，可以通过机械臂(图4和图5 中均未示出)对基板01进行搬运，该机械臂可以与曝光基台的气流控制系统002电连接。该曝光基台在使用时，可以包括几下几个阶段:
[0067]基板载入阶段:机械臂将基板01搬运至曝光基台上方之后，机械臂向气流控制系统002发送用于指示载入基板01的载入信号，气流控制系统002根据该载入信号，向每个气体喷嘴装置0031的喷嘴控制器发送开度调大信号，每个喷嘴控制器控制相应的气体喷嘴的开度增大，使从每个气体喷嘴喷出的气体的流量增大。[〇〇68]基板卸载阶段:机械臂带动基板01下降，使基板靠近01曝光基台移动，随着机械臂的下降，从每个气体喷嘴喷出的气体形成用于支撑基板01的气垫层D(如图5所示)，基板01 在该气垫层D的托举作用下悬浮。之后，机械臂退出曝光基台，同时机械臂向气流控制系统 002发送用于指示卸载基板01的卸载信号。
[0069]对位阶段:气流控制系统002根据卸载信号向每个气体喷嘴装置0031的喷嘴控制器发送开度调小信号，每个喷嘴控制器控制相应的气体喷嘴的开度减小，使从每个气体喷嘴喷出的气体的流量减小，在气体的流量减小的过程中，基板01逐渐降低，当基板01降低至与基台本体001的承载面M之间的距离在预设距离范围内时，基板01与至少一个对位应力感应器接触产生应力，该至少一个对位应力感应器可以获取该应力并向气流控制系统002发送该应力，气流控制系统002接收到该应力时，通过每个气体喷嘴装置0031的喷嘴控制器控制相应的气体喷嘴的开度保持当前开度，同时，气流控制系统002向每个气体喷嘴装置0031 的喷嘴控制器发送方向调节信号，每个喷嘴控制器通过控制相应的气体喷嘴的开口方向对气流方向进行调节，使气垫层D移动并托举基板01移动至与每个对位应力感应器接触，基板 01与每个对位应力感应器挤压产生应力，每个对位应力感应器可以获取相应的应力的大小，并将该应力的大小发送给气流控制系统002,气流控制系统002判断每个应力的大小是否位于预设应力数值范围内，当存在至少一个应力的大小不位于预设应力数值范围内时， 气流控制系统002通过控制相应的气体喷嘴装置0031对该应力的大小进行调节，使该应力的大小位于该预设应力数值范围内。当所有的对位应力感应器发送的应力的大小都位于预设应力数值范围内时，基板01的对位完成。
[0070]平坦度调节阶段，平坦度获取系统004通过每个平坦度光学感应器0041获取基板 01的待曝光表面上的各个位置点的空间坐标数据，并向气流控制系统002发送各个位置点的空间坐标数据，气流控制系统002通过对各个位置点的空间坐标数据进行对比，确定基板 01的待曝光表面上的凹凸不平的位置点的目标空间坐标数据，然后根据该目标空间坐标数据确定该凹凸不平的位置点在基台本体001的承载面上的正投影点，根据该正投影点的坐标数据，向以该正投影点为中心，预设距离为半径的区域内的每个气体喷嘴装置0031的喷嘴控制器发送开度调节信号，来对该待曝光表面上的凹凸不平的位置点的目标空间坐标数据进行调节，使待曝光表面上的各个位置点的空间坐标数据的z轴数据相等，从而保证基板 01的待曝光表面的平坦度。
[0071]曝光阶段:对基板01的待曝光表面的平坦度调节完成之后，就可以进行曝光作业。 [〇〇72]需要说明的是，以上是以基板01为不包括图形的透明基板为例进行说明的当基板 01包括图形时，基板01还设置有对位标记(图4和图5中均未示出)，可以结合对位应力感应器和掩膜版对位系统(图4和图5中均未示出)对基板01进行对位，具体地:
[0073]可以先由对位应力感应器配合气流控制系统002对基板01进行对位，使所有的对位应力感应器获取的应力的大小都位于预设应力数值范围内，之后由平坦度光学感应器 0041和气流控制系统002配合对平坦度进行调节，接着由掩膜版对位系统根据掩膜版上的对位标记与基板01上的对位标记，对掩膜版和基板01进行对位，掩膜版对位系统可以根据对位结果生成对位信息，并将对位信息发送给气流控制系统002,气流控制系统002可以根据对位信息，通过每个气体喷嘴装置0031的喷嘴控制器控制相应的气体喷嘴的开口方向来对气垫层D进行移动，使得气垫层D带动基板01移动，从而使基板01上的对位标记与掩膜版上的对位标记对准，基板01的对位完成。[〇〇74]综上所述，本实用新型实施例提供的曝光基台，由于曝光基台形成气垫层来支撑待曝光器件，相比于真空吸附装置，本实用新型实施例提供的曝光基台无需吸附，可以避免由于吸附导致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同区域的光刻胶的曝光强度不同的情况，因此，解决了曝光的均一性较差的问题，达到了提高曝光的均一性的效果。
[0075]本实用新型实施例还提供了一种曝光设备，该曝光设备包括图1或图2所示的曝光基台。
[0076]综上所述，本实用新型实施例提供的曝光设备包括曝光基台，由于曝光基台形成气垫层来支撑待曝光器件，相比于真空吸附装置，本实用新型实施例提供的曝光基台无需吸附，可以避免由于吸附导致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同区域的光刻胶的曝光强度不同的情况，因此，解决了曝光的均一性较差的问题，达到了提高曝光的均一性的效果。
[0077]本实用新型中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示:单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另夕卜，本文中字符7”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0078]本实用新型中术语“A和B的至少一种”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和B的至少一种，可以表示:单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。
[0079]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种曝光基台，其特征在于，所述曝光基台包括:基台本体、气流控制系统和气体喷嘴系统；所述气体喷嘴系统设置在所述基台本体上，且所述气体喷嘴系统与所述气流控制系统 连接，所述气流控制系统用于控制从所述气体喷嘴系统喷出的气体的流量，使从所述气体 喷嘴系统喷出的气体形成用于支撑待曝光器件的气垫层。2.根据权利要求1所述的曝光基台，其特征在于，所述气体喷嘴系统包括:多个气体喷嘴装置，所述基台本体的承载面上设置有均匀分 布的多个开口，每个所述气体喷嘴装置通过一个所述开口设置在所述基台本体上，每个所 述气体喷嘴装置包括:气体喷嘴和与所述气体喷嘴连接的喷嘴控制器；其中，每个所述气体喷嘴分别与气体源连接，所述气流控制系统与每个所述喷嘴控制 器电连接，所述气流控制系统用于通过任一喷嘴控制器控制与所述任一喷嘴控制器连接的 气体喷嘴的开度和开口方向。3.根据权利要求2所述的曝光基台，其特征在于，所述曝光基台还包括:平坦度获取系统；所述平坦度获取系统设置在所述基台本体的四周，且与所述气流控制系统电连接； 所述平坦度获取系统用于获取所述待曝光器件的待曝光表面上的各个位置点的空间 坐标数据，并向所述气流控制系统发送所述各个位置点的空间坐标数据；所述气流控制系统用于根据所述各个位置点的空间坐标数据，确定所述待曝光表面上 的凹凸不平的位置点的目标空间坐标数据，根据所述目标空间坐标数据确定所述凹凸不平 的位置点在所述基台本体的承载面上的正投影点，并通过控制以所述正投影点为圆心，预 设距离为半径的区域内的喷嘴控制器，控制与所述喷嘴控制器连接的气体喷嘴的开度和开 口方向中的至少一种来对所述待曝光表面的平坦度进行调节。4.根据权利要求3所述的曝光基台，其特征在于，所述曝光基台还包括:应力获取系统；所述应力获取系统设置在所述基台本体的承载面上，且与所述气流控制系统电连接， 所述应力获取系统用于获取所述待曝光器件与所述应力获取系统接触时产生的应力 的大小，并向所述气流控制系统发送所述应力的大小；所述气流控制系统用于判断所述应力的大小是否位于预设应力数值范围内，当所述应 力的大小不位于预设应力范围内，通过控制每个所述喷嘴控制器，控制与每个所述喷嘴控 制器连接的气体喷嘴的开度和开口方向中的至少一种来对所述应力的大小进行调节。5.根据权利要求4所述的曝光基台，其特征在于，所述待曝光器件上设置有对位标记， 所述气流控制系统还与掩膜版对位系统电连接，所述气流控制系统还用于接收所述掩膜版对位系统发送的对位信息，所述对位信息是 所述掩膜版对位系统根据掩膜版上的对位标记与所述待曝光器件上的对位标记，对所述掩 膜版和所述待曝光器件对位后，根据对位结果生成的；所述气流控制系统还用于根据所述对位信息判断所述掩膜版上的对位标记与所述待 曝光器件上的对位标记是否对准，在所述掩膜版上的对位标记与所述待曝光器件上的对位 标记未对准时，通过控制每个所述喷嘴控制器，控制与每个所述喷嘴控制器连接的气体喷 嘴的开度和开口方向中的至少一种来使所述待曝光器件上的对位标记与所述掩膜版上的对位标记对准。6.根据权利要求4或5所述的曝光基台，其特征在于，所述基台本体为设置有空腔的立方体结构，所述气流控制系统包括:气流控制器，所述 气流控制器设置在所述空腔内；所述平坦度获取系统包括:至少两个平坦度光学感应器，所述至少两个平坦度光学感 应器均匀分布在所述基台本体的四个侧面中的任意相交的两个侧面所在侧；所述应力获取系统包括:至少两个应力感应器，所述至少两个应力感应器靠近所述基 台本体的承载面的四条边中的任意相交的两条边设置，且均匀分布。7.根据权利要求6所述的曝光基台，其特征在于，所述平坦度获取系统还包括:至少两个感应器支架；所述至少两个平坦度光学感应器通过所述至少两个感应器支架设置在所述基台本体 的四个侧面中的任意相交的两个侧面所在侧。8.根据权利要求6所述的曝光基台，其特征在于，每个所述平坦度光学感应器与所述基台本体的侧面中，靠近每个所述平坦度光学感应 器的侧面所在平面之间的距离的取值范围为:0.1厘米?10厘米；每个所述平坦度光学感应器与所述基台本体的承载面所在平面之间的距离的取值范 围为0.1厘米?10厘米。9.根据权利要求6所述的曝光基台，其特征在于，每个所述气体喷嘴通过管线分别与所述气体源连接；所述气流控制器分别与每个所述喷嘴控制器、每个所述平坦度光学感应器以及每个所 述应力感应器电连接。10.—种曝光设备，其特征在于，所述曝光设备包括:权利要求1至9任一所述的曝光基台。
【文档编号】G03F7/20GK205665511SQ201620553224
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年6月1日
【发明人】余世荣, 吴春晖, 孟庆勇, 蒋盛超
【申请人】合肥京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司