1)HPGe高纯锗
1.The detecting efficiency of HPGe detector;高纯锗探测器探测效率研究
2.A portable HPGe detector system;一套便携式高纯锗探测系统
3.Measurements of HPGe efficiency were made by several standard gamma - ray sources.利用系列标准γ射线源对高纯锗探测器的探测效率进行了各种测量,与蒙特卡罗计算程序相结合,对于高纯锗探测效率进行了分析和讨论。
英文短句/例句
1.coaxial P-type high purity germanium detector同轴Ｐ型高纯锗探测器
2.The MCNP Simulation of HPGe Detector Efficiency高纯锗探测器探测效率的MCNP模拟
3.Efficiency Calibration for HPGe in 300keV～1.5MeV高纯锗探测器在300keV～1.5MeV能区的效率刻度
4.The Initial Research of Monte Carlo Calibration Method on Airborne HPGe Detector;航空高纯锗探测器Monte Carlo刻度方法的初步研究
5.The efficiency calibration and performance test of HPGe gamma ray spectrometer standard for activity measurement and the detailed analysis of measurement errors are presented.介绍高纯锗γ谱仪活度测量标准装置的效率刻度、性能检验和对测量误差的详细分析。
6.The Application of Low Background HPGe γ Spectrometer on the Modern Geo-environmental Changes of Tianjin Coast低本底高纯锗γ能谱仪在天津海岸带现代地质环境变化研究中的应用
7.Until today germanium is the present substance on earth with no exception.直至今天锗才毫无异议地成为地球上是纯净的物质。
8.Self-Organized Growth of Ge Quantum Dots by UHV/CVD超高真空化学气相淀积自组织生长锗量子点(英文)
9.The Low-dimensional Structure and Luminescence of Nano SiGe Alloy Formed by Laser Irradiation and High Temperature Oxidation激光辐照和高温氧化硅锗合金的低维结构和发光特性
10.UV Mutagenization of Protoplast for Screening and Breeding of High-yield Organogemanium-producing Strains of Ganoderma lucidum紫外诱变赤灵芝原生质体选育高产有机锗菌株的研究
11.A High Efficiency SiGe Power Amplifier with Bias Current Controlling Circuit一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器
12.monocrystalline germaniumGB/T5238-1995锗单晶
13.Monocrystalline germanium slicesGB/T15713-1995锗单晶片
14.highly purified perchloric acid高纯化学试剂–高氯酸
15.a substance as germanium or silicon whose electrical conductivity is intermediate between that of a metal and an insulator; it increases with temperature and in the presence of impurities.锗或硅等导电性介于导体与绝缘体之间的物质，其导电性随温度升高或杂质的出现而提高。
16.The effect of Ge doped in CZSi on the precipitation and the defect-free zone( DFZ) formation in Ge-doped CZSi wafers after a three step gettering annealing was studied.运用高温-低温-高温三步退火的本征吸除工艺研究了锗的存在对硅片清洁区形成的影响。
17.Recently alloys of silicon and germanium have been studied a great deal for possible use in high-speed device and optoelectronics applications.近年来锗硅合金在高速器件和光电子应用中有大量的可能使用研究。
18.Reform of the Shareholder Structure, High Dividend Payout and Investor Protection-A Case Study Based on Chihong Zinc & Germanium;股权分置改革、高股利分配与投资者利益保护——基于驰宏锌锗的案例研究
相关短句/例句
high purity germanium高纯锗
1.Photo-thermal ionization spectroscopy of shallow acceptors in high purity germanium;高纯锗中浅受主的光热电离光谱
3)high pu-rity germanium高纯氧化锗
4)coaxial high purity Ge detector同轴高纯锗
1.he determination of high content uranium is effected by measurement of the weak 1 00 1keV gammaray of the near uranium daughter UX_2 using a coaxial high purity Ge detector.文章介绍用同轴高纯锗探测器通过测量近铀子体ＵＸ＿２的γ射线（１００１ｋｅＶ）分析铀矿石中高含量Ｕ的方法。
5)high purity germanium spectrometer高纯锗谱仪
6)high-purity germanium dioxide高纯二氧化锗
1.Control of arsenic content in the production of high-purity germanium dioxide;高纯二氧化锗生产中砷含量控制的研究
2.A new method in which trace arsenic in high-purity germanium dioxide is determined using silver nitrate absorption photometry is described in this discussion.研究硝酸银吸光光度法测定高纯二氧化锗中痕量砷的新方法。
延伸阅读
高纯锗高纯锗high purity germanium 管中，管内抽真空或通入保护气体。利用高频感应加热或电阻加热器使锗锭形成一个或数个熔区，当以一定速度移动加热器或舟皿时，熔区也相应沿锗锭移动。由于锗锭中各杂质的分配系数K(见有效分配系数)不同，大部分杂质的K<1(见表)。区域熔炼时K>1的杂质移向头部，K<1的杂质移向尾部。一般经过6次区域熔炼后，切去锗锭的头、尾端，中段的电阻率可达5000。·m，纯度约为9~10个“9”。锗的区域熔炼提纯原理如图。 一些杂质在锗内的分配系数几皿互二二共二互惠甲贷黝l觑勘 -一感应加热器一 b一魂鞠嚷瓢， 〔 锗的区域熔炼提纯示意图 a一不纯的锗锭;b一区域熔炼开始，‘一高纯锗产生g00Chunzhe高纯锗(high purity germanium)电阻率为47000·m和净载流子浓度小于1.5又10‘2/em3的金属锗。高纯锗一般通过区域熔炼提纯制取。 高纯锗是半导体，微量杂质元素会显著地使其电阻率降低。元素周期表中的第v族元素会使锗呈电子型导电(称N型导电)，称这些元素为施主杂质;l族元素会使锗呈穴型导电(称P型导电)，称这些元素为受主杂质。一般用电阻率的大小来表示高纯锗的纯度，电阻率越大，纯度越高。两类不同的导电杂质对高纯锗导电性起着相反的作用，当两类杂质同时存在时，它们对锗的导电性的影响相互抵消。称这种相互抵消的现象为补偿。高纯锗的导电特性就由占优势的那类杂质所决定。因而，有时电阻率不足以表征高纯锗的纯度。严格的表示纯度的方法，应该根据霍尔效应测量从液氦到液氮温度范围的高纯锗的净载流子浓度和补偿度。当电流垂直于外磁场方向通过导电体时，在垂直于电流和磁场的方向，物体两侧产生的电位差现象称为霍尔效应。研究半导体的霍尔效应可以确定它的导电类型及其载流子浓度等。半导体的导电作用是通过带电粒子运动(形成电流)来实现的，这种电流的载体称为载流子。施主杂质和受主杂质经补偿后每立方厘米体积半导体中的载流子数目称为净载流子浓度。 高纯锗用于制作半导体二极管、晶体管、红外光学镜片、棱镜、y射线探测器，以及用于铸造红外光学镜片和真空镀膜。 将化学提纯制得的”.999%锗用区域熔炼法提纯而得到高纯锗。区域熔炼法1952年为美国普凡(W·G.Pfann)所发明。锗的区域熔炼提纯是将欲提纯的锗锭放入石英或石墨舟皿中，舟皿则放在透明石英
