专利名称：：扁蓿豆发芽方法及其应用的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种扁蓿豆发芽方法及其应用。
背景技术：
：扁蓿豆(ife&'c3gorW力ew'ca)，属于豆科扁蓿豆属，在我国新疆、甘肃、青海、内蒙、东北、华北均有分布，在黑龙江多见于羊草杂类草草原。扁蓿豆具有抗寒、耐旱和耐瘠薄、适应性强、生育期较长、繁殖能力和生产性能良好等特点，可作为人工草地混播草种，也可作为水土保持植物，是较有经济利用价值的豆科牧草，也是牧草抗性育种中较好的原始材料。发芽率是衡量种子质量的重要指标，也是种子分级的重要依据。了解种子的标准发芽方法，可为种子质量检验和生产实践提供理论依据，同时也为安全贮藏、调运、收购种子等提供科学依据。牧草与草坪草种子质量检验，是运用科学的方法对生产上使用的牧草与草坪草种子的质量进行检测、鉴定和分析，确定其使用价值。种子质量检验贯穿于牧草与草坪草种子生产、加工、贮藏、运输、销售和使用的全过程。随着我国进出口业务的不断扩大，尤其我国加入WTO以后，种子检验越来越受到人们的关注。近些年我国当地草种发展迅猛，越来越多的野生自然资源被开发利用，在市场上流通，为使生产者、使用者、销售者了解上市交易中的种子质量状况，保证他们的利益，种子必需进行检验，但不少野生资源种子在国内外均没有检验规程。
发明内容本发明的目的是提供一种扁蓿豆发芽方法及其应用。本发明提供的扁蓿豆发芽方法，包括如下步骤将贮藏8年以上的扁蓿豆进行如下1)或2)的处理，或将贮藏2至7年扁蓿豆进行如下3)至5)中的任一处理，或将当年扁蓿豆进行如下6)至8)中的任一处理1)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养IO天以上每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为2(TC或25"C;2)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养IO天以上每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为25t;;每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为15°C;3)将扁蓿豆预冷后置于用0.2%KN03(质量百分比)浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为3(TC;每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为20°C;4)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养IO天以上每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为25。C;5)将扁蓿豆预冷后置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养IO天以上每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为25°C;每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为15°C;6)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养IO天以上每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为3(TC;每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为2(TC;7)将扁蓿豆置于用0.2%KN03(质量百分比)浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为25。C;8)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养IO天以上每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为2(TC或25t;所述预冷为将种子置于5-l(TC放置7-10天。所述l)至8)的任一处理中，具体可为每天光照培养8小时，每天黑暗培养16小时。所述l)至8)的任一处理中，种子具体可培养21天。所述预冷具体可为将种子5-l(TC放置7天。所述贮藏8年以上的扁蓿豆具体可为贮藏13年的扁蓿豆；所述贮藏2至7年的扁蓿豆具体可为贮藏4年的扁蓿豆。所述方法可应用于种子质量检测中。种子质量检测时，可采用本发明的发芽方法促使扁蓿豆种子发芽，然后采用任何现有的种子评价标准对其质量进行评价。本发明公开了一种扁蓿豆发芽方法及其应用。本发明公开的方法可应用于扁蓿豆种子的发芽处理，提高种子的发芽率。本发明公开的方法还可应用于扁蓿豆种子质量检验。本发明对于我国牧草与草坪草种子质量检验以及对保障种子经营市场中人们了解种子质量状况，保证人们利益均具有重要的理论及实际意义。以下的实施例便于更好地理解本发明，但并不限定本发明。具体实施例方式下述实施例中的实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。以下实施例中，采用纸上(TP)发芽法进行发芽试验，发芽床为纸床。滤纸要求1)成分纸的纤维含有100%的经过漂白的化学木材纤维素、棉纤维或其他净化的植物纤维素；其中必须无真菌、细菌和有毒物质；2)结构纸张应具有通透和多孔特性，但它的质地应使幼苗的根生长在纸上而不伸入纸中；3)滤纸强度..纸张应具有足够的强度，能在试验进行处理时不致撕破；4)持水力纸张在整个试验期间应具有足的保持水分的能力，以保证对种子不断供应水分；5)pH:纸张pH值在6.0-7.5范围内。试验方法将种子均匀置于直径12cm的培养皿中。皿内垫有湿润的滤纸，发芽过程保持滤纸湿润。将培养皿斜45°置于发芽箱(培养箱)内培养，每天光照8小时，黑暗16小时。发芽期间每日对发芽的种子检测，纪录发芽粒数并随时记录腐败种子数；第21天增加新鲜未发芽种子、不正常种苗的统计。发芽率(％)=正常种苗数/供试种子总数X100y。。试验数据采用统计分子软件SPSS11.5和美国微软公司的计算机制图软件Excel进行统计分析。以下实施例中扁蓿豆种子均购自中国农业科学院北京畜牧兽医研究所。实施例l、扁蓿豆发芽条件的优化分别取贮藏13年的种子、贮藏4年的种子、当年采收的扁蓿豆(，e力'ca卵r^力e/2化a)进行发芽试验。实验中，每个处理设4次重复，每重复100粒种子。其中，C藏13年的种子，进行如下20个处理，21天后计算各个处理的发芽率；其中，贮藏4年和当年采收的种子，进行如下20个处理中的16个处理(处理l至处理4,处理6至处理9，处理11至处理14，处理16至处理19)，21天后，计算正常种苗、不正常种苗、新鲜未发芽种子、死种子和硬实的百分率。处理l:培养皿内的滤纸用水湿润；培养条件2(TC恒温。处理2:培养皿内的滤纸用水湿润；培养条件25i:恒温。处理3:培养皿内的滤纸用水湿润；培养条件光照培养温度25'C，黑暗培养温度15°C。处理4:培养皿内的滤纸用水湿润；培养条件光照培养温度3(TC，黑暗培养温度20。C。处理5:培养皿内的滤纸用水湿润；培养条件:光照培养温度35"C，黑暗培养温度20°C。处理6:培养皿内的滤纸用0.2%KN03(质量百分比)湿润；培养条件2(TC恒温o处理7:培养皿内的滤纸用0.2%脂03(质量百分比)湿润；培养条件25。C恒温o处理8:培养皿内的滤纸用0.2%，03(质量百分比)湿润；培养条件光照培养温度25'C，黑暗培养温度15'C。处理9:培养皿内的滤纸用0.2%，03(质量百分比)湿润；培养条件光照培养温度3(TC，黑暗培养温度2(TC。处理10:培养皿内的滤纸用0.2%KN03(质量百分比)湿润；培养条件光照培养温度35°C，黑暗培养温度20°C。处理ll:培养皿内的滤纸用水湿润；种子先置于冷藏保存箱中5-10。C预冷7天；然后培养，培养条件2(TC恒温。处理12:培养皿内的滤纸用水湿润；种子先置于冷藏保存箱中5-1(TC预冷7天；然后培养，培养条件25"C恒温。处理13:培养皿内的滤纸用水湿润；种子先置于冷藏保存箱中5-l(TC预冷7天；然后培养，培养条件光照培养温度25'C，黑暗培养温度15t:。处理14:培养皿内的滤纸用水湿润；种子先置于冷藏保存箱中5-1(TC预冷7天；然后培养，培养条件光照温度3(TC，黑暗温度20。C。处理15:培养皿内的滤纸用水湿润；种子先置于冷藏保存箱中5-l(TC预冷7天；然后培养，培养条件光照培养温度35'C，黑暗培养温度2(TC。处理16:培养皿内的滤纸用0.2%KN03(质量百分比)湿润；种子先置于冷藏保存箱中5-1(TC预冷7天；然后培养，培养条件2(TC恒温。处理17:培养皿内的滤纸用0.2%KN03(质量百分比)湿润；种子先置于冷藏保存箱中5-1(TC预冷7天；然后培养，培养条件25"C恒温。处理18:培养皿内的滤纸用0.2%KN03(质量百分比)湿润；种子先置于冷藏保存箱中5-l(TC预冷7天；然后培养，培养条件光照培养温度25X:，黑暗培养温度15°C。处理19:培养皿内的滤纸用0.2%KN03(质量百分比)湿润；种子先置于冷藏保存箱5-l(TC预冷7天；然后培养，培养条件光照培养温度3(TC，黑暗培养温度20。C。处理20:培养皿内的滤纸用0.2%KN03(质量百分比)湿润；种子先置于冷藏保存箱中5-l(TC预冷7天；然后培养，培养条件光照培养温度35'C，黑暗培养温度20°C。贮藏13年种子各个处理的发芽率统计见表1。贮藏4年种子各个处理中，正常种苗、不正常种苗、新鲜未发芽种子、死种子和硬实的百分率见表2。当年种子各个处理中，正常种苗、不正常种苗、新鲜未发芽种子、死种子和硬实的百分率见表3。表1扁蓿豆(贮藏13年)各处理间平均值及方差一览表<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>表3扁蓿豆(当年)经不同处理后的情况<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>权利要求1、一种扁蓿豆发芽方法，包括如下步骤将贮藏8年以上的扁蓿豆进行如下1)或2)的处理，或将贮藏2至7年的扁蓿豆进行如下3)至5)中的任一处理，或将当年扁蓿豆进行如下6)至8)中的任一处理1)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为20℃或25℃；2)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为25℃；每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为15℃；3)将扁蓿豆预冷后置于用0.2％KNO3(质量百分比)浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为30℃；每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为20℃；4)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为25℃；5)将扁蓿豆预冷后置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为25℃；每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为15℃；6)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为30℃；每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为20℃；7)将扁蓿豆置于用0.2％KNO3(质量百分比)浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为25℃；8)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为20℃或25℃；所述预冷为将种子置于5-10℃放置7-10天。2、如权利要求l所述的方法，其特征在于所述l)至8)的任一处理中，每天光照培养8小时，每天黑暗培养16小时。3、如权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述l)至8)的任一处理中，种子培养21天。4、如权利要求1至3中任一所述的方法，其特征在于所述预冷为将种子5-10°C放置7天。5、如权利要求1至4中任一所述的方法，其特征在于所述贮藏8年以上的扁蓿豆为贮藏13年的扁蓿豆；所述贮藏2至7年的扁蓿豆为贮藏4年的扁蓿豆。6、权利要求1至5中任一所述方法在种子质量检测中的应用。全文摘要本发明公开了一种扁蓿豆发芽方法及其应用。本发明提供的扁蓿豆发芽方法，包括如下步骤将贮藏8年以上的扁蓿豆、贮藏2至7年的扁蓿豆或将当年扁蓿豆进行不同的预处理和不同条件的培养，来促进扁蓿豆发芽。本发明公开的方法可应用于扁蓿豆种子的发芽处理，提高种子的发芽率。本发明公开的方法还可应用于扁蓿豆种子质量检验。本发明对于我国牧草与草坪草种子质量检验以及对保障种子经营市场中人们了解种子质量状况，保证人们利益均具有重要的理论及实际意义。文档编号A01C1/00GK101411259SQ20081022778公开日2009年4月22日申请日期2008年12月3日优先权日2008年12月3日发明者彦孙,杨青川,毛培胜,王赟文,韩建国申请人:中国农业大学