一种甜椒穴盘育苗增加根系的方法
【专利摘要】本发明涉及一种甜椒穴盘育苗增加根系的方法，其特点是包括配制甜椒穴盘育苗营养土、播种、控制温度、出苗后的管理等工艺过程。它解决了直播、常规苗畦播种、穴盘播种等方法育出的甜椒苗子根系差，苗子弱，定植后缓苗期增长，抗病性降低，产量减少等问题，适用于我国甜椒生产区甜椒育苗使用。
【专利说明】一种甜椒穴盘育苗增加根系的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及甜椒种苗繁育领域，具体的说是一种甜椒穴盘育苗增加根系的方法。【背景技术】
[0002]甜椒，是我国各地广泛栽培的蔬菜品种，其种植方法很多，有直播、常规苗畦播种、穴盘播种等方法，由于这些播种方法往往导致甜椒移栽时，苗子根系差，苗子弱等情况，最终导致缓苗期增长，抗病性降低，产量减少等问题。
【发明内容】
[0003]本发明为解决直播、常规苗畦播种、穴盘播种等方法育出的苗子根系差，苗子弱，定植后缓苗期增长，抗病性降低，产量减少等问题，发明一种甜椒育苗增加根系的技术方法。
[0004]本发明为解决上述技术问题，所采取的技术方案是，一种甜椒穴盘育苗增加根系的方法，其特点是包括以下工艺过程: [0005]1、配制甜椒穴盘育苗营养土:按体积配比，量取进口丹麦品氏草炭3份、园艺蛭石1份、园艺珍珠岩1份，加入适量的水混合均匀，使含水量达到65%左右；
[0006]2、播种:将穴盘平放在地上，用混合好的营养土将穴盘填满填平，用手指在穴盘中央按下I厘米深的小孔，将甜椒种子放在小孔中央，用园艺蛭石填平，洒上水，使水能浸润到种子为宜。
[0007]3、控制温度:播种后，出芽前温度控制在28_30°C之间，出芽后，白天温度控制在26-28°C之间，夜间温度控制在16-18°C之间；
[0008]4、出苗后的管理:在甜椒第一片真叶长出时，用那氏778诱导剂1000倍溶液浇一遍水，在第三片真叶长出时，用那氏778诱导剂800倍溶液浇一遍水。
[0009]技术效果
[0010]本发明的技术效果是，采用上述的技术方案，可以实现当甜椒从播种长至35天左右时，甜椒根系的生长量将达到常规育苗方法根系的130% -150%，能有效解决苗子根系差、苗子弱，移栽后缓苗期长、抗病性降低，产量减少等问题。
【具体实施方式】
[0011]1、配制甜椒穴盘育苗营养土:按体积配比，量取进口丹麦品氏草炭3份、园艺蛭石1份、园艺珍珠岩1份，加入适量的水混合均匀，使含水量达到65%左右；
[0012]2、播种:将穴盘平放在地上，用混合好的营养土将穴盘填满填平，用手指在穴盘中央按下I厘米深的小孔，将甜椒种子放在小孔中央，用园艺蛭石填平，洒上水，使水能浸润到种子为宜。
[0013]3、控制温度:播种后，出芽前温度控制在28_30°C之间，出芽后，白天温度控制在26-28°C之间，夜间温度控制在16-18°C之间；[0014]4、出苗后的管理:在甜椒第一片真叶长出时，用那氏778诱导剂1000倍溶液浇一遍水，在第三片真叶长出时，用那氏778诱导剂800倍溶液浇一遍水。
【权利要求】
1.一种甜椒穴盘育苗增加根系的方法，其特征是包括以下工艺过程: 配制甜椒穴盘育苗营养土:按体积配比，量取进口丹麦品氏草炭3份、园艺蛭石1份、园艺珍珠岩1份，加入适量的水混合均匀，使含水量达到65%左右； 播种:将穴盘平放在地上，用混合好的营养土将穴盘填满填平，用手指在穴盘中央按下I厘米深的小孔，将甜椒种子放在小孔中央，用园艺蛭石填平，洒上水，使水能浸润到种子为且； 控制温度:播种后，出芽前温度控制在28-30°C之间，出芽后，白天温度控制在26-28°C之间，夜间温度控制在16-18°C之间； 出苗后的管理:在甜椒第一片真叶长出时，用那氏778诱导剂1000倍溶液浇一遍水，在第三片真叶长出时，用那 氏778诱导剂800倍溶液浇一遍水。
【文档编号】A01G1/00GK103597990SQ201310545157
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年10月28日 优先权日:2013年10月28日
【发明者】柯义清, 孙公奇 申请人:柯义清