半高山地区魔芋种芋越冬储存结构的制作方法

本技术涉及魔芋种芋储存，具体提供一种半高山地区魔芋种芋越冬储存结构。

背景技术：

1、魔芋种芋越冬储存过程中，常因伤口感病、低温、冻害和种芋处理保管方式不当等引起烂种发病，不仅造成芋农大量损失，而且直接影响来年魔芋生产。

2、cn211558065u中公开了一种室外魔芋种越冬窖，其在室外挖设越冬窖，将魔芋分层储存在地下部分，然后覆盖干燥腐殖土和覆盖土及防寒土，并在地上设置稻草层和挡风墙挡雨板等。该越冬窖实施起来工艺操作较为复杂，且仅适用于低海拔冬季地下温度在0℃以上的区域，如果温度低于0℃以下，魔芋种会出现大面积冻伤，无法实现安全越冬。

3、相比室外越冬，对于半高山地区，室外温度常出现0℃以下的情况，室内越冬方法相对更为安全省事。现有的室内越冬方法通常是直接将魔芋种放置于取暖房内，或者周边采用棉被覆盖保温，其透气性差，且魔芋之间相互堆存挤压，一旦出现烂魔芋会影响周边魔芋种芋的储存。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，尤其适用于海拔1000m~3000m的半高山地区，能够大幅提高种芋的存活率，且储存操作较为简单，成本较低。

2、本实用新型的技术方案是，提供一种半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，包括储藏室，储藏室内地面铺设有谷壳垫层，谷壳垫层上方规则堆码有多个存放框，所述存放框为立方体状，顶部敞开，底部及侧面均为网格状，每个存放框内装填有魔芋种芋，且存放框顶部留有1~5cm的空腔；顶层存放框的上方铺设有谷壳盖层，谷壳盖层的厚度为10cm以上。

3、进一步地，所述储藏室为土质墙体或砖砌墙体。

4、进一步地，谷壳垫层的厚度为3cm以上。

5、进一步地，所述存放框为塑料网格框，网格的孔径≤3cm。

6、进一步地，所述存放框的侧面设有提手孔。

7、进一步地，存放框的大小尺寸一致，堆叠码设多层，且存放框与存放框侧面缝隙处也填充谷壳层。

8、进一步地，魔芋种芋上还包裹有杀菌剂层。

9、进一步地，谷壳盖层的厚度为20~30cm。

10、本实用新型具有以下有益效果：

11、本实用新型在魔芋种芋储存时，采用干燥的谷壳作为垫层填充层和盖层，其不仅具有很好的透气效果，还能吸附一定的水分，保持储存环境的干燥透气，防止闷湿环境对魔芋种芋的破坏。谷壳疏松，不会对魔芋种芋造成较大的压力，反而能起到很好的缓冲效果。

12、本实用新型在种芋储存时，通过将种芋装入存放框中，再将存放框进行规则堆叠码放，相比魔芋直接堆存透气性好，分隔后相互影响更小；而相比采用置物架，其操作更为灵活，可以将种芋储存好后装框，搬入储存室直接码放；存放框优选塑料筐，具有一定的支撑效果，增强内部魔芋种芋的透气性。每个存放框的种芋不装满，余留1~5cm的空腔填充谷壳层，避免相互挤压影响。

13、采用本实用新型的结构进行魔芋种芋越冬，其种芋几乎无腐烂，储存效果优异。

技术特征：

1.一种半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，其特征在于：包括储藏室，储藏室内地面铺设有谷壳垫层，谷壳垫层上方规则堆码有多个存放框，所述存放框为立方体状，顶部敞开，底部及侧面均为网格状，每个存放框内装填有魔芋种芋，且存放框顶部留有1~5cm的空腔；空腔顶层存放框的顶部铺设有谷壳盖层，谷壳盖层的厚度为10cm以上。

2.根据权利要求1所述半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，其特征在于：所述储藏室为土质墙体或砖砌墙体。

3.根据权利要求1所述半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，其特征在于：谷壳垫层的厚度为3cm以上。

4.根据权利要求1所述半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，其特征在于：所述存放框为塑料网格框，网格的孔径≤3cm。

5.根据权利要求1所述半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，其特征在于：所述存放框的侧面设有提手孔。

6.根据权利要求1~5任意一项所述半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，其特征在于：存放框的大小尺寸一致，堆叠码设多层，且存放框与存放框侧面缝隙处也设有填充谷壳层。

7.根据权利要求1所述半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，其特征在于：魔芋种芋上还包裹有杀菌剂层。

8.根据权利要求1所述半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，其特征在于：谷壳盖层的厚度为20~30cm。

技术总结
本技术涉及魔芋的储存，提供了一种半高山地区魔芋种芋越冬储存结构，包括储藏室，储藏室内地面铺设有谷壳垫层，谷壳垫层上方规则堆码有多个存放框，所述存放框为立方体状，顶部敞开，底部及侧面均为网格状，每个存放框内装填有魔芋种芋，且存放框顶部留有1~5cm的空腔；空腔顶层存放框的顶部铺设有谷壳盖层，谷壳盖层的厚度为10cm以上。该技术提供的储存结构，操作简单，种芋损失率极低，储存效果好。

技术研发人员：许伟,易景波,李银锋,覃柏阶,向青峰,覃卫林,颜晶晶,曾垠雪,黄学平,左伟,熊永玲,丁天艳
受保护的技术使用者：宜昌巴楚蔬菜科技开发有限公司
技术研发日：20231229
技术公布日：2024/11/7