本发明属于分子生物学和植物抗逆性领域,具体涉及一种外源施加mecpp提高植物抗性的方法。
背景技术:
1、近年来,苔藓植物因其易于培养、生活史短、可用于景观建造和环境监测等优势,受到了广泛关注。研究表明,苔藓植物分化于约4.7亿年前,其在长期适应环境变化过程中已经进化出一定的逆境胁迫耐受性,是一种优质的抗逆研究材料。小立碗藓(physcomitriumpatens)的基因组测序完成,遗传背景清晰,它的许多基因都参与植物胁迫反应。
2、2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸(methylerythritol cyclodiphosphate,mecpp)是甲基赤藓糖醇磷酸(methylerythritolphosphate,mep)途径的中间代谢产物。在现有技术中,通常是通过逆境胁迫和遗传改良的方法来增加植物内源mecpp含量,但上述方法的效果并不理想。比如,逆境胁迫会影响植物的生长发育和作物的产量和质量;遗传改良周期长且部分植物没有合适的遗传转化体系。
3、因此,如何提供一种适用性广、方便快捷的提高植物抗性的方法成为了本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
1、为了解决提升植物抗逆性过程中存在的改良周期长、没有合适的遗传转化体系的问题,本发明提供了一种遗传改良周期短、适用于大部分植物且能提高植物抗性的外源施加mecpp的方法,本发明提供了如下技术方案:
2、本发明提供了2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸在提高植物抗性中的应用,所述2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸为2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸溶液,所述2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸溶液的浓度为10μm~50μm。
3、本发明还提供了一种外源施加2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸提高植物抗性的方法,包括如下步骤:
4、将2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸溶液喷施于苗期植物叶片上。
5、优选地,喷施所述2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸溶液时,直至叶面有2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸溶液滴落。
6、优选地,所述提高植物抗性为提高植物耐高温性能。
7、优选地,所述植物为小立碗藓。
8、本发明还提供了一种耐高温植物的培育方法,包括如下步骤:
9、按如上所述的方法处理植物叶片1h后,将植物进行耐高温培养,再对植物进行恢复培养,得到耐高温植物。
10、优选地,所述植物为苗期植物。
11、优选地,所述耐高温培养的操作为:将植物于40~45℃环境中培养4~5h。
12、优选地,所述恢复培养的操作为:将植物于25℃环境中培养。
13、优选地,所述植物为小立碗藓。
14、本发明的有益效果在于:
15、本发明提供了一种外源施加mecpp提高植物抗性的方法,通过将mecpp溶液喷施于苗期植物叶片上实现。本发明外源施加mecpp提高植物抗性的方法简单易操作、节约时间、适用范围广、符合经济性,并且经过外源施加mecpp后,植物的抗性显著提升,具有理想的应用前景。
1.2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸在提高植物抗性中的应用,其特征在于,所述2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸为2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸溶液,所述2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸溶液的浓度为10μm~50μm。
2.一种外源施加2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸提高植物抗性的方法,其特征在于,包括如下步骤:
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,喷施所述2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸溶液时,直至叶面有2-c-甲基-d-赤藓糖醇2,4-环二磷酸溶液滴落。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述提高植物抗性为提高植物耐高温性能。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述植物为小立碗藓。
6.一种耐高温植物的培育方法,其特征在于,包括如下步骤:
7.如权利要求6所述的培育方法,其特征在于,所述植物为苗期植物。
8.如权利要求6所述的培育方法,其特征在于,所述耐高温培养的操作为:将植物于40~45℃环境中培养4~5h。
9.如权利要求6所述的培育方法,其特征在于,所述恢复培养的操作为:将植物于25℃环境中培养。
10.如权利要求6所述的培育方法,其特征在于,所述植物为小立碗藓。