一种魔芋地膜覆盖栽培方法

文档序号:9356029阅读:8317来源:国知局
一种魔芋地膜覆盖栽培方法
【技术领域】
[0001]本发明一种魔芋地膜覆盖栽培方法,属于作物种植领域,专用魔芋地膜覆盖栽培。
【背景技术】
[0002]魔芋,又作磨芋,天南星科磨芋属多年生草本植物,中国古代又称妖芋。自古以来魔芋就有“去肠砂”之称。魔芋生长在疏林下,是有益的碱性食品,对食用动物性酸性食品过多的人,搭配吃魔芋,可以达到食品酸、碱平衡。此外,魔芋还具有水平降血糖、降血脂、降压、散毒、养颜、通脉、减肥、通便、开胃等多功能。魔芋栽培方法多样,如何加快魔芋生长发育,是广大种植户关心的问题。

【发明内容】

[0003]本发明所要解决的技术问题在于提供一种魔芋地膜覆盖栽培方法,加快魔芋生长发育,提尚魔芋广量。
[0004]本发明采用的栽培方法,包括如下步骤:选地与选膜;整地;施肥;播前选种;播种与覆膜。
[0005]进一步地,选地与选膜的技术要点如下:选择土层深厚、肥沃、土壤疏松的沙土或沙壤土、不积水、排灌方便的地块,地膜选用宽80?100cm,厚0.08mm的超微地膜。
[0006]进一步地,整地的技术要点如下:田块要求一犁一耙,犁前亩施充分腐熟的农家肥2500kg,做到土肥混合均匀。
[0007]进一步地,施肥的技术要点如下:结合耕翻施足底肥,亩施腐熟农家肥3000?5000kg,魔芋专用肥(N: P205: K20 为 12: 8: 17) 75kg。
[0008]进一步地,播前选种的技术要点如下:选魔芋种的标准:①无病;②无伤或伤口已愈合;③顶芽肥壮,叶柄痕小;@芽窝浅;?芽尖呈粉红色,底部光滑色白。
[0009]进一步地,播种与覆膜的技术要点如下:覆膜播种在气温回升到13°C以上时播种,开沟播种,播两行,株距为种芋直径的4?5倍,播深15?20cm,种芋上施拌有生石灰的腐熟农家肥,再盖一层10?15cm的细土。
[0010]本发明的有益效果是:方法简单、成本低廉,产量高,经济效益明显。
【具体实施方式】
[0011]以下结合实例对本发明的的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
[0012]本发明采用的栽培方法,包括如下步骤:选地与选膜;整地;施肥;播前选种;播种与覆膜。
[0013]选择土层深厚、肥沃、土壤疏松的沙土或沙壤土、不积水、排灌方便的地块,地膜选用宽80?100cm,厚0.08mm的超微地膜。
[0014]田块要求一犁一耙,犁前亩施充分腐熟的农家肥2500kg,做到土肥混合均匀。
[0015]结合耕翻施足底肥,亩施腐熟农家肥3000?5000kg,魔芋专用肥(N: P205: K20为 12: 8: 17) 75kg。
[0016]选魔芋种的标准:①无病;②无伤或伤口已愈合;③顶芽肥壮,叶柄痕小;④芽窝浅;?芽尖呈粉红色,底部光滑色白。
[0017]覆膜播种在气温回升到13°C以上时播种,开沟播种,播两行,株距为种芋直径的4?5倍,播深15?20cm,种芋上施拌有生石灰的腐熟农家肥,再盖一层10?15cm的细土。
【主权项】
1.一种魔芋地膜覆盖栽培方法,其特征在于:包括如下步骤:选地与选膜;整地;施肥;播前选种;播种与覆膜。2.如权利要求1所述的一种魔芋地膜覆盖栽培方法,其特征在于,所述选地与选膜的技术要点如下:选择土层深厚、肥沃、土壤疏松的沙土或沙壤土、不积水、排灌方便的地块,地膜选用宽80?100cm,厚0.08mm的超微地膜。3.如权利要求1所述的一种魔芋地膜覆盖栽培方法,其特征在于,所述整地的技术要点如下:田块要求一犁一耙,犁前亩施充分腐熟的农家肥2500kg,做到土肥混合均匀。4.如权利要求1所述的一种魔芋地膜覆盖栽培方法,其特征在于,所述施肥的技术要点如下:结合耕翻施足底肥,亩施腐熟农家肥3000?5000kg,魔芋专用肥(N: P205: K20为 12: 8: 17) 75kg。5.如权利要求1所述的一种魔芋地膜覆盖栽培方法,其特征在于,所述播前选种的技术要点如下:选魔芋种的标准:①无病;②无伤或伤口已愈合;③顶芽肥壮,叶柄痕小芽窝浅;?芽尖呈粉红色,底部光滑色白。6.如权利要求1所述的一种魔芋地膜覆盖栽培方法,其特征在于,所述播种与覆膜的技术要点如下:覆膜播种在气温回升到13°C以上时播种,开沟播种,播两行,株距为种芋直径的4?5倍,播深15?20cm,种芋上施拌有生石灰的腐熟农家肥,再盖一层10?15cm的细土。
【专利摘要】本发明涉及一种魔芋地膜覆盖栽培方法,包括如下步骤:选地与选膜;整地;施肥;播前选种;播种与覆膜。本发明的有益效果是:方法简单、成本低廉,魔芋产量高,经济效益明显。
【IPC分类】A01G1/00
【公开号】CN105075611
【申请号】CN201510517377
【发明人】邱文娟
【申请人】邱文娟
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年8月21日
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