专利名称：一种新的氧化亚铁硫杆菌固体培养基-dlw培养基的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种新的能够使氧化亚铁硫杆菌快速形成菌落的固体培养基-DLW培 养基的配制方法。
背景技术：
氧化亚铁硫杆菌(Acidithiobacillus ferrooxidans, Τ. f)是重要的浸矿微生物 之一，以氧化二价铁、元素硫以及还原态硫的化合物等来获得能量，在生长过程中产生三价 铁、硫酸等浸出剂，因此能降低生产成本，同时，氧化亚铁硫杆菌能自我繁殖扩增，可以循环 利用，这样就进一步降低了消耗。因此，利用氧化亚铁硫杆菌浸出金、银、铜、铀等的研究越 来越受到重视。虽然氧化亚铁硫杆菌有着上述优点，但其缺点同样明显，主要体现在生长速度缓 慢，尤其是其在固体培养基上生长并形成肉眼可见的菌落一般需要15天以上，这严重制约 了氧化亚铁硫杆菌的研究工作，所以亟需研制一种新的能够使氧化亚铁硫杆菌快速形成菌 落的固体培养基。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够使氧化亚铁硫杆菌快速形成菌落的固体培养 基-DLW培养基，氧化亚铁硫杆菌能在这种培养基上快速生长，从而缩短氧化亚铁硫杆菌的 培养周期，促进氧化亚铁硫杆菌的相关研究。这种培养基配制简单，不需要特别的试剂和方 法。本发明的技术方案为此新的氧化亚铁硫杆菌固体培养基-DLW培养基配方由 A, B 禾口 C 三部分组成，A 为16. 7g FeSO4 · 7H20 溶于 50mLH20 ；B 为(NH4)2SO4Ig · Λ KCl 0. 05g · Λ MgSO4O. 05g · Λ Ca(NO3)2O. Olg · L-1 溶于 350mLH20，调 PH 至 4. 0-5. 0 ;C 为琼 脂7. 5g溶于IOOmLH2O15将A过滤除菌，B和C高压蒸汽灭菌，121°C 30min。最后等B和C 冷却至60°C后加入A，倒平板，在平板上均勻涂布菌液或使用接种环进行平板划线接种，置 30°C恒温培养箱中培养。固体培养基变为黄色，3天左右可见少许氧化亚铁硫杆菌菌落，5 天左右可见较多菌落。将采集的酸性矿坑水样品用9K无机盐液培养基富集培养一代，9K培养基成分为 (NH4) 2S043g 'T1jKCI 0. Ig · L-1，K2HPO4O. 5g 'T1jMgSO4 ·7Η20 0. 5g 'L1, Ca (NO3)2O. Olg .L-1， FeSO4 · 7H20 44. 7g · L—1，pH值1. 8 2. 0。并设定其培养温度为30°C。传代培养3-4次且 每次稀释10倍传代，最后将处于生长期的培养物取100 μ L在改良的固体培养基平板上均 勻涂布。此培养基可用于氧化亚铁硫杆菌的分离、氧化亚铁硫杆菌的培养、氧化亚铁硫杆 菌的保种。本发明使氧化亚铁硫杆菌在固体培养基上形成菌落的时间大大缩短，且简单易行。
具体实施例方式实施例1 采集的酸性矿坑水样品用9K无机盐液培养基富集培养一代，9K培 养基成分为(NH4) 2S043g · Γ1，KCl 0. Ig · ΙΛ K2HPO4O. 5g · Λ MgSO4 · 7Η20 0. 5g · Λ Ca(NO3)2O. Olg ·Γ1 ,FeSO4 ·7Η20 44. 7g .Γ1，ρΗ值 1· 8 2· 0。并设定其培养温度为 30°C。传 代培养3-4次且每次稀释5-10倍传代，最后将处于生长期的培养物取100 μ L在改良的固 体培养基平板上均勻涂布或取一环细菌划线接种。此固体培养基配方由Α，Β和C三部分组 成 A :16· 7gFeS04 · 7Η20 溶于 50mLH20 ；B (NH4) 2S04lg · Γ1，KCl 0. 05g · Γ1，MgSO4O. 05g · Λ Ca(NO3)2O. Olg · Γ1 溶于 350mLH20，调 PH 至 4. 0-5. 0 ；C 琼脂 7. 5g 溶于 IOOmLH2O0 将 A 过 滤除菌，B和C高压蒸汽灭菌，121°C 30min。最后等B和C冷却至60°C后加入A，倒平板，在 平板上均勻涂布菌液，放到30°C恒温培养箱中培养。3天左右可见少许氧化亚铁硫杆菌菌 落，5天左右可见较多菌落。实施例2 采集的酸性矿坑水样品用9K无机盐液培养基富集培养一代，9K培 养基成分为(NH4) 2S043g · Γ1，KCl 0. Ig · ΙΛ K2HPO4O. 5g · Λ MgSO4 · 7Η20 0. 5g · Λ Ca(NO3)2O. Olg · ΙΛ FeSO4 · 7Η20 44. 7g · Γ1，ρΗ 值 1. 8 2. 0。并设定其培养温度为 30°C。 传代培养3-4次且每次稀释5-10倍传代，最后将处于生长期的培养物取100 μ L在改良的 固体培养基平板上均勻涂布。此固体培养基配方由Α，B和C三部分组成A :5g Na2S2O3溶 于 50mLH20 ；B (NH4)2SO4Ig · Λ KCl 0. 05g · Λ MgSO4O. 05g · Λ Ca(NO3)2O. Olg · Γ1 溶于 350mLH20,调PH至4. 0-5. 0 ；C 琼脂7. 5g溶于IOOmLH2O0将A过滤除菌，B和C高压蒸汽灭 菌，121°C 30min。最后等B和C冷却至60°C后加入A，倒平板，在平板上均勻涂布菌液，放到 30°C恒温培养箱中培养。15天左右可见的氧化亚铁硫杆菌菌落，但菌落较小。实施例3 采集的酸性矿坑水样品用9K无机盐液培养基富集培养一代，9K培 养基成分为(NH4) 2S043g · Γ1，KCl 0. Ig · ΙΛ K2HPO4O. 5g · Λ MgSO4 · 7Η20 0. 5g · Λ Ca(NO3)2O. Olg ·Γ1 ,FeSO4 ·7Η20 44. 7g .Γ1，ρΗ值 1· 8 2· 0。并设定其培养温度为 30°C。传 代培养3-4次且每次稀释5-10倍传代，最后将处于生长期的培养物取100 μ L在改良的固 体培养基平板上均勻涂布。此固体培养基配方由Α，Β和C三部分组成A :8. 35g FeSO4 ·7Η20 和 2. 5gNa2S203 溶于 50mLH20 ；B (NH4)2SO4Ig ·厂1，KCl 0. 05g ·厂1，MgSO4O. 05g · Λ Ca(NO3)2O. Olg · Γ1 溶于 350mLH20，调 PH 至 4. 0-5. 0 ；C 琼脂 7. 5g 溶于 IOOmLH2O0 将 A 过 滤除菌，B和C高压蒸汽灭菌，121°C 30min。最后等B和C冷却至60°C后加入A，倒平板， 在平板上均勻涂布菌液，放到30°C恒温培养箱中培养。10天左右可见的氧化亚铁硫杆菌菌 落，但菌落较小。
权利要求
一种新的氧化亚铁硫杆菌固体培养基-DLW培养基的制备方法，其特征在于此固体培养基的配方由A，B和C三部分组成，A为16.7g FeSO4·7H2O溶于50mLH2O；B为(NH4)2SO4 1g·L-1，KCl 0.05g·L-1，MgSO4 0.05g·L-1，Ca(NO3)2 0.01g·L-1溶于350mLH2O，调PH至4.0-5.0；C为琼脂7.5g溶于100mLH2O；将A过滤除菌，B和C高压蒸汽灭菌，121℃30min，等B和C冷却至60℃后加入A，倒平板，在平板上均匀涂布菌液或使用接种环进行平板划线接种，置30℃恒温培养箱中培养。
全文摘要
本发明涉及一种新的能够使氧化亚铁硫杆菌快速形成菌落的固体培养基-DLW培养基的制备方法。此固体培养基配方由A，B和C三部分组成A16.7g FeSO4·7H2O溶于50mLH2O；B(NH4)2SO4 1g·L-1，KCl 0.05g·L-1，MgSO4 0.05g·L-1，Ca(NO3)2 0.01g·L-1溶于350mLH2O，调pH至4.0-5.0；C琼脂7.5g溶于100mLH2O。将A过滤除菌，B和C高压蒸汽灭菌，121℃30min。最后等B和C冷却至60℃后加入A，倒平板，在30℃恒温培养箱中培养。
文档编号C12R1/01GK101886057SQ20101024166
公开日2010年11月17日 申请日期2010年8月2日 优先权日2010年8月2日
发明者丁德馨, 李广悦, 潘文俊, 王永东, 胡南 申请人:南华大学