专利名称：在平面化过程中保护磁位的方法
在平面化过程中保护磁位的方法
背景技术：
如果将碳用作平面化的填料材料，回蚀(etch-back)工艺可将碳填料材料蚀刻至低于位线的位置由此损伤磁位。有效的回蚀停止将在平面化过程中保护磁位不受低于位线蚀刻的影响。附图
简述图I示出一个实施例的、在碳域平面化过程中保护磁位的方法的总览的方框图。图2示出一个实施例的、在碳域平面化过程中保护磁位的方法的总览流程图的方框图。图3仅为示例目的示出一个实施例的、在布图叠层上的氮化硅止蚀层汽相沉积工 艺的一个例子。图4A仅为示例目的示出一个实施例的经沉积的薄氮化硅止蚀层的一个例子。图4B仅为示例目的示出一个实施例的具有增加厚度的经沉积的薄氮化硅止蚀层的一个例子。图5A仅为示例目的示出一个实施例的经沉积的碳填充层的一个例子。图5B仅为示例目的示出一个实施例的碳域的平面化蚀刻的一个例子。图6A仅为示例目的示出一个实施例的、当将碳域蚀刻至位线时磁位的氮化硅止蚀层保护的一个例子。图6B仅为示例目的示出一个实施例的、当将碳域蚀刻至低于位线时磁位的氮化硅止蚀层保护的一个例子。图7仅为示例目的示出一个实施例的、随着平面化工艺的结束将氮化硅止蚀层去除直至位线的一个例子。详细说明在后面的说明书中，参照构成说明书一部分的附图，在附图中以示例方式示出本发明可投入实践的特例。要理解，可利用其它实施例并作出结构性改变而不脱离本发明的范围。总览应当注意，下面例如针对在碳域平面化过程中保护磁位的方法的描述是以示例性目的描述的，并且其下层系统可应用任何数量和多种类型的经布图叠层和平面化工艺。在一个实施例中，磁位保护可配置成氮化硅止蚀层。在其他实施例中，止蚀层材料可包括其他材料，例如硅、氧化硅、碳化硅或氧氮化硅。止蚀层可配置成包括可调整的沉积厚度。图I示出一个实施例的、在碳域平面化过程中保护磁位的方法的总览的方框图。可执行用碳材料对经布图叠层100区域的回填以在经布图的叠层100(例如经位布图的叠层)上形成光滑的保护表面。沉积碳材料以填充在凸起磁位周围的凹陷。碳材料可包括例如类金刚石碳(DLC)，DLC可沉积至高于磁位顶部的高度。用碳材料对这些区域的回填形成碳填充层130。碳填充层130延伸高过磁位或位线的顶部直至碳填充层130顶表面的部分形成拟受到平面化的碳域135。在碳域平面化过程中保护磁位的方法将薄氮化硅止蚀层110沉积在经布图叠层100的地形上，所述经布图叠层100的地形包括经布图的磁位120和磁膜。在一个实施例中，薄氮化硅止蚀层Iio的沉积是在碳回填材料沉积之前完成的。可使用一些工艺来沉积薄氮化硅止蚀层110，这些工艺例如可包括化学汽相沉积(CVD)、等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)和反应性离子束沉积(RBID)、离子束沉积(IBD)、原子层沉积(ALD)或其他工艺。沉积工艺在经布图的叠层100的整个布图表面上施加薄氮化硅止蚀层110。在一个实施例中，可控制薄氮化硅止蚀层110的厚度以匹配用于碳填充层130的碳材料的类型。碳填充层130在平面化工艺140中将一部分填充材料、碳域135去除。平面化工艺140用来使表面平滑至经布图的磁位120或位线的顶部。平面化工艺140可包括一些工艺，例如化学机械工艺，其中化学工艺包括蚀刻碳填充层130以去除高于位线的碳域135或碳材料，或包括其他工艺，例如其他工艺可包括反应性离 子蚀刻(RIE)或反应性离子束蚀刻(RIBE)。在一个实施例中，机械工艺可包括抛光工艺以减小蚀刻的高度差，从而形成光滑表面。通过薄氮化硅止蚀层110来防止碳材料的化学蚀刻或回蚀影响经布图的磁位120。薄氮化硅止蚀层110不与在回蚀工艺中可使用的化学药剂起反应，并且磁位在回蚀150过程中受到保护。由薄氮化硅止蚀层110提供的保护保留了经布图的磁位120和磁膜的磁完整性以及它们的磁性质在经布图的叠层100上的预期使用。在碳域平面化过程中保护磁位的方法允许使用碳回填的平面化而不损害磁位并因此提高了经布图叠层100的质量，例如在一个实施例中是位布图的或离散的磁道介质。详细说明图2示出一个实施例中在碳域平面化过程中保护磁位的方法的总览流程图的方框图。这种在碳域平面化过程中保护磁位的方法开始于经布图的叠层100，例如位布图的或离散的磁道介质，以及薄氮化硅止蚀层110的沉积。一个或多个沉积工艺可用来将氮化硅沉积到经布图的叠层100上以形成薄氮化硅止蚀层110。在一个实施例中，沉积薄氮化硅止蚀层Iio的沉积工艺可包括反应性离子束沉积(RIBD)。反应性离子束沉积(RIBD)工艺将气体化合物注入离子束流以沉积氮化硅。经沉积的氮化硅在烘干步骤中固化，该烘干步骤使用适合被选择用于使薄氮化硅止蚀层110硬化的化学性质的温度。在另一实施例中，可使用例如化学汽相沉积(CVD)沉积薄氮化硅止蚀层110。化学汽相沉积(CVD)工艺可包括将经布图的叠层100置于沉积工艺腔室200内。该工艺可包括使用例如被注入到沉积工艺腔室200内的气体化合物将氮化硅沉积在经布图的地形210上。经布图的叠层100被加热并且注入的气体化合物以薄膜形式沉积在包含磁位的经布图叠层100地形的表面上。对氮化硅膜厚度220的沉积工艺控制是通过控制气体化合物的流速、沉积工艺腔室200内的温度和压力来达成的。在一个实施例中，经沉积的薄氮化硅止蚀层110在经布图的叠层100上形成蚀刻掩模。可使用一个或多个工艺在经布图的叠层100的薄氮化硅止蚀层110上沉积碳填充层230材料。碳填充材料可包括一种或多种类金刚石碳。纯类金刚石碳具有例如硬度接近天然金刚石的性质。其他类型的类金刚石碳包括可调节例如硬度和耐磨性的性质的其他元素或化合物。这种在碳域平面化过程中保护磁位的方法允许调整薄氮化硅止蚀层110的厚度和组成，从而针对各种类型的碳填充材料提供一定范围的磁位保护。
碳填充层230的沉积可高于磁位的位线和薄氮化硅止蚀层110。使用一个或多个平面化工艺140使碳填充层230平滑并减薄其厚度至位线。平面化工艺140通过使材料的阶变高度最小化而形成经布图的叠层100地形表面的轮廓的平滑性。平面化工艺140可包括化学机械抛光平面化。化学机械抛光平面化工艺通过化学力和机械力两者的结合来使表面变得平滑。在一个实施例中，平面化化学力可包括化学蚀刻。平面化化学蚀刻或回蚀工艺240可用来减小碳域135的厚度至位线。回蚀工艺240可导致碳域被蚀刻至或高于位线250，或者碳域被蚀刻至低于位线260。在一个实施例中，平面化回蚀工艺240可包括例如使用诸如氧气(O2)之类的化学制品作为反应试剂对碳域135进行反应性离子束蚀刻。在碳域平面化过程中保护磁位的方法提供一种结构，其中回蚀工艺在薄氮化硅止蚀层270处停止。由于回蚀工艺240的化学成分不与薄氮化硅止蚀层110起反应，因此回蚀工艺停止。在回蚀过程中磁位通过薄氮化硅止蚀层110受到保护150。在一个实施例中，由薄氮化硅止蚀层110提供的对图I经布图磁位120的保护消除了对磁位的损害并保持它们的设计磁场性质和预定功能。 氮化硅的沉积:图3仅为示例目的示出一个实施例的、在经布图的叠层上的氮化硅止蚀层汽相沉积工艺的一个例子。氮化硅是硅和氮的化学化合物。在一个实施例中，它是一种硬陶瓷，这种硬陶瓷在很宽的温度范围内具有高强度、适中的导热性、低热膨胀系数、适当高的弹性模量并通常对陶瓷而言具有高的断裂韧性。图3示出经布图的磁位120的一个例子的示图。经布图的磁位120可以是例如经布图叠层100 (诸如位布图或离散的磁道介质)的经布图的磁位120。在碳域135平面化过程中保护磁位的方法中，在一个实施例中例如使用化学汽相沉积(CVD)来沉积图I的薄氮化硅止蚀层120。化学汽相沉积(CVD)工艺可包括将经布图的叠层100放置在沉积工艺腔室200内，作为在经布图的地形210上沉积氮化硅的工艺的一部分。化学汽相沉积(CVD)工艺可包括将经布图的叠层100定位在两个电极300之间。两个电极300可用来将经布图的叠层100加热至适于针对一个实施例的处理所选择的化学性质的温度。化学反应可包括通过气体化合物传送管310注入的气态化合物320。气态化合物320可包括硅烷(SiH4)、氨(NH3)、四氯化硅(SiC14)和二氯甲硅烷(SiC12H2)。注入气体的压力可用来调节流速。气体化合物的压力、温度、浓度及其流速和泄漏时间可用来控制氮化硅膜沉积的厚度。在一个实施例中，气态化合物320与加热的经布图叠层100的接触产生一种化学反应，这种化学反应沉积氮化硅膜以形成止蚀层。薄氮化硅Ih蚀层:图4A仅为示例目的示出一个实施例的经沉积的薄氮化硅止蚀层的一个例子。图4A示出在经布图叠层100的地形上沉积的薄氮化硅止蚀层110。氮化硅沉积物覆盖包括经布图的磁位120的经布图叠层100的整个地形表面。薄氮化硅止蚀层110的厚度上升至高于经布图的磁位120的位线400。在一个实施例中，薄氮化硅止蚀层110在图2的回蚀工艺240中提供对布图的磁位120的保护，该回蚀工艺240可能发生在平面化工艺140过程中。可调整的氮化硅Ih蚀层厚度:
图4B仅为示例目的示出一个实施例的、具有增加厚度的沉积的薄氮化硅止蚀层的一个例子。图4B示出对具有增加的厚度410的薄氮化硅止蚀层的沉积。氮化硅沉积的厚度在沉积工艺中可受到控制。在诸如等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)之类的化学汽相沉积工艺中，气体化合物的压力、浓度以及工艺中的流速、温度和时间可用来调整氮化硅膜的厚度。图I的薄氮化硅止蚀层110的厚度可包括调整以适应用于图I的碳填充层130的材料的类型。一些类金刚石碳化合物具有例如增加量的氢。沉积在经布图的叠层100上的图I的薄氮化硅止蚀层110的厚度可受到调整以提供对经布图的磁位120的所设计的保护。氮化硅膜沉积物的厚度的增加使得位线400之上的保护也增加。在一个实施例中，对于特定类型的类金刚石碳，该增加的厚度可包括在回蚀工艺240过程中将被去除的一部分。碳域:图5A仅为示例目的示出一个实施例的沉积的碳填充层的一个例子。图5A示出可使用类金刚石碳(DLC)沉积物500构造成的图I的碳填充层130。类金刚石碳(DLC)沉积 物500图示为透明的以使图I的下层布图的磁位120和涂覆以氮化硅止蚀层110的经布图的叠层100的其他地形能够被观察到。类金刚石碳(DLC)沉积物500已被沉积在经布图的叠层100和经沉积的薄氮化硅止蚀层110之上。类金刚石碳沉积物(DLC) 500的厚度可延伸至位线400之上。可使用图I的平面化工艺140将DLC中沉积在位线400之上的形成碳域135的部分去除。图I的平面化工艺140可包括图2的回蚀工艺240。图I的平面化工艺140中使用的步骤可包括调整化学蚀刻化合物以提供与多种碳填充材料的反应。图I的碳填充层130可包括类金刚石碳(DLC)，该类金刚石碳(DLC)例如包括纯类金刚石碳(DLC)或可包括碳化合物的其他类型DLC，所述碳化合物包括例如氢、石墨sp2碳和金属。碳化合物的硬度、耐磨性和光滑性(DLC膜摩擦系数)是可变的。这类类金刚石碳(DLC)的性质也会因添加的材料而有所不同，例如为了降低生产成本而添加稀释剂的量和种类。这类类金刚石碳(DLC)的性质的其他区别可包括氢的百分含量。类金刚石碳(DLC)生产方法可包括将氢或甲烷用作催化剂。这可导致残留在完工的DLC材料中的不同百分比的氢。在一个实施例中，可通过薄氮化硅止蚀层110的厚度调整来适应类金刚石碳(DLC) 500沉积中使用的碳材料中可包含的变例。平面化回蚀:图5B仅为示例目的示出一个实施例的碳域的平面化蚀刻的一个例子。图5B示出图I的平面化工艺140的回蚀工艺240。图I的碳填充层130可包括类金刚石碳(DLC)沉积物500。高于位线400的类金刚石碳(DLC)沉积物500形成碳域135，该碳域可使用回蚀工艺240被移去。回蚀工艺240可包括将氧气(O2)用作反应试剂的反应性离子束蚀刻工艺。以离子束形式存在的氧气(O2)反应试剂去除了类金刚石碳(DLC)沉积物500的碳域135部分。薄氮化硅止蚀层110在反应性离子束蚀刻工艺中不与氧气(O2)起反应。这阻止了在薄氮化硅止蚀层110处的反应性离子束蚀刻，从而在一个实施例中不使蚀刻损害经布图的叠层100的布图磁位120。氮化硅Ih蚀层位线保护
图6A仅为示例目的示出一个实施例的当将碳域蚀刻至位线时磁位的氮化硅止蚀层保护的一个例子。图6A示出位线蚀刻碳填充层600，其中图2的回蚀工艺240已将图5A的类金刚石碳(DLC)沉积物500的一些部分去除直至位线400。薄氮化硅止蚀层110在高于经布图的磁位120的区域已阻止图2的回蚀工艺240。在一个实施例，在对经布图叠层100的布图磁位120造成损害之前停止图2的回蚀工艺240保护了布图磁位120的磁场性质。氮化硅止蚀层低于位线保护:图6B仅为示例目的示出一个实施例的、当碳域被蚀刻至低于位线时磁位的氮化硅止蚀层保护的一个例子。图6B示出在磁位的侧边和顶部上保护布图磁位120的薄氮化硅止蚀层110。在图2的布图地形上沉积氮化硅210包括在布图的磁位120和磁膜的所有露出表面上形成薄氮化娃止蚀层110。
该新增的保护覆盖防止图2的回蚀工艺240的低于位线蚀刻的碳域610结果所造成的损害。损害任何布图的磁位120的表面，包括那些低于位线400的表面，可能消极地影响到一个实施例的布图叠层100上的磁场性质。氮化硅止蚀层平面化:图7仅为示例目的示出一个实施例的、随着平面化工艺的结束将氮化硅止蚀层去除直至位线的一个例子。薄氮化硅止蚀层Iio已在位线400蚀刻的碳填充层600的图2的回蚀工艺240期间对布图磁位120予以保护。这已保持了布图叠层100的磁场性质。在一个实施例中，图I的平面化工艺140可包括蚀刻表面的机械抛光。机械抛光可包括将经布图的磁位120的顶部上的薄氮化硅止蚀层110的部分700去除直至位线400。这将为布图叠层100的表面提供平滑度。薄氮化硅止蚀层110已防止对布图的磁位120的损害。在一个实施例中，在碳域平面化过程中保护磁位的方法已提供了一种使用图I的碳填充层130制造布图叠层100产品的节省成本且高效的手段，该产品可包括例如经位布图和离散的磁道介质。前面内容已描述了操作的一些原理、实施例和模式。然而，本发明不应解释为局限于所描述的特定实施例。前述实施例应当被认为是解说性的而非限定性的，并应当理解，本领域内技术人员可对这些实施例作出多种变型而不脱离下面理念书定义的范围。本文描述的所有要素、部件和步骤是优选包括的。要理解，这些要素、部件和步骤中的任何一个可由其他要素、部件和步骤代替或者一起被省却，如本领域内技术人员清楚知道的那样。广泛地说，这篇文章给出一种在碳域平面化过程中保护磁位的方法，包括在经布图叠层的磁位和磁膜上沉积止蚀层，在止蚀层上沉积碳填充层并在碳域平面化和回蚀过程中使用止蚀层以在碳域平面化过程中保护经布图的叠层磁位。理念这篇文章也给出了至少下列理念。理念I. 一种在碳域平面化过程中保护磁位的方法，包括在经布图的叠层的磁位和磁膜上沉积止蚀层；在所述止蚀层上沉积填充层；以及在填充层平面化和回蚀过程中使用所述止蚀层以在所述碳域平面化过程中保护经布图的叠层磁位。
理念2.如理念I所述的方法，其中沉积所述止蚀层包括可调整地控制氮化硅止蚀层的厚度以防止与平面化回蚀工艺起反应。理念3.如理念I或2所述的方法，其中所述止蚀层包含一种或多种化合物，所述化合物包括氮化硅、硅、氧化硅、碳化硅或氧氮化硅中的至少一种。理念4.如理念3所述的方法，其中所述止蚀层的组成是可调整的以防止与回蚀工艺的反应性试剂起化学反应。理念5.如理念1、2、3、4中任何一项所述的方法，其中所述止蚀层的沉积包括使用多个沉积工艺。理念6.如前述任何一项理念所述的方法，其中所述止蚀层在多个碳域平面化工艺中提供对所述磁位的保护，所述碳域平面化工艺包括化学机械平面化和反应性离子束蚀刻。理念7.如前述任何一项理念所述的方法，其中所述止蚀层包括在包含纯类金刚石碳或碳化合物中的至少一个的碳域的平面化过程中对所述磁位的保护。理念8.如前述任何一项理念所述的方法，其中所述止蚀层在延伸至位线之下的碳域回蚀工艺中保护所述磁位。理念9.如前述任何一项理念所述的方法，其中所述止蚀层在碳域填充之前被固化。理念10. —种装置，包括在经布图的叠层的磁位和磁膜上沉积氮化硅止蚀层的装置；在所述氮化硅止蚀层上沉积填充层的装置；以及通过在填充层平面化和回蚀过程中使用所述氮化硅止蚀层而在所述碳域平面化过程中保护经布图的叠层磁位的装置。理念11.如理念10所述的装置，还包括在经布图的叠层中形成止蚀层结构以在平面化过程中保护磁位的装置。理念12.如理念10所述的装置，还包括在经布图的叠层中形成止蚀层结构以在回蚀工艺可能蚀刻至位线之下的平面化过程中保护磁位的装置。理念13.如理念10、11、12中任何一项所述的装置，还包括沉积所述氮化硅止蚀层从而以可调整的沉积厚度在经布图的叠层的磁位和磁膜上形成止蚀层的装置，所述氮化硅止蚀层包含一种或多种化合物，所述化合物包括氮化硅、硅、氧化硅、碳化硅或氧氮化硅中的至少一种。理念14.如理念10-13中任何一项所述的装置，还包括使用多个沉积工艺沉积氮化硅止蚀层的装置。理念15.如理念10-14中任何一项所述的装置，还包括用于沉积一种或多种具有不同化学组成的化合物以防止与多种类型的平面化反应性回蚀工艺起反应的装置。理念16. —种碳域平面化止蚀层结构，包括氮化硅止蚀层，其中所述止蚀层被沉积在经布图的磁位上以在碳域平面化回蚀工艺中保护经布图的磁位。理念17.如理念16所述的碳域平面化止蚀层结构，其中所述氮化硅止蚀层的沉积厚度是可调整的。理念18.如理念16或17所述的碳域平面化止蚀层结构，其中所述氮化硅止蚀层包括一种或多种化合物。理念19.如理念16-18中任何一项所述的碳域平面化止蚀层结构，其中所述氮化硅止蚀层被用作碳域平面化的保护，所述碳域包括纯类金刚石碳或碳化合物中的至少一个。
理念20.如理念16-19中任何一项所述的碳域平面化止蚀层结构，其中所述止蚀层结构在碳域平面化过程中保护磁位，其中回蚀工艺可回蚀至位线之下。
权利要求
1.一种在碳域平面化过程中保护磁位的方法，包括 在经布图的叠层的磁位和磁膜上沉积止蚀层； 在所述止蚀层上沉积填充层；以及 在所述填充层的平面化和回蚀过程中使用所述止蚀层以在所述碳域平面化过程中保护经布图的叠层磁位。
2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，沉积所述止蚀层包括可调整地控制氮化硅止蚀层的厚度以防止与平面化回蚀工艺起反应。
3.如权利要求I或2所述的方法，其特征在于，所述止蚀层包含一种或多种化合物，所述一种或多种化合物包括氮化硅、硅、氧化硅、碳化硅或氧氮化硅中的至少一种。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述止蚀层的组成是可调整的以防止与回蚀工艺的反应性试剂起化学反应。
5.如权利要求1、2、3、4中任何一项所述的方法，其特征在于，所述止蚀层的沉积包括使用多个沉积工艺。
6.如前述任何一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述止蚀层在多个碳域平面化工艺中提供对所述磁位的保护，所述多个碳域平面化工艺包括化学机械平面化和反应性离子束蚀刻。
7.如前述任何一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述止蚀层包括在包含纯类金刚石碳或碳化合物中的至少一种的碳域的平面化过程中对所述磁位的保护。
8.如前述任何一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述止蚀层在延伸至位线之下的碳域回蚀工艺中保护所述磁位。
9.如前述任何一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述止蚀层在碳域填充之前被固化。
10.一种装置，包括 在经布图的叠层的磁位和磁膜上沉积氮化硅止蚀层的装置； 在所述氮化硅止蚀层上沉积填充层的装置；以及 在所述填充层平面化和回蚀过程中通过使用所述氮化硅止蚀层而在所述碳域平面化过程中保护经布图的叠层磁位的装置。
11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，还包括在经布图的叠层中形成止蚀层结构以在平面化过程中保护磁位的装置。
12.如权利要求10所述的装置，其特征在于，还包括在经布图的叠层中形成止蚀层结构以在回蚀工艺可能蚀刻至位线之下的平面化过程中保护磁位的装置。
13.如权利要求10、11、12中任何一项所述的装置，其特征在于，还包括沉积所述氮化硅止蚀层从而以可调整的沉积厚度在经布图的叠层的磁位和磁膜上形成止蚀层的装置，所述氮化硅止蚀层包含一种或多种化合物，所述一种或多种化合物包括氮化硅、硅、氧化硅、碳化硅或氧氮化硅中的至少一种。
14.如权利要求10-13中任何一项所述的装置，其特征在于，还包括使用多个沉积工艺沉积氮化硅止蚀层的装置。
15.如权利要求10-14中任何一项所述的装置，其特征在于，还包括用于沉积一种或多种具有不同化学组成的化合物以防止与多种类型的平面化反应性回蚀工艺起反应的装置。
16.一种碳域平面化止蚀层结构，包括 氮化硅止蚀层，其中所述止蚀层被沉积在经布图的磁位上以在碳域平面化回蚀工艺中保护所述经布图的磁位。
17.如权利要求16所述的碳域平面化止蚀层结构，其特征在于，所述氮化硅止蚀层的沉积厚度是可调整的。
18.如权利要求16或17所述的碳域平面化止蚀层结构，其特征在于，所述氮化硅止蚀层包括一种或多种化合物。
19.如权利要求16-18中任何一项所述的碳域平面化止蚀层结构，其特征在于，所述氮化硅止蚀层被用作碳域平面化的保护，所述碳域包括纯类金刚石碳或碳化合物中的至少一个。
20.如权利要求16-19中任何一项所述的碳域平面化止蚀层结构，其特征在于，所述止 蚀层结构在碳域平面化过程中保护磁位，其中回蚀工艺可回蚀至位线之下。
全文摘要
各实施例披露了一种在碳域平面化过程中保护磁位的方法，包括在经布图的叠层的磁位和磁膜上沉积止蚀层；在止蚀层上沉积碳填充层；以及在碳域的平面化和回蚀过程中使用止蚀层以在碳域平面化过程中保护经布图的叠层磁位。
文档编号H01L43/12GK102856490SQ201210208548
公开日2013年1月2日 申请日期2012年6月21日 优先权日2011年6月30日
发明者郭晓民, M·R·费尔德鲍姆, P·拉乔拉, H·拉姆 申请人:希捷科技有限公司