一种基于纳米氧化锌促进微生物生长的培养基的制作方法

文档序号:471660阅读:202来源:国知局
一种基于纳米氧化锌促进微生物生长的培养基的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于纳米氧化锌促进印度梨形孢生长的培养基,所述的培养基中每升含有:2.00g蛋白胨、1.00g酵母提取物、1.00g水解酪蛋白、0.60gNaNO3、0.52gKCl、0.52gMgSO4·7H2O、1.52gKH2PO4、5.00-10.00mgZnO、10mgH3BO3、5mgMnSO4·H2O、1.6mgCoCl·5H2O、1.6mgCuSO4·5H2O、1.1mg(NH4)6MO7O24、1.3mgFeSO4、1.8mgEDTA、0.10mg硫胺素、0.04mg甘氨酸、0.01mg烟酸、0.01mg吡哆醇。本发明的培养基印度梨形孢生长速率明显快于原来的培养基,培养出的菌体鲜重比对照分别增加了36.5%和55.8%,干重比对照分别增加了19%和26.2%,菌落比原来的长得更致密,光滑。本发明提供的方法简单易行,取材方便,成本低廉,经济效益好。
【专利说明】一种基于纳米氧化锌促进微生物生长的培养基
【技术领域】
[0001]本发明涉及微生物培养【技术领域】,尤其涉及一种基于纳米氧化锌促进印度梨形孢生长的培养基。
【背景技术】
[0002]微生物生长繁殖所需的营养物质主要有水、碳源、氮源、无机盐和生长因子等,微生物需要的无机盐类很多,主要有P、S、K、Na、Ca、Mg、Fe等,其主要功能为构成菌体成分,调节渗透压,作为某些酶的成分,并能激活酶的活性等。用于工业、农业、轻工业和医学研究与生产的每种微生物都需要在合适的培养基上生产。因此,发明和探究有利于微生物快速生长的培养基是微生物研究领域的一个重要任务。
[0003]印度梨形孢(Piriformosporaindia)是一种从印度沙漠植物中分离出来的具有多种生物功能的内生真菌,不仅印度梨形孢的菌丝体与孢子对植物的生长具有促进作用,其代谢物对植物也具有促进作用。目前,有印度、德国、中国、日本、美国等研究团队的科研人员致力于研究其功能与作用机理,用于培养印度梨形孢的经典培养基是Kafer培养基,但印度梨形孢在此培养基上长速较慢,为了既保持原有培养基的特点,又能促进印度梨形孢的快速生长,提高代谢物的作用,发明一种能提高印度梨形孢生长速度又能提高代谢物作用的培养基具有广泛的研究与应用前景。

【发明内容】

[0004]为了克服现有技术的不足,本发明提供一种既保持原有培养基的特点,又能促进印度梨形孢较快生长,提高代谢物对植物促生作用的培养基。该方法具有简单易行,取材方便,成本低廉,经济效益好等特点。
[0005]本发明采用如下技术方案:
[0006]本发明的基于纳米氧化锌促进微生物生长的培养基中每升含有:2.0Og蛋白胨、1.0Og 酵母提取物、1.0Og 水解酪蛋白、0.60gNaN03、0.52gKCl、0.52gMgS04.7H20、1.52gKH2P04、5.00-10.0OmgZnO、10mgH3B03、5mgMnS04.H2O> 1.6mgCoCl.5H20、1.6mgCuS04.5H20、1.1mg(NH4)6MO7O24U.3mgFeS04、l.8mgEDTA、0.1Omg 硫胺素、0.04mg 甘氨酸、0.01mg烟酸、0.01mg吡卩多醇。
[0007]其中,ZnO的粒径为30nm。
[0008]优选:所述的培养基中每升含有Zn08.0mgo
[0009]利用本发明的培养基培养印度梨形孢的方法:培养条件为在25°C~28°C、IOOrpm~120rpm摇床上避光培养。
[0010]本发明采用纳米材料氧化锌(Zn0,30nm)代替原Kafer培养基中的ZnSO4.7Η20,在I升培养基中加入纳米材料ZnO (30nm)5mg至IOmg,所用生物菌种为印度梨形孢。
[0011]Kafer培养基配方为每升培养基中含有:2.0Og蛋白胨、1.0Og酵母提取物、1.0Og水解酪蛋白、0.60gNaN03、0.52gKCl、0.52gMgS04.7Η20、1.52gKH2P04、0.52gZnS04.7H20、10mgH3B03、5mgMnS04.H2O> 1.6mgCoCl.5H20、1.6mgCuS04.5H20、1.1mg (NH4) 6M 0 7 0 24、1.3mgFeS04、1.8mgEDTA、0.1Omg 硫胺素、0.04mg 甘氨酸、0.01mg 烟酸、0.01mg 吡卩多醇。
[0012]本发明的积极效果如下:
[0013]1、在含纳米材料Zn0(30nm)5mg至IOmg的Kafer培养基中培养印度梨形孢,其生长速率明显快于原来的培养基,培养出的菌体鲜重比CK分别增加了 36.5%和55.8%,干重比CK分别增加了 19%和26.2% (图1)。
[0014]2、在含纳米材料Zn0(30nm)5mg至IOmg的Kafer培养基中培养印度梨形孢,肉眼观察菌落比原来的长得更致密,光滑(图2)。
[0015]3、在含纳米材料Zn0(30nm) 5mg至IOmg的Kafer培养基中培养印度梨形孢7天后,经离心过滤滤去印度梨形孢的菌丝体与孢子,获得的滤液即印度梨形孢的代谢物对烟草的促生作用显著好于对照。
[0016]4、本发明提供的方法简单易行,取材方便,成本低廉(100克纳米材料Zn0(30nm)的价格是200元),经济效益好。【专利附图】

【附图说明】
[0017]图1是纳米材料Zn0(30nm)对印度梨形孢生物量影响的示意图。
[0018]图2是纳米材料Zn0(30nm)对印度梨形孢菌落形态影响的示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面的实施例是对本发明的进一步详细描述。
[0020]实施例1
[0021]本发明的基于纳米氧化锌促进印度梨形孢生长的培养基中每升含有:2.0Og蛋白胨、1.0Og 酵母提取物、1.0Og 水解酪蛋白、0.60gNaN03、0.52gKCl、0.52gMgS04.7H20、1.52gKH2P04、5.0OmgZnO、IOmgH3BO3、5mgMnS04.H20、1.6mgCoCl.5H20、1.6mgCuS04.5H20、1.1mg (NH4)6MO7O24'1.3mgFeS04、l.8mgEDTA、0.1Omg 硫胺素、0.04mg 甘氨酸、0.01mg 烟酸、
0.01mg批口多醇。
[0022]其中,ZnO的粒径为30nm。
[0023]利用本发明的培养基培养印度梨形孢的方法:培养条件为在25°C~28°C、IOOrpm~120rpm摇床上避光培养。
[0024]实施例2
[0025]本发明的基于纳米氧化锌促进印度梨形孢生长的培养基中每升含有:2.0Og蛋白胨、1.0Og 酵母提取物、1.0Og 水解酪蛋白、0.60gNaN03、0.52gKCl、0.52gMgS04.7H20、
1.52gKH2P04、10.0OmgZnO、IOmgH3BO3'5mgMnS04.H20、1.6mgCoCl.5H20、1.6mgCuS04.5H20、1.1mg (NH4)6MO7O24'1.3mgFeS04、l.8mgEDTA、0.1Omg 硫胺素、0.04mg 甘氨酸、0.01mg 烟酸、
0.01mg批口多醇。
[0026]其中,ZnO的粒径为30nm。
[0027]利用本发明的培养基培养印度梨形孢的方法:培养条件为在25°C~28°C、IOOrpm~120rpm摇床上避光培养。
[0028]实施例3[0029]本发明的基于纳米氧化锌促进印度梨形孢生长的培养基中每升含有:2.0Og蛋白胨、1.0Og 酵母提取物、1.0Og 水解酪蛋白、0.60gNaN03、0.52gKCl、0.52gMgS04.7H20、
1.52gKH2P04、8.0OmgZnO、10mgH3B03、5mgMnS04.H2OU.6mgCoCl.5H20、1.6mgCuS04.5H20、1.1mg(NH4)6MO7O24U.3mgFeS04、l.8mgEDTA、0.1Omg 硫胺素、0.04mg 甘氨酸、0.01mg 烟酸、
0.01mg批唆醇。
[0030]其中,ZnO的粒径为30nm。
[0031]利用本发明的培养基培养印度梨形孢的方法:培养条件为在25°C~28°C、IOOrpm~120rpm摇床上避光培养。
[0032]实施例4
[0033]由图1可以看出,在含纳米材料Zn0(30nm)5mg至IOmg的Kafer培养基中培养印度梨形孢,其生长速率明显快于原来的培养基,培养出的菌体鲜重比CK分别增加了 36.5%和55.8%,干重比CK分别增加了 19%和26.2%。
[0034]由图2可以看出,在含纳米材料Zn0(30nm)5mg至IOmg的Kafer培养基中培养印度梨形孢,肉眼观察菌落比原来的长得更致密,光滑。
[0035]在含纳米材料Zn0(30nm) 5mg至IOmg的Kafer培养基中培养印度梨形孢7天后,经离心过滤滤去印度梨形孢的菌丝体与孢子,获得的滤液即印度梨形孢的代谢物对烟草的促生作用显著好于对照。 [0036]尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
【权利要求】
1.一种基于纳米氧化锌促进印度梨形孢生长的培养基,其特征在于:所述的培养基中每升含有:2.0Og蛋白胨、1.0Og酵母提取物、1.0Og水解酪蛋白、0.60gNaN03、0.52gKCl、0.52gMgS04.7Η20、1.52gKH2P04、5.00-10.0OmgZnO、IOmgH3BO3、5mgMnS04.H2O,1.6mgCoCl.5H20、L 6mgCuS04.5H20、1.1mg (NH4)6MO7O24U.3mgFeS04、l.8mgEDTA、0.1Omg 硫胺素、0.04mg甘氨酸、0.01mg烟酸、0.01mg批卩多醇。
2.如权利要求1所述的培养基 ,其特征在于:ZnO的粒径为30nm。
3.如权利要求1所述的培养基,其特征在于:所述的培养基中每升含有Zn08.0mgo
4.一种利用如权利要求1-3任一项所述的培养基培养印度梨形孢的方法,其特征在于:培养条件为在25°C~28°C、1OOrpm~120rpm摇床上避光培养。
【文档编号】C12N1/38GK103898040SQ201410092234
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2014年3月13日 优先权日:2014年3月13日
【发明者】楼兵干, 刘晓曦, 郭辰彤, 高其康, 林福呈 申请人:浙江大学
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