速冻果蔬片的加工方法

文档序号:9495366阅读:318来源:国知局
速冻果蔬片的加工方法
【技术领域】
[0001]本发明属于食品加工技术领域,具体涉及速冻果蔬片的加工方法。
【背景技术】
[0002]速冻是指在较短时间内,将食品温度降低到其冻结点以下的某一温度,使其所含的全部或大部分水分随着食品内部热量的外散而形成合理的微小冰晶体,最大限度地减少食品中的微生物生命活动和食品营养成分发生变化所必需的液态水分,达到最大限度地保留食品原有的天然品质的一种方法。食品通过速冻可避免细胞之间生成大的冰晶体、减少细胞内水分的外析、降低食品解冻时汁液流失;另外,速冻食品在冻藏过程中,浓缩残留水的危害性下降,并且将食品温度迅速降低到微生物生长活动的温度之下,可有利于抑制微生物的繁殖及其生化反应。
[0003]速冻果蔬是常见的速冻加工食品,其一般需要进行灭酶,以防止速冻果蔬贮藏过程中颜色的变化。目前,一般采用沸水、蒸汽等进行热处理灭酶,热处理灭酶虽然效果很好,但是会导致蛋白质、维生素等营养的降解,并影响食品的色、香、味和质地。
[0004]另外,速冻果蔬的加工过程中通常需要利用锋利的金属刀具对原料进行切分,但果蔬切面与金属接触后容易褐变,并且金属刀具容易磨损而降低生产效率或切分质量。水切割,又称水刀,即高压水射流切割技术,是一种利用高压水流切割的技术,目前主要应用于排爆、石油化工、煤矿井下作业、工程施工、船舶制造等相关行业领域。

【发明内容】

[0005]针对上述问题,本发明提供了一种速冻果蔬片的加工方法,其采用非热处理技术脉冲磁场进行灭酶,利用高压水切割进行切片,加工的速冻果蔬片的品质更好、加工效率更尚ο
[0006]本发明的技术方案如下。
[0007]速冻果蔬片的加工方法,包括原料挑选、清洗、灭酶、切片、速冻、包装步骤,所述灭酶采用脉冲磁场进行灭酶,不仅可避免速冻果蔬片中残留的化学物质对人体的负面影响,并能更好地保持食品的原有风味和改善食品的质构特性;所述切片采用高压水切割进行切片,优点是果蔬切片的切面整齐,不会产生切割痕迹和遗留碎肩物,不会损害食物细胞,能护产品免受污染,更加清洁卫生;另外,采用高压水切割进行切片可避免使用容易磨损的切割工具,在降低生产成本的同时,也大大提高了生产效率。
[0008]具体的,所述具体步骤为:
[0009](1)原料挑选:挑选新鲜、无病虫害的水果、蔬菜原料备用;
[0010](2)清洗:用清水淋洗,清洗掉原料表面的尘土、泥沙等杂质,沥干表面水分备用;
[0011](3)灭酶:将清洗后的原料转移至脉冲磁场设备中,采用脉冲磁场进行灭酶;
[0012](4)切片:将灭酶后的原料采用高压水切割进行切片,即先将切割用水用0.2μπι-1.0 μπι的微孔滤膜过滤,然后利用超高压发生器将切割用水加压并通过喷嘴喷出,利用高速喷出的水对灭酶后的原料进行切片,即得果蔬片;
[0013](5)速冻:将切片后的原料于低温下速冻,即得速冻果蔬片;
[0014](6)包装:将速冻后的果蔬片进行包装,并入冷冻贮藏。
[0015]优选的,所述脉冲磁场采用高强度-低强度交替脉冲磁场,即先在磁场强度为
4.6-5.0特斯拉的条件下处理41-50个脉冲,之后降低磁场强度至1.5-2.4特斯拉继续处理41-50个脉冲。
[0016]优选的,所述高压水切割中的切割用水中含有质量浓度为0.5 - 2 %的柠檬酸和0.5-5%的食盐,水压力为250-400MPa。
【具体实施方式】
[0017]下面结合具体实施例对本发明做进一步说明,需要指出的是以下实施例仅是以例举的形式对本发明所做的解释性说明,但本发明的保护范围并不仅限于此,所有本领域技术人员以本发明的精神对本发明所做的等效的替换均落入本发明的保护范围。
[0018]实施例1
[0019]速冻果蔬片的加工方法,包括原料挑选、清洗、灭酶、切片、速冻、包装步骤,所述灭酶采用脉冲磁场进行灭酶;所述切片采用高压水切割进行切片。
[0020]实施例2
[0021]速冻果蔬片的加工方法,包括以下步骤:
[0022](1)原料挑选:挑选新鲜、无病虫害的水果、蔬菜原料备用;
[0023](2)清洗:用清水淋洗,清洗掉原料表面的尘土、泥沙等杂质,沥干表面水分备用;
[0024](3)灭酶:将清洗后的原料转移至脉冲磁场设备中,采用脉冲磁场进行灭酶;
[0025](4)切片:将灭酶后的原料采用高压水切割进行切片,即先将切割用水用0.2μπι-1.0 μπι的微孔滤膜过滤,然后利用超高压发生器将切割用水加压并通过喷嘴喷出,利用高速喷出的水对灭酶后的原料进行切片,即得果蔬片;
[0026](5)速冻:将切片后的原料于低温下速冻,即得速冻果蔬片;
[0027](6)包装:将速冻后的果蔬片进行包装,并入冷冻贮藏。
[0028]实施例3
[0029]速冻果蔬片的加工方法,包括以下步骤:
[0030](1)原料挑选:挑选新鲜、无病虫害的水果、蔬菜原料备用;
[0031](2)清洗:用清水淋洗,清洗掉原料表面的尘土、泥沙等杂质,沥干表面水分备用;
[0032](3)灭酶:将清洗后的原料转移至脉冲磁场设备中,采用高强度-低强度交替脉冲磁场灭酶,即先在磁场强度为4.6-5.0特斯拉的条件下处理41-50个脉冲,之后降低磁场强度至1.5-2.4特斯拉继续处理41-50个脉冲。
[0033](4)切片:将灭酶后的原料采用高压水切割进行切片,即先将切割用水用0.2μπι-1.0 μπι的微孔滤膜过滤,然后利用超高压发生器将切割用水加压并通过喷嘴喷出,利用高速喷出的水对灭酶后的原料进行切片,即得果蔬片;
[0034](5)速冻:将切片后的原料于低温下速冻,即得速冻果蔬片;
[0035](6)包装:将速冻后的果蔬片进行包装,并入冷冻贮藏。
[0036]实施例4
[0037]速冻果蔬片的加工方法,包括以下步骤:
[0038](1)原料挑选:挑选新鲜、无病虫害的水果、蔬菜原料备用;
[0039](2)清洗:用清水淋洗,清洗掉原料表面的尘土、泥沙等杂质,沥干表面水分备用;
[0040](3)灭酶:将清洗后的原料转移至脉冲磁场设备中,采用脉冲磁场进行灭酶;
[0041](4)切片:将灭酶后的原料采用高压水切割进行切片,即先将切割用水用0.2μπι-1.0 μπι的微孔滤膜过滤,然后利用超高压发生器将切割用水加压并通过喷嘴喷出,利用高速喷出的水对灭酶后的原料进行切片,即得果蔬片;所述高压水切割中的切割用水中含有质量浓度为0.5-2%的柠檬酸和0.5-5%的食盐,水压力为250-400MPa ;
[0042](5)速冻:将切片后的原料于低温下速冻,即得速冻果蔬片;
[0043](6)包装:将速冻后的果蔬片进行包装,并入冷冻贮藏。
[0044]实施例5
[0045]速冻果蔬片的加工方法,包括以下步骤:
[0046](1)原料挑选:挑选新鲜、无病虫害的水果、蔬菜原料备用;
[0047](2)清洗:用清水淋洗,清洗掉原料表面的尘土、泥沙等杂质,沥干表面水分备用;
[0048](3)灭酶:将清洗后的原料转移至脉冲磁场设备中,采用高强度-低强度交替脉冲磁场灭酶,即先在磁场强度为4.6-5.0特斯拉的条件下处理41-50个脉冲,之后降低磁场强度至1.5-2.4特斯拉继续处理41-50个脉冲;
[0049](4)切片:将灭酶后的原料采用高压水切割进行切片,即先将切割用水用
0.2μπι-1.0 μπι的微孔滤膜过滤,然后利用超高压发生器将切割用水加压并通过喷嘴喷出,利用高速喷出的水对灭酶后的原料进行切片,即得果蔬片;所述高压水切割中的切割用水中含有质量浓度为0.5-2%的柠檬酸和0.5-5%的食盐,水压力为250-400MPa ;
[0050](5)速冻:将切片后的原料于低温下速冻,即得速冻果蔬片;
[0051](6)包装:将速冻后的果蔬片进行包装,并入冷冻贮藏。
【主权项】
1.速冻果蔬片的加工方法,包括原料挑选、清洗、灭酶、切片、速冻、包装步骤,其特征在于所述灭酶采用脉冲磁场进行灭酶;所述切片采用高压水切割进行切片。2.如权利要求1所述的速冻果蔬片的加工方法,其特征在于所述具体步骤为: (1)原料挑选:挑选新鲜、无病虫害的水果、蔬菜原料备用; (2)清洗:用清水淋洗,清洗掉原料表面的尘土、泥沙等杂质,沥干表面水分备用; (3)灭酶:将清洗后的原料转移至脉冲磁场设备中,采用脉冲磁场进行灭酶; (4)切片:将灭酶后的原料采用高压水切割进行切片,即先将切割用水用0.2μπι-1.0 μπι的微孔滤膜过滤,然后利用超高压发生器将切割用水加压并通过喷嘴喷出,利用高速喷出的水对灭酶后的原料进行切片,即得果蔬片; (5)速冻:将切片后的原料于低温下速冻,即得速冻果蔬片; (6)包装:将速冻后的果蔬片进行包装,并入冷冻贮藏。3.如权利要求2所述的速冻果蔬片的加工方法,其特征在于所述脉冲磁场采用高强度-低强度交替脉冲磁场,即先在磁场强度为4.6-5.0特斯拉的条件下处理41-50个脉冲,之后降低磁场强度至1.5-2.4特斯拉继续处理41-50个脉冲。4.如权利要求2所述的速冻果蔬片的加工方法,其特征在于所述高压水切割中的切割用水中含有质量浓度为0.5-2%的柠檬酸和0.5-5%的食盐,水压力为250-400MPa。
【专利摘要】本发明公开了一种速冻果蔬片的加工方法,包括原料挑选、清洗、灭酶、切片、速冻、包装步骤;所述灭酶采用脉冲磁场进行灭酶;所述切片采用高压水切割进行切片。本发明采用非热处理技术脉冲磁场进行灭酶,利用高压水切割进行切片,加工的速冻果蔬片的品质更好、加工效率更高。
【IPC分类】A23L19/00
【公开号】CN105249337
【申请号】CN201510751502
【发明人】车丽, 吴越, 车海
【申请人】长沙星达知识产权服务有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年11月5日
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