专利名称：：一种发光二极管光治疗仪的制作方法
技术领域：
：本发明涉及皮肤科光治疗或美容
技术领域：
，具体涉及一种发光二极管光治疗仪的结构。
背景技术：
：痤疮是一种皮脂腺疾病，临床症状有，皮脂变形，表皮脱落和发炎。很多种因素可造成痤疮的形成，例如细菌滋生；过度暴露在阳光紫外线照射下；处在分泌大量激素的青春期青少年等等。图1显示了痤疮的形成过程.通常医生首选抗生素作为治疗痤疮的方法，或结合使用老式的光治疗机，其过程如图2所示。但是由于抗生素的经常服用带来抗药性，许多病人的治疗效果不佳并且还有副作用。痤疮致病细菌疮疱丙酸痤疮杆菌(P.Acne)内含有大量的B卜啉，而卟啉在波长410nm上有很强的吸收，下式I所示的卟啉在波长410nm附近具有强大的吸收带，这个吸收带称为Soret带，请参见图3所示典型的紫外到可见PROPHYRIN(叶啉)光谱吸收谱线，其中410nm附近为强吸收的Soret带，随后是以数字IV-I标示的4个Q带。当一定波长的光照射痤疮时，波长在410nm左右的光将易于被痤疮的致病细菌内的卟啉吸收，这个吸收过程会带来相应的光化学反应，例如，卟啉吸收光后产生能杀死细菌的单氧等自由基，将有效地杀死痤疮部位的细菌，并使痤疮位置被破坏的组织恢复正常。由此可见，光动力学治疗对于痤疮是有效的。大约一个世纪来，许多类型的光源被用来治疗痤疮。其中包括莹光灯，卤素灯，钩丝灯以及近年来的激光和发光二极管。下表l中列举了主要的公司及产品。表1应用激光和光源原理治疗痤疮的主要公司及产<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>"CG^引哚菁象高强度，放大的窄带蓝光光源(CureLight)用来治疗轻度和中度的痤疮。该治疗机输出高功率的蓝光，输出波长在407到420nm，功率密度90mw/cm2.可治愈面部,背部及胸部的痤疮。另外一种叫ClearTouch的治疗装置的脉冲输出波长在430到1200nm之间，其中黄光和绿光500到600nm可以渗透皮肤达几个毫米。发光二极管光动力学治疗技术(LightEmittingDiode-PhotoDynamicTherapy,LED-PDT)治疗技术是近年来兴起的，以发光二极管和半导体激光为光源的用来治疗和诊断的一种新型的医用，保健和美容技术。针对这项技术的特性和优势，通常根据需求可设计开发为许多种类的治疗、诊断机。目前用在治疗皮肤科疾病，促进身体组织创伤的愈合和组织再生，和眼睛疾病的诊断和分析三方面最受欢迎。而用于美容和减肥，消除铍纹的需求量也在大增。随着发光二极管光动力学治疗机的结构设计，数据处理以及工艺流程的不断改进和完善医生和病人对此的需求会进一步的增长。皮肤科的常见病，例如痤疮，蝴蝶斑，白癜风，皮肤过度暴露在阳光和紫外线下引发的皮肤过敏发炎等等，常常由于得不到有效的，及时的治疗而错失良机。大多数人都有痤疮，因为每个人皮肤上会有不同程度的细菌滋生。痤疮是引发皮肤发炎的常见疾病，特别是在面部和身体的上半部。在美国占癌症第二大死因的皮肤癌有近40%是由光化学损坏皮肤角质造成的。由于皮肤产生光化学作用，常常会在面部和头皮上出现粗糙，鱼鳞状，白色的斑点等症状。问题的严重在于这类受光化学作用皮肤往往会发展成为皮肤癌。三个美国主要的医疗机构，美国癌症协会，皮肤癌症基金会和美国皮肤科学院建议如果人们发现自己有角质光化学的症状应立即求医治疗。因此在美国由于皮肤过度暴露在阳光和紫外线下而产生光化学反应去看医生的频率排在第三位。由于这方面的需求，最近美国食品药物管理局已经批准用发光二极管-光动力学蓝光治疗还没角化的起光化学作用的皮肤角质避免癌症的发生。紫外光对皮肤是有损害的，但不是所有波长的光都象紫外光一样。相反适当的选择光扭长可以治疗和恢复被损伤的皮肤。研究发光二极管和激光治疗仪关键的技术之一就是选择最佳光波长和光功率。光动力学治疗结合蓝光和局部药物是一项主要的革新用来治疗潜在的严重的病例。实验室的治疗数据表明，应用发光二极管痤疮治疗仪，70%的病患在经过第一阶段12个星期的治疗后痊愈。如果需要第二阶段的治疗还需再治疗8个星期。经过第一第二两个阶段的治疗，88%的病患可以治愈原来皮肤有角质光化学症状的75%以上，既皮肤粗糙，白点消失。94%的病人对治疗机印象深刻。反映良好。84%的病人愿意如果今后有需要还会再用发光二极管-光动力学治疗机。这一类治疗仪的特点和优势如下治疗效果快，不需要麻醉，无痛治疗，无副作用，治疗时间每次20分钟左右，安全用于化学反应皮肤剥落，阳光照射过度和另外类型的痤疮，适用于任何年龄，性别，任何种类的皮肤包括有色素沉着的皮肤。然而在现有的发光二极管和激光诊断治疗痤疮技术中，同样也还存在如下多种问题首先，现有的发光二极管和激光诊断治疗痤疮技术只是针对痤疮细菌本身，例如临床上只是使用蓝光，而没有对细菌引起的发炎症状进行直接处理，所以临床效果通常并不迅速，例如需要一周时间才可以体现效果，而不是一两天内见效。这种情况对于治疗而言是不利的。其次，目前的发光二极管和激光诊断治疗痤疮技术在光照区域的形状、尺寸可调节性方面有明显的不足，而光照区域的形状、尺寸直接影响到疗效。在实际应用于临床的时候，现有的技术比较难以满足不同情况的痤疮病人的不同需要。另外，目前所采用的治疗仪通常都体积庞大，只有医院等特殊场所才有条件使用，并且需要专业人员加以维护和操作，明显影响此种治疗技术的推广和使用。因此，有必要出现一种便于使用，效果良好并且安全的光治疗仪。
发明内容针对现有技术中存在的各项问题而提出本发明。本发明的目的在于提供一种体积小，价格低，安全可靠并且治疗效果好的发光二极管光源治疗仪。在应用激光和发光二极管光治疗痤疮时，光源可发射连续和脉冲的光。连续光源光输出稳定但峰值功率低。脉冲的光源由于峰值功率高，治疗照射的时间会很短。例如脉冲宽度35ms，输出能量3.5J/cm2的光源功率比是100，00mw/cm2。而相同波长的连续光源的功率比是10mw/cm2。即脉冲光源的光子输出是连续光源的10000倍。虽然光强度不一样，但不论用哪一种光源，组织被照射的能量在同一时间范围内是一样的。紫外线A和紫外线B对痤疮的治疗有很好的疗效，但是会有致癌的危险，相比较而言，本发明中使用蓝光和红光发光二极管治疗痤疮更加安全，并且同样具有较好的效果，在交替使用时效果更加显著。至于红光还是蓝光，还是两种光源在痤疮治疗中同时发挥作用，并不受已有的理论限制。在本发明中可以确定的是，将蓝光450nm和红光630nm配合使用和单独使用蓝光做比较，前者在治疗轻度和中度痤疮过程中更有效果。根据发明人的调研结果，在本发明中将使用例如410nm的蓝光发光二极管和633nm红光发光二极管，或用830nm近红外发光二极管设计和制造高效的光治疗仪。关于蓝光发光二极管的技术指标如下表2所示:表2蓝光LED技术指标输出功率600毫瓦功率密度50毫瓦/平方厘米输出波长405+/-5纳米带宽22纳米+/-3纳米标准剂量48焦耳/平方厘米治疗时间10-30分钟剂量范围1-55焦耳/平方厘米光源类比发光二极管(LED)重量450克体积50/63/170毫米本发明的发光二极管光治疗仪的主要部件包括包含供电组件的光治疗仪主体，和光出射部件(即探头)。光治疗仪采用发光二极管小单位光源，由蓝色发光二极管和红色发光二极管组合而成，所发射光的能量密度为20-200毫瓦/平方厘米。其中蓝色发光二极管发射的光波长为400-420nm，红色发光二极管发射的光波长为600-850mn。在实际应用于皮肤保健或美容等过程时，蓝色发光二极管主要用于杀死细菌，红色发光二极管主要用于减轻发炎症状。本领域的技术人员应当理解，只要是为了上述目的，在本发明的光治疗仪中，所发射光的波长、功率等参数可以根据实际需要加以选择。所述的发光二极管光治疗仪的探头包括有一个特殊的透镜阵列组合，其中包含多个小透镜。这种小透镜的阵列组合可以有效收集从光治疗仪内部的每个发光二极管小单位光源发出的光，所述透镜阵列组合的具体方式可以是，由多个透镜排列组合成的多边形阵列，例如六边形平面阵列，八边形平面阵列，或者圆形平面阵列。实际上，透镜的阵列形状以及使用的小透镜个数，均可以视实际需求而调整。上述的透镜阵列被固定于一面板上，使整个透镜阵列可以随面板镶嵌在光治疗仪的探头内。由于透镜阵列的存在，探头内部向外发射的来自每个发光二极管小单位光源的光首先通过透镜阵列才到达照射目标，直接作用是被照射处理部位的光照能量密度得到增加，而提升光治疗仪的疗效；相应地，因为能量经过透镜阵列的汇聚以及分布，其损耗可以降低，整个治疗仪的供电系统和热处理系统也可以变得更加简单和低成本。除了上述的透镜阵列之外，本发明的发光二极管光治疗仪的探头还具有光束变形器，所述的光束变形器是覆盖于透镜阵列上的一层薄膜，当光线从透镜阵列出射时，先通过所述的薄膜，即光束变形器才到达照射巨标。光束变形器的作用是改变光照区域的形状，光通过光束变形器之后，可以很容易地成为圆形，椭圆形或者其它形状。所述的光照区域形状可变化性使光治疗仪易于满足不同情况、不同照射部位的痤疮病人治疗需要。上述作为光束变形器的光束变形薄膜可以通过全息光束扩散技术和光束变形而设计生产出来，这些内容可以参考成熟的现有技术，并且所述的光束变形器薄膜也是可以在市场上买到的。对于本发明而言，目的仅在于达到使发光二极管治疗仪出射的光束改变形状，因此在此对光束变型薄膜技术不作详述。当然，本领域的技术人员应当理解，出于本发明的具体要求，这种光束变形薄膜也可以在现有技术基础上进行常规的设计。例如，由于LED阵列光源不是单个光源，光束变形薄膜也应当设计为不同于单一光源上应用的情形。所述的薄膜厚度一般在毫米级别内。应用于本发明时，光束变形薄膜以一固定器直接安装于光治疗仪的光出射通路上，贴近透镜阵列。本发明的发光二极管光治疗仪还具有机械瞳孔装置，安装于探头的光线出射位置，其上有一开关可调节瞳孔的大小，当机械瞳孔闭合时，光路被阻断，发光二极管的光不能出射；当机械瞳孔呈张开状态时，可以通过调节此机械瞳孔张开孔的尺寸而调节出射光线所形成的光照处理区域的大小。光照处理区域的大小调节同样可以满足不同痤疮病人在实际治疗过程中的需求。出于在实际使用过程中增强人体的生理自我调节机能和卟啉吸收蓝光杀死细菌的光化学反应需要氧气供应的考虑，本发明的发光二极管光治疗仪可以设定光照射的开/关周期及频率，具体设置为例如，开关周期为0.5赫兹5赫兹，开/关的时间部分比例为2:1~1:2。另一方面，为了使光能较深地穿透皮肤表层而到达作用处，即细菌感染发炎处，本发明的发光二极管光治疗仪的照射头设计采取一定的形状和大小，透镜阵列和光斑形状调制器可以根据要治疗的情况进行设计。具体的实例可以是，例如六边形、八边形、圆形等等。应用激光和发光二极管光治疗仪治疗痤疮时，一方面LED蓝光或红光不论是单独使用还是交替治疗都非常有效，特别是，将这两者相结合治疗时，即可呈现出见效迅速，比单一使用时效果更加完善的优点。本申请中包括的附图是说明书的一个构成部分，附图与说明书和权利要求书一起用于说明本发明的实质内容，用于更好地理解本发明。图1为痤疮的形成过程示意图；图2为痤疮治疗的过程示意图；图3为典型的紫外到可见PROPHYRIN(吓啉)光谱吸收谱线；图4显示了一种根据本发明的便携式发光二极管光治疗仪的整体示意图;图5a显示了图4所示光治疗仪的电源相关结构；图5b显示了上述光治疗仪在充电时的状态示意图；图6是透镜阵列组合物面板的示意图；图7是光治疗仪装配光束变形薄膜的示意图；和图8是机械瞳孔的示意图。附图标记说明1便携式发光二极管光治疗仪11本体111时间设置开关112开始按钮113充电指不灯12114低电量指示灯115电池组116充电接口117电源开关12探头121透镜阵列组合面板122光束变形薄膜2充电基座具体实施方式下面结合实施例对本发明作进一步阐述，但这些实施例不对本发明构成任何限制。实施例1便携式发光二极管光治疗仪的结构请参见图4所示的便携式发光二极管光治疗仪(以下简称光治疗仪)的整体示意图。光治疗仪1包括本体11和探头12，本体11的面板上具有时间设置开关111，用于设定光治疗仪1在使用状态时的光照时间；开始按钮112，用于启动光治疗仪；充电指示灯113，用于指示充电状态；和低电量指示灯114，用于指示低电量状态。此光治疗仪使用便携式电源，请参见图5a所示的光治疗仪电源相关结构示意图，光治疗仪1的本体11背面具有电源开关117，用于打开或者关闭光治疗仪的电源；本体11内有电池组115，用于向光治疗仪供电；电池组115可以通过本体ll上的充电接口116连接外部电源，进行充电。图5b是此光治疗仪在充电时的状态示意图，如图所示，光治疗仪l通过本体上的充电接口(图中未示出)与充电基座2相接合，基座2则通过变压器与常规电源插座相连。本实施例中，光治疗仪釆用发光二极管小单位光源，由蓝色发光二极管和红色发光二极管组合而成，所发射光的能量密度为20-200毫瓦/平方厘米。其中蓝色发光二极管发射的光波长为400-420nm，红色发光二极管发射的光波长为600-850nm。在实际应用于皮肤保健或美容等过程时，蓝色发光二极管主要用于杀死细菌，红色发光二极管主要用于减轻发炎症状。本领域的技术人员应当理解，实施例中所提供的参数范围并不构成限制，在本发明的光治疗仪中，所发射光的波长、功率等参数可以根据实际需要加以选择。光治疗仪的探头12包括有透镜阵列组合面板121，如图6所示，所述的透镜阵列组合面板121如图6所示，面板包含30个小透镜组成的六边形平面阵列。所述的透镜阵列组合面板121位于光治疗仪探头的光出射通路上，使光治疗仪内部出射的光经过透镜阵列的作用，其实际安装位置可以参考附图5a。上述30个小透镜的阵列组合可以有效收集从光治疗仪内部的每个发光二极管小单位光源发出的光，可以使被照射处理部位的光照能量密度得到增加，而提升光治疗仪的疗效；相应地，因为能量经过透镜阵列的汇聚以及分布，其损耗可以降低，整个治疗仪的供电系统和热处理系统也可以变得更加简单和低成本。应当注意的是，虽然本实施例中给出了透镜阵列组合的具体方式，但是符合此技术方案初衷的由多个透镜排列组合成的多边形阵列，也包括于本发明范畴内，例如五边形平面阵列，六边形平面阵列，八边形平面阵列等，或者圆形平面阵列，以及相应地在阵列中使用的小透镜数量等均可以视实际需要而调整。光治疗仪的探头还使用了光束变形薄膜，如图7所示，光束变形薄膜122位于光治疗仪探头12的光出射通路上，用于改变出射光所形成光照处理区域的形状。这种光束变形薄膜可以将光照处理区域的形状变为圆形，椭圆形或者其它形状。光照区域形状可变化性使光治疗仪易于满足不同情况、不同照射部位的痤疮病人治疗需要。光束变形器的光束变形薄膜可以通过全息光束扩散技术和光束变形而设计生产出来，这些内容可以参考成熟的现有技术，并且所述的光束变形器薄膜也是可以在市场上买到的。对于本发明而言，目的仅在于达到使发光二极管治疗仪出射的光束改变形状，因此在此对光束变型薄膜技术不作详述。当然，本领域的技术人员应当理解，出于本发明的具体要求，这种光束变形薄膜也可以在现有技术基础上进行常规的设计。例如，由于LED阵列光源不是单个光源，光束变形薄膜也应当设计为不同于单一光源上应用的情形。所述的薄膜厚度一般在毫米级别内。应用于本实施例时，光束变形薄膜以一固定器直接安装于光治疗仪的光出射通路上，贴近透镜阵列。光治疗仪的探头装备有机械瞳孔，该机械瞳孔位于光治疗仪探头的光出射通路上，可通过开关调节出射光所形成光照处理区域的大小。所述机械瞳孔如图8所示。机械瞳孔可以通过开关调节瞳孔的大小。当机械瞳孔闭合时，光路被阻断，发光二极管的光不能出射；当机械瞳孔呈张开状态时，可以通过调节此机械瞳孔张开孔的尺寸而调节出射光线所形成的光照处理区域的大小。光照处理区域的大小调节同样可以满足不同痤疮病人在实际治疗过程中的需求。出于在实际使用过程中增强人体的生理自我调节机能和卟啉吸收蓝光杀死细菌的光化学反应需要氧气供应的考虑，本发明的发光二极管光治疗仪可以设定光照射的开/关周期及频率，具体设置为例如，开关周期为0.5赫兹5赫兹，开/关的时间部分比例为2:11:2。另一方面，为了使光能较深地穿透皮肤表层而到达作用处，即细菌感染发炎处，本发明的发光二极管光治疗仪的照射头设计采取一定的形状和大小，透镜阵列和光斑形状调制器可以根据要治疗的情况进行设计。具体的实例可以是，例如六边形、八边形、圆形等等。实施例2光治疗仪的临床结果用实施例1所述的便携式发光二极管光疗仪对自愿使用者(脸部)进行了四星期的研究。结果如下说明1)因痤疮类型分为两种(发炎性的，和非发炎性的)。每个痤疮患者一般既有发炎性的，也有非发炎性的痤疮。在研究中对每个自愿使用者脸部发炎性的和非发炎性的痤疮都进行了光疗处理，并进行跟踪。但在以下表中对脸部发炎性的痤疮和非发炎性的痤疮个数分别进行统计处理(痤疮消失了则计数为0)。表3)总的发炎性痤疮个数随时间的变化情况(每组人数为5，对照组为不做任何处理；为比较方便，治疗前总的发炎性痤疮个数被标准化(Normalize)为100;标准方差=+/-5)<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表4)总的非发炎性痤疮个数随时间的变化情况(每组人数为5，对照组为不做任何处理；为比较方便，治疗前痤疮个数被标准化(Normalize)为100;标准方差=+/-5)<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>结论本发明的光疗仪对发炎性痤疮的治疗有明显的效果(见表3;与对照组相比)。而光疗仪对非发炎性痤疮的治疗虽有一定的效果，但与对照组相比(见表4)，没有明显的统计学上的差别。权利要求1.一种发光二极管光治疗仪，其特征在于，光治疗仪的探头具有透镜阵列，所述透镜阵列是由多个透镜在同一面板上组成的平面阵列，该含有透镜阵列的面板位于光治疗仪探头的光出射通路上，使光治疗仪内部出射的光经过透镜阵列的作用。2、如权利要求1所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列至少包括五边形平面阵列，六边形平面阵列，八边形平面阵列和圆形平面阵列。3、如权利要求2所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列是由30个透镜组成的六边形平面阵列。4、如权利要求1所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪是将蓝色发光二极管和红色发光二极管相结合作为发光二极管光治疗仪的光源。5、如权利要求4所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的蓝色发光二极管发射光波长范围是400420nm，红色发光二极管发射光波长范围是600-850nm。6、如权利要求1所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，光治疗仪的探头具有光束变形薄膜，该光束变形薄膜位于光治疗仪探头的光出射通路上，用于改变出射光所形成光照处理区域的形状。7、如权利要求1所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，光治疗仪的探头具有机械瞳L，该机械瞳孔位于光治疗仪探头的光出射通路上，用于调节出射光所形成光照处理区域的大小。8、如权利要求17中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪具有设定开/关周期和光照射频率的装置。9、如权利要求8所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的开/关周期的时间部分比例为2:11:2，频率为0.5赫兹5赫兹。10、如权利要求17中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪发射光的能量密度为20200毫瓦/平方厘米。11、一种发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪是将蓝色发光二极管和红色发光二极管相结合作为发光二极管光治疗仪的光源；光治疗仪的探头具有下列部件透镜阵列，所述透镜阵列是由多个透镜在同一面板上组成的平面阵列，该含有透镜阵列的面板位于光治疗仪探头的光出射通路上，使光治疗仪内部出射的光经过透镜阵列的作用；光束变形薄膜，该光束变形薄膜位于光治疗仪探头的光出射通路上，从光治疗仪内部出射的光经过光束变形薄膜的作用而得到改变形状的光照处理区域。12、如权利要求ll所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列至少包括五边形平面阵列，六边形平面阵列，八边形平面阵列和圆形平面阵列。13、如权利要求12所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列是由30个透镜组成的六边形平面阵列。14、如权利要求1113中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪具有设定开/关周期和光照射频率的装置。15、如权利要求14所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的开/关周期的时间部分比例为2:2，光照射频率为0.5赫兹5赫兹。16、如权利要求1113中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪发射光的能量密度为20200毫瓦/平方厘米。17、一种发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪是将蓝色发光二极管和红色发光二极管相结合作为发光二极管光治疗仪的光源；光治疗仪的探头具有下列部件透镜阵列，所述透镜阵列是由多个透镜在同一面板上组成的平面阵列，该含有透镜阵列的面板位于光治疗仪探头的光出射通路上，使光治疗仪内部出射的光经过透镜阵列的作用；机械瞳L，该机械瞳孔位于光治疗仪探头的光出射通路上，用于调节出射光所形成光照处理区域的大小。18、如权利要求17所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列至少包括五边形平面阵列，六边形平面阵列，八边形平面阵列和圆形平面阵列。19、如权利要求18所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列是由30个透镜组成的六边形平面阵列。20、如权利要求1719中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪具有设定开/关周期和光照射频率的装置。21、如权利要求20所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的开/关周期的时间部分比例为2:11:2，光照射频率为0.5赫兹5赫兹。。22、如权利要求1719中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪发射光的能量密度为20200毫瓦/平方厘米。23、一种发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪是将蓝色发光二极管和红色发光二极管相结合作为发光二极管光治疗仪的光源；光治疗仪的探头具有下列部件透镜阵列，所述透镜阵列是由多个透镜在同一面板上组成的平面阵列，该含有透镜阵列的面板位于光治疗仪探头的光出射通路上，使光治疗仪内部出射的光经过透镜阵列的作用；光束变形薄膜，该光束变形薄膜位于光治疗仪探头的光出射通路上，从光治疗仪内部出射的光经过光束变形薄膜的作用而得到改变形状的光照处理区域；机械瞳L，该机械瞳孔位于光治疗仪探头的光出射通路上，用于调节出射光所形成光照处理区域的大小。24、如权利要求23所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列至少包括五边形平面阵列，六边形平面阵列，八边形平面阵列和圆形平面阵列。25、如权利要求24所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列是由30个透镜组成的六边形平面阵列。26、如权利要求2325中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪具有设定开/关周期和光照射频率的装置。27、如权利要求26所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的开/关周期的时间部分比例为2:1~1:2，光照射频率为0.5赫兹5赫兹。。28、如权利要求2325中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪发射光的能量密度为20200毫瓦/平方厘米。全文摘要本发明提供一种发光二极管光治疗仪，所述的光治疗仪的探头可以包括特殊的透镜阵列组合以加强光照效果，以蓝色发光二极管和红色发光二极管相结合作为发光二极管光治疗仪的光源，以及光束变型薄或机械瞳孔，用以调节光照处理区域的形状或大小。文档编号A61N5/06GK101214403SQ200710097188公开日2008年7月9日申请日期2007年4月12日优先权日2007年1月5日发明者张占详,魏勋斌申请人:复旦大学;彩虹通讯股份有限公司