专利名称：Pet探测器晶体面阵的拼接方法
技术领域：
本发明涉及材料技术领域，特别涉及一种PET(Positron EmissionComputed Tomography，正电子断层扫描仪)探测器晶体面阵的拼接方法。
背景技术：
由于PET具有分子诊断的效果，因此其对于癌症的早期诊断，药物动力学、评估， 基础研究等有着重大意义，因而也具有广阔的市场。目前，大多数医疗和科研机构使用的 PET探测器大多采用的是探测器晶体面阵式，PET探测器实际上是由数千甚至上万根晶体， 通过光学耦合剂、涂料、粘贴剂、反光剂进行晶体间处理，从而拼接在一起。如图1所示，为 现有探测器晶体面阵的拼接示意图。目前现有工艺使用晶体条1完成面阵的拼接，例如，可 将25个晶体条1进行粘接，形成最终晶体面阵5。其中，每个晶体条1含有6个面，则需要 进行5X5X6 = 150次切割和打磨等表面处理，另外，每两个晶体贴近面需要做透光、隔光 或者分光处理，这就需要做2X5X4 = 40次晶体间的处理，传统模式需要150次表面处理 和40次晶体间处理，因此可以看出现有技术的缺点是不仅工作量巨大，费时费力，而且工 艺过程复杂，易出错。
发明内容
本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一，提出了一种PET探测器晶体面阵 的两步式快速拼接方法。为达到上述目的，本发明一方面提出一种PET探测器晶体面阵的拼接方法，包括 以下步骤以第一类晶体片的宽面为接触面拼接多个第一类晶体片以获得初步晶体面阵， 并以垂直于所述宽面的方向对所述初步晶体面阵进行切割和表面处理以获得多个第二类 晶体片，所述第二类晶体片包括多个晶体条；拼接多个所述第二类晶体片以获得最终的晶 体面阵。在本发明的一个实施例中，所述第二类晶体片是等长的。在本发明的一个实施例中，所述第二类晶体片是非等长的。在本发明的一个实施例中，获得所述非等长的第二类晶体片包括分别获得多个 不同高度的初步晶体面阵；将所述初步晶体面阵置于同一水平面上；对所述多个不同高度 的初步晶体面阵进行切割和表面处理以获得多个非等长的第二类晶体片。在上述实施例中，所述第二类晶体片之间具有不同的透光、隔光或分光。通过本发明实施例可以使得PET探测器晶体面阵拼接的劳动和时间被大大节省， 也使得工艺过程的出错可能性大大降低。本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变 得明显，或通过本发明的实践了解到。
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变 得明显和容易理解，其中图1为现有探测器晶体面阵的拼接示意图；图2为本发明实施例的PET探测器晶体面阵的拼接方法流程图； 图3为本发明实施例采用使用5个一类晶体片拼接成初步晶体面阵的示意图；图4为本发明实施例使用第二类晶体片拼接形成最终晶体面阵的示意图；图5和6为本发明实施例拼接非等长晶体面阵的示意图。附图标记说明1.晶体条；2. —类晶体片；3. 二类晶体片；4.初步晶体面阵5.最终晶体面阵
具体实施例方式下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终 相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附 图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。如图2所示，为本发明实施例的PET探测器晶体面阵的拼接方法流程图，包括以下 步骤步骤S201，以第一类晶体片的宽面为接触面拼接多个第一类晶体片以获得初步晶 体面阵，并以垂直于宽面的方向对初步晶体面阵进行切割和表面处理以获得多个第二类晶 体片，其中，第二类晶体片包括多个晶体条。为了更清楚的理解本发明，还是以5X5个等长 晶体条的面阵拼接方案为例进行描述，如图3所示，为本发明实施例采用使用5个一类晶体 片拼接成初步晶体面阵的示意图，在该步骤中首先使用5个一类晶体片2拼接成初步的晶 体面阵4，拼接面为第一类晶体片的宽面，然后沿图2中所示的虚线方向(垂直于宽面的方 向)进行切割、表面处理，形成等长的5个二类晶体片3。在该实施例中，其中，5个一类晶 体片需要进行5X6 = 30次表面处理，在形成二类晶体片的过程中，则需要4X2 = 8次表 面处理，而拼接形成了 4个临近面，所以需要晶体间处理，共4次。因此，步骤S201消耗的 工作量为38次表面处理和4次晶体间处理。步骤S202，拼接多个第二类晶体片以获得最终的晶体面阵。如图4所示，为本发明 实施例使用第二类晶体片拼接形成最终晶体面阵的示意图，在获得步骤S201形成的二类 晶体片之后，使用该二类晶体片3，拼接形成最终晶体面阵5。其中，在该步骤中，需要粘接形 成4个临近面，所以需要进行4次晶体间处理，因此S202消耗的工作量为4次晶体间处理。根据本发明的上述两个步骤，本实施例共消耗工作量为38次表面处理和8次晶 体间处理，因此可以看出本发明实施例的工作量小于传统方法的三分之一，不仅能够大大 降低了劳动量，缩短加工时间，并且还能够减小加工过程的出错概率。虽然以上实施例以含有5X5个等长晶体条的晶体面阵为例进行描述，但是需要 说明的是本发明不限于此数量和等长类型的面阵，本发明还可适用于非等长的晶体面阵、 或者列晶体间透光、隔光、分光方案有差异的方案。如果本发明适用在非等长的晶体面阵、 或者列晶体间透光、隔光、分光方案有差异的方案中，则需要在步骤S201中对列晶体分别生成该长度或透光、隔光、分光方案下的第二类晶体条。例如，以非等长晶体面阵举例，如图5和6所示，为本发明实施例拼接非等长晶体面阵的示意图，为了便于对比，该例子也采 用5X5晶体条的例子。首先如图5所示，分别使用5种不同高度的一类晶体片21、22、23、 22,21拼接成不同高度的5种初步晶体面阵41、42、43、42、41，将所述初步晶体面阵41、42、 43、42、41置于同一水平面上；然后沿图5中所示的虚线方向，即垂直于一类晶体片的宽面 方向，进行切割、表面处理，分别形成等长的5个二类晶体片31、32、33、32、31。之后，如图6 所示将制作出的二类晶体片按31、32、33、32、31的次序进行步骤S202的拼接，形成最终近 体面阵5。如果在批量生产面阵时，该实施例的工作量计算与等长晶体阵面的实施例相同， 为38次表面处理和4次晶体间处理。推广之，如果做NXN面阵，传统方式需要的加工量是6N2面的表面处理和 2N(N-I)晶体间处理，而通过本发明两步式拼接方法需要的加工量是8N-2面的表面处理 量和2N-2面的晶体间处理。因此通过本发明实施例可以使得PET探测器晶体面阵拼接的 劳动和时间被大大节省，也使得工艺过程的出错可能性大大降低。尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以 理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换 和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。
权利要求
一种正电子断层扫描仪PET探测器晶体面阵的拼接方法，其特征在于，包括以下步骤以第一类晶体片的宽面为接触面拼接多个第一类晶体片以获得初步晶体面阵；以垂直于所述宽面的方向对所述初步晶体面阵进行切割和表面处理以获得多个第二类晶体片，所述第二类晶体片包括多个晶体条；以及拼接多个所述第二类晶体片以获得最终的晶体面阵。
2.如权利要求1所述的PET探测器晶体面阵的拼接方法，其特征在于，所述第二类晶体 片是等长的。
3.如权利要求1所述的PET探测器晶体面阵的拼接方法，其特征在于，所述第二类晶体 片是非等长的。
4.如权利要求3所述的PET探测器晶体面阵的拼接方法，其特征在于，获得所述非等长 的第二类晶体片的步骤包括分别获得多个不同高度的初步晶体面阵； 将所述初步晶体面阵置于同一水平面上；以及对所述多个不同高度的初步晶体面阵进行切割和表面处理以获得多个非等长的第二 类晶体片。
5.如权利要求1-4任一项所述的PET探测器晶体面阵的拼接方法，其特征在于，所述第 二类晶体片之间具有不同的透光、隔光或分光。
全文摘要
本发明提出一种PET探测器晶体面阵的拼接方法，包括以下步骤以第一类晶体片的宽面为接触面拼接多个第一类晶体片以获得初步晶体面阵，并以垂直于所述宽面的方向对所述初步晶体面阵进行切割和表面处理以获得多个第二类晶体片，所述第二类晶体片包括多个晶体条；拼接多个所述第二类晶体片以获得最终的晶体面阵。通过本发明实施例可以使得PET探测器晶体面阵拼接的劳动和时间被大大节省，也使得工艺过程的出错可能性大大降低。
文档编号A61B6/02GK101856272SQ20101015841
公开日2010年10月13日 申请日期2010年4月22日 优先权日2010年4月22日
发明者刘亚强, 夏彦, 王石 申请人:清华大学