一种神经电刺激电极、其制备方法和植入方法与流程

1.本发明属于电极技术领域，尤其涉及一种神经电刺激电极、其制备方法和植入方法。


背景技术：

2.脑深部电刺激通过发放高频弱电脉冲刺激大脑的特定功能神经核团，如丘脑腹中核、苍白球腹后侧核和丘脑底核等，直接改变电极附近神经元的放电频率和模式，影响丘脑皮层环路及其下游通路，从而消除神经疾病的症状。脑深部电刺激适用于多种神经疾病，包括帕金森病、癫痫、阿尔兹海默症、震颤及扭转痉挛等。脑深部电刺激具有可调节性，可根据病症调整刺激参数，包括发放幅值、频率和脉宽等。此外，该方法疗效长，对大脑的损伤小，并且效果可逆，因此成为了诸多神经疾病的理想疗法。
3.脑深部电刺激系统，又名脑起搏器，包括脉冲发生器、延长导线和电刺激电极三个主要组成部分。电刺激电极植入脑内，脉冲发生器植入胸前皮下，延长导线在皮下连接电刺激电极和脉冲发生器。其中，植入大脑的电刺激电极是整个脑起搏器系统中最为重要的部件，电刺激电极的性能直接影响电刺激效果。常规的电刺激电极多为绝缘的细导线，导电部分采用铂铱或其他金属材料制成，外层采用生物兼容性的高分子材料作为保护套，在电极的尖端有四个或八个刺激位点，通过刺激位点发送脉冲信号刺激靶点。目前，常规电刺激电极的制作方法涉及热成形或点焊等操作步骤，存在着加工时间长、批量生产难和价格昂贵的问题。因此，如何批量化生产价格低廉、高效，并能与常规的脑起搏设备匹配的脑深部电刺激电极，成为亟待解决的问题。
4.cn104340956a公开了一种可植入多通道柔性微管电极及其制备方法，所述方法步骤包括：第一步、制造柔性薄膜电极；第二步、截取聚合物毛细管，经过清洗和烘干，在聚合物毛细管外壁表面均匀涂抹生物相容性粘合胶，将制造完成的柔性薄膜电极沿聚合物毛细管长度方向一角度紧紧缠绕固定在聚合物毛细管外壁表面，待粘合胶固化得到可植入多通道柔性微管电极。该发明制备的可植入多通道柔性微管电极能够同时对神经和肌肉组织进行功能性电刺激和电信号记录，并通过微流体通道向生物组织内可控给药。
5.cn109908467a公开了一种神经电刺激电极组件及其制备方法，该神经电刺激电极组件包括可溶性胶、电极导管和穿刺管。所述电极导管包括保护管和包括第一固定部和第一固定翼的第一固定件。第一固定部固定套设于保护管。第一固定翼包括第一固定端和第一自由端。第一固定端与所述第一固定部的一端连接。第一自由端通过所述可溶性胶粘附于所述保护管。穿刺管套设于所述电极导管。当所述电极导管植入目标组织并到达靶点后，可溶性胶接触体液而逐渐溶解，失去粘性，使得第一自由端自动张开，嵌入到目标组织，实现电极导管与目标组织的固定。
6.现有电刺激电极均存在尺寸大、制作复杂和成本高等问题，因此，如何在保证电刺激电极具有制作简单和成本低的情况下，还能够具有尺寸小等特点，对脑组织损伤小，成为目前迫切需要解决的问题。


技术实现要素：

7.针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种一种神经电刺激电极、其制备方法和植入方法，通过依次层叠设置的基底绝缘层、电极导线层和顶部绝缘层，相比于现有技术，可批量加工且成本低，进一步地设置定位孔，进行精准定位。
8.为达此目的，本发明采用以下技术方案：
9.第一方面，本发明提供了一种神经电刺激电极，所述的电极包括层叠设置的基底绝缘层、导电层和顶部绝缘层，所述电极沿长度方向分为植入段和连接段，所述植入段的宽度小于连接段的宽度，所述的导电层包括定位植入圈、至少两个电极片和连接线，所述电极片包括位于植入段的触点和位于连接段的连接点，所述触点和连接点通过所述的连接线连接；所述的定位植入圈位于所述植入段远离连接段的一端，所述定位植入圈所在位置的所述基底绝缘层和顶部绝缘层开设有定位孔；位于所述触点对应位置，所述顶部绝缘层开设有暴露孔，所述触点通过所述暴露孔露出；位于所述连接点对应位置，所述顶部绝缘层开设有连接孔，所述连接孔上盖设有连接触点片，所述连接点通过连接孔与连接触点片连接。
10.本发明中层叠设置的基底绝缘层、导电层和顶部绝缘层，通过依次制作基底绝缘层、导电层和顶部绝缘层，结构设计更加灵活，使得神经电刺激电极可批量进行加工，且具有更低的成本，与现有技术中商用电极具有更小的尺寸，对脑组织的损伤小，进一步地通过设置定位孔，对电极精确定位，从而对电极一侧的脑区进行良好的刺激，很好地避免激活相邻脑区，减少副作用。
11.作为本发明的一个优选技术方案，所述的电极还包括转接结构，所述转接结构用于将所述电极与不同适配终端连接。
12.本发明通过设置转接结构，从而能够使本发明的电极与商用设备连接，提高本发明的适用性。
13.优选地，所述的转接结构呈圆柱状，位于连接段所述基底绝缘层和顶部绝缘层包覆所述转接结构的外周，所述基底绝缘层一侧与转接结构贴合。
14.本发明中，通过材料间作用力，使电极与转接结构相互贴合，无需使用粘合剂等其他材料。
15.优选地，所述转接结构的材质包括具有生物相容性的第一柔性高分子材料。
16.优选地，所述第一柔性高分子材料包括硅橡胶、聚氨酯或聚二甲基硅氧烷中的任意一种或至少两种的组合。
17.作为本发明的一个优选技术方案，所述的电极还包括辅助植入物，所述辅助植入物用于穿入所述定位孔辅助所述电极的植入。
18.优选地，所述的辅助植入物呈针状。
19.优选地，所述的辅助植入物的材质包括钨和/或不锈钢。
20.优选地，所述植入段的宽度为0.02～2mm，例如，宽度为0.02mm、0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1.0mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm或2.0mm。
21.优选地，所述连接段的宽度为0.05～4mm，例如，宽度为0.05mm、0.4mm、0.8mm、1.2mm、1.6mm、2.0mm、2.4mm、2.8mm、3.0mm、3.1mm、3.2mm、3.3mm、3.4mm、3.5mm、3.6mm、3.7mm、3.8mm、3.9mm或4.0mm。
22.优选地，所述植入段和连接段的厚度均为1～20μm，例如，厚度为1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、11μm、12μm、13μm、14μm、15μm、16μm、17μm、18μm、19μm或20μm。
23.作为本发明的一个优选技术方案，所述触点在所述植入段上沿所述电极的长度方向呈线性排布。
24.优选地，所述连接点在所述连接段上沿所述电极的长度方向呈线性排布。
25.优选地，所述触点的数量为2～1000个，例如，数量为2个、10个、50个、100个、200个、300个、400个、500个、600个、700个、800个、900个或1000个。
26.优选地，相邻所述触点之间的距离为0.01～25mm，例如，距离为0.01mm、0.05mm、0.1mm、0.5mm、1.0mm、5.0mm、7.0mm、9.0mm、11.0mm、13.0mm、15.0mm、17.0mm、19.0mm、21.0mm、23.0mm或25.0mm。
27.优选地，所述触点的表面进行修饰处理。
28.本发明通过对触点的表面进行修饰处理，能够增强刺激效果。
29.优选地，所述修饰处理的材料包括导电聚合物和/或导电金属颗粒。
30.优选地，所述的修饰处理的方式包括电沉积和/或自组装。
31.优选地，所述的导电聚合物包括聚二氧乙基噻吩
‑
聚对苯乙烯磺酸和/或聚吡咯。
32.优选地，所述的导电金属颗粒的材质包括铱、铂或铂铱合金中的一种。
33.作为本发明的一个优选技术方案，所述基底绝缘层和顶部绝缘层的材质包括具有生物相容性的第二柔性高分子材料。
34.本发明通过使用生物相容性好的聚合物材料，可以减小组织的免疫反应，具有长期稳定的优点。
35.优选地，所述第二柔性高分子材料包括聚酰亚胺、su
‑
8或聚对二甲苯中的任意一种或至少两种的组合。
36.需要说明的是，su
‑
8是一种负性、环氧树脂型和近紫外线光刻胶。
37.优选地，所述基底绝缘层和顶部绝缘层的材质相同或不同。
38.优选地，所述触点、连接线、连接点和定位植入圈的材质包括铂、铱或金中的任意一种或至少两种的组合。
39.优选地，所述触点、连接线、连接点和定位植入圈的材质相同或不同。
40.第二方面，本发明还提供了一种如第一方面所述的神经电刺激电极的制备方法，所述的制备方法包括：
41.在基底绝缘层上制备金属触点、连接线、连接点和定位植入圈，在基底绝缘层设置有触点、连接线、连接点和定位植入圈的一侧表面涂覆顶部绝缘层，并在顶部绝缘层上位于触点和连接点的对应位置分别开孔，使触点和连接点露出，在基底绝缘层和顶部绝缘层位于定位植入圈的位置开设定位孔，并将连接点与连接触点片连接。
42.作为本发明的一个优选技术方案，所述的制备方法具体包括以下步骤：
43.(ⅰ)在载体上加工出基底绝缘层形状并设置牺牲层后，旋涂柔性高分子材料形成基底绝缘层；
44.(ⅱ)在基底绝缘层的表面上加工触点、连接线、连接点和定位植入圈的图案，并在图案上加工金属形成触点、连接线、连接点和定位植入圈；
45.(ⅲ)在基底绝缘层设置有触点、连接线、连接点和定位植入圈的一侧表面上，旋涂柔性高分子材料形成顶部绝缘层，并涂覆光刻胶光刻形成图形保护整个电极结构，去除光刻胶未保护的基底绝缘层和顶部绝缘层部分；
46.(ⅳ)去除光刻胶，露出触点和连接点，连接线和定位植入圈被基底绝缘层和顶部绝缘层包覆，在顶部绝缘层表面进行加工形成连接触点片的图案，并在图案上设置金属形成连接触点片，将连接点与连接触点片连接，进行划片和去除牺牲层后得到所述的神经电刺激电极。
47.作为本发明的一个优选技术方案，步骤(ⅰ)中，所述基底绝缘层形状的加工方式包括紫外光刻工艺和刻蚀工艺。
48.优选地，步骤(ⅰ)中，所述牺牲层的加工方式包括磁控溅射镀膜和/或电子束蒸镀。
49.优选地，步骤(ⅰ)中，所述旋涂后进行加热。
50.优选地，步骤(ⅱ)中，所述触点、连接线、连接点和定位植入圈图案的加工方式包括紫外光刻工艺和显影工艺。
51.优选地，步骤(ⅱ)中，所述金属的加工形式为电子束蒸镀或热蒸镀。
52.优选地，步骤(ⅲ)中，所述顶部绝缘层的形状加工方式包括紫外光刻工艺和刻蚀工艺。
53.需要说明的是，本发明中在加工金属时，本领域技术人员公知的是必然包括剥离工艺，其不作为本发明的主要创新点，本发明对剥离工艺不做具体要求和特殊限定。
54.本发明通过采用紫外光刻工艺、磁控溅射镀膜、电子束蒸镀金属层、刻蚀工艺和剥离工艺等微纳米加工工艺，先制作基底绝缘层，再在基底绝缘层上设置电极片和定位植入圈，最终设置顶部绝缘层的结构，使电极的结构设计灵活，具有加工工艺简便、成本低、效率高和可批量生产等特点。
55.第三方面，本发明提供了一种如第一方面所述的神经电刺激电极的植入方法，所述的植入方法包括：
56.定位孔确定植入位置，将所述电极的植入段植入目标。
57.作为本发明的一个优选技术方案，所述的植入方法具体包括以下步骤：
58.将辅助植入物穿入定位孔中，定位孔确定植入位置，通过辅助植入物将所述电极的植入段植入目标，并取出辅助植入物；将连接段位于基底绝缘层的一侧包覆贴合在转接结构的外表面，与适配终端连接。
59.本发明所述的数值范围不仅包括上述例举的点值，还包括没有例举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
60.与现有技术相比，本发明的有益效果为：
61.本发明中层叠设置的基底绝缘层、导电层和顶部绝缘层，通过依次制作基底绝缘层、导电层和顶部绝缘层，结构设计更加灵活，使得神经电刺激电极可批量进行加工，且具有更低的成本，与现有技术中商用电极具有更小的尺寸，对脑组织的损伤小，进一步地通过设置定位孔，对电极精确定位，从而对电极一侧的脑区进行良好的刺激，很好地避免激活相邻脑区，减少副作用。
附图说明
62.图1为本发明一个具体实施方式中提供的神经电刺激电极的结构示意图；
63.图2为本发明一个具体实施方式中提供的神经电刺激电极的层状分解示意图；
64.图3为本发明一个具体实施方式中提供的转接结构的示意图；
65.图4为本发明应用例1中提供的神经电刺激电极的植入示意图。
66.其中，1
‑
基底绝缘层；2
‑
顶部绝缘层；3
‑
触点；4
‑
连接点；5
‑
连接线；6
‑
定位植入圈；7
‑
连接孔；8
‑
连接触点片；9
‑
连接段；10
‑
植入段；11
‑
辅助植入物；12
‑
定位孔；13
‑
转接结构；14
‑
暴露孔。
具体实施方式
67.需要理解的是，在本发明的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
68.需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
69.下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
70.在一个具体实施方式中，本发明提供了一种神经电刺激电极，如图1和图2所示，所述的电极包括层叠设置的基底绝缘层1、导电层和顶部绝缘层2，电极沿长度方向分为植入段10和连接段9，植入段10的宽度小于连接段9的宽度，导电层包括定位植入圈6、至少两个电极片和连接线5，电极片包括位于植入段10的触点3和位于连接段9的连接点4，触点3和连接点4通过连接线5连接；定位植入圈6位于所述植入段10远离连接段9的一端，定位植入圈6所在位置的基底绝缘层1和顶部绝缘层2开设有定位孔12；位于触点3对应位置，顶部绝缘层2开设有暴露孔14，触点3通过暴露孔14露出；位于连接点4对应位置，顶部绝缘层2开设有连接孔7，连接孔7上盖设有连接触点片8，连接点4通过连接孔7与连接触点片8连接。
71.本发明在基底绝缘层1和顶部绝缘层2之间设置触点3、连接线5和连接点4，通过依次制作基底绝缘层1、电极片和顶部绝缘层2，结构设计更加灵活，使得神经电刺激电极可批量进行加工，且具有更低的成本，与现有技术中商用电极具有更小的尺寸，对脑组织的损伤小，进一步地通过设置定位孔12，对电极精确定位，从而对电极一侧的脑区进行良好的刺激，很好地避免激活相邻脑区，减少副作用。
72.进一步地，如图3所示，电极还包括转接结构13，转接结构13用于将所述电极与不同适配终端连接。转接结构13呈圆柱状，位于连接段9基底绝缘层1和顶部绝缘层2包覆转接结构13的外周，基底绝缘层1一侧与转接结构13贴合。转接结构13的材质包括具有生物相容性的第一柔性高分子材料。第一柔性高分子材料包括硅橡胶、聚氨酯或聚二甲基硅氧烷中的任意一种或至少两种的组合。本发明通过设置转接结构13，从而能够使本发明的电极与
商用设备连接，提高本发明的适用性。
73.进一步地，所述的电极还包括辅助植入物11，辅助植入物11用于穿入所述定位孔12辅助所述电极的植入。更进一步地，辅助植入物11呈针状，材质包括钨和/或不锈钢。
74.进一步地，植入段10的宽度为0.02～2mm，连接段9的宽度为0.05～4mm，植入段10和连接段9的厚度均为1～20μm。
75.进一步地，触点3在植入段10上沿所述电极的长度方向呈线性排布，连接点4在所述连接段9上沿所述电极的长度方向呈线性排布。触点3的数量为2～1000个。相邻触点3之间的距离为0.01～25mm。
76.进一步地，触点3的表面进行修饰处理。修饰处理的材料包括导电聚合物和/或导电金属颗粒，修饰处理的方式包括电沉积和/或自组装，导电聚合物包括聚二氧乙基噻吩
‑
聚对苯乙烯磺酸和/或聚吡咯，导电金属颗粒的材质包括铱、铂或铂铱合金中的一种。本发明通过对触点3的表面进行修饰处理，能够增强刺激效果。
77.进一步地，基底绝缘层1和顶部绝缘层2的材质包括具有生物相容性的第二柔性高分子材料。第二柔性高分子材料包括聚酰亚胺、su
‑
8或聚对二甲苯中的任意一种或至少两种的组合。基底绝缘层1和顶部绝缘层2的材质相同或不同。本发明通过使用生物相容性好的聚合物材料，可以减小组织的免疫反应，具有长期稳定的优点。
78.进一步地，触点3、连接线5、连接点4和定位植入圈6的材质包括铂、铱或金中的任意一种或至少两种的组合。触点3、连接线5、连接点4和定位植入圈6的材质相同或不同。
79.在另一个具体实施方式中，本发明还提供了一种上述的神经电刺激电极的制备方法，所述的制备方法具体包括以下步骤：
80.(ⅰ)在载体上加工出基底绝缘层1形状并设置牺牲层后，旋涂柔性高分子材料形成基底绝缘层1；
81.(ⅱ)在基底绝缘层1的表面上加工触点3、连接线5、连接点4和定位植入圈6的图案，并在图案上加工金属形成触点3、连接线5、连接点4和定位植入圈6；
82.(ⅲ)在基底绝缘层1设置有触点3、连接线5、连接点4和定位植入圈6的一侧表面上，旋涂柔性高分子材料形成顶部绝缘层2，并涂覆光刻胶光刻形成图形保护整个电极结构，去除光刻胶未保护的基底绝缘层1和顶部绝缘层2部分；
83.(ⅳ)去除光刻胶，露出触点3和连接点4，连接线5和定位植入圈6被基底绝缘层1和顶部绝缘层2包覆，在顶部绝缘层2表面进行加工形成连接触点片8的图案，并在图案上设置金属形成连接触点片8，将连接点与连接触点片连接，进行划片和去除牺牲层后得到所述的神经电刺激电极。
84.其中，步骤(ⅰ)中，基底绝缘层1形状的加工方式包括紫外光刻工艺和刻蚀工艺；牺牲层的加工方式包括磁控溅射镀膜和/或电子束蒸镀；旋涂后进行加热。
85.步骤(ⅱ)中，触点3、连接线5、连接点4和定位植入圈6图案的加工方式包括紫外光刻工艺和显影工艺；金属的加工形式为电子束蒸镀或热蒸镀。
86.步骤(ⅲ)中，顶部绝缘层2的形状加工方式包括紫外光刻工艺和/或刻蚀工艺。
87.本发明通过采用紫外光刻工艺、磁控溅射镀膜、电子束蒸镀金属层、刻蚀工艺和剥离工艺等微纳米加工工艺，先制作基底绝缘层1，再在基底绝缘层1上设置电极片和定位植入圈6，最终设置顶部绝缘层2的结构，使电极的结构设计灵活，具有加工工艺简便、成本低、
效率高和可批量生产等特点。
88.实施例1
89.本实施例提供了一种神经电刺激电极，基于一个具体实施方式中所述的神经电刺激电极，其中，电极片的数量为4个，相邻触点3之间的距离为1.5mm，植入段10的宽度为0.5mm，连接段9的宽度为3.5mm，植入段10和连接段9的厚度均为12.5μm；基底绝缘层1的材质为聚酰亚胺，顶部绝缘层2的材质为聚对二甲苯，触点3的材质为铂，连接线5的材质为金，连接点4的材质为金，定位植入圈6的材质为金。转接结构13的材质为聚氨酯。
90.修饰处理的材料为聚二氧乙基噻吩
‑
聚对苯乙烯磺酸，修饰处理的方式为电沉积。
91.本实施例还提供了一种采用上述神经电刺激电极的制备方法，基于一个具体实施方式中所述的制备方法，其中，步骤(ⅰ)中，基底绝缘层11形状的加工方式为紫外光刻工艺和刻蚀工艺。牺牲层的加工方式为磁控溅射镀膜；步骤(ⅱ)中，触点3、连接线5、连接点4和定位植入圈6图案的加工方式为紫外光刻工艺和显影工艺；金属的加工形式为热蒸镀。步骤(ⅲ)中，顶部绝缘层2的形状加工方式包括紫外光刻工艺和/或刻蚀工艺。
92.实施例2
93.本实施例提供了一种神经电刺激电极，基于一个具体实施方式中所述的神经电刺激电极，其中，电极片的数量为2个，相邻触点3之间的距离为25mm，植入段10的宽度为1mm，连接段9的宽度为3.8mm，植入段10和连接段9的厚度均为5μm；基底绝缘层1的材质为聚酰亚胺，顶部绝缘层2的材质为聚酰亚胺，触点3的材质为铂，连接线5的材质为金，连接点4的材质为金，定位植入圈6的材质为铂。转接结构13的材质为硅橡胶。
94.修饰处理的材料为聚吡咯，修饰处理的方式为电沉积。
95.本实施例还提供了一种采用上述神经电刺激电极的制备方法，基于一个具体实施方式中所述的制备方法，其中，步骤(ⅰ)中，基底绝缘层11形状的加工方式为紫外光刻工艺和刻蚀工艺。牺牲层的加工方式为磁控溅射镀膜；步骤(ⅱ)中，触点3、连接线5、连接点4和定位植入圈6图案的加工方式为紫外光刻工艺；金属的加工形式为电子束蒸镀。步骤(ⅲ)中，顶部绝缘层2的形状加工方式包括紫外光刻工艺和刻蚀工艺。
96.实施例3
97.本实施例提供了一种神经电刺激电极，基于一个具体实施方式中所述的神经电刺激电极，其中，电极片的数量为1000个，相邻触点3之间的距离为0.02mm，植入段10的宽度为2mm，连接段9的宽度为3.5mm，植入段10和连接段9的厚度均为20μm；基底绝缘层1的材质为su
‑
8，顶部绝缘层2的材质为聚对二甲苯，触点3的材质为金，连接线5的材质为铂，连接点4的材质为铱，定位植入圈6的材质为铂。转接结构13的材质为聚二甲基硅氧烷。
98.修饰处理的材料为导电金属颗粒，材质为铂铱合金，修饰处理的方式为自组装。
99.本实施例还提供了一种采用上述神经电刺激电极的制备方法，基于一个具体实施方式中所述的制备方法，其中，步骤(ⅰ)中，基底绝缘层11形状的加工方式为紫外光刻工艺和刻蚀工艺。牺牲层的加工方式为电子束蒸镀；步骤(ⅱ)中，触点3、连接线5、连接点4和定位植入圈6图案的加工方式为紫外光刻工艺、显影工艺和剥离工艺；金属的加工形式为电子束蒸镀。步骤(ⅲ)中，顶部绝缘层2的形状加工方式为紫外光刻工艺和刻蚀工艺。
100.实施例4
101.本实施例提供了一种神经电刺激电极，基于一个具体实施方式中所述的神经电刺
激电极，其中，电极片的数量为20个，相邻触点3之间的距离为0.01mm，植入段10的宽度为0.02mm，连接段9的宽度为0.05mm，植入段10和连接段9的厚度均为1μm；基底绝缘层1的材质为su
‑
8，顶部绝缘层2的材质为聚对二甲苯，触点3的材质为金，连接线5的材质为铂，连接点4的材质为铱，定位植入圈6的材质为铂。转接结构13的材质为聚二甲基硅氧烷。
102.修饰处理的材料为导电金属颗粒，材质为铂，修饰处理的方式为自组装。
103.本实施例还提供了一种采用上述神经电刺激电极的制备方法，基于一个具体实施方式中所述的制备方法，其中，步骤(ⅰ)中，基底绝缘层11形状的加工方式为紫外光刻工艺和刻蚀工艺。牺牲层的加工方式为电子束蒸镀；步骤(ⅱ)中，触点3、连接线5、连接点4和定位植入圈6图案的加工方式为紫外光刻工艺、显影工艺和剥离工艺；金属的加工形式为电子束蒸镀。步骤(ⅲ)中，顶部绝缘层2的形状加工方式为紫外光刻工艺和刻蚀工艺。
104.应用例1
105.本应用例提供了一种上述实施例所述的神经电刺激电极的植入方法，所述的使用方法具体包括以下步骤：
106.(ⅰ)如图4所示，将辅助植入物11穿入定位孔12中，定位孔12确定植入位置，通过辅助植入物11的引导将所述电极的植入段10植入目标，并取出辅助植入物11，所述电极留在目标中；
107.(ⅱ)将连接段9位于基底绝缘层1的一侧包覆贴合在转接结构13的外表面，与适配终端连接。
108.通过以上实施例和应用例，本发明在基底绝缘层1和顶部绝缘层2之间设置触点3、连接线5和连接点4，通过依次制作基底绝缘层1、电极片和顶部绝缘层2，结构设计更加灵活，使得神经电刺激电极可批量进行加工，且具有更低的成本，与现有技术中商用电极具有更小的尺寸，对脑组织的损伤小，进一步地通过设置定位孔12，对电极精确定位，从而对电极一侧的脑区进行良好的刺激，很好地避免激活相邻脑区，减少副作用。
109.申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。