本发明涉及齿科种植体,尤其涉及一种牙种植体系统及其制备方法。
背景技术:
1、随着口腔种植技术的不断发展,种植牙修复已成为牙体缺失的最有效修复方式。种植修复产品通常可以分为露出牙龈的牙冠部分、与牙龈接触的穿龈部分和与骨组织接触的种植体部分。
2、周围炎是引起牙种植体失败的重要原因之一,并且具有较高的发生率,在现有技术中,与牙龈接触的穿龈部分直接暴露于口腔牙龈环境中,因此这部分最容易滋生细菌,一旦发生细菌感染,很容易引发牙种植体周围炎。种植体系统周围既有细胞,也有细菌。抑制细菌的繁殖和细菌膜生成,或者促进周围牙龈组织的细胞生长,提高生物密封性是解决上述问题的两种途径。
3、申请号202320080638.5的实用新型专利公开了一种具有抑菌作用的牙种植体系统,在基台穿龈部分装配有颈部银圈,利用ag离子的抑菌功能,有效预防由于基台穿龈部分暴露于口腔环境中造成细菌滋生引发的周围炎问题,从而提高牙种植体种植的成功率。申请号202210660687.6的发明专利公开一种可以应用于牙种植体的ti基医用抗菌纳米复合涂层及其制备方法,在钛基体上制备一种含有1-5%cu或ag抗菌粒子的纳米复合涂层,可以达到80%的抗菌效果。申请号202310379997.5的发明专利通过对牙种植体表面处理,在表面形成微孔,有助于提高其骨结合强度。
4、综合可见,提高牙种植体的抑菌功能和促成细胞生长已经成为牙种植体系统发展的趋势,结合牙种植体合金材料和表面处理方法可能是一种有效的途径。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种牙种植体系统及其制备方法,可以促进表面细胞的黏附与铺展,可望解决牙种植体周围炎症的问题。
2、本发明的技术方案如下:一种牙种植体系统,包括穿龈部分和种植体部分;所述穿龈部分与牙龈接触,其最大粗糙度不超过5微米;所述种植体部分与骨组织接触,其最大粗糙度不超过15微米;牙种植体系统表面粗糙度从穿龈部分至种植体部分梯度增加;牙种植体系统表面均匀分布多个微区,所述微区的表面分布密度不小于103个/mm2,微区电势差不超过500mv。
3、所述穿龈部分的最大粗糙度不超过2微米,种植体部分的最大粗糙度不超过10微米。
4、所述种植体部分的最大粗糙度不超过5微米。
5、所述微区电势差不超过400mv且不低于50mv。
6、所述微区电势差不超过300mv且不低于100mv。
7、所述牙种植体系统的制备材料为含铜钛合金、含银钛合金、含钼钛合金、含钽钛合金或含铁钛合金中的一种。
8、一种牙种植体系统的制备方法,直接机械加工而成,
9、基于直接机械加工而成的产品,继续热处理或表面处理,所述表面处理为等离子体电解氧化处理、酸处理或碱热处理。
10、所述热处理具体为,将机械加工后的产品在不低于800℃处理不超过10小时,然后在50-80℃的水中激冷;激冷后的产品在不超过700℃处理不超过24小时,于空气中冷却;
11、所述等离子体电解氧化处理的氧化电压5v-450v,氧化时间不超过40分钟。
12、所述等离子体电解氧化处理的氧化电压10-300v。
13、所述等离子体电解氧化处理的氧化电压80-180v。
14、本发明的有益效果:本发明的牙种植体系统由于表面独特的微区电势差特性,具有促细胞生长的特点。表面微区电势的存在会促进细胞的生长和功能表达。而表面特定的粗糙特性可以增加周围组织与种植体的界面结合,因此,种植体系统具有促生物密封的特性,减少种植体周围炎症的发生。
1.一种牙种植体系统,其特征在于,所述牙种植体系统包括穿龈部分和种植体部分;所述穿龈部分与牙龈接触,其最大粗糙度不超过5微米;所述种植体部分与骨组织接触,其最大粗糙度不超过15微米;牙种植体系统表面粗糙度从穿龈部分至种植体部分梯度增加;牙种植体系统表面均匀分布多个微区,所述微区的表面分布密度不小于103个/mm2,微区电势差不超过500mv。
2.根据权利要求1所述的牙种植体系统,其特征在于,所述穿龈部分的最大粗糙度不超过2微米,种植体部分的最大粗糙度不超过10微米。
3.根据权利要求2所述的牙种植体系统,其特征在于,所述种植体部分的最大粗糙度不超过5微米。
4.根据权利要求1所述的牙种植体系统,其特征在于,所述微区电势差不超过400mv且不低于50mv。
5.根据权利要求1所述的牙种植体系统,其特征在于,所述微区电势差不超过300mv且不低于100mv。
6.根据权利要求1-5任一所述的牙种植体系统,其特征在于,所述牙种植体系统的制备材料为含铜钛合金、含银钛合金、含钼钛合金、含钽钛合金或含铁钛合金中的一种。
7.一种牙种植体系统的制备方法,其特征在于,直接机械加工而成。
8.根据权利要求7所述的牙种植体系统的制备方法,其特征在于,基于直接机械加工而成的产品,继续热处理或表面处理;所述热处理具体为,将机械加工后的产品在不低于800℃处理不超过10小时,然后在50-80℃的水中激冷;激冷后的产品在不超过700℃处理不超过24小时,于空气中冷却;所述表面处理为等离子体电解氧化处理、酸处理或碱热处理;所述等离子体电解氧化处理的氧化电压5v-450v,氧化时间不超过40分钟。
9.根据权利要求8所述的牙种植体系统的制备方法,其特征在于,所述等离子体电解氧化处理的氧化电压10-300v。
10.根据权利要求9所述的牙种植体系统的制备方法,其特征在于,所述氧化电压80-180v。