本技术涉及医疗器械,更具体地说,涉及一种半导体激光治疗仪的基座,还涉及一种半导体激光治疗仪。
背景技术:
1、半导体激光治疗仪用于口腔、医疗行业,其原理是使激光通过光纤工作尖输出,高能量的激光使目标组织气化、目标组织外缘的组织蛋白质热凝固,从而实现目标组织的切割,具有出血少和较小的外缘组织伤害的优势。
2、光纤工作尖输出高能量激光会产生高温,为避免光纤工作尖烫伤患者健康组织,需为半导体激光治疗仪配置水雾系统。水雾系统包括用于安放半导体激光治疗仪本体的基座和通过瓶座安装于基座的盛装瓶;基座内设有水路和气路;水路包括水泵,一端连通盛装瓶底部、另一端连通至水泵入口的第一输送管,以及一端连通于水泵的出口、另一端布置于基座边沿的第二输送管;气路包括气泵,以及一端连通至所述气泵的出气口、另一端布置于基座边沿的输气管。水路输送的无菌水或生理盐水,与气路输送的气体能供给光纤工作尖处混合形成水雾,该水雾由光纤工作尖喷射以对光纤工作尖和患者组织降温,实现避免烫伤。
3、但应用上述水雾系统时,难免在拆卸盛装瓶、半导体激光治疗仪的光纤工作尖放置不当等情况导致液体积累在基座上表面,会产生短路、部件生锈等不良情况。
4、因此,如何及时排走基座上表面的液体,避免液体积累而导致短路、部件生锈等不良情况,是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此,本实用新型提供一种半导体激光治疗仪的基座,其上表面中高度最低处设有导流槽,能收集上表面的液体,同时导流通道连通导流槽的槽底,使液体在低于导流槽槽底的排放口处排放,避免液体积累在基座的上表面而导致短路、部件生锈等不良情况。本实用新型还提供一种应用上述基座的半导体激光治疗仪,能避免基座上表面积水,避免发生短路、部件生锈等不良情况。
2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
3、一种半导体激光治疗仪的基座,所述基座的上表面设有导流槽,导流槽位于所述上表面中高度最低的位置处;所述基座还设有连通于所述导流槽的槽底的导流通道,所述导流通道的排放口低于所述导流槽的槽底。
4、可选地,上述基座中,所述导流通道包括分别固定于所述基座的导流围筋和挡水围筋;所述导流围筋和所述挡水围筋分别为筒状;所述导流围筋的上端连通于所述导流槽的槽底、所述挡水围筋的下端连通至所述基座的下表面;所述导流围筋和所述挡水围筋对接并构成所述导流通道。
5、可选地,上述基座中,所述导流围筋的下端插入所述挡水围筋的上端,且两者过盈配合。
6、可选地,上述基座中,所述基座包括固定连接的上壳和下壳;所述导流围筋固定于所述上壳、所述挡水围筋固定于所述下壳。
7、可选地,上述基座中,所述上壳设有第一固定结构、所述下壳设有第二固定结构,所述第一固定结构和所述第二固定结构配合相连并使所述上壳和所述下壳相互固定。
8、可选地,上述基座中,基座的下表面设有支撑脚,且所述支撑脚凸出于所述下表面。
9、可选地,上述基座中,所述基座的上表面设有下沉部,用于安放所述半导体激光治疗仪的本体;所述导流槽圈在所述下沉部的底面的边沿。
10、可选地,上述基座中,所述导流通道为一个或多个。
11、可选地,上述基座中,所述排放口处设有挡水筋。
12、一种半导体激光治疗仪,包括基座,所述基座为上述技术方案中任意一项所述的基座。
13、本实用新型提供一种半导体激光治疗仪的基座,基座的上表面设有导流槽,导流槽位于上表面中高度最低的位置处;基座还设有连通于导流槽的槽底的导流通道,导流通道的排放口低于导流槽的槽底。
14、上述基座的上表面中高度最低处设有导流槽,能收集上表面的液体,同时导流通道连通导流槽的槽底,使液体在低于导流槽槽底的排放口处排放,避免液体积累在基座的上表面而导致短路、部件生锈等不良情况。
15、本实用新型还提供一种应用上述基座的半导体激光治疗仪,能避免基座上表面积水,避免发生短路、部件生锈等不良情况。
1.一种半导体激光治疗仪的基座,其特征在于,所述基座的上表面设有导流槽,导流槽位于所述上表面中高度最低的位置处;所述基座还设有连通于所述导流槽的槽底的导流通道,所述导流通道的排放口低于所述导流槽的槽底。
2.根据权利要求1所述的基座,其特征在于,所述导流通道包括分别固定于所述基座的导流围筋和挡水围筋;所述导流围筋和所述挡水围筋分别为筒状;所述导流围筋的上端连通于所述导流槽的槽底、所述挡水围筋的下端连通至所述基座的下表面;所述导流围筋和所述挡水围筋对接并构成所述导流通道。
3.根据权利要求2所述的基座,其特征在于,所述导流围筋的下端插入所述挡水围筋的上端,且两者过盈配合。
4.根据权利要求2所述的基座,其特征在于,所述基座包括固定连接的上壳和下壳;所述导流围筋固定于所述上壳、所述挡水围筋固定于所述下壳。
5.根据权利要求4所述的基座,其特征在于,所述上壳设有第一固定结构、所述下壳设有第二固定结构,所述第一固定结构和所述第二固定结构配合相连并使所述上壳和所述下壳相互固定。
6.根据权利要求1所述的基座,其特征在于,基座的下表面设有支撑脚,且所述支撑脚凸出于所述下表面。
7.根据权利要求1所述的基座,其特征在于,所述基座的上表面设有下沉部,用于安放所述半导体激光治疗仪的本体;所述导流槽圈在所述下沉部的底面的边沿。
8.根据权利要求1所述的基座,其特征在于,所述导流通道为一个或多个。
9.根据权利要求1所述的基座,其特征在于,所述排放口处设有挡水筋。
10.一种半导体激光治疗仪,其特征在于,包括基座,所述基座为权利要求1-9任意一项所述的基座。