一种穿戴式脑电采集电极结构的制作方法

本技术涉及脑电采集电极，更具体为一种穿戴式脑电采集电极结构。

背景技术：

1、脑电图(eeg)是通过将多个电极放置在头皮上，记录大脑脑神经细胞的电活动而实现脑波记录的一种非侵入式记录脑电活动的电生理监测方法。在对患者进行脑电检查时，最重要的工作就脑电信号的采集与监测，脑电帽的电极座是实现脑电信号采集的直接元器件，电极座的好坏将直接影响脑电信号采集的数据，进一步影响对患者的分析与治疗。脑电刺激是指在脑脑内特定的神经核团植入电极，通过电脉冲刺激作用在脑内特定部位的一种电刺激技术。电刺激技术近年来被用于人体大脑的调控，实现脑疾病的治疗。如可以通过电极释放高频电刺激精准地对患者脑内病变部位给予电刺激，抑制一些因多巴胺能神经元减少而过度兴奋的神经元的电冲动，降低其过度兴奋的状态，从而减轻癫痫、帕金森等病症状。目前出品的盐水电极帽均只能实现脑电信号的采集功能，无法实现对脑电刺激的重要功能。本发明电极座将可用于盐水电极帽电刺激的使用，同时实现电极帽的采集与刺激两大重要功能。

2、当前盐水电极帽所采用的电极座均是用于脑电信号的采集与监测，无法实现对患者的经颅电刺激治疗。而当前能够与进行电刺激的电极，仅有使用导电膏的电极。在实际进行采集与刺激的过程中，使用导电膏的电极往往需要比盐水点击更多的准备时间进行调整。在使用多导联，如256导，脑电帽进行采集与刺激时，准备时间过长也会影响后续采集与刺激的效果。因此，需要提供一种新的技术方案给予解决。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种穿戴式脑电采集电极结构，解决了在实际进行采集与刺激的过程中，使用导电膏的电极往往需要比盐水电极更多的准备时间进行调整。在使用多导联，如256导，脑电帽进行采集与刺激时，准备时间过长也会影响后续采集与刺激的效果的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种穿戴式脑电采集电极结构，包括：上壳和下壳，所述下壳的内部设置有圆柱形槽且圆柱形槽的内部设置有烧结氯化银电极，所述烧结氯化银电极的侧面设置有导线且导线延伸至下壳的外部，所述下壳的上部设置有上壳且烧结氯化银电极和导线位于上壳和下壳之间，所述下壳的下部胶套，所述胶套的内侧设置有吸水海绵。

3、作为本实用新型的一种优选实施方式，所述吸水海绵为中间带孔的结构。

4、作为本实用新型的一种优选实施方式，所述胶套与下壳的圆柱结构相连接。

5、与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

6、本实用新型包括上壳、下壳、胶套、吸水海绵、烧结氯化银电极和导线组成，将各组件依次安装好，组合成一个电极，电极能够安装在脑电帽上即弹力网帽上，并将导线集成在同一个接头上，方便与采集/刺激设备连接，使用时，将已安装好电极的脑电帽浸入调配好的一定浓度的盐水中，浸泡十分钟以上，待电极中的海绵充分吸收盐水后取出，用干毛巾将多余水分擦拭干净，将脑电帽直接佩戴在使用者头上，并调整好位点。观察设备上显示的电极阻抗，若阻抗过高可以增加盐水进行调整。调整到合适数值后便可进行脑电采集与电刺激，选择盐水电极，电极位于脑电帽上，直接将脑电帽浸入盐水中，浸泡盐水后电极内海绵能够吸足水分作为电极的导电介质，擦干多余水分后直接佩戴脑电帽即可，无需依次为电极注入导电膏，节省准备时间，采用烧结氯化银电极，能够承受一定时间的电刺激电流并维持在一定的阻抗，达到常规电刺激使用的要求。

技术特征：

1.一种穿戴式脑电采集电极结构，其特征在于：包括：上壳(1)和下壳(2)，所述下壳(2)的内部设置有圆柱形槽且圆柱形槽的内部设置有烧结氯化银电极(5)，所述烧结氯化银电极(5)的侧面设置有导线(6)且导线(6)延伸至下壳(2)的外部，所述下壳(2)的上部设置有上壳(1)且烧结氯化银电极(5)和导线(6)位于上壳(1)和下壳(2)之间，所述下壳(2)的下部胶套(3)，所述胶套(3)的内侧设置有吸水海绵(4)。

2.根据权利要求1所述的一种穿戴式脑电采集电极结构，其特征在于：所述吸水海绵(4)为中间带孔的结构。

3.根据权利要求1所述的一种穿戴式脑电采集电极结构，其特征在于：所述胶套(3)与下壳(2)的圆柱结构相连接。

技术总结
本技术公开了一种穿戴式脑电采集电极结构，包括：上壳和下壳，所述下壳的内部设置有圆柱形槽且圆柱形槽的内部设置有烧结氯化银电极，所述烧结氯化银电极的侧面设置有导线且导线延伸至下壳的外部，所述下壳的上部设置有上壳且烧结氯化银电极和导线位于上壳和下壳之间，所述下壳的下部胶套，所述胶套的内侧设置有吸水海绵。本技术使用时，将已安装好电极的脑电帽浸入调配好的一定浓度的盐水中，浸泡十分钟以上，待电极中的海绵充分吸收盐水后取出，用干毛巾将多余水分擦拭干净，将脑电帽直接佩戴在使用者头上，并调整好位点。观察设备上显示的电极阻抗，若阻抗过高可以增加盐水进行调整。

技术研发人员：姜建,李海华,於琴年
受保护的技术使用者：上海全澜科技有限公司
技术研发日：20231010
技术公布日：2024/8/20