专利名称：清洗方法以及清洗装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及清洗使用在制造半导体时的石英制成的管等的清洗方法及清洗装置。
背景技术：
近年来，半导体晶片的口径变大，处理装置的口径也变大。使用在扩散炉或热处理等的石英等管也倾向于大型化。在半导体基板上形成晶体管构造的过程中使用的扩散炉具有石英制成的管。在管内收容晶片，并抽成真空的状态下，进行氧化膜形成或退火处理。此时，从晶片放出微粒或污染物质。尤其，在减压下的化学气相沉积即LPCVD工序等沉积型成膜工序中，容易产生微粒等污染物。管内部需要保持高纯度性，但如果微粒等污染物质附着在管内壁，则管内部的高纯度性劣化，其结果，导致处理对象即半导体装置的电气特性变差。因而，定期清洗管，并除去沉积在管内壁等的膜。
一般，在半导体制造装置中，将管内部保持在真空或一定的气氛下，因此，来自外部的气体导入管以外的部分保持在密封状态。为了保持该真空状态或密封状态，尤其，需要将管的底面设为高度的气密状态。作为补偿这个的条件，需要清洗管。在以往，如日本公开专利文献(特开平5-96260号、特开2000-64186号)所示，使用如图7A、图7B所示的清洗装置周期性实施半导体装置的部件的清洗。图7A是整体的概略图，图7B是支承点附近的放大图。
将通过电机72、旋转轴73驱动旋转的转台74设置在筐体71的内部。在转台74上，安装有用于载置被清洗部件的轨道75。被清洗部件是例如，上述管m。在管m的侧方和上方，配设有清洗嘴76、77。在管m的下方，也配设有清洗嘴78。清洗嘴76、77、78经由清洗液供给管79，与清洗液槽80连结设置，在管79的中间部位，安装有泵81。
在转台74上，纵向设置有被清洗部件m。驱动电机72并旋转转台74的同时，从清洗嘴76、77、78向被清洗部件m喷射清洗液。由此，向被清洗部件m的整个表面供给清洗液，从而，除去被清洗部件m表面的污物。在此，管m设置为纵向放置型，其底面被载置支承在转台74上的轨道75上。
在上述的以往的清洗装置中，重视的是，清洗时的管m的位置的稳定性，因而，管m时常与转台74上的轨道75接触。接触部位S时常固定，且该接触部位S与周围隔绝，大致成密封状态。
由清洗液的管m的清洗通过对管m自身由清洗液进行极少量的蚀刻的同时除去杂质来实施。然而，由于接触部位S时常与周围隔绝，因而，清洗液不能旋入该部位，相比其他部位的清洗的水平，有差异。即，与轨道75接触的被覆盖部位几乎接触不到清洗液。
由以上的理由可知，在接触清洗液的部位和不接触的部位中，在清洗时实施的蚀刻量上产生差异，在管m的底面产生凹凸。因而，底面(工作台接触面)上的平坦性下降，不能均匀除去杂质。不仅限于蚀刻，还在简单地通过纯水进行的清洗中也发生同样现象。如果将清洗不完全的管m设置在减压装置，并使用真空泵达到减压状态，则因其底面上的凹凸而发生泄漏，不能减压到目标压力。其结果，难以形成均匀的膜。
发明内容
本发明的主要目的在于消除管等的被清洗部件的被支承面上的清洗遗漏。
为了解决上述课题的本发明的清洗方法，包括将半导体制造装置的结构部件即被清洗部件由多个第一支承点支承的工序；向由所述第一支承点支承的所述被清洗部件喷射清洗液进行清洗的工序；将所述被清洗部件由与所述第一支承点的位置不相同的多个第二支承点支承的工序；和在改变支承点后向所述被清洗部件喷射清洗液进行清洗的工序。
根据该构成可知，由于切换支承被清洗部件的多个支承点并向被清洗部件喷射清洗液，不存在时常在支承点被固定的状态下喷射清洗液的情况。由此，能够均匀清洗被清洗部件的被支承面。在清洗中被清洗部件的被支承面被蚀刻的情况下，能够均匀蚀刻被支承面。其结果，能够抑制被支承面的凹凸，同时，将被支承面设为平坦。
另外，本发明的清洗装置，具有第一支承件，具有支承半导体制造装置的结构部件即被清洗部件的多个第一支承点；第二支承件，具有设置在与所述第一支承点不相同的位置，且支承所述被清洗部件的多个第二支承点；支承件切换机构，将所述第一支承件和所述第二支承件交替切换为支承状态和非支承状态；和向所述被清洗部件喷射清洗液的清洗机构。
根据该构成可知，在由第一支承件的多个支承点支承被清洗部件的状态下喷射清洗液，进而，通过支承件切换机构，代替第一支承件的支承而切换为用第二支承件的多个支承点支承被清洗部件的状态，并在此状态下喷射清洗液。这实现了上述的清洗方法，消除了以固定的支承点进行清洗液喷射的状态，均匀清洗被清洗部件的被支承面。在清洗中被清洗部件的被支承面被蚀刻的情况下，能够均匀蚀刻被支承面。其结果，能够抑制被支承面的凹凸，同时，将被支承面设为平坦。
还有，优选的是，在改变支承点的前前后后，继续喷射清洗液，但也可以根据需要中断。另外，支承点的切换，优选的是，交替重复进行，但也可以为1次。
在上述构成的清洗装置中，优选的方式如下所述。即所述第一支承件具有多个第一支承杆，在这些第一支承杆的上端，分别设置有将所述被清洗部件从其下方支承的所述第一支承点，所述第二支承件具有多个第二支承杆，在这些第二支承杆的上端，分别设置有将所述被清洗部件从其下方支承的所述第二支承点，所述第一支承杆及所述第二支承杆构成为上下自由移动，所述支承件切换机构在使所述第一支承杆从支承状态向下移动而切换为非支承状态时，使所述第二支承杆从非支承状态向上移动而切换为支承状态，相反，在使所述第二支承杆从支承状态向下移动而切换为非支承状态时，使所述第一支承杆从非支承状态向上移动而切换为支承状态。
这使多个第一支承杆和多个第二支承杆上下移动，而切换支承被清洗部件的支承点。
另外，在上述构成的具有第一支承杆、第二支承杆的清洗装置中，优选的方式如下所述。即所述支承件切换机构具有向所述第一支承杆施加上下移动的驱动力的第一促动器、和向所述第二支承杆施加上下移动的驱动力的第二促动器，对所述第一促动器和所述第二促动器进行控制使得在其中一方处于伸展状态时，其中另一方处于收缩状态。
这通过伸缩自由的促动器使第一支承杆、第二支承杆上下移动。还有，作为促动器，有汽缸、滚珠丝杠、齿轮齿条机构等。
另外，在上述构成的具有第一支承杆、第二支承杆的清洗装置中，作为优选的方式如下所述。即所述支承件切换机构具有辊，分别以旋转自如的方式安装在所述第一支承杆及所述第二支承杆的下端；凸轮体，构成为围绕铅垂轴心自由旋转，且在其上面沿周向连续配置有波状凹凸，且经由该波状凹凸支承所述辊，该支承件切换机构伴随所述凸轮体的旋转，经由所述辊使所述各支承杆上下移动，在使所述第一支承杆及所述第二支承杆中的一方从支承状态向下移动而变位到非支承状态时，使另一方从非支承状态向上移动而变位到支承状态。还有，优选的是，所述凸轮体的凹凸是正弦波形状或与之近似的形状这通过使波状的凸轮体旋转并使辊在凸轮面上滚动，将第一支承杆、第二支承杆上下移动。即，利用了凸轮作用。
另外，在上述构成中，优选的是，所述第一支承件及所述第二支承件均具有三个以上的支承杆。如果支承杆有三个以上，就可以稳定支承被清洗部件。
另外，在上述构成中，优选的是，将所述多个支承杆沿周向以等间隔配置。这也是稳定支承被清洗部件中重要的构成。
还有，在上述构成中，作为优选的方式，所述多个支承杆以上下自由移动的方式贯穿围绕铅垂轴心自由旋转的转台。
还有，在使上述凸轮体旋转的构成中，优选的是，使转台的旋转和凸轮体的旋转构成为在机构上独立，时间间隔上不相同，但也可以使转台的旋转与凸轮体一体地旋转。
根据本发明可知，通过切换支承管等被清洗部件的多个支承点，在消除了支承点固定的状态下清洗被清洗部件，因此，能够均匀清洗被清洗部件的被支承面。在清洗中被清洗部件的被支承面被蚀刻的情况下，能够均匀蚀刻被支承面。其结果，能够抑制被支承面的凹凸，能够使被支承面平坦。其结果，在使用清洗的被清洗部件制造半导体时，能够防止抽出真空时发生泄漏，能够提高成膜精度。
本发明的清洗方法·清洗装置能够减少被清洗部件的设置面的凹凸。因而，在例如，腔室内需要气密性的CVD装置或使用了热处理装置的高精度的设备形成等中尤其有用。
本发明的除此之外的目的只要理解由此说明的实施方式，就可以明白，明确在附加的权利要求中。还有，关于本说明书中未涉及的多方面利益，本领域技术人员只要实施本发明，就可以想到。
图1是表示本发明的实施方式1的清洗装置的要部的概略构成的侧视图。
图2是图1的I-I线向视的剖视图。
图3是表示本发明的实施方式2的清洗装置的要部概略构成的侧视图。
图4是图3的II-II线向视的剖视图。
图5是表示本发明的实施方式2的清洗装置的要部的概略构成的立体图。
图6是LPCVD(减压化学气相沉积)的说明图。
图7A是以往的技术中的清洗装置的整体的概略图。
图7B是以往的技术中的清洗装置的支承点附近的放大图。
具体实施例方式
下面，根据图面，对本发明的清洗装置·清洗方法的实施方式进行详细说明。
在说明实施方式之前，参照图6，简单说明LPCVD处理。在罩(cap)51上，经由○-环52气密性良好地载置有金属制凸缘(flange)53。在凸缘53上，安装气体导入管54、60、和排气管55，排气管55经由阀56连结在真空泵57。在凸缘53上，还经由○-环58气密性良好地载置有石英制管m。跨在凸缘53内和管m内收容有内管59。在内管59内，也设置有导入管60。在管m的外周，配置有加热器61。
在内管59内收容有叠层晶片的舟皿(boat)62，进而在其上开始配置管m，由此，气密性良好地密封舟皿62。驱动真空泵57，管m内被减压，而保持一定的压力的同时，接通加热器61，管m内保持在一定的温度。在该状态下，气体从气体导入管60流入到管m内，进行晶片的成膜。在成膜中，需要将管m内的压力保持在规定值。
下面，对本发明的各实施方式进行说明。
(实施方式1)图1是表示本发明的实施方式1的清洗装置的要部的概略构成的侧视图，图2是图1的I-I线向视的剖视图。在图1中，m是构成半导体制造装置的部件，而且是成为清洗对象的被清洗部件。在此，作为被清洗部件m，举例了CVD中使用的管。将铅垂状态下的旋转轴2连结在设置于固定部的带有减速机的电机1，将转台3安装在旋转轴2的轴心。转台3用多个支柱3c……连结了互相水平平行且同轴状的工作台基板3a和顶板3b，工作台基板3a的外周面下面以旋转自如的方式被载置支承在支承轨4上。
在转台3的顶板3b的上面，以上下活动自由的方式贯穿配置有多个支承杆5……、6……。支承杆5……、6……沿顶板3b的周向以等间隔配置。在支承杆5……、6……上，载置有被清洗部件m。以能够配置被清洗部件m，将支承杆5……、6……的配置位置设在以下位置，即其底部(具体来说，设置在底部的凸边)在被清洗部件m同轴配置于顶板3b上的状态下，接触的位置。
支承杆5……、6……分为2组。第一支承杆5……是以120度等间隔配置的三根杆的组合，第二支承杆6……是剩余的三根杆的组合。第二支承杆6……也以120度等间隔配置。通过三根第一支承杆5……构成第一支承件5A，通过三根第二支承杆6……构成第二支承件6A。优选的是，第一支承杆5……的根数、和第二支承杆6……的根数原则上相同，但也可以不相同。
第一支承件5A、和第二支承件6A将被清洗部件m从下方通过被清洗部件m的自身的自重支承，但在第一支承件5A的三根第一支承杆5……向上移动而处于支承被清洗部件m的作用状态时，第二支承件6A的三根第二支承杆6……向下移动并处于从被清洗部件m远离而不支承被清洗部件m的状态。相反，第二支承件6A的三根第二支承杆6……向上移动并处于支承被清洗部件m的状态时，第一支承件5A的三根第一支承杆5……向下移动并处于从被清洗部件m远离而不支承的非作用状态。
在图1中，7是将第一支承件5A和第二支承件6A交替切换为作用状态和非作用状态的支承件切换机构。支承件切换机构7同时实施使第一支承杆5……从其作用状态向下移动切换为非作用状态的动作、和使第二支承杆6……从非作用状态向上移动切换为作用状态的动作。相反，同时实施使第二支承杆6……从作用状态向下移动切换为非作用状态的动作、和使第一支承杆5……从非作用状态向上移动切换为作用状态的动作。在多个支承杆5、6……的上端，设置有将被清洗部件m从其下方支承的支承点5a、6a……。
支承件切换机构7被载置支承在工作台基板3a上。支承件切换机构7的具体构成如下所述。向第一支承杆5……施加上下移动驱动力的第一促动器8……、和向第二支承杆6……施加上下移动的驱动力的第二促动器9……分别被载置支承在工作台基板3a的上面。促动器8、9……通过控制器10控制时间间隔。控制器10控制第一促动器8……、和第二促动器9……，使得在其中一方处于伸展状态时，另其中一方处于收缩状态。另外，控制器10通过电机1的驱动，经由旋转轴2控制转台3旋转的同时，此时，控制包含促动器8、9……的支承件切换机构7及支承杆5……、6……一体地旋转。促动器8、9……通过例如，电动式的滚珠丝杠或汽缸构成。
在支承于顶板3b的被清洗部件m的侧面的周向的外侧位置配置有清洗嘴11a，在顶板3b的外缘的周向外侧部位设置有清洗嘴11b。清洗嘴11a朝向被清洗部件m的侧面喷射清洗液，清洗嘴11b朝向被清洗部件m的内周面喷射清洗液。12是清洗液供给管。清洗嘴11a、11b可以上下左右自由改变清洗液喷射角度。
其次，对如上所述的本实施方式的清洗装置的动作进行说明。在初始状态下，支承件切换机构7根据控制器10的控制，使第一支承件5A的三根支承杆5……向上移动而处于作用状态，使第二支承件6A的三根支承杆6……向下移动而处于非作用状态。在该状态下，搬入被清洗部件m。被清洗部件m具有例如，下端开放的圆筒状，与顶板3b(旋转轴2)同轴载置在其上。由此，被清洗部件m的底面(具体来说，位于底面的凸边)被载置在第一支承杆5……的上端的支承点5a……上，通过自重(被清洗部件m)由支承点5a支承。第一支承杆5……(支承点5a……)以等间隔配置，因此，被清洗部件m被稳定固定。
如果结束被清洗部件m的载置支承，则通过清洗液开始清洗。即，起动电机1的同时，从清洗嘴11a、11b喷射清洗液。更具体来说，如下所述。如果电机1起动且旋转轴2旋转，则转台3、支承件切换机构7、以及多个支承杆5、6……成一体地围绕旋转轴2的轴心旋转。被支承在第一支承杆5……的被清洗部件m也一体地旋转。向旋转的被清洗部件m的外周面从位于其侧方的清洗嘴11a喷射清洗液的同时，向被清洗部件m的内周面从位于其下方的清洗嘴11b喷射清洗液。根据需要，对清洗嘴11a、11b的颈部实施摇动。由此，在使清洗液以喷淋状贯穿除了与第一支承杆5……的支承点5a……接触的接触面之外的被清洗部件m的整个面各处的状态下，执行清洗。此时，由于第二支承杆6……从被清洗部件m远离，因此，清洗液还旋入被清洗部件m的底面上的与第二支承杆6……相对向的部位，从而，这些部位也被清洗。
其次，从第一支承杆5……支承的支承状态切换到第二支承杆6……支承的支承状态。即，根据对支承件切换机构7的控制器10的控制，第二支承件6A的三根支承杆6……向上移动，通过其上端的支承点6b……支承被清洗部件m。如果通过支承点6b可靠且稳定地支承，则第一支承件5A的三根支承杆5……向下移动，支承杆5……从被清洗部件m远离。总之，此时为止一直处于非作用状态下的第二支承杆6……切换为作用状态的同时，处于作用状态的第一支承杆5……切换为非作用状态。等间隔地配置的三个以上的第二支承杆6……的向上移动的速度彼此相等，且等间隔地配置的三个以上的第一支承杆5……的向下移动的速度也彼此相等，因此，第二支承杆6……能够稳定地接住支承在第一支承杆5……的被清洗部件m。通过该切换，致使支承被清洗部件m的支承点变化。由此，此时为止一直与第一支承杆5……接触且清洗液未旋入的部位被开放。从而，通过继续从清洗嘴11a、11b喷射清洗液，此次，在使清洗液以喷淋状贯穿除了与第二支承杆6……的支承点6b……的接触的接触面之外的被清洗部件m的底面的整个面各处的状态下，进行清洗。由于第一支承杆5……从被清洗部件m远离，因此，清洗液还旋入与第一支承杆5……对向的被清洗部件m的底面部位，从而，这些部位也被清洗。这样，被清洗部件m的底面的对应第一支承杆5……的部位、和对应第二支承杆6……的部位也被均匀清洗。
在开始清洗到清洗结束为止的期间，第一支承件5A的支承状态、和第二支承件6A的支承状态的切换可以仅为1次，但也可以重复2次以上。重复次数越多，被清洗部件m的底面的清洗的均匀性越好。
被清洗部件m的表面(外周面、内周面、底面)通过清洗液蚀刻。通过向表面各处供给清洗液，能够均匀化蚀刻。尤其，即使对由于支承而导致一部分被被覆的底面，也可靠均匀清洗，，从而，能够消除在以往技术中所见的蚀刻残留(底面的凹凸变化)。其结果，在被清洗部件m设置于成膜装置的情况下，抽成真空时难以发生泄漏。
还有，在上述中，关于支承件切换机构7，可以在通过电机1旋转转台3的状态下，运行支承件切换机构7，也可以在暂时停止转台3的旋转后，运行支承件切换机构7。另外，在支承件切换机构7的运行过程中，可以继续喷射清洗液，也可以中断喷射。
还有，为了参考，举例尺寸关系的一个例子。被清洗部件m的大小是直径为150mm～450mm，高度为1000mm～2500mm。顶板3b的直径具有支承被清洗部件m所需的足够的大小，希望的是，例如，150mm～500mm。将支承杆5、6……的上下移动的范围设成2mm～200mm。
还有，通过使控制器10构成为能够将多个促动器8、9……彼此独立地控制，即使不完全支承被清洗部件m，也能够通过微调1个或2个促动器，稳定支承。
另外，在最初支承被清洗部件m时，也可以通过控制器10的控制，使第一支承杆5……、和第二支承杆6……都向下移动到非作用状态，通过第一支承杆5……及第二支承杆6……的所有支承点5a、6a……暂时稳定支承被清洗部件m，其次，只使第一支承杆5……向上移动并顶起被清洗部件m。还有，也可以将第一支承杆5……及第二支承杆6……一同设置四根以上。
(实施方式2)在上述的实施方式1中，通过促动器8、9……在铅垂方向上的伸缩动作，使支承杆5、6……上下移动，但在本发明的实施方式2中，通过围绕波状的凸轮体的铅垂轴心旋转，使支承杆上下移动。
图3是表示本发明的实施方式2的清洗装置的要部的概略构成的侧视图，图4是图3的II-II线向视的剖视图，图5是表示本发明的实施方式2的清洗装置的要部的概略构成的立体图。在本实施方式中，支承件切换机构7具有以旋转自如的方式分别安装在第一、第二支承杆5……、6……的辊13……、以围绕铅垂轴心自由旋转的方式构成且支承多个辊13……的凸轮体14。在凸轮体14的上面的凸轮面14a，形成有沿其周向连续的正弦波形状或与之近似的波状的凹凸形状。辊13……被设成在凸轮面14a上自由滚动。伴随凸轮体14的旋转，经由辊13……，使支承杆5、6……上下移动。在使第一支承杆5……从作用(支承)状态向下移动而变位到非作用(非支承)状态时，使第二支承杆6……从非作用状态(非支承)向上移动而变位到作用(支承)状态。由于该动作，凸轮体14的波状凹凸的凹部和凸部之间的周向的间隔，与第一支承杆5……和第二支承杆6……之间的周向间隔相等。作为使凸轮体14旋转的机理，在凸轮体14的外周面形成有齿轮，与该齿轮啮合的驱动齿轮15和多个引导齿轮16……以旋转自如的方式轴支承在工作台基板3a上，电机17，与驱动齿轮15连结。电机17通过控制器10控制。电机17及控制器10安装在工作台基板3a。对于其他的构成，由于实施方式1的情况下的图1、图2相同，因此，对于相同部分仅附加相同的符号，而省略说明。
其次，对如上所述地构成的本实施方式的清洗装置的运行进行说明。在支承件切换机构7中，在初始状态下，通过控制器10，使第一支承件5A的三根以上的支承杆5……向上移动而处于作用状态，使第二支承件6A的三根以上的支承杆6……向下移动而处于非作用状态。在该状态下，搬入被清洗部件m，并载置在处于作用状态下的第一支承杆5……的上端的支承点5a……上，通过该支承点5a……支承被清洗部件m。由于第一支承杆5……以等间隔配置，因此，能够稳定支承被清洗部件m。
如果结束被清洗部件m的载置支承，则开始通过清洗液进行清洗。即，起动电机1的同时，从清洗嘴11a、11b喷射清洗液。更具体来说，如下所述，如果起动电机1并使旋转轴2旋转，则转台3、支承件切换机构7及多个支承杆5、6……成一体地围绕铅垂轴心旋转。此时，支承在第一支承杆5……的被清洗部件m也一体地旋转。电机17不驱动，并保持原来的停止状态。对旋转的被清洗部件m的外周面，由配置在其侧方的清洗嘴11a喷射清洗液，对被清洗部件m的内周面，由配置在其下方的清洗嘴11b喷射清洗液。这样，向除了与第一支承杆5……的支承点5a……接触的接触面之外的被清洗部件m的整个面各处以喷淋状流过清洗液，进行清洗。由于第二支承杆6……，与被清洗部件m保持间隔，因此，清洗液还旋入与第二支承杆6……对向的被清洗部件m的底面部位，清洗这些部位。
其次，从第一支承杆5……的支承状态切换到第二支承杆6……的支承状态。即，通过控制器10驱动电机17，使驱动齿轮15旋转，由此，使凸轮体14旋转。此时，凸轮体14被驱动齿轮15及多个引导齿轮16……引导，并围绕铅垂轴心旋转一定程度。伴随该凸轮体14的旋转，第一支承件5A的三根以上的支承杆5……向下移动的同时，第二支承件6A的三根以上的支承杆6……向下移动。还有，如果第一支承杆5……的支承点5a……的高度位置、和第二支承杆6……的支承点6a……的高度位置一致，进而，支承杆5……、6……继续上下移动，则第一支承杆5……的支承点5a……，从被清洗部件m远离的同时，第二支承杆6……的支承点6a……取而代之支承被清洗部件m，被清洗部件m通过向上移动的第二支承杆6……被顶起。在第二支承杆6……到达其最上位的位置时，第一支承杆5……到达最下位位置，控制器10在该时刻停止电机17。这样，从第一支承杆5……的支承切换到第二支承杆6……的支承。
另外，如上所述，再次驱动电机17，将被清洗部件m的支承状态从第二支承杆6……的支承状态切换到第一支承杆5……的支承状态。在支承杆的切换中，为能够稳定载置被清洗部件m，在凸轮体14的波形状上下了工夫。即，将其凹凸的周期及振幅设为一定。其结果，防止被清洗部件m倾斜。
由于该切换，支承被清洗部件m的支承点改变。此时为止一直与第一支承杆5……接触着且清洗液未旋入的被清洗部件m的底面部位被开放。从而，通过继续由清洗嘴11a、11b喷射清洗液，此次，在使清洗液向除了与第二支承杆6……的支承点6b……接触的接触部位之外的被清洗部件m的底面的整个面各处以喷淋状贯穿的状态下，进行清洗。由于第一支承杆5……，从被清洗部件m远离，因此，清洗液旋入与第一支承杆5……对向的被清洗部件m的底面部位，从而，这些部位也被清洗。这样，还能够均匀清洗被清洗部件m的底面上的与第一支承杆5……对向的部位、和与第二支承杆6……对向的部位。
在通过根据控制器10的指示，驱动电机17，使凸轮体14旋转，而支承杆上下移动的期间，电机1可以继续驱动，也可以停止。在停止电机1的情况下，在结束支承杆的切换的时刻，再次开始电机1的驱动。
另外，在从被清洗部件m的清洗开始到清洗结束为止的期间，第一支承件5A的支承状态、和第二支承件6A的支承状态的切换可以仅为1次，但也可以重复2次以上。重复次数越多，对被清洗部件m的底面的清洗的效果更好。
被清洗部件m的表面(外周面、内周面、底面)通过清洗液蚀刻。通过向被清洗部件m的表面各处供给清洗液，均匀化蚀刻。尤其，即使对于因支承而导致一部分被被覆的底面，也可靠均匀清洗，能够解除以往技术中所见的蚀刻残留(底面的凹凸变化)。其结果，在被清洗部件m设置于成膜装置的情况下，抽出真空时难以发生泄漏。还有，凸轮体14的旋转速度是0.2～20mm/s(一个例子)。
对本发明使用最优选的具体例进行了详细的说明，但对其优选的实施方式的部件的组合和排列可以在将来不会违反本发明的宗旨和范围的前提下进行各种变更。
权利要求
1.一种清洗方法，包括将半导体制造装置的结构部件即被清洗部件由多个第一支承点支承的工序；向由所述第一支承点支承的所述被清洗部件喷射清洗液而进行清洗的工序；将所述被清洗部件由与所述第一支承点位置不相同的多个第二支承点支承的工序；和向切换支承点后的所述被清洗部件喷射清洗液而进行清洗的工序。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，将所述被清洗部件从其下方由所述第一支承点或所述第二支承点支承，向所述被清洗部件的底部，从其下方喷射所述清洗液。
3.一种清洗装置，具备第一支承件，具有支承半导体制造装置的结构部件即被清洗部件的多个第一支承点；第二支承件，具有设置在与所述第一支承点不相同的位置，并支承所述被清洗部件的多个第二支承点；支承件切换机构，其将所述第一支承件和所述第二支承件交替切换为支承状态和非支承状态；和向所述被清洗部件喷射清洗液的清洗机构。
4.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述第一支承件和所述第二支承件将所述被清洗部件从其下方利用该被清洗部件的自重而支承，所述清洗机构向所述被清洗部件的底部从其下方喷射所述清洗液。
5.根据权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，所述第一支承件具有多个第一支承杆，在这些第一支承杆的上端，分别设置有将所述被清洗部件从其下方支承的所述第一支承点，所述第二支承件具有多个第二支承杆，在这些第二支承杆的上端，分别设置有将所述被清洗部件从其下方支承的所述第二支承点，所述第一支承杆及所述第二支承杆按照能上下自由移动的方式构成，所述支承件切换机构在使所述第一支承杆从支承状态向下移动而切换为非支承状态时，使所述第二支承杆从非支承状态向上移动而切换为支承状态，相反，在使所述第二支承杆从支承状态向下移动而切换为非支承状态时，使所述第一支承杆从非支承状态向上移动而切换为支承状态。
6.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征在于，所述支承件切换机构具有向所述第一支承杆施加上下移动的驱动力的第一促动器、和向所述第二支承杆施加上下移动的驱动力的第二促动器，对所述第一促动器和所述第二促动器进行控制，使得在其中一方处于伸展状态时，其中另一方处于收缩状态。
7.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征在于，所述支承件切换机构具有辊，以旋转自如的方式分别安装在所述第一支承杆及所述第二支承杆的下端；凸轮体，其围绕铅垂轴心的周围旋转自如地构成，在其上面沿周向连续配置有波状凹凸，并经由该波状凹凸支承所述辊，该支承件切换机构伴随所述凸轮体的旋转，经由所述辊使所述各支承杆进行上下移动，在使所述第一支承杆及所述第二支承杆中的一方从支承状态向下移动而变位到非支承状态时，使另一方从非支承状态向上移动而变位到支承状态。
8.根据权利要求7所述的清洗装置，其特征在于，所述波状凹凸是正弦波形状或与之近似的形状。
9.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征在于，所述第一支承件及所述第二支承件具有三个以上的所述第一支承杆或所述第二支承杆。
10.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征在于，所述第一支承杆及所述第二支承杆沿周向以等间隔配置。
11.根据权利要求5所述的清洗装置，其特征在于，所述第一支承杆及所述第二支承杆以能够上下自由移动的方式贯穿转台，所述转台围绕铅垂轴心自由旋转。
全文摘要
一种清洗装置，是半导体制造装置的部件，而且是在支承作为清洗对象的被清洗部件的状态下喷射清洗液清洗所述被清洗部件的清洗装置，具有具有支承所述被清洗部件的多个第一支承点的第一支承件、具有位于与所述第一支承点不同的位置且支承所述被清洗部件的多个第二支承点的第二支承件、将所述第一支承件和所述第二支承件交替切换为支承状态和非支承状态的支承件切换机构、和向所述被清洗部件喷射清洗液的清洗机构。
文档编号B08B13/00GK1827244SQ20061005944
公开日2006年9月6日 申请日期2006年3月2日 优先权日2005年3月2日
发明者松下卓生, 田村哲彦, 森永真行 申请人:松下电器产业株式会社