专利名称：一种去除半导体制程中氟残留的方法
技术领域：
本发明涉及集成电路工艺领域，具体涉及一种去除半导体制程中氟 残留的方法。
背景技术：
在半导体的蚀刻工艺中会用到一些含氟的气体。含氟气体电离成F， F与晶片上的材质发生反应达到蚀刻的作用。但是，部分F-会吸附到晶 片上，并通过晶片扩散到晶片接触的各个机器部件中。
下面以晶盒为例具体描述氟残留的形成。在半导体制程中，为了达 到高度局部清洁化和降低净化室的运营成本，普通需要利用 一种晶盒 (Pod)来保存和运输晶片等被处理体。通常，晶片在完成一道制程步 骤后即被装进晶盒，送到下一个制程步骤。并通过晶片扩散到装晶片的 晶盒中。晶盒的材质主要是Polyetheretherketone(聚醚醚酮)，其化学式为
中的C=0键结合为络合键，Polyetheretherketone转变为
由于AL会与水汽发生反应生成AL(OH)3和H+,晶片中的铝焊 垫(AL pad )是以AL和AL(OH)3形式存在的。而AL(OH)3会分解成 AL203和H20。晶盒中残留的F-和晶片中的AL(OH)3,以及H+和H20 会发生如下的化学反应
AL (OH) 3+HF+H20 —AL0xFY
由于铝焊垫的AL和AL(0H)3存在着平衡态。但是当AL(0H)3被r不
由于F的吸附，FH与Polyetheretherketone断消耗，AL会继续分解，因而晶片将会造成晶体缺陷(pad crystal defect )。
在半导体制程中，现有的清洗方法主要是对微粒的清除，而对于相 关部件的氟残留没有特别的效果。
发明内容
本发明的目的是才是供一种去除半导体制程中氟残留的方法，以有效 地去处由于氟残留而造成的晶片报废。
本发明的第 一方面提供了 一种去除相关部件中的氟残留的方法，其 特征在于包括如下步骤
a、用去离子水浸泡相关部件。
与现有技术相比，本发明具有以下优点本发明能有效地去除半导 体制程中相关部件上的氟残留，避免了由于氟残留造成的晶体缺陷。
通过阅读以下参照附图所作的对非限制性实施例的详细描述，本发 明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。 图1是本发明的步骤流程图。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明作进一步详细描述。 参照图1,本发明包括如下步骤
在步骤Sl中，利用去离子水浸泡相关部件，具体的化学反应方
程式如下:
<formula>formula see original document page 4</formula>
其中，仏0替代了 FH与C-O键结合为络合键。去除了相关部件中的氟残
在步骤S2中，将相关部件烘干。具体地，用烘干机台对相关部 件进行烘干。进一步地，在步骤Sl中用去离子水浸泡相关部件的温度取值范
围为70。C 110。C。用去离子水浸泡相关部件的时间为IO小时以上。
本领域的技术人员应该知晓，不论用去离子水浸泡相关部件的时 间长短、温度高低，都能够达到减少相关部件上氟残留的效果。至于 其他分解方法，本领域技术人员可以不经过创造性劳动使用在本发明 中。
在本实施例中，去除的是晶盒上的氟残留。用去离子水浸泡晶盒 的温度为70°C，用去离子水浸泡晶盒的时间为9小时。
本实施例中，用去离子水浸泡晶盒的化学反应方程式为
「 1
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经过电子显微镜观察，利用本实施例的方法，吸附了 F—的 Poly-ether-ether-ketone数量减少了 95%。这充分说明了本发明的优 越性。
在本实施例中，去除的是晶盒上的氟残留。用去离子水浸泡晶盒 的温度为U0。C,用去离子水浸泡晶盒的时间为22小时。 本实施例中，用去离子水浸泡晶盒的化学反应方程式为
F、 ，HAH
+H2O(110'C)/=\ 3 /==\
经过电子显微镜观察，利用本实施例的方法，吸附了 r的
Polyetheretherketone凄t量减少了 99%。这充分i兌明了本发明的优越 性。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明 并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在所附权利要求 的范围内做出各种变形或修改。
权利要求
1、一种在半导体制程中去除相关部件中的氟残留的方法，所述相关部件的材质为包括电负性基团的聚合物，其特征在于包括如下步骤a、用去离子水浸泡相关部件。
2、 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤a之后 还包括b、 将相关部件烘干。 其中，所述步骤a为用去离子水浸泡相关部件，通过化学反应方程式去除聚醚醚酮材料中电负性羰基所吸附的氟化氬，以去除氟残留。
3、 如权利要求1或2所述的方法，其特征在于所属步骤a的 浸泡温度取值范围为70。C 110。C。
4、 如权利要求1或2所述的方法，其特征在于所属步骤a的 浸泡时间取值范围为9小时以上。
全文摘要
一种去除半导体制程中氟残留的方法，涉及半导体工艺领域，包括如下步骤a.用去离子水浸泡相关部件；b.将相关部件烘干。与现有技术相比，本发明具有以下优点本发明能有效地去除半导体制程中相关部件上的氟残留，避免了由于氟残留造成的晶体缺陷。
文档编号B08B3/04GK101497074SQ200810033258
公开日2009年8月5日 申请日期2008年1月29日 优先权日2008年1月29日
发明者舜 姜, 庄祈龙, 杨洪春, 陈淑美 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司