专利名称：一种用于抛光后计算机硬盘基片的酸洗液组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于抛光后计算机硬盘基片的酸洗液组合物，特别是一种用于 Ni-P镀敷的计算机硬盘基片抛光后表面的酸性清洗液。属于计算机硬盘表面清洗处理技术 领域。
背景技术：
近年来，随着存储器硬盘容量、存储密度的快速上升及垂直存储技术的出现，计算 机磁头的飞行高度已降低到8nm左右，预计下一代将降低到2nm左右。随着磁头与磁盘间 运行如此的接近，对磁盘表面的平整性及洁净度的要求越来越高。如果硬盘表面粗糙度、波 纹度过大，在高速旋转的过程中，磁头就会与磁盘表面发生碰撞，损坏磁头或存储器硬盘表 面上的磁介质，从而导致磁盘设备发生故障或读写信息的错误。特别是，由于飞行高度的降 低，对抛光后表面纳米级微粗糙峰的个数等微观缺陷也提出了严酷的要求，抛光后表面纳 米级微粗糙峰过多，会影响磁头的飞行稳定性。 同时，存储器硬盘表面上残留的微颗粒也会导致磁头碰撞。目前，普遍采用化学机 械抛光(CMP)技术对硬盘基片表面进行抛光，由于抛光后新鲜表面活性高，以及CMP抛光液 中大量使用高浓度的纳米磨粒(如纳米二氧化硅、纳米氧化铝粒子)、多种化学品等因素， 工件表面极易吸附纳米颗粒等污染物，导致CMP后清洗极其困难。 总之，硬盘基片的表面微观平整性、微粗糙峰状况、表面清洁度等已严重影响到计 算机硬盘基片的使用性能。
发明内容
本发明的目的是提供克服现有硬盘基片化学机械抛光后清洗技术的不足，提供了 一种适合计算机硬盘基片化学机械抛光后表面的酸性清洗液组合物。 本发明一种用于抛光后计算机硬盘基片的酸洗液组合物，其特征在于该酸洗液组
合物具有以下的组成成分及其重量百分含量 酸 1 8%， 缓蚀齐U 0. 1 2. 0%， 表面活性剂 0. 05 1.0%， 去离子水 余量； 所述的酸为水溶性无机酸或有机酸，无机酸为磷酸、硫酸、硝酸中的任一种或两种 的混合酸；有机酸为甲酸、氨基酸、乙酸、氨基磺酸中的任一种；或者为无机酸与有机酸两 者配合的混合酸即磷酸加氨基磺酸； 所述的缓蚀剂为水溶性有机或无机缓蚀剂，它们为乌洛托品、苯并三氮唑、硫脲、 磷酸盐、硼酸盐；选择其中的任一种； 所述的表面活性剂为水溶性表面活性剂，包括有十二烷基聚氧乙烯醚、十二烷基 聚氧乙烯醚硫酸盐、吐温、十二烷基聚氧乙烯醚羧酸盐；选择其中的任一种。
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本发明一种用于抛光后计算机硬盘基片的酸洗液组合物的制备方法，其特征在于 具有以下过程和步骤按上述配方称取各原料，在机械搅拌下，依次将表面活性剂、缓蚀剂 加入到去离子水中，待搅拌溶解后，在不断搅拌下再加入酸、搅拌均匀，得到透明液，即为计 算机硬盘基片的酸洗液组合物。 本发明的酸洗液组合物特别适用于Ni-P镀敷的计算机硬盘基片化学机械抛光后 表面的清洗过程。通过所述的酸洗液组合物中各成分对抛光后硬盘基片表面的作用，可有 效降低表面纳米级微粗糙峰个数，减轻表面抛光微缺陷状况，降低表面残留颗粒，因而提高 了表面的光洁度和清洁度。
具体实施例方式
现将本发明的具体实施例叙述于后。
实施例一 本实施例中，计算机硬盘基片抛光后表面的酸洗液的组成和重量百分
含量如下 表面活性剂十二烷基聚氧乙烯醚 0.2% 缓蚀剂乌洛托品 1.5% 磷酸 5.0% 去离子水 93.3% 酸洗液的制备在机械搅拌下，依次将表面活性剂、缓蚀剂加入到去离子水中，搅 拌溶解后，搅拌下再加入酸，搅拌均匀即可，得到的为透明液。 对抛光后的Ni-P敷镀的计算机硬盘基片用上述酸洗液进行超声清洗，超声频率 100KHz，时间5分钟；然后按常规正常工艺进行清洗；最后用原子力显微镜(AFM)对表面纳 米粗糙峰个数进行测量，用液相颗粒计数仪(LPC)对表面残留颗粒进行测量。检测结果见 表1。实施例二 本实施例中，计算机硬盘基片抛光后表面的酸洗液的组成和重量百分含量
如下 表面活性剂十二烷基聚氧乙烯醚 0.2% 缓蚀剂硫脲 1.5% 磷酸+硫酸(按1 : 1重量比) 5. 0% 去离子水 93.3% 本实施例中的酸洗液制备、酸洗工艺及表面检测过程与上述实施例l相同。检测 结果见表l。 实施例三本实施例中，计算机硬盘基片抛光后表面的酸洗液的组成和重量百分
含量如下 表面活性剂吐温 0.2% 缓蚀剂苯并三氮唑 1.5% 甲酸 5.0% 去离子水 93.3% 本实施例中的酸洗液制备、酸洗工艺及表面检测过程与上述实施例l相同。检测 结果见表l。实施例四本实施例中，计算机硬盘基片抛光后表面的酸洗液的组成和重量百 分含量如下
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表面活性剂十二烷基聚氧乙烯醚硫酸钠 0.2%
缓蚀剂苯并三氮唑 1.5%
磷酸+氨基磺酸(按1 : 1重量比) 5. 0% 去离子水 93.3% 本实施例中的酸洗液制备、酸洗工艺及表面检测过程与上述实施例l相同。检测
结果见表l。为了比较酸洗液的效果，以空白去离子水作为对比例。 比较例l(空白实验) 去离子水 100% 用去离子水代替酸洗液进行超声清洗，然后按以上同样的清洗工艺进行，最后进
行同样检测，其结果见表l。 表1各实施例的检测结果
纳米粗糙 峰个数不同大小颗粒的残留个数0.20|im0.30 nm0.50 |im1.00 nm2.00 |xm
实施例1I936.51405.9930.671.880.10
实施例21375.83150.1112.530.940.19
实施例31177.4877.999.591.160.17
实施例41688.60277.0622.341.400.24
比较例14997.18407.5430.992.580.27 从表1中可见，采用本发明提供的酸洗液对抛光后的Ni-P敷镀的计算机硬盘基片 表面进行清洗处理后，再进行正常清洗，显著降低了表面纳米级粗糙峰个数，减低了表面残 留的微粒数、提高了表面清洁度。
权利要求
一种用于抛光后计算机硬盘基片的酸洗液组合物，其特征在于该酸洗液组合物具有以下的组成成分及其重量百分含量酸1～8％，缓蚀剂0.1～2.0％，表面活性剂0.05～1.0％，去离子水 余量；所述的酸为水溶性无机酸或有机酸，无机酸为磷酸、硫酸、硝酸中的任一种或两种的混合酸；有机酸为甲酸、氨基酸、乙酸、氨基磺酸中的任一种；或者为无机酸与有机酸两者配合的混合酸即磷酸加氨基磺酸；所述的缓蚀剂为水溶性有机或无机缓蚀剂，它们为乌洛托品、苯并三氮唑、硫脲、磷酸盐、硼酸盐；选择其中的任一种；所述的表面活性剂为水溶性表面活性剂，包括有十二烷基聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚硫酸盐、吐温、十二烷基聚氧乙烯醚羧酸盐；选择其中的任一种。
2. —种用于抛光后计算机硬盘基片的酸洗液组合物的制备方法，其特征在于具有以下 过程和步骤按上述配方称取各原料，在机械搅拌下，依次将表面活性剂、缓蚀剂加入到去 离子水中，待搅拌溶解后，在不断搅拌下再加入酸、搅拌均匀，得到透明液，即为计算机硬盘 基片的酸洗液组合物。酸缓蚀剂表面活性剂去离子水`2. 0%， -1. 0%，
全文摘要
本发明涉及一种用于抛光后计算机硬盘基片的酸洗液组合物，特别是一种可用于Ni-P镀敷的计算机硬盘基片抛光后表面的酸性清洗液组合物。本发明酸洗液组合物的组成及其重量百分如下酸1～8％，缓蚀剂0.1～2.0％，表面活性剂0.05～1.0％，去离子水余量。采用本发明提供的酸洗液组合物对抛光后的计算机硬盘基片进行清洗，可有效降低表面纳米级微粗糙峰个数，减轻表面抛光微缺陷状况，减少表面残留颗粒，因而可提高表面光洁度和清洁度。
文档编号C11D3/04GK101735895SQ20101002307
公开日2010年6月16日 申请日期2010年1月21日 优先权日2010年1月21日
发明者吴鑫, 布乃敬, 李虎, 蒋磊, 郝萍, 陈入领, 雷红 申请人:上海大学