专利名称：一种高稳定触发二极管的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体二极管的制造，具体地说是一种高稳定触发二极管的制造方法。
背景技术：
经检索有关专利文献，目前尚未检索到与本发明相同的一种高稳定触发二极管的制造方法。随着科技的进步，电器行业正朝着高集成、大功率的方向发展，这给二极管的品质提出了更高的要求。现有触发二极管一般采用多次玻璃烧涂和多次光刻的工艺来制作， 由于制作过程中对环境的要求高，而且成本较高，所以生产出的触发二极管的性能可靠性较低，且由于生产过程中采用的保护氮气用量较大，使得其能源消耗大；同时由于生产工艺问题，使生产出的触发二极管在高温状态下的性能不够稳定，所以有必要对现有的触发二极管的生产方法加以改进，以提高产品的性能。
发明内容
本发明的目的是要提供一种能减少氮气的使用，具有节能降耗，且性能可靠的一种高稳定触发二极管的制造方法。为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案一种高稳定触发二极管的制造方法，它包括以下步骤(1)将两铜引线电极、焊片、二极管芯片装入工夹具内，送入焊接炉加温，温度、 为290°C彡、< 305 ，温控时间、为14分钟彡16分钟，使用氮气作为焊接时的保护气体；(2)将步骤(1)的二极管材料随同焊接炉温度缓慢下降至t2为 950C^ t2彡105°C，温控时间Ii2为28分钟彡h2彡32分钟；(3)将步骤O)的二极管材料装人酸洗盘中；(4)将步骤(3)的二极管材料进行一次酸洗，酸洗液为HF HNO3 HAC H2SO4 =9 9 12 4，腐蚀去除划片机械损伤层，时间Il3为135秒彡h3彡155秒；(5)将步骤(4)的二极管材料用高纯水冲洗，冲洗时间h4为50秒彡h4 ( 70秒；(6)将步骤(5)的二极管材料进行二次酸洗，酸洗液为=H3PO4 H2O2 H2O = 1:2: 3进行清洗，温度、为58°〇彡t3<62°C，时间115为50秒彡h5<60秒；(7)将步骤(6)的二极管材料用高纯水冲洗，冲洗时间h6为50秒彡h6 ( 70秒；(8)将步骤(7)的二极管材料再经过两道高纯水超声波清洗，清洗时间117为90秒彡h7彡120秒；(9)将步骤(8)的二极管材料再经过两道无水乙醇清洗，清洗后用超声波脱水，超声波脱水时间Ii8为50秒< t!8 ^ 70秒；(10)将步骤(9)所得的二极管材料排列到铝条上；(11)将步骤(10)所得的二极管材料连同铝条放入烘箱内烘干，烘干温度t4为
3178°C^ t4 ( 182°C，烘干时间Ii9为58分钟< Ii9 ( 63分钟，去除表面残余水分；(12)将步骤(11)所得的二极管材料送入上胶机，依次对每支二极管芯片表面涂
覆一层硅绝缘胶，使其表面绝缘；(13)将步骤(12)所得的二极管材料送入烘箱内烘干，烘干温度、为 1980C^ t5彡202°C，烘干时间h1Q为8小时，使其固化；(14)将步骤(13)所得的二极管材料放置注塑模中，用环氧树脂注塑到其外围，初步成型；(15)将步骤(14)所得的二极管材料送入烘箱内烘干，烘干温度、为 178°C彡t6 ( 182°C，烘干时间hn为7小时，使其完全固化；(16)将步骤(1 所得的二极管材料的两铜线电极电镀上锡，使两电极在使用过程中易于焊接；(17)将电镀时弯曲的两电极引线抹直；(18)对部件进行检测，并包装得成品。所述的步骤(1)中的焊接炉为进口为上坡、出口为下坡的结构形式。所述的步骤(4)采取集中定点放入酸液的方法进行酸洗。所述的步骤(5)的高纯水冲洗采用扇形喷嘴进行冲洗。本发明与现有技术相比具有以下显著优点1、将焊接炉进口设计成上坡、出口设计成下坡的结构形式，使焊接时的保护气体氮气的用量明显减少，减少了能源的消耗。2、改变酸洗时的下酸方式，将现有散下式方法改为集中定点放入酸液，减小了酸的耗用，同时降低了对环境的污染，减少了对铜引线的腐蚀。3、清洗过程中采用了扇形喷嘴冲洗的方式能有效地去除杂质。4、采用两道高纯水超声波清洗，再经过两道无水乙醇清洗，清洗后用超声波脱水， 使产品高温性能大幅度地提高，尤其是在双向触发二极管的应用上尤为突出。5、由于生产的产品性能可靠，能耗小，所以有着很大的实用和推广价值。以下将对本发明进行进一步的描述
具体实施例方式一种高稳定触发二极管的制造方法，它包括以下步骤(1)将两铜引线电极、焊片、二极管芯片装入工夹具内，送入焊接炉加温，温度、 为290°C≤t1≤ 305 ，温控时间、为14分钟≤16分钟，使用氮气作为焊接时的保护气体，本实施例温度、为300认温控时间Ii1为15分钟，焊接炉为进口为上坡、出口为下坡的结构形式；(2)将步骤(1)的二极管材料随同焊接炉温度缓慢下降至t2为 950C≤t2≤105°C，温控时间Ii2为28分钟≤h2≤32分钟，本实施例温度t2为100°C，温控时间Ii2为30分钟；(3)将步骤O)的二极管材料装人酸洗盘中；(4)将步骤(3)的二极管材料进行一次酸洗，酸洗液为HF HNO3 HAC H2SO4 =9 9 12 4，腐蚀去除划片机械损伤层，时间Il3为135秒≤ｈ3≤155秒，本实施例时间Ii3为140秒，采取集中定点放入酸液的方法进行酸洗；(5)将步骤(4)的二极管材料用高纯水冲洗，冲洗时间h4为50秒彡h4 ( 70秒， 本实施例冲洗时间h4为60秒，采用扇形喷嘴进行冲洗；(6)将步骤(5)的二极管材料进行二次酸洗，酸洗液为=H3PO4 H2O2 H2O = 1:2:3进行清洗，温度t3为58°C彡t3彡62°C，时间h5为50秒彡h5彡60秒，本实施例温度t3为60°C，时间h5为55秒；(7)将步骤(6)的二极管材料用高纯水冲洗，冲洗时间h6为50秒< h6 ( 70秒， 本实施例冲洗时间h6为60秒；(8)将步骤(7)的二极管材料再经过两道高纯水超声波清洗，清洗时间117为90秒 ^h7 ^ 120秒，本实施例清洗时间h7为100秒；(9)将步骤(8)的二极管材料再经过两道无水乙醇清洗，清洗后用超声波脱水，超声波脱水时间Ii8为50秒< t!8 ^ 70秒，本实施例超声波脱水时间Ii8为60秒；(10)将步骤(9)所得的二极管材料排列到铝条上；(11)将步骤(10)所得的二极管材料连同铝条放入烘箱内烘干，烘干温度t4为 178°C^ t4 ( 182°C，烘干时间Ii9为58分钟< 1 ( 63分钟，去除表面残余水分，本实施例烘干温度t4为180°C，烘干时间Ii9为60分钟；(12)将步骤(11)所得的二极管材料送入上胶机，依次对每支二极管芯片表面涂
覆一层硅绝缘胶，使其表面绝缘；(13)将步骤(1 所得的二极管材料送入烘箱内烘干，烘干温度、为 1980C^ t5彡202°C，烘干时间h1(1为8小时，使其固化，本实施例烘干温度t5为200°C ；(14)将步骤(1 所得的二极管材料放置注塑模中，用环氧树脂注塑到其外围，初步成型；(15)将步骤(14)所得的二极管材料送入烘箱内烘干，烘干温度、为 178°C彡t6 ( 182°C，烘干时间hn为7小时，使其完全固化，本实施例烘干温度t6为180°C;(16)将步骤(1 所得的二极管材料的两铜线电极电镀上锡，使两电极在使用过程中易于焊接；(17)将电镀时弯曲的两电极引线抹直；(18)对部件进行检测，并包装得成品。
权利要求
1.一种高稳定触发二极管的制造方法，它包括以下步骤(1)将两铜引线电极、焊片、二极管芯片装入工夹具内，送入焊接炉加温，温度、为 2900C ^、( 305°C，温控时间Ii1为14分钟彡Ill ( 16分钟，使用氮气作为焊接时的保护气体；(2)将步骤⑴的二极管材料随同焊接炉温度缓慢下降至、为95°C彡105°C，温控时间h2为28分钟彡h2 ( 32分钟；(3)将步骤O)的二极管材料装人酸洗盘中；(4)将步骤(3)的二极管材料进行一次酸洗，酸洗液为HF HNO3 HAC H2SO4 = 9 9 12 4，腐蚀去除划片机械损伤层，时间Il3为135秒彡Il3彡155秒；(5)将步骤的二极管材料用高纯水冲洗，冲洗时间h4为50秒<h4 ( 70秒；(6)将步骤(5)的二极管材料进行二次酸洗，酸洗液为=H3PO4 H2O2 H2O = 1 2 3 进行清洗，温度t3为58°C彡t3 ( 62°C，时间h5为50秒彡h5 ( 60秒；(7)将步骤(6)的二极管材料用高纯水冲洗，冲洗时间h5为50秒<h6 ( 70秒；(8)将步骤(7)的二极管材料再经过两道高纯水超声波清洗，清洗时间117为90秒彡h7彡120秒；(9)将步骤(8)的二极管材料再经过两道无水乙醇清洗，清洗后用超声波脱水，超声波脱水时间Ii8为50秒< Ii8 ^ 70秒；(10)将步骤(9)所得的二极管材料排列到铝条上；(11)将步骤(10)所得的二极管材料连同铝条放入烘箱内烘干，烘干温度、为 178°C^ t4 ^ 182°C，烘干时间Ii9为58分钟< Ii9 ^ 63分钟，去除表面残余水分；(12)将步骤(11)所得的二极管材料送入上胶机，依次对每支二极管芯片表面涂覆一层硅绝缘胶，使其表面绝缘；(13)将步骤(1 所得的二极管材料送入烘箱内烘干，烘干温度t5为 1980C^ t5彡202°C，烘干时间h1Q为8小时，使其固化；(14)将步骤(1 所得的二极管材料放置注塑模中，用环氧树脂注塑到其外围，初步成型；(15)将步骤(14)所得的二极管材料送入烘箱内烘干，烘干温度t6为 178°C彡t6 ( 182°C，烘干时间hn为7小时，使其完全固化；(16)将步骤(1 所得的二极管材料的两铜线电极电镀上锡，使两电极在使用过程中易于焊接；(17)将电镀时弯曲的两电极引线抹直；(18)对部件进行检测，并包装得成品。
2.根据权利要求1所述的一种高稳定触发二极管的制造方法，其特征在于所述的步骤(1)中的焊接炉为进口为上坡、出口为下坡的结构形式。
3.根据权利要求1所述的一种高稳定触发二极管的制造方法，其特征在于所述的步骤(4)采取集中定点放入酸液的方法进行酸洗。
4.根据权利要求1所述的一种高稳定触发二极管的制造方法，其特征在于所述的步骤(5)的高纯水冲洗采用扇形喷嘴进行冲洗。
全文摘要
本发明涉及一种高稳定触发二极管的制造方法，包括焊接、一次酸洗、高纯水冲洗、二次酸洗、高纯水冲洗、两道高纯水超声波清洗、两道无水乙醇清洗、上胶、注塑等步骤；焊接炉进口设计成上坡、出口设计成下坡的结构形式，使焊接时的保护气体氮气的用量明显减少，减少了能源的消耗；将现有散下式方法改为集中定点放入酸液，减小了酸的耗用，同时降低了对环境的污染，减少了对铜引线的腐蚀；清洗过程中采用了扇形喷嘴冲洗的方式能有效地去除杂质；采用两道高纯水超声波清洗，再经过两道无水乙醇清洗，使产品高温性能大幅度地提高。
文档编号B08B3/02GK102214570SQ20101014797
公开日2011年10月12日 申请日期2010年4月4日 优先权日2010年4月4日
发明者张练佳, 梅余峰, 陈建华, 黄建山 申请人:如皋市易达电子有限责任公司