专利名称：一种双喷嘴清洗装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体晶片加工过程中对晶片清洗的设备，具体地说是一种实现对晶片表面进行优化清洗的双喷嘴清洗装置。
背景技术：
目前，在半导体晶片加工过程中需要一个高度清洁的环境以减少不必要微粒对工艺的影响。但随着精密度的不断提高，线宽的不断缩小以及洁净度的要求不断提高，不仅需要一个高洁净度的净化环境，在很多情况下还需要对晶片表面进行清洗，以满足对被处理晶片表面清洁度的要求。原来的晶片清洗方式是将晶片通过真空吸附的方式固定在承片台上，采用去离子水直接冲洗的办法对镜片表面进行清洗。这样依靠承片台带动晶片旋转时的离心力，再加上离子水的冲刷力将晶片上的微粒清除以达到清洗的目的。但是，这种方法由于去离子水直接喷射到晶片的中心位置，对边缘的清洗能力不足，使晶片的边缘处不能完全有效的将晶片表面的微粒完全冲洗掉。但随着半导体领域的进一步发展，对晶圆表面的清洁度要求越来越高，这种传统的方式已经不能满足目前一般性的生产要求。
发明内容
为了解决传统清洗方式不能完全有效地将晶片表面的微粒完全冲洗掉的问题，本发明的目的在于提供一种双喷嘴清洗装置。该清洗装置采用双喷嘴，通过调节双喷嘴之间的距离及工作时间实现对晶片表面做有效清洗的目的。本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:本发明包括喷嘴电缸、主轴马达、承片台、壳体、喷嘴臂、主轴及工作台，其中主轴马达安装在工作台上，所述主轴的一端与主轴马达的输出端相连，另一端位于安装在工作台上的壳体的内部，在主轴的另一端连接有固定及旋转晶片的承片台；所述喷嘴电缸安装在工作台的一侧，喷嘴臂的一端与喷嘴电缸连接、通过喷嘴电缸的驱动往复移动，喷嘴臂的另一端位于晶片的上方，在喷嘴臂的另一端安装有与晶片相对应的双喷嘴。其中:所述双喷嘴为第一喷嘴及第二喷嘴，第一喷嘴与第二喷嘴之间的距离可调；所述第一喷嘴位于晶片中心的正上方，第二喷嘴位于第一喷嘴的一侧；在垂直于喷嘴臂移动的方向上，所述第二喷嘴位于第一喷嘴的上方或下方，第二喷嘴与第一喷嘴之间的距离
为I，其中r为晶片半径。本发明的优点与积极效果为:1.本发明所提供的清洗装置通过在清洗过程中对喷嘴位置的控制以及晶片旋转的特点可以最大限度地满足清洗需要，实现清洗的目的，即将晶片表面的微粒全部清除。2.在本发明当主轴马达带动承片台及晶片旋转时，另一个喷嘴电缸则带动喷嘴臂使得双喷嘴在喷嘴臂的带动下做横向运动，而双喷嘴的距离可根据不同工艺需要做出任意调整。3.本发明具有结构简单、反应迅速、安装方便、价格低廉等特点。4.本发明通过调节喷嘴位置可以提高清洗效率及边缘清洗时间。
图1为本发明的结构示意图；图2为图1的俯视图；图3为本发明的结构原理图，图中的双喷嘴处于晶片清洗的最佳位置；其中:1为喷嘴电缸，2为主轴马达，3为承片台，4为壳体，5为第一喷嘴，6为第二喷嘴，7为喷嘴臂，8为晶片，9为主轴，10为工作台。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步详述。如图1、图2所示，本发明包括喷嘴电缸1、主轴马达2、承片台3、壳体4、喷嘴臂7、主轴9及工作台10，其中主轴马达2安装在工作台10上，所述主轴9的一端与主轴马达2的输出端相连，另一端安装有承片台3，晶片8固定在承片台3上，由主轴马达2驱动随承片台3—起旋转。在承片台3的外转设有安装在工作台10上的壳体4，该壳体4为圆筒形，用于收集清洗过晶片8的液体，承片台3位于壳体4内部的中间。喷嘴电缸I安装在工作台10的一侧，喷嘴臂7的一端与喷嘴电缸I连接、通过喷嘴电缸I的驱动往复移动，喷嘴臂7的另一端位于晶片8的上方，在喷嘴臂7的另一端安装有与晶片8相对应的双喷嘴。喷嘴臂7的形状为数字“7”，两条边相互垂直，其中一条边与喷嘴电缸I连接，另一条的下表面安装有双喷嘴，即第一喷嘴5和第二喷嘴6 ;第一喷嘴5和第二喷嘴6在喷嘴电缸I的驱动下做直线运动，可实现对晶片8的清洗，并且两个喷嘴的高度、转动角度、位置及两喷嘴之间的间距均可调节。第一喷嘴5位于晶片8中心的正上方，在垂直于喷嘴臂7移动的方向上，所述第二喷嘴6位于第一喷嘴5的上方或下方，第二喷嘴6与第一喷嘴5之间的距离为
，其中r为晶片半径；这样的布置可提高清洗效率及边缘清洗时间。本发明的工件原理为:启动清洗装置以后，首先是主轴马达2旋转，从而带动与其直连的承片台3旋转。这样，通过真空吸附的方式而被固定在承片台3上的晶片8旋转起来，其旋转速度及其加速度可调。此时，喷嘴电缸I启动，带动与之连接的喷嘴臂7运动，喷嘴臂上的第一、二喷嘴5、6随之运动，其运动轨迹如图2中箭头所示。当第一、二喷嘴5、6按图3中方式摆放时，即第一喷嘴5位于晶片8中心的正上方，第二喷嘴6位于第一喷嘴5的上方(此处的上方是指在垂直于喷嘴臂7移动的方向上,所述第二
喷嘴6位于第一喷嘴5的上方)，第二喷嘴6与第一喷嘴5之间的距离为I喷嘴臂7从晶片
8中心位置移动到A点时即可完成整片晶片的清洗，可节约清洗时间30%，提高清洗效率；并且第二喷嘴6清洗晶片8边缘阴影处时间为以往的2.5倍，可解决单喷嘴处于晶片中心位置对边缘的清洗能力不足，边缘处不能完全有效的将晶片表面的微粒完全冲洗掉的问题。
权利要求
1.一种双喷嘴清洗装置，其特征在于:包括喷嘴电缸(1)、主轴马达(2)、承片台(3)、壳体(4)、喷嘴臂(7)、主轴(9)及工作台(10)，其中主轴马达(2)安装在工作台(10)上，所述主轴(9)的一端与主轴马达(2)的输出端相连，另一端位于安装在工作台(10)上的壳体(4)的内部，在主轴(9)的另一端连接有固定及旋转晶片⑶的承片台(3);所述喷嘴电缸(I)安装在工作台(10)的一侧，喷嘴臂(7)的一端与喷嘴电缸(I)连接、通过喷嘴电缸(I)的驱动往复移动，喷嘴臂(7)的另一端位于晶片(8)的上方，在喷嘴臂(7)的另一端安装有与晶片(8)相对应的双喷嘴。
2.按权利要求1所述的双喷嘴清洗装置，其特征在于:所述双喷嘴为第一喷嘴(5)及第二喷嘴(6)，第一喷嘴(5)与第二喷嘴(6)之间的距离可调。
3.按权利要求2所述的双喷嘴清洗装置，其特征在于:所述第一喷嘴(5)位于晶片(8)中心的正上方，第二喷嘴(6)位于第一喷嘴(5)的一侧。
4.按权利要求3所述的双喷嘴清洗装置，其特征在于:在垂直于喷嘴臂(7)移动的方向上，所述第二喷嘴(6)位于第一喷嘴(5)的上方或下方，第二喷嘴(6)与第一喷嘴(5)之间的距离为;^，其中r为晶片半径。
全文摘要
本发明涉及半导体晶片加工过程中对晶片清洗的设备，具体地说是一种实现对晶片表面进行优化清洗的双喷嘴清洗装置，包括喷嘴电缸、主轴马达、承片台、壳体、喷嘴臂、主轴及工作台，主轴马达安装在工作台上，主轴的一端与主轴马达的输出端相连，另一端位于安装在工作台上的壳体的内部，在主轴的另一端连接有固定及旋转晶片的承片台；所述喷嘴电缸安装在工作台的一侧，喷嘴臂的一端与喷嘴电缸连接、通过喷嘴电缸的驱动往复移动，喷嘴臂的另一端位于晶片的上方，在喷嘴臂的另一端安装有与晶片相对应的双喷嘴。本发明通过在清洗过程中对喷嘴位置的控制以及晶片旋转的特点可以最大限度地满足清洗需要，实现清洗的目的，即将晶片表面的微粒全部清除。
文档编号B08B3/02GK103094148SQ20111033221
公开日2013年5月8日 申请日期2011年10月27日 优先权日2011年10月27日
发明者张浩渊 申请人:沈阳芯源微电子设备有限公司