清洗剂和碳化硅单晶基板的制造方法

清洗剂和碳化硅单晶基板的制造方法
【专利摘要】本发明提供对于利用含有锰化合物的研磨剂研磨后的碳化硅单晶基板利用安全且简便的方法有效地清洗残留、附着于基板表面的锰成分的清洗剂。本发明涉及一种清洗剂，其用于对利用含有锰化合物的研磨剂研磨后的碳化硅单晶基板进行清洗，所述清洗剂中，含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种，并且pH为6以下。
【专利说明】清洗剂和碳化硅单晶基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及清洗剂和碳化硅单晶基板的制造方法，更详细而言，涉及用于对使用含有锰化合物的研磨剂研磨后的碳化硅单晶基板进行清洗的清洗剂和使用该清洗剂进行研磨后的清洗的碳化硅单晶基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]碳化硅(SiC)半导体与硅半导体相比，击穿电场、电子饱和漂移速度和热传导率更大，因此，正在研究、开发使用碳化硅半导体来实现与现有的硅器件相比能在更高的温度下高速工作的功率器件。其中，用于驱动电动两轮车、电动汽车和混合动力汽车等的发动机的电源中使用的高效率的开关元件的开发正受到关注。为了实现这样的功率器件，需要用于通过外延生长形成品质更高的碳化硅半导体层的、表面平滑且洁净度高的碳化硅单晶基板。
[0003]近年来，碳化硅单晶基板的制造中，作为形成极平滑的基板表面的方法，正在研究化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing:以下有时称为CMP)技术。CMP是通过利用氧化等化学反应使被加工物的表面变为氧化物等并使用硬度比被加工物低的磨粒除去生成的氧化物从而对表面进行研磨的方法。该方法具有不会使被加工物的表面产生应变、可形成极平滑的面的优点。
[0004]作为上述CMP用的 研磨剂，已知含有胶态二氧化硅的PH4~9的研磨用组合物(例如参考专利文献I)。但是，利用该研磨用组合物的碳化硅单晶基板的研磨中存在研磨速度低、生产率降低的问题。为了利用高速研磨来提高生产率，提出了化学作用更强的研磨剂。具体而言，通过利用含有二氧化硅磨粒和高锰酸根离子的酸性研磨剂，实现了高研磨速度(例如参考专利文献2)。另外，提出了使用二氧化锰作为磨粒的中性至碱性的研磨剂，并实现了高研磨速度(例如参考专利文献3)。
[0005]一般而言，利用CMP的研磨后的基板表面会产生并附着有来源于研磨剂的磨粒残渣、重金属等污物。已知这些污染会导致器件的工作不良、性能下降，从而必须在研磨后清洗基板。
[0006]一直以来，作为研磨后的碳化硅单晶基板的清洗方法，广泛使用着在高温下使用在作为基质的过氧化氢中加入有强酸(硫酸、盐酸)或碱(氨)、以及氢氟酸的高浓度的药液的清洗方法、所谓的RCA(Radio Corporation of America)清洗(例如参考非专利文献1、非专利文献2)。
[0007]但是，非专利文献I和非专利文献2中记载的RCA清洗方法在高温下使用强酸、强碱性的高浓度过氧化氢、并且使用毒性高的氢氟酸，因此，不仅在作业性方面存在问题，而且需要清洗装置周边的耐腐蚀性、排气设备。另外，在清洗处理后需要利用大量的纯水进行冲洗工序，存在对环境的负荷大的问题。
[0008]近年来，针对这样的问题，正在寻求安全性更高、作业性更良好、可简化清洗装置周边的设备并且不需要利用大量纯水进行冲洗的、能够抑制环境负荷和设备成本的简便且有效的清洗方法。具体而言，正在寻求在室温下使用弱酸性至弱碱性且浓度低的药液(例如过氧化氢等)并且不使用毒性高的氢氟酸的清洗方法。
[0009]但是，在对与硅基板相比、化学反应性更低且耐化学品性更高的碳化硅单晶基板使用上述的弱酸性至弱碱性且浓度低的药液的方法中，清洗效果不充分。特别是，如专利文献2和专利文献3所记载的那样，在对利用以高浓度含有作为重金属的锰化合物的研磨剂进行研磨后的碳化硅单晶基板在室温下使用弱酸性至弱碱性且浓度低的过氧化氢的简便的清洗方法中，将由锰成分的附着引起的金属污染除去的效果不充分。因此，存在无法将清洗后的基板用于器件制作的问题。
[0010]现有技术文献
[0011]专利文献
[0012]专利文献1:日本特开2005-117027号公报
[0013]专利文献2:日本特开2009-238891号公报
[0014]专利文献3:日本特开2011-122102号公报
[0015]非专利文献
[0016]非专利文献I:RCA Review, p.187，1970 年 6 月
[0017]非专利文献 2:《平成15年度新二彳、> ￥ —.産業技術総合開発機構委託業務調查研究報告書s i C半導体/ r K 4 ^事業化?普及戦略^係t 3調查研究(2003年新能源产业技术综合开发机构委托业务调查研究报告书SiC半导体/器件商业化、普及战略相关的调查研究)》40页、财团法人新功能元件研究开发协会

【发明内容】

[0018]发明所要解决的问题
[0019]本发明为了解决这样的问题而完成，其目的在于提供在利用显示出高研磨速度且含有锰化合物的研磨剂对碳化硅单晶基板进行研磨后利用安全且简便的方法有效地清洗残留、附着于基板表面的锰成分的清洗剂。另外，本发明的目的在于提供利用这样的清洗剂进行清洗来制造没有锰等金属污染的碳化硅单晶基板的方法。
[0020]用于解决问题的手段
[0021]本发明的清洗剂用于对利用含有锰化合物的研磨剂研磨后的碳化硅单晶基板进行清洗，其中，含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种，并且pH为6以下。
[0022]本发明的清洗剂中，优选所述研磨剂含有选自由二氧化锰、三氧化二锰和高锰酸根离子组成的组中的至少一种。另外，本发明的清洗剂的PH优选为5以下。另外，所述抗坏血酸和所述异抗坏血酸相对于所述清洗剂整体的含有比例的合计优选为0.1质量％以上且50质量％以下。
[0023]本发明的碳化硅单晶基板的制造方法包括使用含有锰化合物的研磨剂对碳化硅单晶基板进行研磨的研磨工序、和在该研磨工序后使用清洗剂对所述碳化硅单晶基板进行清洗的清洗工序，所述制造方法中，使用所述的本发明的清洗剂作为所述清洗剂。
[0024]本发明的碳化硅单晶基板的制造方法中，优选所述研磨剂含有选自由二氧化锰、三氧化二锰和高锰酸根离子组成的组中的至少一种。另外，所述清洗剂的pH优选为5以下。另外，所述清洗剂中，所述抗坏血酸和所述异抗坏血酸的含有比例的合计优选为0.1质量％以上且50质量％以下。
[0025]需要说明的是，本发明中，“锰化合物”不仅包括含有锰且不带有电荷的共价性化合物，而且还包括带有电荷的化合物离子。
[0026]发明效果
[0027]根据本发明的清洗剂，使用含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种且pH为6以下的液体对利用含有锰化合物且具有高研磨速度的研磨剂研磨后的碳化硅单晶基板进行清洗，由此，能够在将附着在碳化硅单晶基板上的锰化合物等含有锰的成分(以下也称为锰成分)溶解的同时进行清洗，从而将其有效地除去。
[0028]而且，根据包括利用这样的清洗剂的清洗工序的本发明的碳化硅单晶基板的制造方法，能够在清洗工序中将附着在碳化硅单晶基板上的上述锰化合物等锰成分有效地除去，因此，能够利用显示出高研磨速度且具有锰化合物的研磨剂进行研磨。而且，可以得到没有锰等金属污染的碳化硅单晶基板，可以制造特性优良的器件。另外，本发明的清洗剂被调节为PH6以下的较宽的pH，并且以较低的浓度含有抗坏血酸等且不含有毒性高的成分，因此，可以大幅减轻作业性和清洗装置周边的排气设备等的负荷以及需要大量纯水的冲洗工序的负荷。
【专利附图】

【附图说明】
[0029]图1是表示能够在本发明的实施方式中使用的研磨装置的一例。
【具体实施方式】 [0030]以下对本发明的实施方式进行说明。
[0031]本发明的实施方式的碳化硅单晶基板的制造方法包括使用含有锰化合物的研磨剂对碳化硅单晶基板进行研磨的研磨工序和使用清洗剂对该研磨工序后的碳化硅单晶基板进行清洗的清洗工序。而且，使用本发明的清洗剂即含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种且pH为6以下的清洗液作为清洗剂进行清洗。
[0032]首先，对本发明的碳化硅单晶基板的制造方法进行说明，接着，对该制造方法中清洗工序中使用的清洗剂进行说明。
[0033][研磨工序]
[0034]本发明的碳化硅单晶基板的制造方法包括使用含有锰化合物的研磨剂进行研磨的研磨工序。
[0035](研磨剂)
[0036]研磨剂中含有的锰化合物优选为选自由二氧化锰、三氧化二锰和高锰酸根离子组成的组中的至少一种。优选在研磨剂中含有二氧化锰和三氧化二锰作为磨粒。作为磨粒含有的二氧化锰和三氧化二锰的平均粒径优选为0.05 μ m~3.0 μ m，更优选为0.1 μ m~LOym0在平均粒径小于0.05 μ m时，对碳化硅单晶基板的研磨速度低，在平均粒径超过
3.0ym时，存在磨粒的分散性差、容易在基板表面产生伤痕的问题。本说明书中，平均粒径通过激光衍射/散射式粒径分布测定法进行测定，是指体积基准的累计百分率中的50%直径的D5tl。
[0037]另外，作为磨粒含有的二氧化锰和三氧化二锰相对于研磨剂整体的含有比例(浓度)以二氧化锰和三氧化二锰的合计计优选为0.1质量％以上且30质量％以下，更优选为I质量％以上且20质量％以下。二氧化锰和三氧化二锰的含有比例(浓度)以合计计低于0.1质量％时，对碳化硅单晶基板的研磨速度低，超过30质量％时，存在磨粒难以分散并且成本增高的问题。
[0038]研磨剂中含有的锰化合物中，高锰酸根离子作为碳化硅单晶的氧化剂发挥作用，提闻碳化娃单晶基板的CMP的速度。作为闻猛酸根尚子的供给源，可优选列举闻猛酸钟、闻锰酸钠等高锰酸盐。在研磨剂含有高锰酸根离子的情况下，作为磨粒，可以含有上述二氧化锰、三氧化二锰、二氧化硅、二氧化铈、氧化铝、氧化锆、二氧化钛、氧化铁、氧化铬等粒子。作为磨粒的平均粒径和含有比例(浓度)，优选与上述二氧化锰和三氧化二锰同样的范围。
[0039]另外，在研磨剂含有高锰酸根离子的情况下，可以实质上不含有磨粒，可以以研磨液的形式使用。关于研磨剂中高锰酸根离子的含有比例(浓度)，不论有无磨粒都优选为0.01质量％~7.5质量％，更优选为0.05质量％~5质量％。在高锰酸根离子的含有比例(浓度)低于0.01质量％时，基板表面的氧化反应不充分，研磨速度降低。在超过7.5质量％时，高锰酸根离子以盐的形式析出，析出的盐有可能造成基板表面的伤痕等的产生。 [0040]本发明的实施方式中，研磨工序中使用的研磨剂优选含有水作为分散介质。水是用于使磨粒稳定地分散并且将作为氧化剂的上述高锰酸根离子和根据需要添加的后述任意成分分散、溶解的介质。对于水没有特别限制，从对配合成分的影响、杂质的混入、对PH等的影响的观点出发，优选为纯水、超纯水、离子交换水(去离子水)。
[0041]另外，研磨剂可以含有pH调节剂、润滑剂、分散剂等。作为pH调节剂，可举出酸或碱性化合物。作为酸，可使用:硝酸、硫酸、磷酸、盐酸等无机酸，甲酸、乙酸、丙酸、丁酸等饱和羧酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸等羟基酸、邻苯二甲酸、水杨酸等芳香族羧酸、草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、富马酸、马来酸等二元羧酸、氨基酸、杂环类羧酸等有机酸。优选使用硝酸和磷酸，特别优选使用硝酸。作为碱性化合物，可使用氨、氢氧化锂、氢氧化钾、氢氧化钠、四甲基铵等季铵化合物，单乙醇胺、乙基乙醇胺、二乙醇胺、丙二胺等有机胺。优选使用氢氧化钾、氢氧化钠，特别优选氢氧化钾。
[0042]分散剂是为了使磨粒等稳定地分散在纯水等分散介质中而添加的物质。另外，润滑剂适度地调节与研磨对象物之间产生的研磨应力，能够进行稳定的研磨。作为分散剂和润滑剂，可使用阴离子型、阳离子型、非离子型、两性的表面活性剂、多糖类、水溶性高分子等。作为表面活性剂，可使用:具有脂肪族烃基、芳香族烃基作为疏水基团且在这些疏水基团内引入有I个以上的酯、醚、酰胺等键合基团、酰基、烷氧基等连接基团的表面活性剂；包含羧酸、磺酸、硫酸酯、磷酸、磷酸酯、氨基酸作为亲水基团的表面活性剂。作为多糖类，可使用褐藻酸、果胶、羧甲基纤维素、凝胶多糖、普鲁兰多糖、黄原胶、角叉菜胶、结冷胶、刺槐豆胶、阿拉伯胶、罗望子胶、车前子胶等。作为水溶性高分子，可使用聚丙烯酸、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚天冬氨酸、聚谷氨酸、聚乙撑亚胺、聚烯丙胺、聚苯乙烯磺酸等。在使用分散剂和润滑剂时，其含有比例相对于研磨剂整体优选分别在0.001~5质量％的范围内。
[0043](研磨方法)
[0044]作为使用上述含有锰化合物的研磨剂对作为研磨对象物的碳化硅单晶基板进行研磨的方法，优选在向研磨垫供给研磨剂的同时使研磨对象物的被研磨面与研磨垫接触并通过两者间的相对运动进行研磨的方法。需要说明的是，“被研磨面”是指研磨对象物的被研磨的面，例如指表面。
[0045]在该研磨方法中，作为研磨装置，可使用现有公知的研磨装置。图1中示出可以在本发明的实施方式中使用的研磨装置的一例，但本发明的研磨工序中使用的研磨装置不限定于这样的结构的研磨装置。
[0046]图1所示的研磨装置10中，以可在其垂直的轴心Cl周围旋转地被支撑的状态设置有研磨平台1，该研磨平台I利用平台驱动电动机2沿图中箭头所示的方向旋转驱动。在该研磨平台I的上表面粘贴有公知的研磨垫3。
[0047]另一方面，在研磨平台I上的偏离轴心Cl的位置，在下表面利用吸附或保持框等保持SiC单晶基板等研磨对象物4的基板保持构件(载体)5以可在其轴心C2的周围旋转且可沿轴心C2方向移动的方式支撑。该基板保持构件5以利用未图示的工件驱动电动机或利用来自上述研磨平台I的旋转力矩而沿箭头所示的方向旋转的方式构成。在基板保持构件5的下表面即与上述研磨垫3相对的面上保持有研磨对象物4。研磨对象物4以预定的负荷按压在研磨垫3上。
[0048]另外，在基板保持构件5的附近设置有滴流喷嘴6等，从未图示的罐送出的本发明的研磨剂(以下也称为研磨液)7供给至研磨平台I上。
[0049]在用这样的研磨装置10进行研磨时，在利用平台驱动电动机2及工件驱动电动机使研磨平台I及粘贴在其上的研磨垫3以及基板保持构件5及保持在其下表面的研磨对象物4在各自的轴心周围旋转的状态下，将研磨液7从滴流喷嘴6等供给到研磨垫3的表面上，同时将保持于基板保持构件5的研磨对象物4按压到该研磨垫3上。由此，将研磨对象物4的被研磨面、即与研磨垫3相对的面进行化学机械研磨。
[0050]基板保持构件5不仅可以进行旋转运动，也可以进行直线运动。另外，研磨平台I及研磨垫3也可以不进行旋转运动，例如可以以带式在一个方向上移动。
[0051]对于利用这样的研磨装置10的研磨条件，没有特别限定，通过对基板保持构件5施加负荷而按压到研磨垫3上，能够进一步提高研磨压力，能够提高研磨速度。研磨压力优选为约5kPa~约80kPa，从被研磨面内的研磨速度的均匀性、平坦性、防止划痕等研磨缺陷的观点考虑，更优选为约IOkPa~约50kPa。研磨平台I及基板保持构件5的转速优选为约50rpm~约500rpm,但不限于此。另外，关于研磨液7的供给量,根据被研磨面的构成材料、研磨液的组成、上述研磨条件等适当调节来选择。
[0052]作为研磨垫3，可以使用一般的由无纺布、发泡聚氨酯、多孔质树脂、非多孔质树脂等构成的研磨垫。另外，为了促进向研磨垫3供给研磨液7或者在研磨垫3积存一定量的研磨液7，可以对研磨垫3的表面实施格子状、同心圆状、螺旋状等的槽加工。此外，根据需要，也可以使垫调节器接触研磨垫3的表面，在进行研磨垫3表面的调节的同时进行研磨。 [0053][清洗工序]
[0054]本发明的碳化硅单晶基板的制造方法中，使用上述的含有锰化合物且具有高研磨速度的研磨剂对碳化硅单晶基板进行研磨后，使用含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种且PH为6以下的清洗剂对研磨后的碳化硅单晶基板进行清洗。通过使用上述清洗剂对碳化硅单晶基板进行清洗，可以使在研磨工序中附着在基板上的锰化合物等锰成分溶解从而将其有效地除去。[0055](清洗剂)
[0056]本发明的清洗剂含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种且pH为6以下。
[0057]含有抗坏血酸和/或异抗坏血酸的清洗剂对附着在碳化硅单晶基板上的锰化合物等锰成分显示出高的清洗、除去效果的理由还不明确，但可认为:抗坏血酸和异抗坏血酸具有充分的还原性，可将附着在研磨后的碳化硅单晶基板的表面上的锰化合物等还原为更易溶解的价数的锰离子，由此表现出高清洗效果。另外可认为:抗坏血酸和异抗坏血酸与锰离子形成络合物，由此，可以防止溶出到液体中的锰离子的再附着，从而可有效地将锰成分排出，因此，从这一点而言也可表现出高清洗效果。
[0058]抗坏血酸和异抗坏血酸相对于清洗剂整体的含有比例(浓度)以抗坏血酸和异抗坏血酸的合计计优选为0.1质量％以上且50质量％以下,更优选为0.25质量％以上且25质量％以下，进一步优选为0.5质量％以上且10质量％以下。抗坏血酸和异抗坏血酸相对于清洗剂整体的含有比例以合计计低于0.1质量％时，清洗效果不充分，超过50质量％时，抗坏血酸和异抗坏血酸的溶解可能会变得不充分，从而析出物残留在基板表面上。
[0059]本发明的清洗剂优选含有水作为抗坏血酸和异抗坏血酸的溶剂。作为水，可举出例如去离子水、超纯水、电荷离子水、氢水和臭氧水等。需要说明的是，水具有控制本发明的清洗剂的流动性的功能，因此其含量可以根据清洗速度等目标清洗特性而适当设定。水的含量通常优选设定为清洗剂整体的50~99.5质量％。
[0060]作为本发明的实施方式的含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种的清洗剂，其液体的PH为6以下的宽pH范围，对锰化合物等具有一定以上的清洗效果，清洗剂的pH优选为5以下，更优选为3以下。清洗剂的pH超过6时，对锰化合物等的清洗效果不充分。 [0061]本发明的清洗剂可以含有清洗辅助剂。作为清洗辅助剂，可举出例如用于降低表面张力的表面活性剂、多糖类、水溶性高分子、用于使PH保持稳定的具有缓冲效果的酸。
[0062]作为用于降低表面张力的清洗辅助剂，可使用例如阴离子型、阳离子型、非离子型、两性的表面活性剂、多糖类、水溶性高分子等。作为表面活性剂，可使用具有脂肪族烃基、芳香族烃基作为疏水基团且在这些疏水基团内引入有I个以上的酯、醚、酰胺等键合基团、酰基、烷氧基等连接基团的表面活性剂；包含羧酸、磺酸、硫酸酯、磷酸、磷酸酯、氨基酸作为亲水基团的表面活性剂。作为多糖类，可使用褐藻酸、果胶、羧甲基纤维素、凝胶多糖、普鲁兰多糖、黄原胶、角叉菜胶、结冷胶、刺槐豆胶、阿拉伯胶、罗望子胶、车前子胶等。作为水溶性高分子，可使用聚丙烯酸、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚天冬氨酸、聚谷氨酸、聚乙撑亚胺、聚烯丙胺、聚苯乙烯磺酸等。
[0063]另外，作为用于使pH保持稳定的具有缓冲效果的酸，可举出例如pKa为2~5且具有I个以上的羧酸基的酸。具体而言，可举出柠檬酸，但也可以使用除此以外的大部分有机酸。
[0064](清洗方法)
[0065]清洗工序中，优选使上述清洗剂与碳化硅单晶基板直接接触来进行清洗。作为使清洗剂与基板直接接触的方法，可举出例如:将清洗剂充满清洗槽并在其中放入基板的浸溃式清洗、从喷嘴向基板喷射清洗剂的方法和使用聚乙烯醇制等的海绵的擦洗等。本发明的清洗剂可以应用于上述中的任意一种方法，从可以进行更有效的清洗的观点出发，优选并用超声波清洗的浸溃式清洗。[0066]清洗工序中，使清洗剂与碳化硅单晶基板接触的时间优选为30秒以上。通过设定为30秒以上，可以得到充分的清洗效果。
[0067]清洗工序中，清洗剂的温度可以为室温，也可以加热到约40°C~约80°C后使用，但优选设定为80°C以下。通过使清洗剂的温度为80°C以下，可以防止抗坏血酸发生热分解。另外，在装置的构成方面，若清洗剂达到接近100°C的温度，则会由于水的蒸发而难以控制pH，因此优选设定为80°C以下。
[0068]根据这样的清洗工序，使用含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种且pH为6以下的洗涤剂对利用含有锰化合物且具有高研磨速度的研磨剂研磨后的碳化硅单晶基板进行清洗，由此，能够在将附着在基板上的锰化合物等锰成分溶解的同时进行清洗，从而将其有效地除去。而且，使用本发明的清洗剂的清洗方法与现有的RCA清洗相比，可以实现同等或更高的锰化合物除去率(例如、锰除去率为99%以上)。
[0069]另外，根据包括利用本发明的清洗剂进行的清洗工序的本发明的碳化硅单晶基板的制造方法，可以在清洗工序中有效地将附着在基板上的锰化合物等锰成分除去，因此，能够利用显示出高研磨速度的含有锰化合物的研磨剂进行研磨。另外，能够通过安全且简便的方法得到与RCA清洗同等以上的洁净度的碳化硅单晶基板，能够制成特性良好的半导体器件。
[0070]实施例
[0071]以下通过实施例和比较例更具体地说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。例I~5、例10和例11为本发明的实施例，例6~9和例12为比较例。
[0072]例I ~12
[0073](I)清洗剂的制备
[0074]按照以下所示的方式制备表1所示的组成的清洗剂。
[0075]例I~4和例8~11中，在纯水中添加表1所示的各添加剂以达到该表所示的含有比例(浓度)，搅拌约5分钟而使添加剂溶解。例5~7中，在纯水中添加表1所示的各添加剂以达到该表所示的含有比例(浓度)，搅拌约5分钟而使添加剂溶解后，添加作为pH调节剂的氢氧化钾，调节到表1所示的预定的pH。例12中，在纯水中添加过氧化氢以达到表1所示的含有比例(浓度)，搅拌约5分钟后，添加作为pH调节剂的盐酸，调节至pH3。需要说明的是，各清洗剂的PH使用横河电机公司制的pHSl-ll在25°C下进行测定。
[0076]表1
【权利要求】
1.一种清洗剂，其用于对利用含有锰化合物的研磨剂研磨后的碳化硅单晶基板进行清洗，所述清洗剂中， 含有抗坏血酸和异抗坏血酸中的至少一种，并且pH为6以下。
2.如权利要求1所述的清洗剂，其中， 所述研磨剂含有选自由二氧化锰、三氧化二锰和高锰酸根离子组成的组中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的清洗剂，其中，pH为5以下。
4.如权利要求1~3中任一项所述的清洗剂，其中， 所述抗坏血酸和所述异抗坏血酸相对于所述清洗剂整体的含有比例的合计为0.1质量％以上且5 0质量％以下。
5.一种碳化硅单晶基板的制造方法，其包括使用含有锰化合物的研磨剂对碳化硅单晶基板进行研磨的研磨工序、和在该研磨工序后使用清洗剂对所述碳化硅单晶基板进行清洗的清洗工序，所述制造方法中， 使用权利要求1所述的清洗剂作为所述清洗剂。
6.如权利要求5所述的碳化硅单晶基板的制造方法，其中， 所述研磨剂含有选自由二氧化锰、三氧化二锰和高锰酸根离子组成的组中的至少一种。
7.如权利要求5或6所述的碳化硅单晶基板的制造方法，其中， 所述清洗剂的PH为5以下。
8.如权利要求5~7中任一项所述的碳化硅单晶基板的制造方法，其中， 所述清洗剂中所述抗坏血酸和所述异抗坏血酸的含有比例的合计为0.1质量％以上且50质量％以下。
【文档编号】C11D7/26GK103987832SQ201280061689
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2012年11月21日 优先权日:2011年12月14日
【发明者】吉田伊织, 宫谷克明 申请人:旭硝子株式会社