清洁foup的系统和方法

清洁foup的系统和方法
【专利摘要】一种用于清洁容器，诸如，半导体晶圆载体的系统包括壳体、壳体中的清洁单元、壳体内的分析单元以及壳体内的真空单元。该清洁单元包括清洁室且被配置成向清洁室中的容器中喷洒清洁介质并且干燥该容器。该分析单元被配置成对从清洁室中出来的容器内的空气进行分析且为可能的空气传播的分子污染（AMC）和湿气的每种成分提供检验结构。该真空单元包括被配置成当成分的检测结果高于相应的阈值时向容器施加真空的真空室。本发明还提供了一种清洁FOUP的系统和方法。
【专利说明】清洁FOUP的系统和方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及的是用于半导体的设备和工艺。更具体地，所公开的主题涉及的是清洁容器，诸如，前端开启式晶圆传送盒(FOUP)的系统和方法。
【背景技术】
[0002]在整个半导体制造设备(“fab”)中，在不同晶圆处理工具或设备的装载端口之间通常通过晶圆载体来分批地传送和存储多个晶圆。这种工具通常执行多种使用在IC芯片制造中的工艺，如光刻、蚀刻、材料/膜沉积、固化、退火、检查或其他工艺。一种这种晶圆载体是前端开启式晶圆传送盒(FOUP)，这种晶圆载体是被设计成在受控环境下持有多个尺寸在300mm至450mm范围内的晶圆的塑料壳体。通常，每个晶圆载体均持有大约25个晶圆。各个晶圆均垂直地堆叠在FOUP中且存储在具有多个分离的晶圆架或槽的晶圆支撑框架中。

【发明内容】

[0003]为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种系统，包括:壳体；清洁单元，位于所述壳体中，所述清洁单元包括位于其中的清洁室，所述清洁室被配置成向所述清洁室中的容器喷洒清洁介质并且干燥所述容器；分析单元，位于所述壳体内，所述分析单元被配置成对从所述清洁室中出来的所述容器内的空气进行分析，并且为可能的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分提供检测结果；以及真空单元，位于所述壳体内，所述真空单元包括真空室，所述真空室被配置成当成分的所述检测结果高于相应阈值时向容器施加真空。
[0004]在所述系统中，所述容器是前端开启式晶圆传送盒(F0UP)。
[0005]在所述系统中，所述真空单元被配置成将所述容器容纳在所述真空室内，并且对所述容器的内部和外部施加真空。
[0006]在所述系统中，进一步包括:至少一个装载端口，被配置成提供容器；设备前端模块(EFEM)，与所述至少一个装载端口相连接；门打开区域，与所述EFEM相连接；以及门关闭区域，与所述EFEM相连接。
[0007]在所述系统中，进一步包括:缓冲站，位于所述门打开区域和所述清洁单元的所述清洁室之间，并且部分地连接在所述分析单元和所述门关闭区域之间，其中，所述缓冲站被配置成将所述容器移动到所述清洁室内以及还被配置成如果成分的所述检测结果不高于相应阈值，则将所述容器从所述分析单元移动到所述门关闭区域。
[0008]在所述系统中，所述清洁单元包括被配置成在所述容器内喷洒所述清洁介质的至少一个喷嘴。
[0009]在所述系统中，所述清洁单元进一步包括被配置成在所述容器内喷射气体的至少一个喷嘴。
[0010]在所述系统中，被配置成喷洒所述清洁介质的至少一个喷嘴与被配置成喷射所述气体的至少一个喷嘴相同。
[0011 ] 在所述系统中，所述清洁单元进一步包括被配置成加热所述清洁室中的所述容器的加热器。
[0012]根据本发明的另一方面，提供了一种用于清洁前端开启式晶圆传送盒(FOUP)的装置，包括:壳体；清洁单元，位于所述壳体中，所述清洁单元包括清洁室，所述清洁室被配置成向所述清洁室中的容器中喷洒清洁介质并且干燥所述容器；分析单元，位于所述壳体内，所述分析单元与所述清洁单元相连接，并且被配置成对从所述清洁室中出来的所述容器内的空气进行分析并且为可能的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分提供检测结果；以及真空单元，位于所述壳体内，所述真空单元包括与所述分析单元相连接的真空室，并且所述真空室被配置成当成分的所述检测结果高于相应阈值时对容器施加真空。
[0013]在所述装置中，所述清洁单元包括至少一个被配置成在所述容器内喷洒所述清洁介质的喷嘴。
[0014]在所述装置中，所述清洁单元进一步包括至少一个被配置成在所述容器内喷射气体的喷嘴。
[0015]在所述装置中，进一步包括:至少一个装载端口，被配置成提供容器；设备前端模块(EFEM)，与所述至少一个装载端口相连接；门打开区域，与所述EFEM相连接；以及门关闭区域，与所述EFEM相连接。
[0016]在所述装置中，进一步包括:缓冲站，位于所述门打开区域和所述清洁单元的所述清洁室之间，并且部分地连接在所述分析单元和所述门关闭区域之间，其中，所述缓冲站被配置成将所述容器移动到所述清洁室内并且还被其配置成如果成分的所述检测结果不高于相应阈值，则将所述容器从所述分析单元移动到所述门关闭区域中。
[0017]根据本发明的又一方面，提供了一种清洁容器的方法，包括:在清洁单元的清洁室内清洁容器；在清洁所述容器之后，在与所述清洁单元相连接的分析单元中分析所述容器内的空气，从而为可能的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分提供相应的检测结果；以及确定所述成分之一的所述检测结果是否高于相应阈值，其中，如果所述成分之一的所述检测结果不高于其相应阈值，则释放所述容器用于半导体处理；如果所述成分之一的所述检测结果高于其相应阈值，则随后将所述容器提供至真空单元的真空室内并且对所述容器施加真空，从而使得AMC和湿气的每种成分均低于相应阈值。
[0018]在所述方法中，所述相应阈值包括在预定具体值集合内，所述预定具体值集合包括:低于按体积计算十亿分之十五(15ppbv)的酸含量；低于20ppbv的HF含量；低于1.0ppbv的SO2含量；低于20ppbv的胺含量；低于lOOOppbv的挥发性有机物含量；以及低于55%的相对湿气等级。
[0019]在所述方法中，所述容器位于所述真空室内，并且向所述容器的内部和外部均施
加真空。
[0020]在所述方法中，清洁位于所述清洁室内的所述容器的步骤包括:向所述容器中喷洒清洁介质；以及干燥所述容器。
[0021]在所述方法中，清洁位于所述清洁室内的所述容器的步骤进一步包括:向所述容器的外壁喷洒所述清洁介质。
[0022]在所述方法中，干燥所述容器的步骤包括:向所述容器中喷射惰性气体、向所述容器内喷射热空气和以升高的温度加热所述容器中的至少一种处理。
【专利附图】

【附图说明】
[0023]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据通用实践，图中的各种部件没必要按比例绘制。反之，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。在整个说明书和附图中，类似的参考标号表示了类似的部件。
[0024]图1是示出了用于清洁FOUP的程序的框图；
[0025]图2是示出了根据一些实施例的用于清洁容器，诸如，FOUP的系统或设备的框图；
[0026]图3是示出了根据一些实施例的用于清洁容器，诸如，FOUP的示例性系统或设备的俯视图；
[0027]图4是根据一些实施例的包括清洁室的示例性清洁单元的示意性截面图；
[0028]图5是根据一些实施例的包括分析室的示例性分析单元的示意性截面图；
[0029]图6是根据一些实施例的包括真空室的示例性真空单元的示意性截面图；
[0030]图7是示出了根据一些实施例的一种用于清洁容器的流程图，诸如，FOUP的方法；
[0031]图8是示出了根据一些实施例的一种用于清洁和干燥容器的流程图，诸如，FOUP的方法。
【具体实施方式】
[0032]对于示例性实施例的描述旨在接合附图进行阅读，附图被认为是整个书面描述的一部分。在该说明中的相对关系术语，诸如，“下面的”、“上面的”、“水平的”、“垂直的“、“在…上面”、“在…下面”、“向上的”、“向下的”、“顶部”和“底部”以及其派生词(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)与随后所描述的或在论述过程中视图所示出的方向相关。这些相对关系术语旨在更容易地描述，并不要求部件按此特定的方向装配或操作。除非另有明确说明，否则这些涉及了连接，耦合等的术语(诸如“连接的”和“互连的”)涉及的是彼此直接固定或连接或通过中间结构间接地固定或连接的结构之间的关系，以及两者可移动或不可移动的连接或关系。
[0033]增大半导体晶圆的尺寸提高了生产力且降低了每个管芯的成本。例如，在将晶圆尺寸从300mm转变成450mm时，晶圆区域增大了 125%。对于两倍以上大小的晶圆而言，为了避免产生任何缺陷，时刻对晶圆周围的的空间(包括FOUP内部)中的晶圆环境进行控制变得更为关键。在使用之后，FOUP可能包括从建筑材料中排放到净室、晶圆处理设备、处理后的晶圆以及使用在晶圆处理过程中的化学药品中的空气传播的分子污染(AMC)。AMC和其他污染可以直接影响晶圆处理或与环境中的水气或其他材料相反应从而在晶圆上沉积微粒污染。
[0034]本发明提供的是用于清洁容器，诸如，半导体晶圆载体的系统和方法。容器的实例包括但不限于用于承载300mm或450mm的晶圆的FOUP。在使用之后，FOUP可能包括空气传播的分子污染(AMC)，它可能影响半导体处理或与水气发生反应从而在FOUP的内壁上沉积微粒污染，并且该微粒污染可能随后沉积在晶圆上。因此，需要定期地清洁FOUP来减少或消除任何可能的污染。[0035]参考图1，框图100示出了根据本发明的多个实施例清洁FOUP的程序。可能包含AMC/湿气的未清洁的FOUP(如框102中所示)被传送给FOUP清洁站(如框104中所示)。在清洁之后，可以通过自动化物料搬运系统(AMHS)将FOUP传送给具有AMC/湿气监测器的检测站(如框106中所示)。FOUP中可能存在的AMC和湿气的组分和成分随后被测量出来。检测结果将与一组预先确定的标准相比较(如框108所示)。如果检测结果符合预先确定的标准的话，那么可以将该FOUP释放用于半导体处理或生产(如框110中所示)。如果检测结果不符合预先确定的标准的话，那么该FOUP将被留下进行进一步清洁(如框112中所示)。这个FOUP可以被送回到清洁站(框104)中。可以通过操作人员手动地或在清洁装置上自动地再次清洁该F0UP。在再次清洁之后，该FOUP随后移动到检测站(框106)直至其符合预先确定标准为止并且将其释放用于生产半导体的工艺(框110)。在一些情况下，在不同站点中的这些步骤可能导致额外的污染。
[0036]然而，发明人发明了另一种更为高效的清洁和处理晶圆载体(诸如，F0UP)的程序。为此，根据以下所述的实施例，发明人发明了用于清洁容器的系统和方法。
[0037]在图2-图6中，以类似的参考标号代表类似的术语，简明起鉴，以上参考之前的附图而提供的结构说明将不再重复。参考图2-图6中所述的示例性系统或装置来阐述图7-图8所述的方法。
[0038]参考图2，框图200示出了根据一些实施例的用于清洁容器312的系统或装置的工作原理。在一些实施例中，容器312是前端开启式晶圆传送盒(F0UP)。图3是在一些实施例中的用于清洁容器(诸如，FOUP)的示例性系统或装置300的俯视图。如图2中从框202至框204所示，未清洁的FOUP被移动到了系统300的清洁单元320中。
[0039]参考图3，在一些实施例中，系统300包括壳体301、清洁单元320、分析单元340以及真空单元360。清洁单元320、分析单元340和真空单元360处在壳体301之内。
[0040]在一些实施例中，清洁单元320包括清洁室321且被配置成向处在清洁室321中的容器312中喷洒清洁介质327并且干燥容器321。图4是根据一些实施例的包括清洁室321的示例性清洁单元370的示意性截面图。
[0041]如图4所示，在一些实施例中，清洁单元320包括至少一个喷嘴318，该喷嘴被配置成在容器312内部喷洒清洁介质327。容器312 (诸如，F0UP)可以具有前开口。可以用机器人控制该至少一个喷嘴318且将其配置成伸入到容器312的前开口中并且围绕着容器312的内轮廓运动。在一些实施例中，为了所述这种运动和喷洒，至少一个喷嘴318可以与电动机326和促动器相连接。适合的清洁介质327的实例包括但不限于过滤的去离子水或超纯水。在一些实施例中，适合的喷洒清洁介质327可以任选地包括表面活性剂、溶剂或其他适合的化学品。在0.1微米或更小(例如,50nm)的条件下过滤清洁介质327从而去除任意可能的微粒污染。在一些实施例中，至少一个喷嘴318还可以围绕着容器312的外轮廓喷洒清洁介质327。在其他实施例中，清洁单元320可以包括至少一个额外的喷嘴(未示出)来围绕着容器312的外轮廓喷洒清洁介质327。在如所述那样进行喷洒之后，在一些实施例中，源于容器312内部和外部的清洁介质327可以被分开从而避免交叉污染。
[0042]在一些实施例中，清洁单元320进一步包括至少一个被配置成在容器312内部喷射气体329的喷嘴322。在一些实施例中，为了如所述那样沿着容器312的内部移动和喷射气体329，该至少一个喷嘴322可以与电动机328或促动器(未示出)相连接。适合的气体329的实例包括但不限于惰性气体，诸如，氮气和热空气。在一些实施例中，惰性气体或空气的温度可以在25°C至80°C的范围内，例如，60°C。在一些实施例中，至少一个喷嘴318(被配置成喷洒清洁介质327)是与至少一个被配置成喷射气体329的喷嘴322相同的喷嘴。在一些实施例中，至少一个喷嘴322也可以在容器312的外轮廓周围喷射气体329。
[0043]在一些实施例中，清洁单元320可以进一步包括被配置成加热清洁室321中的容器312的加热器324。加热器324的温度的实例可以在25°C至80°C的范围内，例如，60°C。在一些实施实例中，在加热之后，容器312可以被冷却至环境温度。在一些实施例中，容器312 (诸如，FOUP)设置在支撑件314上方且在清洁和干燥步骤过程中借助与支撑件314相连接的电动机316随意地旋转。
[0044]参考图3，壳体301内的分析单元340被配置成对从清洁室321中出来的容器312中的空气进行分析且为可能的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分提供检测结果。如图2中从框204至206所示的那样，在清洁单元320中清洁之后，每个容器312均被运送到分析单元340中且经历针对容器312内的AMC和水气的检测和监控。
[0045]图5是根据一些实施例的包括分析室314的示例性分析单元340的示意性截面图。如图5所示，分析单元340包括被配置成容纳容器312，诸如，FOUP的分析室341。分析单元340可以另外包括AMC/湿气分析器344以及样本连接端口 342，该样本连接端口被配置成收集容器312内空气的特定样本且将该样本提供给AMC/湿气分析器344。容器312的门或前开口在收集空气样本的过程中是关闭的。在一些实施例中，AMC/湿气分析器344设置在分析室341外。样本连接端口 342穿过分析室341的壁。适合的AMC/湿气分析器344的实例包括但不限于表面声波(SAW)装置和大气压电离质谱(APMS)。在一些实施例中，AMC/湿气分析器344可以是设置在分析室341内的仪器，用于在线监控。
[0046]AMC/湿气室分析器344被用来进行检测和提供AMC和湿气的成分含量的测量结果。成分的实例包括但不限于酸类、胺类、HF气体、S02、挥发性有机化合物(VOC)和相应的湿气(RH)。在一组预先确定的具体值中对于每种成分而言均存在一个作为预先确定标准的阈值。如图2所示(从框208至框210)，如果每个成分的相应的结果符合该成分相应的预先确定标准的话(即，每个成分的相应含量不高于相应的阈值)，那么容器312可以被释放用于生产中的半导体处理。在一些实施例中，处理器，诸如，计算机370可以与AMC/湿气分析器344相连接。预先确定的标准或具体值被存储在处理器370中。处理器370被配置成将测量值与预先确定标准或具体值相比较，并且随后提供针对容器312的指令。如图2所示(从框208至框212)，如果检测结果高于相应的预先确定阈值的话，那么容器312将移动到真空单元360中。如图2中的框212至框206和框208所示那样，只有在检测结果不高于相应的预先确定阈值时，容器312才被释放用于生产。
[0047]参考图2和图3，真空单元360包括真空室361，该真空室被配置成当成分的检测结果高于相应阈值时向容器312施加真空。图6是根据一些实施例的包括真空室361的示例性真空单元360的示意性截面图600。如图6所示，真空单元360还可以是真空室361的壁上的端口 364且端口 364与真空室361外的真空泵366相连接。如图6所示，在一些实施例中，真空单元360被配置成容纳处在真空室361内的容器312且向容器内外施加真空。容器312的门或前开口在真空工艺过程中保持敞开。在其他实施例中，端口 364可以直接与容器312相连接。仅仅在容器312内部施加真空。[0048]重新参考图3，在一些实施例中，系统300另外包括:至少一个被配置成提供容器312的装载端口 302，与至少一个装载端口 302相连接的设备前端模块(EFEM) 304，与EFEM304相连接的门开口区域306以及与EFEM304相连接门关闭区域310。
[0049]在一些实施例中，系统300另外包括处在门开口区域306和清洁单元320的清洁室321之间的缓冲站308。缓冲站308被配置成将容器312移动到清洁室321中。在一些实施例中，缓冲站308部分地连接在分析单元340和门关闭区域310之间。缓冲站308被配置成如果成分的检测结果高于相应的阈值的话，将容器312从分析单元340移动至门关闭区域310。
[0050]图7是示出了根据一些实施例清洁容器312，诸如，FOUP的方法700的流程图。在步骤702中，如图2和图3所述那样，在壳体301内的清洁单元320的清洁室321内部使用清洁介质327清洁容器312。图8是流程图，示出了根据一些实施例的如详细的步骤702中的实例那样的清洁和干燥容器的示例性方法800。在图8的步骤802中，将清洁介质327喷洒到容器312中。例如，可以通过至少一个机器人控制的喷嘴318从容器312的开口门或前开口喷洒清洁介质327。适合的清洁介质327的实例包括但不限于过滤的去离子水或超纯水，任选地包括表面活性剂、溶剂或其他适合的化学品。
[0051]在一些实施例中，在清洁室321内清洁容器312的步骤702可以任选地包括将清洁介质327喷洒到容器312的外壁上。参考图8，步骤804是任选的步骤。在步骤804中，可以将清洁介质327喷洒到容器312的外壁上。在将清洁介质327喷洒到容器312的内部和外部之后，可以将其分开存储从而避免交叉污染。
[0052]在步骤806中，在一些实施例中，干燥容器312的步骤包括将惰性气体329(诸如，氮气)喷射到容器312中，喷射热空气到容器312中，以及在升高的温度下加热容器312中的至少一个步骤。可以使用这些可能的步骤的一个或多个的组合。在一些实施例中，加热过程中的热空气或升高的温度的实例可以在25°C至80°C的范围内，例如，60°C。在一些实施例中，在加热后，容器312可以被冷却至环境温度。
[0053]再次参考图7，在步骤704中，如图3和图5所示，在清洁完容器312之后，在分析单元340中分析容器312中的空气。在这种方法中，分析单元340和清洁单元320处在相同的壳体301中且彼此相连接。在步骤704中，还提供了可能出现的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分的相应的检验结果。
[0054]在步骤706中，该方法确定多种成分之一的检测结果是否高于相应的阈值。在一些实施例中，相应的阈值包括在一组预先确定的具体值中。例如，在一些实施例中，这些具体值包括:低于按体积计算十亿分之十五(15ppbv)的酸含量,低于20ppbv的HF含量,低于
1.0ppbv的S02含量，低于20ppbv的胺含量，低于lOOOppbv的挥发性有机化合物含量以及低于55%的相对湿气等级。
[0055]如图3所描述的那样，如果成分之一的检测结果没有高于相应的阈值的话，那么容器312被释放用于步骤708中的半导体处理。如果成分之的检测结果高于相应的阈值的话，那么在步骤701中容器312被提供到相同的壳体301内的真空单元340的真空室344内且向容器312上施加真空从而使得AMC和湿气的每种成分均低于相应的阈值。在一些实施例中，容器312处在真空室321内且在步骤710中向容器312的内部和外部施加真空。
[0056]方法的一些实施例包括实施工艺的处理器，在其中预先确定的标准或具体值存储在处理器370 (图3中示出)，诸如，计算机、控制器或嵌入式处理器的非瞬态计算机可读存储媒介中。计算机370被专门编程用于执行图7和图8所示的步骤。通过计算机实施程序，处理器将计算结果与预先确定的标准或具体值相比较并且根据图7和图8的程序随后提供针对容器312的指令。
[0057]本发明提供了用于清洁容器，诸如，半导体晶圆载体的系统和方法。在一些实施例中，该系统包括壳体、壳体中的清洁单元、壳体内的分析单元以及壳体内的真空单元。清洁单元包括清洁室并且被配置成向清洁室中的容器喷洒清洁介质且干燥该容器。分析单元被配置成对从清洁室中出来的容器内的空气进行分析并且提供可能的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分的检测结果。真空单元包括真空室，被配置成当成分的检测结果高于相应的阈值时向容器上施加真空。在一些实施例中，容器是前端开启式晶圆传送盒(FOUP)0在一些实施例中，真空单元被配置成在真空室内容纳容器且向容器的内部和外部施加真空。
[0058]在一些实施例中，该系统进一步包括至少一个被配置成提供容器的装载端口，与至少一个装载端口相连接的设备前端模块(EFEM)，与EFEM相连接的门开口区域以及与EFEM相连接的门关闭区域。在一些实施例中，该系统进一步包括缓冲站，被配置成将容器移动到清洁室中。在一些实施例中，该缓冲站部分地连接在分析单元和门关闭区域之间。该缓冲站被配置成如果成分的检测结果高于相应的阈值的话则将容器从分析单元移动到门关闭区域中。
[0059]在一些实施例中，清洁单元包括至少一个喷嘴，被配置成在容器内部喷洒清洁介质。在一些实施例中，该清洁单元进一步包括至少一个喷嘴，被配置成在容器内部喷射气体。在一些实施例中，被配置成喷洒清洁介质的至少一个喷嘴与被配置成喷射气体的至少一个喷嘴相同。在一些实施例中，清洁单元进一步包括加热器，被配置成加热清洁室中的容器。
[0060]在一些实施例中，本发明提供了一种用于清洁F0UP312的装置。该装置包括壳体，壳体中的清洁单元，壳体中的分析单元以及壳体中的真空单元。该清洁单元包括清洁室，该清洁室被配置成将清洁介质喷洒到清洁室中的容器中且干燥该容器。与清洁单元相连接的分析单元被配置成对从清洁室中出来的容器内的空气进行分析且为可能的AMC和湿气的每种成分提供检测结果。真空单元包括与分析单元相连接的真空室。该真空单元被配置成当成分之一的检测结果高于相应阈值时向真空室内的容器上施加真空。在一些实施例中，清洁单元包括至少一个被配置成向容器内喷洒清洁介质的喷嘴。清洁室可以另外包括至少一个被配置成向容器内喷射气体的喷嘴。在一些实施例中，被配置成喷射气体的至少一个喷嘴与被配置成喷洒清洁介质的至少一个喷嘴相同。在一些实施例中，该装置进一步包括至少一个被配置成提供容器的装载端口，与至少一个装载端口相连接的设备前端模块(EFEM)，与EFEM相连接的门开口区域以及与EFEM相连接的门关闭区域。在一些实施例中，该装置另外包括处在门打开区域和清洁单元的清洁室之间且部分地连接在分析单元和门关闭区域之间。缓冲站被配置成将容器移动到清洁室中。该缓冲站还被配置成如果成分的检验结果高于相应阈值的话则将容器从分析单元移动到门关闭区域中。
[0061]在另一方面，本发明还提供了一种清洁容器的方法。该方法包括以下步骤:在清洁单元的清洁室内清洁容器。在清洁容器之后，在与清洁单元相连接的分析单元中分析容器内的空气。为可能的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分提供相应的检测结果。然后确定成分之一的检测结果是否高于相应的阈值。如果成分之一的检测结果不高于其相应的阈值的话则释放容器用于半导体处理。如果成分之一的检测结果高于其相应的阈值的话则随后将容器提供至真空单元的真空室内并且向容器上施加真空，从而使得AMC和湿气的每种成分均低于相应的阈值。
[0062]在一些实施例中，相应的阈值包括在一组预先确定的具体值内。这些具体值包括:低于按体积计算每十亿分之十五(15ppbv)的酸含量,低于20ppbv的HF含量,低于1.0ppbv的S02含量，低于20ppbv的胺含量，低于lOOOppbv的挥发性有机化合物含量以及低于55%的相对湿气等级。在一些实施例中，容器处在真空室内且向该容器的内部和外部均施加真空。清洁处在清洁室内的容器的步骤可以包括向容器中喷洒清洁介质和干燥容器。
[0063]在一些实施例中，清洁处在清洁室内的容器的步骤进一步包括向容器的外壁喷洒清洁介质。在一些实施例中，干燥容器的步骤包括向容器中喷射惰性气体，向容器内喷射热空气和在升高的温度下加热容器中的至少一个步骤。
[0064]在此所述的方法和系统可以至少部分地实施成计算机实施的工艺和实行那些工艺的装置。所公开的方法还可以至少部分地实施成有形的、以计算机程序码编程的非瞬态机器可读存储媒介。该媒介可以包括，例如，RAM、ROM、CD-ROM、DVD-ROM、BD-R0M、硬盘驱动器、闪存或任意其他非瞬态机器可读存储媒介或这些媒介的任意组合，其中，当计算机程序码加载到计算机中且利用计算机执行时，该计算机则编程了实行该方法的装置。该方法还可以至少部分地实施成在其中加载和/或执行计算机程序码的计算机，从而使得该计算机编程实行该方法的装置。当在通用处理器上实施时，计算机程序码区段将处理器配置成产生专用逻辑电路。该方法可以任选地至少部分地被实施成由用于执行这些方法的专用集成电路所形成的数字信号处理器。
[0065]尽管以示例性实施例来描述本发明的主题，但并不局限于此。应该更为广泛地解释所附的权利要求从而使其包括本领域的技术人员可以实现的其他变型和实施例。
【权利要求】
1.一种系统，包括: 壳体； 清洁单元，位于所述壳体中，所述清洁单元包括位于其中的清洁室，所述清洁室被配置成向所述清洁室中的容器喷洒清洁介质并且干燥所述容器； 分析单元，位于所述壳体内，所述分析单元被配置成对从所述清洁室中出来的所述容器内的空气进行分析，并且为可能的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分提供检测结果；以及 真空单元，位于所述壳体内，所述真空单元包括真空室，所述真空室被配置成当成分的所述检测结果高于相应阈值时向容器施加真空。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述容器是前端开启式晶圆传送盒(FOUP)。
3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述真空单元被配置成将所述容器容纳在所述真空室内，并且对所述容器的内部和外部施加真空。
4.根据权利要求1所述的系统，进一步包括: 至少一个装载端口，被配置成提供容器； 设备前端模块(EFEM)，与所述至少一个装载端口相连接； 门打开区域，与所述EFEM相连接；以及 门关闭区域，与所述EFEM相连接。
5.根据权利要求4所述的·系统，进一步包括: 缓冲站，位于所述门打开区域和所述清洁单元的所述清洁室之间，并且部分地连接在所述分析单元和所述门关闭区域之间， 其中，所述缓冲站被配置成将所述容器移动到所述清洁室内以及还被配置成如果成分的所述检测结果不高于相应阈值，则将所述容器从所述分析单元移动到所述门关闭区域。
6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述清洁单元包括被配置成在所述容器内喷洒所述清洁介质的至少一个喷嘴。
7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述清洁单元进一步包括被配置成在所述容器内喷射气体的至少一个喷嘴。
8.根据权利要求7所述的系统，其中，被配置成喷洒所述清洁介质的至少一个喷嘴与被配置成喷射所述气体的至少一个喷嘴相同。
9.一种用于清洁前端开启式晶圆传送盒(FOUP)的装置，包括: 壳体； 清洁单元，位于所述壳体中，所述清洁单元包括清洁室，所述清洁室被配置成向所述清洁室中的容器中喷洒清洁介质并且干燥所述容器； 分析单元，位于所述壳体内，所述分析单元与所述清洁单元相连接，并且被配置成对从所述清洁室中出来的所述容器内的空气进行分析并且为可能的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分提供检测结果；以及 真空单元，位于所述壳体内，所述真空单元包括与所述分析单元相连接的真空室，并且所述真空室被配置成当成分的所述检测结果高于相应阈值时对容器施加真空。
10.一种清洁容器的方法，包括: 在清洁单元的清洁室内清洁容器；在清洁所述容器之后，在与所述清洁单元相连接的分析单元中分析所述容器内的空气，从而为可能的空气传播的分子污染(AMC)和湿气的每种成分提供相应的检测结果；以及 确定所述成分之一的所述检测结果是否高于相应阈值， 其中，如果所述成分之一的所述检测结果不高于其相应阈值，则释放所述容器用于半导体处理； 如果所述成分之一的所述检测结果高于其相应阈值，则随后将所述容器提供至真空单元的真空室内并且对所述容器施加真空，从而使得AMC和湿气的每种成分均低于相应阈值。`
【文档编号】B08B9/28GK103846262SQ201310173210
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2013年5月10日 优先权日:2012年12月6日
【发明者】许志修, 杨棋铭, 庄国胜 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司