树脂覆盖装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种树脂覆盖装置，在框架清洗时，抑制涂布于晶片的水溶性树脂的局部剥离，用水溶性树脂良好地覆盖晶片的上表面。该树脂覆盖装置构成为，在环状框架（F）上贴附有保护带（T），用水溶性树脂覆盖贴附于保护带的晶片（W）的上表面，该树脂覆盖装置具有：水溶性树脂喷嘴（4），其在晶片的上表面涂布水溶性树脂而形成保护膜（11）；气幕形成单元（6），其形成将晶片与环状框架之间隔开的气幕（C1）；以及清洗水供给单元（5），其在相对于晶片比气幕靠外侧的位置向环状框架供给清洗水。
【专利说明】树脂覆盖装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及用水溶性树脂覆盖激光加工前的晶片的上表面的树脂覆盖装置。
【背景技术】
[0002]在半导体器件的制造工序中，在晶片的表面以格子状形成有间隔道，在通过间隔道划分出的区域形成有1C、LSI等器件。晶片被沿着格子状的间隔道纵横分离而被分割为一个个器件。作为沿着间隔道分割晶片的方法，处于减少碎屑等理由也可以采用通过激光加工进行分割的方法。但是，当激光照射到晶片表面时，由于晶片的融化而产生的称为碎片的飞沫飞溅，存在附着在器件的表面而使品质下降的问题。
[0003]因此，本 申请人:为了防止飞溅的碎片直接附着在器件，而发现了这样方法:在用水溶性树脂覆盖了晶片的表面的状态下照射激光(例如，参照专利文献I)。在记载于专利文献I的加工方法中，晶片经由保护带而被环状框架支撑，在该状态下的晶片上滴下水溶性树脂，通过所谓的旋涂法使晶片表面被水溶性树脂均匀地覆盖。但是，由于环状框架位于晶片的外周侧，因此通过旋转台的旋转，滴落到晶片的水溶性树脂附着在环状框架的上表面。
[0004]因此，当在水溶性树脂附着在环状框架的状态下前进到以后的工序时，在利用输送机构输送晶片时，存在吸附垫通过水溶性树脂粘接在环状框架而不能分开的问题。因此，提出了如下的进行框架清洗的方法:在对晶片涂布水溶性树脂之后，对环状框架的上表面喷射清洗水，并且使旋转台旋转，从而去除附着在环状框架的上表面上的水溶性树脂(例如，参照专利文献2)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献1:日本特开2004-322168号公报
[0007]专利文献2:日本特开2007-73670号公报
[0008]在记载于专利文献2的框架清洗中，存在如下问题:如果不使旋转台高速旋转，则不会对清洗水作用足够的离心力，存在清洗水飞溅到晶片的上表面的危险。因此，在如想要增厚树脂膜的情况那样，在水溶性树脂的涂布之后不能使旋转台高速旋转时，涂布在晶片上水溶性树脂会由于飞溅的清洗水而局部剥离，存在后续工序的激光加工中导致由碎片的附着而引起的器件的品质恶化的危险。
【发明内容】
[0009]本发明是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于，提供如下的树脂覆盖装置:在环状框架的清洗时抑制清洗水向晶片的飞溅，能够用水溶性树脂良好地覆盖晶片的上表面。
[0010]关于本发明的树脂覆盖装置，其用水溶性树脂来覆盖晶片的上表面，该晶片经由保护带而与环状框架成为一体，该树脂覆盖装置的特征在于，具有:
[0011]旋转台，其保持经由保护带而与环状框架成为一体的晶片并进行旋转；
[0012]水溶性树脂喷嘴，其向保持于该旋转台的晶片滴下水溶性树脂；
[0013]清洗水供给单元，其向保持于该旋转台的该环状框架喷射清洗水；以及[0014]气幕形成单元，其配设成能够移动到处于晶片与该环状框架之间的作用位置和从旋转台离开的非作用位置，并且在该作用位置处形成将晶片与该环状框架之间隔开的气幕，
[0015]在对该环状框架进行清洗时，在该气幕形成单元被定位于该作用位置、并在晶片与该环状框架之间形成了气幕的状态下，将该清洗水供给单元定位于通过该气幕而与晶片侧隔开的该环状框架的上方并喷射该清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着于该环状框架的上表面的水溶性树脂进行清洗去除。
[0016]根据该结构，通过对环状框架喷射清洗水，利用旋转台的旋转在环状框架上形成清洗水流，从而清洗去除附着在环状框架上的水溶性树脂。此时，由于在晶片与环状框架之间通过气幕而被隔开的状态下进行框架清洗，因此清洗水不会飞溅到晶片侧。由此，抑制了涂布在晶片上的水溶性树脂的局部剥尚，在后续工序的激光加工中碎片不会直接附着在器件上，能够防止器件的品质恶化。另外，由于环状框架被良好地清洗，因此即使在通过吸附垫吸附环状框架来进行输送时，也不会产生由水溶性树脂引起的问题。
[0017]另外，在本发明的上述树脂覆盖装置中，该气幕形成单元具有形成直径比晶片外径大且比该环状框架的内周缘小的环状的气幕的空气喷出孔，
[0018]在对该环状框架进行清洗时，在该气幕形成单元被定位于该作用位置、并在晶片的外周且围绕该环状框架的内周内侧而形成了环状的气幕的状态下，将该清洗水供给单元定位于该环状框架上方并喷射清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着于该环状框架的上表面的水溶性树脂进行清洗去除。
[0019]另外，在本发明的上述树脂覆盖装置中，该气幕形成单元还具有形成围绕该环状框架的外周的环状的气幕的空气喷出孔，在对该环状框架进行清洗时，在围绕该环状框架的内周和外周而形成了环状的气幕的状态下，将该清洗水供给单定位于该环状框架上方并喷射清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着于该环状框架的上表面的水溶性树脂进行清洗去除。
[0020]发明效果
[0021]根据本发明，在通过气幕隔开了晶片与环状框架之间的状态下对环状框架供给清洗水，从而抑制涂布在晶片上的水溶性树脂的局部剥离，能够用水溶性树脂良好地覆盖晶片的上表面。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1是第I实施方式的树脂覆盖装置的立体图。
[0023]图2是第I实施方式的树脂覆盖装置的框架清洗时的立体图。
[0024]图3是第I实施方式的树脂覆盖装置的动作说明图。
[0025]图4是从下方观察第2实施方式的气幕形成单元的立体图。
[0026]图5是第2实施方式的树脂覆盖装置的清洗动作的说明图。
[0027]图6是第2实施方式的变形例的树脂覆盖装置的清洗动作的说明图。
[0028]标号说明
[0029]I树脂覆盖装置
[0030]3旋转台[0031]4水溶性树脂喷嘴
[0032]5、9清洗水供给单元
[0033]6、7、8气幕形成单元
[0034]11树脂膜
[0035]72、73空气喷出孔
[0036]C1、C2、C3 气幕
[0037]F环状框架
[0038]T保护带
【具体实施方式】
[0039]以下，参照附图，对本实施方式的树脂覆盖装置进行说明。图1是第I实施方式的树脂覆盖装置的立体图。图2是第I实施方式的框架清洗时的立体图。另外，第I实施方式的树脂覆盖装置不限定于图1所示的结构。树脂覆盖装置只要具有一边通过气幕隔开晶片与环状框架之间一边进行框架清洗的结构，则可以是任何结构。
[0040]如图1所示，树脂覆盖装置I构成为，在通过旋涂法用水溶性树脂覆盖了晶片W的上表面之后，对晶片W的周围的环状框架F进行框架清洗。晶片W是硅晶片、砷化镓等半导体晶片且形成为圆板状。晶片W通过呈格子状排列的间隔道而被划分出多个区域，在该划分出的区域形成有IC、LSI等各种器件D。另外，晶片W以正面朝上的状态贴附在张设于环状框架F的保护带T上。
[0041]另外，在本实施方式中，虽然作为晶片W以半导体晶片为例进行了说明，但是并不限定于该结构。晶片W只要经由保护带T而与环状框架F成为一体即可，例如，也可以将半导体产品的封装件、陶瓷、玻璃、蓝宝石(Al2O3)系的无机材料基板、各种电气部件或要求精密级的加工位置精度的各种加工材料作为晶片W。
[0042]树脂覆盖装置I具有有底筒状的壳体2，该壳体2由圆筒状的周壁部21和底壁部22构成。在壳体2内收纳有保持晶片W并旋转的旋转台3。在旋转台3的周围，设置有水溶性树脂喷嘴4、清洗水供给单元5以及气幕形成单元6。旋转台3形成为直径比晶片W的环状框架F大，该旋转台3利用多孔质材料形成了吸盘。吸盘经由旋转台3的管路而与抽吸源连接，通过在吸盘上产生的负压而隔着保护带T抽吸保持晶片W。
[0043]水溶性树脂喷嘴4由在旋转台3的上方水平延伸的水平部41、和从水平部41的基端向下方延伸的垂直部42而形成为侧视时呈大致L字状。在水平部41的末端设置有滴下水溶性树脂的供给头43。另外，水溶性树脂喷嘴4以能够在旋转台3的上方回转的方式被壳体2支撑。水溶性树脂喷嘴4经由壳体2内的管路而与供给源(未图示)连接，从供给头43向晶片W的正面中央滴下水溶性树脂。并且，通过伴随旋转台3的旋转而产生的离心力，在晶片W的上表面整个区域形成树脂膜11 (参照图2)。
[0044]此时，由于晶片W的正面被树脂膜11覆盖，因此在后续工序的激光加工时，因晶片的融化而产生的碎片不会直接附着到晶片W的正面。另外，作为水溶性树脂，例如，将聚乙烯醇(PVA)或聚乙二醇(PEG)等滴到晶片W上。另外，优选在水溶性树脂中添加吸收为激光波长的光的吸收剂。由此，由于在激光加工时树脂膜11同晶片W的加工一起也被同时除去，因此防止了树脂膜11因晶片W的热分解物的蒸汽等而从晶片W的正面剥离。[0045]在树脂覆盖装置I中，在通过水溶性树脂喷嘴4形成树脂膜之后，实施基于清洗水供给单元5的框架清洗。在壳体2内，与水溶性树脂喷嘴4同样，可回转地设置有清洗水供给单元5和气幕形成单元6。清洗水供给单元5由在旋转台3的上方水平延伸的水平部
51、和从水平部51的基端向下方延伸的垂直部52而形成为侧视时呈大致L字状。在水平部51的末端设置有喷射清洗水的供给头53。清洗水供给单元5经由壳体2内的管路而与供给源(未图示)连接，从供给头53向环状框架F喷射清洗水。
[0046]气幕形成单元6由长条板状的喷射板61、和从喷射板61的基端向下方延伸的垂直部62而形成为侧视时呈大致L字状。喷射板61在旋转台3的上方以纵向姿势水平延伸，并形成为在延伸方向的中途稍微弯曲。在喷射板61的下表面形成有在喷射板61的延伸方向上排列的多个空气喷出孔(未图示)。气幕形成单元6经由壳体2内的管路而与空气供给源63连接，通过从多个空气喷出孔喷射空气而形成气幕Cl (参照图2)。
[0047]如图2所示，在树脂覆盖装置I的框架清洗时，气幕形成单元6的喷射板61被定位于环状框架F与晶片W之间。此时，喷射板61横穿环状框架F的一部分而在环状框架F与晶片W之间延伸。通过从喷射板61喷射空气，从而以将环状框架F与晶片W之间隔开的方式形成气幕Cl。在该状态下，清洗水供给单元5的供给头53被定位于环状框架F的上方，一边从供给头53供给清洗水一边使旋转台3旋转来进行框架清洗。
[0048]在框架清洗中，通过旋转台3的旋转而在环状框架F上形成清洗水流S。清洗水以清洗水供给单元5的供给头53的喷射位置为上游，向气幕形成单元6的喷射板61跨越环状框架F的下游流动。通过该环状框架F上的清洗水流S，对由于晶片W的树脂涂布而附着在环状框架F上的水溶性树脂进行清洗。此时，由于晶片W与环状框架F之间通过气幕Cl隔开，因此清洗水不会飞溅到晶片W上。
[0049]另外，在清洗水流S的下游，环状框架F的一部分被气幕Cl斜着隔开。在该位置处，环状框架F上的清洗水流S被气幕阻断，从而一部分的清洗水被阻挡，并且清洗水产生紊流而提高了环状框架F的清洗效率。另外，从环状框架F流落的清洗水经由设置于壳体2的排水管(未图示)而被排出。如上所述，由于清洗水不会进入到气幕Cl的内侧而被排出，因此晶片W的树脂膜11不会局部剥离，抑制了后续工序的激光加工中的碎片在器件D上的附着。
[0050]参照图3，说明由树脂覆盖装置对晶片进行的水溶性树脂的涂布动作和对环状框架进行的清洗动作。图3是第I实施方式的树脂覆盖装置的动作说明图。另外，以下的树脂覆盖装置的动作仅为一例，能够进行适当变更。
[0051]如图3中A所示，在对于晶片W的水溶性树脂的涂布动作中，当在旋转台3上载置了晶片W时，通过吸盘隔着保护带T来保持晶片W。接着，使水溶性树脂喷嘴4回转，将喷嘴的末端的供给头43定位于晶片W的中央。并且，从供给头43对晶片W滴下水溶性树脂，在晶片W的正面中央形成积液部R。此时，清洗水供给单元5和气幕形成单元6从旋转台3的上方退避。
[0052]如图3中B所示，当水溶性树脂的供给停止时，水溶性树脂喷嘴4从旋转台3的上方退避，使保持了晶片W的旋转台3旋转。由此，在晶片W的上表面中央的水溶性树脂的积液部R上作用远心力，水溶性树脂以覆盖晶片W的上表面整个区域的方式扩展。并且，通过水溶性树脂固化，从而在晶片W的上表面均匀地形成在激光加工时防止碎片附着到器件D的树脂膜11。
[0053]如图3中C所示，气幕形成单元6配设成能够在处于晶片W与环状框架F之间的作用位置以及从旋转台3离开的非作用位置之间移动。在对于环状框架F的清洗动作中，当在晶片W的上表面形成了树脂膜11时，气幕形成单元6向晶片W侧回转而被定位在作用位置。此时，气幕形成单元6横穿环状框架F的一部分，在晶片W与环状框架F之间延伸。清洗水供给单元5在相对于晶片W比气幕形成单元6靠外侧的位置定位于环状框架F的上方。因此，气幕形成单元6的外侧被利用为清洗区域。
[0054]接着，如图3中D所示，通过气幕形成单元6在环状框架F与晶片W之间形成气幕Cl (参照图2)，并且从清洗水供给单元5向环状框架F供给清洗水。并且，使旋转台3旋转，从而在环状框架F上形成清洗水流S。通过该清洗水流S，去除在树脂涂布时附着在环状框架F上的水溶性树脂。此时，由于环状框架F与晶片W通过气幕Cl的壁而被隔开，因此清洗水不会进入到晶片W侧。
[0055]清洗水经过气幕Cl的外侧，在气幕Cl与环状框架F之间的交叉部分处流落到旋转台3外。在交叉部分，清洗水流S被气幕Cl阻挡而产生紊流，通过流体的不规则的移动而有效地对环状框架F进行清洗。框架清洗后的晶片W被搬入到激光加工装置。由于该晶片W是在通过气幕Cl防止了清洗水附着到树脂膜11的状态下进行框架清洗，因此不会出现树脂膜11的局部剥离。由此，在激光加工时飞溅的碎片不会直接附着到器件D上。
[0056]另外，在第I实施方式中，通过增大清洗水流S的全长，能够提高对环状框架F的清洗效果。此时，将气幕形成单元6的喷射板61以在晶片W与环状框架F之间沿着晶片W的外周缘的形状形成得长，并且将清洗水供给单元5的喷射位置定位于旋转台3的旋转方向的上游侧。
[0057]如上所述，根据第I实施方式的树脂覆盖装置1，对环状框架F喷射清洗水，通过旋转台3的旋转而在环状框架F上形成清洗水流S，从而对附着于环状框架F上的水溶性树脂进行清洗去除。此时，由于在通过气幕Cl将晶片W与环状框架F之间隔开的状态下进行框架清洗，因此清洗水不会飞溅到晶片W侧。由此，抑制了涂布于晶片W的树脂膜11的局部剥离，在后续工序的激光加工中碎片不会直接附着到器件D上，能够防止器件D的品质恶化。
[0058]接着，参照图4和图5，对第2实施方式的树脂覆盖装置进行说明。另外，第2实施方式的树脂覆盖装置与第I实施方式的树脂覆盖装置相比，清洗水供给单元和气幕形成单元的结构不同。因此，主要对不同点进行说明。图4是从下方观察第2实施方式的气幕形成单元的立体图。图5是第2实施方式的树脂覆盖装置的清洗动作的说明图。
[0059]如图4所示，气幕形成单元7形成为直径比晶片W大的中空圆筒状。在气幕形成单元7的下表面71，沿着内周缘形成有圆弧状的多个空气喷出孔72、沿着外周缘形成有圆弧状的多个空气喷出孔73。内周侧的空气喷出孔72形成直径比晶片W的外周缘大、且比环状框架F的内周缘小的环状的气幕C2 (参照图5)。外周侧的空气喷出孔73形成围绕环状框架F的外周的环状的气幕C3 (参照图5)。
[0060]另外，在气幕形成单元7的下表面71，在内周侧的空气喷出孔72与外周侧的空气喷出孔73之间，多个清洗水供给孔74以环状排列而形成。清洗水供给孔74在形成于空气喷出孔72、73的两层气幕C2、C3的内侧对环状框架F供给清洗水。S卩，在第2实施方式的树脂覆盖装置中，气幕形成单元7与清洗水供给单元成为一体。如上所述构成的气幕形成单元7配设成能够在从旋转台3向上方离开的非作用位置与靠近旋转台3的作用位置之间移动。
[0061]如图5所示，在框架清洗时，通过气幕形成单元7以将环状框架F的内侧与外侧进行分隔的方式形成两层气幕C2、C3。另外，在被内侧与外侧的两层气幕C2、C3所夹的空间，朝向环状框架F喷射清洗水。并且，使旋转台3旋转，从而实施环状框架F的框架清洗。此时，由于晶片W与环状框架F之间通过内侧的气幕C2而被隔开，因此清洗水不会飞溅到晶片W上，防止了树脂膜11的局部剥离。
[0062]另外，由于环状框架F被内侧与外侧的两层气幕C2、C3包围，因此清洗水滞留在环状框架F上而提高了清洗效果。而且，由于从多个清洗水供给孔74 (参照图4)一起向环状框架F供给清洗水，因此能够缩短清洗时间。另外，由于使清洗水供给单元与气幕形成单元7—体化，因此与第I实施方式相比减少了部件数量。另外，通过两层气幕C2、C3滞留的清洗水，从外侧的气幕Cl与环状框架F的外周缘之间的间隙、和形成于环状框架F的切口而被排出到旋转台3外。
[0063]如上所述，根据第2实施方式的树脂覆盖装置1，通过外侧和内侧的气幕C2、C3使清洗水滞留在环状框架F上，从而附着于环状框架F的水溶性树脂被清洗去除。此时，由于在晶片W与环状框架F之间被内侧的气幕Cl隔开的状态下进行框架清洗，因此清洗水不会飞溅到晶片W侧。由此，抑制了涂布于晶片W的树脂膜11的局部剥离，在后续工序的激光加工中碎片不会直接附着到器件D上，能够防止器件D的品质恶化。
[0064]另外，本发明不限定于上述实施方式，能够进行各种变更来实施。在上述实施方式中，关于附图中图示的大小和形状等，不限定于这些，能够在发挥本发明的效果的范围内进行适当变更。除此以外，只要不脱离本发明的目的范围，则能够进行适当变更来实施。
[0065]例如，在上述的第2实施方式中，虽然气幕形成单元7与清洗水供给单元是一体化的结构，但是并不限定于该结构。如图6所示，也可以与气幕形成单元8分体地具备清洗水供给单元9。此时，通过气幕形成单元8以隔开环状框架F的内侧与外侧的方式形成两层气幕C2、C3，清洗水供给单元9的供给头91被定位于该两层气幕C2、C3的内侧。并且，一边从供给头91供给清洗水一边使旋转台3旋转来进行框架清洗。另外，如图6所示，也可以从多个供给头91供给清洗水，也可以从单一的供给头91供给清洗水。
[0066]另外，在上述的第2实施方式中，虽然气幕形成单元7、8构成为形成内侧与外侧这两层气幕C2、C3，但是并不限定于该结构。气幕形成单元7、8只要是至少在晶片W与环状框架F之间形成气幕的结构即可。
[0067]另外，在上述的第2实施方式中，虽然气幕形成单元7、8具有形成为中空圆筒状的结构，但是并不限定于该结构。气幕形成单元7、8只要是形成环状的气幕的结构即可，其可以形成为任何形状。
[0068]工业上的可利用性
[0069]如以上说明，本发明具有在环状框架的清洗时抑制清洗水飞溅到晶片，从而能够用树脂膜良好地覆盖晶片的上表面的效果，特别是对在激光加工前用树脂膜覆盖晶片的上表面的树脂覆盖装置是有用的。
【权利要求】
1.一种树脂覆盖装置，其用水溶性树脂来覆盖晶片的上表面，该晶片经由保护带而与环状框架成为一体，该树脂覆盖装置的特征在于，具有: 旋转台，其保持经由保护带而与环状框架成为一体的晶片并进行旋转； 水溶性树脂喷嘴，其向保持于该旋转台的晶片滴下水溶性树脂； 清洗水供给单元，其向保持于该旋转台的该环状框架喷射清洗水；以及 气幕形成单元，其配设成能够移动到处于晶片与该环状框架之间的作用位置和从旋转台离开的非作用位置，并且在该作用位置处形成将晶片与该环状框架之间隔开的气幕， 在对该环状框架进行清洗时，在该气幕形成单元被定位于该作用位置、并在晶片与该环状框架之间形成了气幕的状态下，将该清洗水供给单元定位于通过该气幕而与晶片侧隔开的该环状框架的上方并喷射该清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着于该环状框架的上表面的水溶性树脂进行清洗去除。
2.根据权利要求1所述的树脂覆盖装置，其特征在于， 该气幕形成单元具有形成直径比晶片外径大且比该环状框架的内周缘小的环状的气幕的空气喷出孔， 在对该环状框架进行清洗时，在该气幕形成单元被定位于该作用位置、并在晶片的外周且围绕该环状框架的内周内侧而形成了环状的气幕的状态下，将该清洗水供给单元定位于该环状框架上方并喷射清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着于该环状框架的上表面的水溶性树脂进行清洗去除。
3.根据权利要求2所述的树脂覆盖装置，其特征在于， 该气幕形成单元还具有形成围绕该环状框架的外周的环状的气幕的空气喷出孔， 在对该环状框架进行清洗时，在围绕该环状框架的内周和外周而形成了环状的气幕的状态下，将该清洗水供给单定位于该环状框架上方并喷射清洗水，并且使该旋转台旋转，从而对附着于该环状框架的上表面的水溶性树脂进行清洗去除。
【文档编号】B08B3/02GK103962274SQ201410039189
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年1月27日 优先权日:2013年2月1日
【发明者】九鬼润一, 吉田博斗, 岩本拓 申请人:株式会社迪思科