光学元件覆盖用玻璃、覆盖有玻璃的发光元件及覆盖有玻璃的发光装置的制作方法

专利名称：：光学元件覆盖用玻璃、覆盖有玻璃的发光元件及覆盖有玻璃的发光装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种玻璃、特别是用于覆盖半导体发光元件(发光二极管)的玻璃、被该玻璃覆盖的覆盖有玻璃的光学元件及覆盖有玻璃的发光装置。
背景技术：
：近年来，作为覆盖发光元件的构件，提出有以Te02为主要组成物质的Te02系玻璃。但是，被用作覆盖构件的Te02系玻璃对400nm以下的光的透射率差，不适合作为短波长(365405nm)用LED(UV-LED)的密封材料。另外，作为短波长用LED的密封材料，有文献记载了采用P20s—ZnO系玻璃的技术方案(专利文献l)。专利文献l:国际公开号W02004/082036号发明的揭示但是，专利文献l未记载玻璃的组成物质的含量，其公开程度不足以实施该专利。此外，专利文献1的玻璃的热膨胀系数为11.4X10—7°c，与主要被用作发光元件(典型的是GaN)的层叠基板的蓝宝石的热膨胀系数(约80X10—7'C)的差距大，存在作为密封材料不实用的问题。而且，专利文献l的玻璃实质上不含有Sn作为组成物质。因此存在专利文献l的玻璃的玻璃化温度升高的问题。本发明的目的是提供一种用于解决上述问题的光学元件覆盖用玻璃、特别是用于覆盖半导体发光元件(发光二极管)的玻璃、被该玻璃覆盖的覆盖有玻璃的光学元件及覆盖有玻璃的发光装置。(l)一种光学元件覆盖用玻璃，其特征在于，以氧化物为基准的摩尔％表示实质上由P20s:2735%、ZnO:2545%、SnO:2540%、以及选自200880018040B20:,及Ca0的至少l种0.110%构成，结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在i5crc以上。(2)—种覆盖有玻璃的发光元件，其特征在于，包括具有主表面的半导体发光元件以及玻璃，该玻璃覆盖半导体发光元件的主表面，以氧化物为基准的摩尔％表示实质上由^05:2735%、Zn0:2545%、Sn0:2540%、以及选自B203及Ca0的至少l种0.110%构成，结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在15(TC以上。(3)—种覆盖有玻璃的光学元件，其特征在于，包括具有主表面的半导体发光元件以及覆盖半导体发光元件的主表面的P20s—ZnO—SnO系玻璃。(4)一种覆盖有玻璃的发光装置，其特征在于，包括具有主表面的基板；半导体发光元件，该半导体发光元件具有主表面以及位于主表面的相反侧的背面，以使背面与基板的主表面相对向的方式设置在基板的主表面上；以及玻璃，该玻璃覆盖半导体发光元件的主表面，以氧化物为基准的摩尔％表示实质上由？205:2735%、ZnO:2545%、SnO:2540%、以及选自B20:,及CaO的至少l种0.110%构成，结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在15(TC以上。(5)—种覆盖有玻璃的发光装置，其特征在于，包括具有主表面的基板；半导体发光元件，该半导体发光元件具有主表面以及位于主表面的相反侧的背面，以使背面与基板的主表面相对向的方式设置在基板的主表面上；以及覆盖半导体发光元件的主表面的P20s—Zn0—SnO系玻璃。本发明可提供与发光元件的热膨胀率的差小且玻璃化温度被控制得较低的光学元件覆盖用玻璃、被该玻璃覆盖的覆盖有玻璃的发光元件及覆盖有玻璃的发光装置。附图的简单说明图l是本发明的覆盖有玻璃的发光装置的剖视图。符号的说明100发光元件110玻璃120基板实施发明的最佳方式下面参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。图中，对应的部分用对应的参考标号表示。下述实施方式是作为一例示出的实施方式，在不脱离本发明的技术思想的范围内可进行各种变形。首先，利用附图来说明覆盖有玻璃的发光装置。图l是本发明的覆盖有玻璃的发光装置的剖视图。本发明的覆盖有玻璃的发光装置包括作为被粘接构件的发光元件(例如发光二极管)ioo、作为覆盖发光元件100的覆盖构件的玻璃110、以及形成有布线130的基板120，该布线130装载有发光元件100。发光元件100包括基板101、LED102、正电极103、负电极104。LED102是发射波长360480nm的紫外光或蓝色光的LED，是以在GaN中添加In而得的InGaN作为发光层的量子阱结构的LED(InGaN系LED)。基板101的热膨胀系数(a)为70X10—790X10—7°C。通常使用热膨胀系数(a)约为80Xl(T厂C的蓝宝石基板作为基板IOI。基板120例如是纯度98.099.5%、厚度O.5誦L2mm的矩形氧化铝基板。优选纯度99.099.5%、厚度O.7ram1.0mm的正方形的氧化铝基板。形成于基板120表面的布线130是由金糊料制成的金布线。(第一实施方式)首先，对本发明的第一实施方式的光学元件覆盖用玻璃进行说明。本发明的第一实施方式的光学元件覆盖用玻璃的玻璃化温度(Tg)较好是在290。C以上，更好是在30(TC以上，特好是在320。C以上。玻璃化温度(Tg)如果不到29(TC，则由于ZnO的含量减少和/或P205的含量增多，耐水性可能会变差。较好是在40(TC以下，更好是在36(TC以下。Tg升高则密封温度也升高。本发明的第一实施方式的光学元件覆盖用玻璃的结晶化峰值温度(Tc)较好是在48(TC以上，更好是在50(TC以上，特好是在520'C以上。结晶化峰值温度(Tc)如果不到48(TC，则密封时玻璃可能会结晶化而变得不透明。结晶化峰值温度和玻璃化温度的差〈Tc一Tg〉较好是在15(TC以上，更好是在185'C以上，特好是在20(TC以上。结晶化峰值温度和玻璃化温度的差如果不到15(TC，则密封时可能会发生结晶化。若差〈Tc一Tg〉为w、即观察不到Tc的峰，则到成为完全混合的液相为止都不会发生结晶化。Tc测定时的升温速度会影响峰强度。在此假设Tc测定的升温速度为ll(TC/分。本发明的第一实施方式的光学元件覆盖用玻璃的热膨胀系数(a)在105X10—7。c以下，更好是在95X1(T7。c以下，特好是在90X10—7。c以下。热膨胀系数(a)如果不到70X10—7°C，则玻璃化温度上升。较好是在70X1(T7。C以上，更好是在75X1(T7。C以上，特好是在80X10—7。C以上。热膨胀系数(a)超过105X10—7°C的情况下，在使玻璃软化以将半导体发光元件密封后冷却至室温的过程中或是在其之后，可能会以玻璃与半导体发光元件相接的部分为起点产生裂纹，使光的取出效率下降或使半导体发光元件暴露于大气的湿性成分。下面，将本发明的第一实施方式的覆盖有玻璃的发光元件及覆盖有玻璃的发光装置中使用的玻璃的组成表示"摩尔％"简记作"％"来进行说明。P20s是使玻璃稳定化的成分，是必需的。如果不到27%，则Tg可能会升高。较好是30%以上。另一方面，如果超过35%，则安装部位的耐水性可能会下降。较好是33%以下，更好是31%以下。ZnO是起提高耐水性、降低热膨胀系数等作用的使玻璃稳定化的成分，是必需的。如果不到25%，则热膨胀系数可能会过大，无法获得与玻璃板的热膨胀系数的匹配性，容易开裂。较好是28%以上，更好是30%以上，特好是32%以上。另一方面，如果超过45%，则容易析出失透，而且Tg过高。较好是40%以下，更好是38%以下，特好是36%以下。SnO具有增加流动性的效果，如果不到25%，则软化点过高，流动性变差，因此安装部位的强度和气密性可能会下降。较好是28%以上，更好是30。％以上，特好是32%以上。另一方面，如果超过40%，则玻璃化变得困难。较好是38%以下，更好是35%以下。B203不是必需的，但为了使玻璃稳定化或增大差〈Tc一Tg〉，至多可以含有5%。如果超过5%，则存在Tg过高、折射率减小及耐水性等化学耐久性下降的可能性。较好是4Q/^以下，更好是3%以下，特好是2%以下。含有B203时，其含量较好是O.1%以上，特好是0.5%以上。CaO不是必需的，但为了提高耐水性、降低热膨胀系数或增大差〈Tc一Tg〉，至多可以含有10%。如果超过10%，则玻璃变得不稳定或者Tg过高。较好是5%以下，更好是3%以下，特好是2%以下。含有CaO时，其含量较好是O.1%以上，特好是O.5%以上。Al20:i不是必需的，但为了提高耐水性、使玻璃稳定化，至多可以含有3%。如果超过3%，则Tg过高，熔融玻璃的粘度升高，液相温度升高。艮口，难以将半导体光学元件密封。较好是2%以下，更好是1%以下。含有Al203时，其含量较好是O.1%以上，特好是0.5%以上。In^不是必需的，但为了提高耐水性、使玻璃稳定化，至多可以含有3%。如果超过3%，则Tg过高，熔融玻璃的粘度升高，液相温度升高。艮口，难以将半导体光学元件密封。较好是2%以下，更好是1%以下。含有111203时，其含量较好是O.1%以上，特好是0.5%以上。LaA不是必需的，但为了提高耐水性、使玻璃稳定化，至多可以含有3%。如果超过3%，则Tg过高，熔融玻璃的粘度升高，液相温度升高。艮P，难以将半导体光学元件密封。较好是2%以下，更好是1%以下。含有1^203时，其含量较好是O.1%以上，特好是0.5%以上。选自B203和CaO的至少l种是使差〈Tc一Tg〉增大的成分，是必需的。在此，任意1种成分或任意2种成分的组合的总量在0.1%以上，较好是0.5%以上，特好是1%以上。如果超过10%，则Tg过高，较好是5%以下。选自A1A、ln203、1^203的至少1种虽然不是必需的，但却是使玻璃稳定化的成分。在此，任意1种成分或任意2种成分的组合的总量在0.1%以上，特好是0.5%以上。如果超过7%，则Tg过高，较好是5%以下。本发明的第一实施方式的覆盖有玻璃的光学元件及覆盖有玻璃的发光装置中使用的玻璃实质上由上述成分构成，但在不有损本发明的目的的范围内也可添加其它成分，例如MgO、SrO、Bi203、Y203、Gd203、Ce203、Ce02、Ti02、Te02、Si02、Ta20s、W03等。本发明的第一实施方式的玻璃较好是实质上不含盖用玻璃、覆盖有玻璃的光学元件及覆盖有玻璃的发光装置，可减小玻璃与发光元件的热膨胀率的差，将玻璃化温度控制得较低。(第二实施方式)接着，对本发明的第二实施方式的光学元件覆盖用玻璃进行说明。本发明的第二实施方式的光学元件覆盖用玻璃的玻璃化温度(Tg)较好是在290。C以上，更好是在30(TC以上，特好是在320。C以上。玻璃化温度(Tg)如果不到29(TC，则由于ZnO的含量减少和/或P205的含量增多，耐水性可能会变差。较好是在40(TC以下，更好是在36(TC以下。Tg升高则密封温度也升高。本发明的第二实施方式的光学元件覆盖用玻璃的热膨胀系数(a)在105X10—7。C以下，更好是在95X1(T7。C以下，特好是在90X10—7。C以下。热膨胀系数(a)如果不到70X10—7°C，则玻璃化温度上升。更好是在75X10—7i:以上。热膨胀系数(a)超过105Xl(T7。C的情况下，在使玻璃软化以将发光元件密封后冷却至室温的过程中或是在其之后，可能会以玻璃与发光元件相接的部分为起点发生开裂，使光的取出效率下降或使发光元件暴露于大气的湿性成分。本发明的第二实施方式的光学元件覆盖用玻璃在耐水性试验中的质量减少率较好是在50%以下，更好是在1%以下，特好是0%。光学元件覆盖用玻璃在耐水性试验中的质量减少率如果超过50%，则化学稳定性可能会变差。下面，将本发明的第二实施方式的覆盖有玻璃的光学元件及覆盖有玻璃的发光装置中使用的玻璃的组成表示"摩尔％"简记作来进行说明。P20s是使玻璃稳定化的成分，是必需的。如果不到20%，则玻璃化可能会变得困难。较好是20%以上，更好是25%以上，特好是28%以上。另一方面，如果超过45%，则安装部位的耐水性可能会下降。较好是45Q/^以下，更好是37%以下，特好是35%以下。ZnO是起提高耐水性、降低热膨胀系数等作用的使玻璃稳定化的成分，是必需的。如果不到20%，则热膨胀系数可能会过大，无法获得与玻璃板的热膨胀系数的匹配性，容易开裂。较好是20%以上，更好是25%以上，特好是30%以上。另一方面，如果超过50%，则容易析出失透，而且软化点过高。较好是50%以下，更好是45%以下，特好是42%以下。SnO具有增加流动性的效果，如果不到20%，则软化点过高，流动性变差，因此安装部位的强度和气密性可能会下降。较好是20%以上，更好是22%以上，特好是25%以上。另一方面，如果超过50%，则玻璃化变得困难。较好是50%以下，更好是40%以下，特好是35%以下。本发明的第二实施方式的覆盖有玻璃的光学元件及覆盖有玻璃的发光装置中使用的玻璃实质上由上述成分构成，但在不有损本发明的目的的范围内也可添加其它成分，例如MgO、Ca0、Sr0、Ba0、B203、A1203、Bi203、Y203、La203、GdA、Ce203、InA、Ce02、Ti02、Te02、Si02、TaA、W。3等。本发明的第二实施方式的玻璃较好是实质上不含PbO。利用如上所述构成的本发明的第二实施方式的覆盖有玻璃的光学元件及覆盖有玻璃的发光装置，不仅可获得第一实施方式的本发明所起到的效果，而且可起到在密封时抑制结晶化的效果。实施例(第一实施方式)(实施例l)例1例18中，调合正磷酸水溶液(85%1^04)以及ZnO和SnO粉末原料，使其达到表中的以摩尔％表示的组成，准备在脱水后正磷酸成为P205的状态下的全部成分的总量达到100g的量。接着，将所述粉末原料和约lg的蔗糖混合，在特氟隆容器中和约200mL的离子交换水混合，制成桨料。用特氟隆制搅拌器对浆料进行搅拌并同时掺入正磷酸水溶液。由于此时会因反应而发热，因此为了不引起水的暴沸，必须小心谨慎地缓慢注入正磷酸水溶液。接着，使混合物流入安装有特氟隆片的不锈钢制容器，然后一边换气一边于20(TC干燥3小时，得到饼干状的固态物。将所述固态物投入石英制坩埚，盖上石英制盖子，于110(TC融化40分原料也可以不使用正磷酸，而是使用磷酸锡、磷酸钙、磷酸铝等粉末原料。此时，可省去粉末混合后的干燥工序。在此，例1例12及例15例18是实施例，例13例14是比较例。对于所得玻璃，通过下述测定方法测定玻璃化温度Tg(单位°C)、结晶化峰值温度Tc(单位°C)、热膨胀系数a(单位10—7°C)、密封温度(单位°C)、密封时的结晶化以及失透。Tg:将250mg加工成粉末状的样品填充至铂盘，采用理学株式会社(y力'夕社)制差示热分析装置ThermoPlusTG8110(商品名)以10。C/分的升温速度进行测定。Tc:采用上述差示热分析装置与Tg测定同时进行测定。a:采用热膨胀计(布鲁克AXS公司(7W力一工^工:y夕只工只社)制水平差示检测式热膨胀计TD5010)以l(TC/分的升温速度对加工成直径5ram、长度20鹏的圆柱状的样品进行测定。以25r为间隔求出2525(TC下的膨胀系数，将其平均值作为a。密封温度开始流动、玻璃熔液成为(半)球形的温度。Tg+155±10。C。密封时的结晶化将差〈Tc一Tg〉在15(TC以下的情况记作0。失透使玻璃流入碳模具，将在固化的过程中用目测无法在玻璃内部确认到结晶析出的情况记作〇。结果示于表1表3。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表3ZnO36362644SiiO32324025.5CaO1.520.5B2031.51.5A12030.50.50.5CaO+B2031.51.53.50.5Tg352350336360Tc525541549545Tc-Tg173191213185a(X1(TV。C)80.987.292.582.1密封温度507505491515密封时的结晶化〇〇〇〇失透〇〇〇〇将例12的玻璃加工成厚度约为1.5mra，对其两面进行镜面研磨。然后将玻璃板切割加工成厚度约为l.5mra、尺寸约为3nraiX3mm的玻璃板。另一方面，准备形成有金布线图案的氧化铝基板(厚度lmm，尺寸14mmX14mm)以及在丰田合成株式会社制LED(商品名E1C60-0B011-03)上形成有连接凸点的LED，将该LED倒装安装于氧化铝基板。然后，为了抑制在玻璃和基板的界面产生的气泡，将安装有LED的氧化铝基板置入电炉(IR加热装置)于60(TC进行加热处理。升温速度设定为30(TC/分，60(TC下的保持时间设定为2分钟，降温速度设定为30(TC/分。在玻璃和基板的界面产生的气泡是在使玻璃软化时通过玻璃和附着于基板表面的有机污染物质发生反应而产生的。该产生的气泡使从半导体发光元件发出的光折射，因此可能会降低发光装置的亮度，或是改变发光装置的光分布。因此，在用玻璃覆盖LED前，对装载有LED的基板加热，以减少附着于基板表面的有机污染物质，抑制气泡的产生。根据各种实验，加热温度优选60(TC左右。如果考虑到热对于LED的影响，则加热时间优选2分钟左右。在该倒装安装的LED上承载分散有荧光体的玻璃后将其置入电炉，以每分钟10(TC的速度升温至49(TC，在该温度下保持2分钟，使玻璃板软化流动以覆盖LED。然后以每分钟10(TC的速度进行冷却。目测观察覆盖了LED的玻璃，确认在其表面附近没有气泡。对由此获得的覆盖有玻璃的光学元件施加直流电压，结果可确认发出光初始电压大致相同。此外，如表4所示，密封前后的电流一电压测定结果也无显著差异。由此可知，LED元件发光层没有受损。[表4]电压电流(mA)(V)密封前密封后2.30.0050.0052.40.0280.0242.50.1130.1242.60.4530.4122.71.5871.6292.84.2024.0552.98.3557.984313.03813.12(实施例2)例12中，不使用正磷酸水溶液，而是使用磷酸锌的粉末原料，除此之外采用与实施例l相同的原料进行调合。此外，不是用石英棒进行搅拌，而是用惰性气体N2进行鼓泡。当然，作为惰性气体，可以不是N2而是Ar。对于所得玻璃，通过下述方法进行脱水效果、Sn价数、玻璃化温度Tg(单位r)的分析。对于玻璃化温度Tg，由于与上述方法相同，因此省去对该方法的说明。Sn价数通过Sn—穆斯堡尔光谱的测定方法测定Sn—氧化还原率的值。在此，对Sn—穆斯堡尔光谱的测定方法进行说明。将伴随从一Sn到'"Sn的能级跃迁而产生的Y射线(23.8keV)用作探针，通过透过法(计测透过了玻璃试样的Y射线)测定试样中的2价Sn和4价Sn的存在比例(Sn—氧化还原率)。具体如下所述。将放射线源的y射线出射口、玻璃试样、Pd滤光片、气体放大比例计数管(LND公司制，型号45431)的受光部配置在300800tnm长的直线上。放射线源使用10mCi的自Sn，使放射线源相对于光学系统的轴方向运动，引起因多普勒效应导致的Y射线的能量变化。用转换器(东阳研究(東陽!J廿一千)株式会14玻璃试样使用l2mm厚的玻璃平板。Pd滤光片是用于提高气体放大比例计数管对Y射线的计测精度的构件，是用于除去Y射线照射玻璃试样时由玻璃试样产生的特征X射线的厚50um的Pd箔。气体放大比例计数管是检测所接收的Y射线的仪器。用放大装置(关西电子株式会社制)放大来自气体放大比例计数管的表示Y射线量的电信号，从而检测受光信号。通过多信道分析器(维西尔(Wissel)公司CMCA550)使其与上述的速度信息连动。将来自气体放大比例计数管的检测信号记于纵轴，将运动中的放射线源的速度记于横轴，从而得到光谱(《穆斯堡尔光谱学的基础与应用》4564页佐藤博敏、片田元己共著学会出版)。至得到能够进行评价的信号/噪音比为止需要5小时到2天的累计时间。出现在0mm/秒附近的峰表示4价Sn的存在，出现在2.5mm/秒和4.5mm/秒附近的分裂成2个的峰表示2价Sn的存在。计算各自的峰面积乘以修正系数(JournalofNon-CrystalineSolids337(2004年)232—240页"氧化铝对Sn27Sn4+氧化还原平衡的影响以及锡在Na20/Al203/S102熔融物中的掺入，，(TheeffectofaluminaontheSn2+/Sn4+redoxequilibriumandtheincorporationoftininNa20/Al203/Si02melts)DarijaBenner等共著)(4价Sn:0.22，2价Sn:0.49)而得的结果的比例，将2价Sn的比例作为Sn—氧化还原率的值。分析所得的评价结果示于表5及表6。表5所示为表示2价Sn相对于Sn原子总量的比例的结果，表6所示为玻璃化温度Tg的测定结果。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>社制ThermoPlusTG8110(商品名)进行测定。a:采用热膨胀计(布鲁克AXS公司(:/》力一工,工:y夕7工只社)制水平差示检测式热膨胀计TD5010)以l(TC/分的升温速度对加工成直径5mm、长度20mra的圆柱状的样品进行测定。以25。C为间隔求出2525(TC下的膨胀系数，将其平均值作为a。耐水性试验(％):将加工成直径5mm、长度20mm的圆柱状的样品在80r的温水中浸渍3小时，测定重量减少。透射光谱对于两面经镜面研磨、尺寸为2cmX2cm、厚度为lmm和5mm的2块板状试样，采用日立制作所株式会社制分光光度计U—3500(商品名)，以lnm为间隔测定波长300nm800nm的光的透射率。将测得的厚度为lmm和5mm的板状试样的透射率分别记作L、T5，用下式算出T(glmm和T⑥IO腿(单位％)。T@lmm=100Xexp[(1/4)XIn(Ts/L)]T@10=100Xexp[10X(1/4)Xln^/T!)]UV透射的判定将365nm处的T(glmm在90X以上的情况记作O。结果示于表7。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>将例21的玻璃加工成厚度为1.5mm、尺寸为3mmX3mra的玻璃板，然后对其两面进行镜面研磨。另一方面，准备形成有金布线图案的氧化铝基板(厚度lram，尺寸14隱X14mm)以及在丰田合成株式会社制LED(商品名E1C60-0B011-03)上形成有连接凸点的LED，将该LED倒装安装于氧化铝基板。然后，为了抑制在玻璃和基板的界面产生的气泡，将安装有LED的氧化铝基板置入电炉(IR加热装置)于62(TC进行加热处理。升温速度设定为30(TC/分，62(TC下的保持时间设定为2分钟，降温速度设定为30(TC/分。在玻璃和基板的界面产生的气泡是在使玻璃软化时通过玻璃和附着于基板表面的有机污染物质发生反应而产生的。该产生的气泡使从发光元件发出的光折射，因此可能会降低发光装置的亮度，或是改变发光装置的光分布。因此，在用玻璃覆盖LED前，对装载有LED的基板加热，以减少附着于基板表面的有机污染物质，抑制气泡的产生。根据各种实验，加热温度优选60(TC左右。如果考虑到热对于LED的影响，则加热时间优选2分钟左右。在该倒装安装的LED上承载分散有荧光体的玻璃后将其置入电炉，以每分钟10(TC的速度升温至49(TC，在该温度下保持2分钟，使玻璃板软化流动以覆盖LED。然后以每分钟10(TC的速度进行冷却。目测观察覆盖了LED的玻璃，确认在其表面附近没有气泡。对由此获得的覆盖有玻璃的LED元件施加直流电压，结果可确认发出蓝色的光。发光初始电压为2.42.6V,与对裸芯片施加的发光初始电压大致相同。由此可知，LED元件发光层没有受损。在此，测定厚度不同的2块玻璃的透射率，算出反射修正值，确认透射率和厚度的关系，藉此估算任意厚度条件下的内部透射率。其结果是，厚lmm的条件下的例21的玻璃对波长365nm的光的内部透射率为97X。厚10nm的条件下的例21的玻璃对波长365nni的光的内部透射率为74X。另一方面，厚lmm的条件下的现有的Te02系玻璃对波长365nm的光的内部透射率为77X，厚10mm的条件下的现有的Te02系玻璃对波长365nm的光的内部透射率为8X。如上所述，采用本发明的P205—ZnO—SnO系玻璃的覆盖有玻璃的光学元件和覆盖有玻璃的发光装置与采用现有的Te02系玻璃的覆盖有玻璃的光学元件和覆盖有玻璃的发光装置相比，对短波长(365405nm)的光的内部透射率得到了大幅改善。因此，采用本发明的P20s—ZnO—SnO系玻璃的覆盖有玻璃的光学元件和覆盖有玻璃的发光装置可用作UV—LED。参照特定的实施方式对本发明进行了详细说明，但对本领域技术人员来说应该知道，在不脱离本发明的技术思想的范围内可加以各种改变或修正。产业上利用的可能性本发明的光学元件覆盖用玻璃可用于液晶面板用背光源、普通照明或汽车用头灯等中使用的LED元件的密封。这里引用2007年5月30日提出申请的日本专利申请2007-143639号、2007年6月14日提出申请的日本专利申请2007-157900号、以及2007年8月30日提出申请的日本专利申请2007-224211号的说明书、权利要求书、附图以及摘要的全部内容作为本发明的说明书的揭示。权利要求1.一种光学元件覆盖用玻璃，其特征在于，以氧化物为基准的摩尔％表示实质上由P2O527～35％、ZnO25～45％、SnO25～40％、以及选自B2O3及CaO的至少1种0.1～10％构成，结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在150℃以上。2.如权利要求l所述的光学元件覆盖用玻璃，其特征在于，相对于Sn原子的总量，Sn"的存在率在90X以上。3.如权利要求1或2所述的光学元件覆盖用玻璃，其特征在于，以氧化物为基准的摩尔％表示含有A1203:03%、ln203:03%、以及La203:03%，选自A1A、111203以及1^203的至少1种为0.17%。4.如权利要求13中任一项所述的光学元件覆盖用玻璃，其特征在于，膨胀系数为70X10—7100X1(T/°C。5.如权利要求14中任一项所述的光学元件覆盖用玻璃，其特征在于，所述玻璃化温度在40(TC以下。6.如权利要求15中任一项所述的光学元件覆盖用玻璃，其特征在于，所述结晶化峰值温度和所述玻璃化温度的差在18(TC以上。7.—种覆盖有玻璃的发光元件，其特征在于，包括具有主表面的半导体发光元件；以及玻璃，该玻璃覆盖所述半导体发光元件的所述主表面，以氧化物为基准的摩尔％表示实质上由^05:2735%、ZnO:2545%、SnO:2540%、以及选自B203及CaO的至少l种0.110%构成，结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在15(TC以上。8.—种覆盖有玻璃的发光装置，其特征在于，包括具有主表面的基板；半导体发光元件，该半导体发光元件具有主表面以及位于所述主表面的相反侧的背面，以使所述背面与所述基板的所述主表面相对向的方式设置在所述基板的所述主表面上；以及玻璃，该玻璃覆盖所述半导体发光元件的所述主表面，以氧化物为基准的摩尔％表示实质上由？205:2735%、ZnO:2545%、SnO:2540%、以及选自8203及0&0的至少l种0.110%构成，结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在15(TC以上。9.一种覆盖有玻璃的发光元件，其特征在于，包括具有主表面的半导体发光元件；以及覆盖所述半导体发光元件的所述主表面的？205—ZnO—SnO系玻璃。10.如权利要求9所述的覆盖有玻璃的发光元件，其特征在于，所述P20s一ZnO—SnO系玻璃的玻璃化温度在45(TC以下。11.如权利要求10所述的覆盖有玻璃的发光元件，其特征在于，所述PA—ZnO—SnO系玻璃以氧化物为基准的摩尔X表示实质上由P205:2045%、ZnO:2050%、SnO:2040%构成，该玻璃的玻璃化温度在29(TC以上，且热膨胀系数在105X10—7"C以下。12.如权利要求ll所述的覆盖有玻璃的发光元件，其特征在于，所述SnO为2035X。13.如权利要求9所述的覆盖有玻璃的发光元件，其特征在于，所述P205一ZnO—SnO系玻璃在耐水性试验中的重量减少率在50X以下。14.一种覆盖有玻璃的发光装置，其特征在于，包括具有主表面的基板；半导体发光元件，该半导体发光元件具有主表面以及位于所述主表面的相反侧的背面，以使所述背面与所述基板的所述主表面相对向的方式设置在所述基板的所述主表面上；以及覆盖所述半导体发光元件的所述主表面的P20s—ZnO—SnO系玻璃。全文摘要本发明提供被与发光元件的热膨胀率的差小且玻璃化温度被控制得较低的玻璃覆盖的覆盖有玻璃的发光元件及覆盖有玻璃的发光装置。覆盖有玻璃的发光元件包括具有主表面的半导体发光元件以及覆盖半导体发光元件的主表面的P₂O₅-ZnO-SnO系玻璃，该玻璃以氧化物为基准的摩尔％表示实质上由P₂O₅20～45％、ZnO20～50％、SnO20～40％构成，玻璃化温度在290℃以上且在450℃以下，且热膨胀系数在105×10^-7/℃以下。文档编号C03C8/08GK101681965SQ200880018040公开日2010年3月24日申请日期2008年5月29日优先权日2007年5月30日发明者中村伸宏,大崎康子,松本修治申请人:旭硝子株式会社