专利名称：单晶棒破方方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池板加工工艺领域，更具体地说，涉及单晶棒破方方法。
背景技术：
传统的单晶棒破方工艺，破方机通常使用携带砂浆钢线进行破方切割，由于破方 切割的主体是砂浆(为悬浮液和碳化硅的混合物)中的碳化硅，所以必须加入碳化硅才能 保证破方的质量，但是碳化硅的制取过程中耗能高污染高，另外，传统破方工艺考虑到传统 的钢线切割能力，工作台速度通常控制在600-800um/min，回线率控制在90-95%左右，所 以切割效率比较低。为提高切割速度，降低碳化硅制取的高耗能高污染，所以急需开发一整 套新的破方工艺。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种破方方法，以实现提高单晶棒在破方工艺中的生产效 率降低生产成本的目的。为实现上述目的，本发明提供如下技术方案一种单晶棒破方方法，包括步骤1 向浆料缸中打入冷却液，将单晶棒安装在工作台的底座上；步骤2 将金刚石钢线安装于所述工作台上的放线轴上以低张力值进行走线形成 线网，设置好高线位及低线位后以高张力值进行走线；步骤3 将固定好的单晶棒的底座装入机床，并调整所述底座的位置使四周边料 切割厚度相等，下降工作台，底部线网差Imm接触硅锭表面最高点，并设置为零点；步骤4 关闭所有滑动门，设置切割参数开始切割，所述切割参数包括工作台速 度、线速度、流量、张力和回线率。优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述将单晶棒安装在工作台的底座上具体为 用悬臂吊将选择好的单晶棒置于粘接区，夹具夹紧单晶棒放入粘接装置，用环氧树脂胶将 单晶棒和所述底座粘牢。优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述单晶棒的数量为一根。优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述冷却液为纯水。优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述冷却液为二乙醇胺与纯水的混合液。优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述二乙醇胺质量分数为3_5%。优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述低张力值为10-20N。优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述高张力值为70-90N。优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述切割参数大小分别为工作台速 度 2300-2700um/min，线速度 13_15m/s，流量 120_140kg/min，张力 70-90N，回线率 99. 2-99. 6%。优选地，在上述单晶棒破方方法中，所述步骤4之后还包括
步骤5 待切割完毕后剪断收放线轴上两侧钢线，抽出内夹线，升起工作台，将电 磁平台移出切割室，用套筒将每根单晶棒取出清洗。从上述技术方案可以看出，本发明中的实施例通过采用金刚石钢线进行切割，由 于金刚石钢线上的金刚石硬度高，所以切割能力比携带砂浆钢线的切割能力要强，在相同 的切割速度以及回线率中切割单晶棒时，采用本发明中的金刚石钢线的切割量要大，因此 可以提高破方工艺的生产效率。由于本发明未采用砂浆，且切割用线少，所以单晶破方工艺 中制造成本相应降低了。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例提供的单晶棒破方方法的流程图；图2为本发明实施例提供的单晶棒破方方法的另一流程图。
具体实施例方式相关名词解释金刚石钢线在普通钢线上电镀一层镍，然后在镍上电镀上金刚石颗粒，属于固着 型线切割耗材，与以往游离型比较，切割能力大大增强。单晶破方把一整根圆柱体单晶棒的边皮去掉，得到一根准方棒，每次单晶破方根 数一般为16根。下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。本发明提供一种破方方法，以实现提高单晶棒在破方工艺中的生产效率降低生产 成本的目的。请参照附图1，本发明提供如下技术方案一种单晶棒破方方法，包括步骤SlOl 向浆料缸中打入冷却液，将单晶棒安装在工作台的底座上；在线切割时，通常会在切割线上喷切割液，切割液一般具有良好的冷却、润滑、清 洗和防锈的功能。在本发明实施例中，冷却液为二乙醇胺与纯水的混合液，当然并不排除使 用其他冷却剂。在切割中冷却液一方面可以冷却的目的，另一方面还可以将切割下来的硅 粉冲刷下来。更为优选的方案，在二乙醇胺与纯水的混合液中二乙醇胺质量分数为3-5%。 当然可以冷却液直接使用纯水，纯水的价格便宜。用悬臂吊将选择好的单晶棒置于粘接区，夹具夹紧单晶棒放入粘接装置，用环氧 树脂胶将单晶棒和所述底座粘牢。每一个底座上只能安装一个单晶棒，安装好的底座安装 在电磁平台上，电磁平台可以安放16个单晶棒。
步骤S102 将金刚石钢线安装于所述工作台上的放线轴上以低张力值进行走线 形成线网，设置好高线位及低线位后以高张力值进行走线；在走线时，金刚石钢线的受力较小，即以较小的低张力值进行走线，通常低张力值 的范围为10-20N，比如说采用ION的力进行走线，当形成织线网好设置高线位及低线位，然 后以高张力值进行走线，所述高张力值为较大的力，通常采用70-90N，例如在走线时采用 70N的力进行走线。步骤S103 将固定好的单晶棒的底座装入机床，并调整所述底座的位置使四周边 料切割厚度相等，下降工作台，底部线网差Imm接触硅锭表面最高点，并设置为零点；底座安装在电磁平台上，通过调整电磁平台就可以调整底座的位置可以保证四周 边料切割厚度相等，切割厚度相等既能保证使得所有的单晶棒得到充分的利用，节约了材 料，又可以使得在切割过程中保证金刚石钢线受力均勻，不易断线。步骤S104 关闭所有滑动门，设置切割参数开始切割，所述切割参数包括工作台 速度、线速度、流量、张力和回线率。设置工作台速度为2300-2700um/min，线速度为13_15m/S，流量为120_140kg/ min，张力为70-90N，回线率为99. 2-99. 6%。上述参数并不局限于以上范围，上述仅仅是更 优的范围，在范围值以外的值同样可以使用，例如采用于传统的切割机相同的值也是同样 可以的。从上述技术方案可以看出，本发明中的实施例通过采用金刚石钢线进行切割，由 于金刚石钢线上的金刚石硬度高，所以切割能力比携带砂浆钢线的切割能力要强，在相同 的切割速度以及回线率中切割单晶棒时，采用本发明中的金刚石钢线的切割量要大，因此 可以提高破方工艺的生产效率。由于本发明未采用砂浆，且使用钢线较少，所以单晶破方工 艺中制造成本相应降低了。请参照附图2.，一种单晶棒破方方法，包括步骤SlOl 向浆料缸中打入冷却液，将单晶棒安装在工作台的底座上；在线切割时，通常会在切割线上喷切割液，切割液一般具有良好的冷却、润滑、清 洗和防锈的功能。在本发明实施例中，冷却液为二乙醇胺与纯水的混合液，当然并不排除使 用其他冷却剂。在切割中冷却液一方面可以冷却的目的，另一方面还可以将切割下来的硅 粉冲刷下来。更为优选的方案，在二乙醇胺与纯水的混合液中二乙醇胺质量分数为3-5%。 当然可以冷却液直接使用纯水，纯水的价格便宜。用悬臂吊将选择好的单晶棒置于粘接区，夹具夹紧单晶棒放入粘接装置，用环氧 树脂胶将单晶棒和所述底座粘牢。每一个底座上只能安装一个单晶棒，安装好的底座安装 在电磁平台上，电磁平台可以安放16个单晶棒。步骤S102 将金刚石钢线安装于所述工作台上的放线轴上以低张力值进行走线 形成线网，设置好高线位及低线位后以高张力值进行走线；在走线时，金刚石钢线的受力较小，即以较小的低张力值进行走线，通常低张力值 的范围为10-20N，比如说采用ION的力进行走线，当形成织线网好设置高线位及低线位，然 后以高张力值进行走线，所述高张力值为较大的力，通常采用70-90N，例如在走线时采用 70N的力进行走线。步骤S103 将固定好的单晶棒的底座装入机床，并调整所述底座的位置使四周边
5料切割厚度相等，下降工作台，底部线网差Imm接触硅锭表面最高点，并设置为零点；底座安装在电磁平台上，通过调整电磁平台就可以调整底座的位置可以保证四周 边料切割厚度相等，切割厚度相等既能保证使得所有的单晶棒得到充分的利用，节约了材 料，又可以使得在切割过程中保证金刚石钢线受力均勻，不易断线。步骤S104 关闭所有滑动门，设置切割参数开始切割，所述切割参数包括工作台 速度、线速度、流量、张力和回线率。设置工作台速度为2300-2700um/min，线速度为13-15m/s，流量为120_140kg/ min，张力为70-90N，回线率为99. 2-99. 6%。上述参数并不局限于以上范围，上述仅仅是更 优的范围，在范围值以外的值同样可以使用，例如采用于传统的切割机相同的值也是同样 可以的。步骤S105 待切割完毕后剪断收放线轴上两侧钢线，抽出内夹线，升起工作台，将 电磁平台移出切割室，用套筒将每根单晶棒取出清洗。从上述技术方案可以看出，本发明中的实施例通过采用金刚石钢线进行切割，由 于金刚石钢线上的金刚石硬度高，所以切割能力比携带砂浆钢线的切割能力要强，在相同 的切割速度以及回线率中切割单晶棒时，采用本发明中的金刚石钢线的切割量要大，因此 可以提高破方工艺的生产效率。由于本发明未采用砂浆，且切割用线量较少，所以单晶破方 工艺中制造成本相应降低了。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的 一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明 将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一 致的最宽的范围。
权利要求
一种单晶棒破方方法，其特征在于，包括步骤1向浆料缸中打入冷却液，将单晶棒安装在工作台的底座上；步骤2将金刚石钢线安装于所述工作台的放线轴上以低张力值进行走线形成线网，设置好高线位及低线位后以高张力值进行走线；步骤3将固定好的单晶棒的底座装入机床，并调整所述底座的位置使四周边料切割厚度相等，下降工作台，底部线网差1mm接触硅锭表面最高点，并设置为零点；步骤4关闭所有滑动门，设置切割参数开始切割，所述切割参数包括工作台速度、线速度、流量、张力和回线率。
2.根据权利要求1所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述将单晶棒安装在工作台 的底座上具体为用悬臂吊将选择好的单晶棒置于粘接区，夹具夹紧单晶棒放入粘接装置， 用环氧树脂胶将单晶棒和所述底座粘牢。
3.根据权利要求2所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述单晶棒的数量为一根。
4.根据权利要求3所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述冷却液为纯水。
5.根据权利要求3所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述冷却液为二乙醇胺与纯 水的混合液。
6.根据权利要求5所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述二乙醇胺质量分数为 3-5%。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述低张力值为 10-20N。
8.根据权利要求7所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述高张力值为70-90N。
9.根据权利要求8所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述切割参数大小分别为工 作台速度为 2300-2700um/min，线速度为 13_15m/s，流量为 120_140kg/min，张力为 70-90N， 回线率为99. 2-99. 6%。
10.根据权利要求9所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述步骤4之后还包括 步骤5 待切割完毕后剪断收放线轴的两侧钢线，抽出内夹线，升起工作台，将电磁平台移出切割室，用套筒将每根单晶棒取出清洗。
全文摘要
本发明实施例公开了一种单晶棒破方方法，包括步骤1向浆料缸中打入冷却液，将单晶棒安装在工作台的底座上；步骤2将金刚石钢线安装于所述工作台上的放线轴上以低张力值进行走线形成线网，设置好高线位及低线位后以高张力值进行走线；步骤3将固定好的单晶棒的底座装入机床，并调整所述底座的位置使四周边料切割厚度相等，下降工作台，底部线网差1mm接触单晶段表面最高点，并设置为零点；步骤4关闭所有滑动门，设置切割参数开始切割，所述切割参数包括工作台速度、线速度、流量、回线率和张力。本发明中的实施例通过采用金刚石钢线进行切割提高破方的生产效率，且本工艺中金刚石钢线的用量较低，制造成本降低了。
文档编号B28D5/04GK101927533SQ20101025930
公开日2010年12月29日 申请日期2010年8月19日 优先权日2010年8月19日
发明者任军海, 张晓方, 王宏刚, 高文宽 申请人:英利能源(中国)有限公司