专利名称：一种陶瓷管壳的烧结方法及烧结辅助装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种真空灭弧室用陶瓷管壳的烧结方法及烧结辅助装置，属于输变电设备的技术领域。
背景技术：
真空灭弧室，又名真空开关管，是中高压电力开关的核心部件，其主要作用是通过管内真空优良的绝缘性使中高压电路切断电源后能迅速熄弧并抑制电流，避免事故和意外的发生，主要应用于电力的输配电控制系统以及冶金、矿山、石油、化工、铁路等配电系统。 陶瓷管壳是真空灭弧室的关键部件之一。目前，陶瓷管壳的烧结方法是将陶瓷管壳生坯直接放置在高温隧道窑的推板上，然后根据相应的烧结工艺进行烧结，在烧结的过程中最容易产生的废品是烧结变形。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种陶瓷管壳的烧结方法，同时提供一种陶瓷管壳的烧结辅助装置，从而有效的控制烧结变形，减少废品。为解决上述技术问题，本发明的技术方案陶瓷管壳的烧结方法。该方法是将待烧的陶瓷管壳生坯的下端放置在一个下端盖上，并在陶瓷管壳生坯的上端放置一个上端盖； 通过上端盖来控制陶瓷管壳的上端烧结变形，通过下端盖来控制陶瓷管壳的下端烧结变形；然后将装有上端盖和下端盖的陶瓷管壳生坯放置在高温隧道窑的推板上，按照常规的烧结工艺进行烧结。上述的陶瓷管壳的烧结方法中，更好的方案是将下端盖放置在一个承烧钵上；放置时，先在承烧钵的表面均勻撒一层隔离粉，然后再将下端盖放置在承烧钵上。前述的陶瓷管壳的烧结方法中，是先在下端盖上均勻撒一层隔粘粉，然后再将陶瓷管壳生坯的下端放置在下端盖上。前述的陶瓷管壳的烧结方法中，是先在上端盖上均勻粘附一层隔粘粉，然后再将上端盖放置在陶瓷管壳生坯的上端。本发明陶瓷管壳的烧结辅助装置。其构成包括上端盖、下端盖和承烧钵，所述的下端盖放置在承烧钵上，上端盖放置在待烧的陶瓷管壳生坯的上端，陶瓷管壳生坯的下端放置在下端盖上。上述的陶瓷管壳的烧结辅助装置中，所述的上端盖带有锥度，其锥角α为0°
<α <180° ；在上端盖的中心开有孔，其孔径Da* Omm < Da < 100mm;上端盖的内表面采用圆弧连接，其圆弧半径&为0 50mm ；在上端盖上设有环形沟槽，在环形沟槽内有隔粘粉；待烧的陶瓷管壳生坯的上端放置在环形沟槽内。前述的陶瓷管壳的烧结辅助装置中，所述的下端盖带有锥度，其锥角β为0°
<β <180° ；下端盖的内表面采用圆弧连接，其圆弧半径&为0 50mm;下端盖的中心为平台，平台直径Db为0 50mm ；在下端盖上设有环形台阶和环形平面，在环形平面上撒有隔粘粉；陶瓷管壳生坯的下端装在环形台阶的外面并放置在环形平面上。前述的陶瓷管壳的烧结辅助装置中，所述的承烧钵的底面为平底，表面为锥面，其锥角Y为0° < γ <180° ；承烧钵的中心为平台，平台直径叫为0 50mm;在承烧钵的表面撒有隔离粉。本发明的有益效果与现有技术相比，为了有效的控制陶瓷管壳的烧结变形，本发明采用独具特点的上、下端盖以及承烧鉢作为辅助烧结装置，将待烧的陶瓷管壳生坯放置在上、下端盖以及承烧鉢中，通过上端盖来控制陶瓷管壳的上端烧结变形，通过下端盖和承烧鉢来控制陶瓷管壳的下端烧结变形，使陶瓷管壳的烧结变形有效地控制在2%以内，很好的控制了陶瓷管壳的烧结变形，大大减少了废品，提高了产品的质量，而且产品的一致性较好。
图1是本发明的烧结辅助装置结构示意图；图2是烧结辅助装置的上端盖结构示意图；图3是烧结辅助装置的下端盖结构示意图；图4是烧结辅助装置的承烧钵结构示意图。下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步的说明。
具体实施方式
——隔离粉和隔粘粉可以是钢玉砂粉、氧化铝粉或氧化锆等等。实施例1。如图1所示，陶瓷管壳的烧结辅助装置。包括上端盖1、下端盖2和承烧钵3，下端盖2放置在承烧钵3上；上端盖1放置在待烧的陶瓷管壳生坯4的上端，待烧的陶瓷管壳生坯4的下端放置在下端盖2上。上端盖1带有锥度(如图2所示)，其锥角α 为0° < α < 180° ；在上端盖1的中心开有孔5，其孔径Da为0_ < Da < IOOmm ；上端盖 1的内表面采用圆弧连接，其圆弧半径&为0 50mm ；在上端盖1的边沿上设有环形沟槽 6 ；在环形沟槽6内均勻粘附有隔粘粉，隔粘粉可以采用钢玉砂粉、氧化铝粉或氧化锆粉等， 其用来防止烧结后的陶瓷管壳粘在上端盖1上，待烧的陶瓷管壳生坯4的上端放置在环形沟槽6内。下端盖2也带有锥度(如图3所示)，其锥角β为0° < β <180° ；下端盖2 的内表面采用圆弧连接，其圆弧半径&为0 50mm;下端盖2的中心为平台，平台直径DbS 0 50mm ；在下端盖2的边沿上设有环形台阶7和环形平面8，在环形平面8上均勻撒有隔粘粉，隔粘粉可以采用钢玉砂粉、氧化铝粉或氧化锆粉等，其用来防止烧结后的陶瓷管壳粘在下端盖2上。待烧的陶瓷管壳生坯4的下端套在环形台阶7的外面并放置在环形平面8 上。承烧钵3的底面为平底(如图4所示)，表面为锥面，其锥角Y为0° < γ < 180° ； 承烧钵3的中心为平台，平台直径叫为0 50mm;承烧钵3的锥角、及平台直径Dc分别与下端盖2的锥角β及平台直径A相对应。将下端盖2放置在承烧钵3上，能更好的控制陶瓷管壳下端的烧结变形。在承烧钵3的表面撒有隔离粉，隔离粉可以采用钢玉砂粉、氧化铝粉或氧化锆粉等，通过隔离粉可以使下端盖2底面的各部分与承烧钵3之间的摩擦力保持一致，从而保证在整个烧结过程中下端盖2的各部分能同步、均勻的收缩。烧结前，首先在承烧钵3的表面均勻撒一层隔离粉，然后将下端盖2放在承烧鉢3 的锥形面上，并在下端盖2的环形平面8上均勻的撒上一层隔粘粉，然后将待烧的陶瓷管壳生坯4的下端放置在下端盖2上，此时陶瓷管壳生坯4的下端是套在下端盖2的环形台阶7外面，并且陶瓷管壳生坯4的底部是放置在下端盖2的环形平面8上；陶瓷管壳的内径靠环形台阶7控制，从而达到控制陶瓷管壳下端烧结变形的效果。然后在上端盖1的环形沟槽6内均勻的粘附一层隔粘粉，再将上端盖1放置在待烧的陶瓷管壳生坯4的上端，此时陶瓷管壳生坯4的上端正好位于环形沟槽6内，从而控制陶瓷管壳上端的烧结变形；然后将装有上端盖1、下端盖2和承烧钵3的陶瓷管壳生坯4放置在高温隧道窑的推板上，按照陶瓷管壳的常规烧结工艺进行烧结。 本发明的实施方式不限于上述实施例，在不脱离本发明宗旨的前提下做出的各种变化均属于本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种陶瓷管壳的烧结方法，其特征在于将待烧的陶瓷管壳生坯的下端放置在一个下端盖上，并在陶瓷管壳生坯的上端放置一个上端盖；然后将装有上端盖和下端盖的陶瓷管壳生坯放置在高温隧道窑的推板上，按照陶瓷管壳的常规烧结工艺进行烧结。
2.根据权利要求1所述的陶瓷管壳的烧结方法，其特征在于是将下端盖放置在一个承烧钵上；放置时，先在承烧钵的表面均勻撒一层隔离粉，然后再将下端盖放置在承烧钵上。
3.根据权利要求1所述的陶瓷管壳的烧结方法，其特征在于先在下端盖上均勻撒一层隔粘粉，然后再将陶瓷管壳生坯的下端放置在下端盖上。
4.根据权利要求1所述的陶瓷管壳的烧结方法，其特征在于先在上端盖上均勻粘附一层隔粘粉，然后再将上端盖放置在陶瓷管壳生坯的上端。
5.一种陶瓷管壳的烧结辅助装置，包括上端盖(1)、下端盖( 和承烧钵(3)，其特征在于所述的下端盖( 放置在承烧钵C3)上，上端盖(1)放置在待烧的陶瓷管壳生坯(4) 的上端，陶瓷管壳生坯的下端放置在下端盖( 上。
6.根据权利要求5所述的陶瓷管壳的烧结辅助装置，其特征在于所述的上端盖(1) 带有锥度，其锥角α为0° < α < 180° ；在上端盖(1)的中心开有孔(5)，其孔径Da为 Omm < Da < IOOmm ；上端盖(1)的内表面采用圆弧连接，其圆弧半径&为0 50mm ；在上端盖(1)上设有环形沟槽(6)，在环形沟槽(6)内有隔粘粉；待烧的陶瓷管壳生坯(4)的上端放置在环形沟槽(6)内。
7.根据权利要求5所述的陶瓷管壳的烧结辅助装置，其特征在于所述的下端盖(2) 带有锥度，其锥角β为0° < β < 180° ；下端盖O)的内表面采用圆弧连接，其圆弧半径 &为0 50mm;下端盖⑵的中心为平台，平台直径Db为0 50mm ；在下端盖⑵上设有环形台阶(7)和环形平面(8)，在环形平面(8)上撒有隔粘粉；陶瓷管壳生坯(4)的下端装在环形台阶(7)的外面并放置在环形平面(8)上。
8.根据权利要求5所述的陶瓷管壳的烧结辅助装置，其特征在于所述的承烧钵(3) 的底面为平底，表面为锥面，其锥角Y为0° < γ < 180° ；承烧钵(3)的中心为平台，平台直径Dc为0 50mm ；在承烧钵(3)的表面撒有隔离粉。
全文摘要
本发明公开了一种陶瓷管壳的烧结方法及烧结辅助装置，它是将待烧的陶瓷管壳生坯的下端放置在一个下端盖和承烧鉢上，并在陶瓷管壳生坯的上端放置一个上端盖；然后将装有上端盖、下端盖和承烧鉢的陶瓷管壳生坯放置在高温隧道窑的推板上，按照陶瓷管壳的常规烧结工艺进行烧结。本发明采用独具特点的上、下端盖以及承烧鉢作为辅助烧结装置，通过上端盖来控制陶瓷管壳的上端烧结变形，通过下端盖和承烧鉢来控制陶瓷管壳的下端烧结变形，使陶瓷管壳的烧结变形有效地控制在2％以内，很好的控制了陶瓷管壳的烧结变形，大大减少了废品，提高了产品的质量。
文档编号C04B35/64GK102167596SQ201010271839
公开日2011年8月31日 申请日期2010年9月3日 优先权日2010年9月3日
发明者傅凤翠, 勾定江, 李润江, 杨永洪 申请人:中国振华电子集团宇光电工有限公司