专利名称：一种制备很薄瓷砖的方法
技术领域：
本发明涉及一种制备很薄瓷砖的方法。
背景技术：
在工业陶瓷领域，通常使用常规压制制备具有光滑施釉表面或“不规则”表面(即具有一些凸出部分和一些凹入部分)的施釉瓷砖，通常称之为纹路化(structured)砖，其具有一厘米以上的厚度。使用特别用于包覆的光滑施釉表面的瓷砖，获得了具有6-7毫米的厚度的瓷砖。低于该厚度时，由于压制成小厚度的粘土产生了难以运输和施釉的未烧成砖，因此该砖的加工变得非常复杂。二次烧成技术也不能获得令人满意的结果，这是由于当未烧成时已难以运输的烧成载体(support)变得很脆以至于难以运送至下一加工阶段。为了获得薄瓷砖，即至多约2-3毫米，已知一种采用特殊粘土的方法，将所述粘土层压成大的板坯，在烧成到玻璃化之前可能进行丝网印刷；从而获得具有玻璃牢固性 (consistency)的板坯，然后将其切割成所需尺寸的砖。这种方法需要专用的机器和车间， 因而特别昂贵；此外，尽管其提供了高抵抗性的砖，但是它所提供的砖考虑到其玻璃牢固性，而难以进行用于切割和打孔操作的机械加工，而所述操作必须在铺砌期间或之后进行。 此外，采用这种方法获得的砖具有光滑表面，典型通过层压和高温下烧成的加工，这使粘土处于塑性阶段并且倾向于使板坯的表面均勻。
发明内容
本发明的目的在于通过提供一种能够获得至多2-3毫米的很薄的砖的方法来消除现有技术中遇到的缺陷，该方法采用陶瓷工业中压制粘土所使用的常规压制。本发明进一步的目的在于提供一种很薄的施釉瓷砖，其是抵抗性的并且易于采用传统工具以机械方法进行加工。本发明的优点在于提供一种能够制备很薄的砖的方法，该砖的表面可进行加工， 即具有凸出部分和凹入部分(称之为“纹路化”砖)。这些目的和优点通过本发明都得以实现，因为其具有所附权利要求中的特征。通过以下对实现本发明方法阶段的多种可能方式的详细描述将更好地显示出本发明的其它特征和优点。本方法提供很薄瓷砖；所述方法能够获得厚度为2-3毫米的很薄的砖。本方法包括在模具中压制混合物直至获得具有所需厚度的未烧成砖的阶段，该混合物包括通常用于通过挤压而成型的塑性粘土质成分。将常规陶瓷压制用于该阶段，其用模具制备，明显以实现所需厚度的未烧成载体的合适方式进行，用混合物仔细和均勻地填充所述模具；模具的填充必须特别仔细地进行，这是因为压制混合物的很适中的厚度，即使使用等静压模具时，模具中不同位置的即使小的密度差别也是难以补偿的。使用的混合物必须是高度抗未烧成弯曲的，以便能够保证工件从压制转移到烧成过程即使轻微移动也不因振动和冲击而使工件破裂或开裂；混合物也必须具有玻璃化曲线(自然地当获得混合物的玻璃化时，如下文会更好描述的那样)以便在烧成期间维持收缩的稳定性，以及与所使用的釉料完全匹配的膨胀曲线以便使平面变形的影响降到最低。采用具有特殊塑性特性的混合物获得了这些特性；这类粘土是已知的，且通常用于通过挤压而成型的方法。这些粘土的特性在于其具有至少llKg/cm2的生坯断裂模量以及至少40Kg/cm2的干断裂模量。在实际中，虽然采用适于实现一次烧成砖的混合物，但是正如将在下文看到的那样，所述方法的特征之一在于其使用一次烧成的混合物但将其进行二次烧成。以特定的压制压力进行该压制阶段，该压制压力为500-650Kg/cm2。一旦获得未烧成的砖，所述方法包括该砖的第一烧成阶段，其在低于玻璃化的温度下进行；该第一烧成阶段通过使未烧成砖达到800-100(TC温度下完成，而烧成周期为 25-40分钟。在该第一烧成阶段中，将砖维持在最高温度低于5分钟的时间。第一烧成阶段产生了显示出约11-16%孔隙率的素烧坯，即显著大于该混合物如果经受一次烧成期间所达到的温度而具有的孔隙率(约2-3%)，尽管其显示出一次烧成混合物的典型牢固性和抵抗性。由于素烧坯料的孔隙率使釉料能附着到载体上，这使得随后的施釉阶段成为可能。将烧成保持在达到的最高温度和低的最高温度的短时间并不引起砖的软化，因而尽管厚度有限，保持了待施釉表面的所需不规则性(如果确实需要)，从而制得纹路化的砖。尽管在压制阶段和第一烧成阶段中未烧成砖(不很牢固)不应长轨迹运行是重要的，但素烧坯具有良好水平的抵抗性因而可以通过常规加工线送至后面施釉阶段，采用常规和已知的施釉技术进行该施釉阶段。唯一特殊要求是所采用的釉料和载体的膨胀曲线匹配，使得将平面变形的影响降到最低。然而，特别适用于该目的的釉料是已知的并且很容易从市场上获得。随着在素烧坯上进行施釉阶段，该阶段没有产生任何问题，该素烧坯因其孔隙率 (因未玻璃化造成的)而吸收釉料，但正是因为将其烧成，其不经受任何因釉料所致的软化。此外，尽管砖载体很薄，但为了获得特别和装饰性效果可以采用大量的釉料，这在这种薄度的未烧成载体上将是不可能的。如果将大量的釉料施加于尚未烧成的薄载体上，则釉料中所含的水将浸湿载体本身并且将其软化到丧失其牢固性的程度。一旦施釉，将砖在玻璃化温度下进行第二烧成阶段。该第二烧成阶段是在 1150-1200°C温度下进行的，而烧成周期为20-30分钟。在第二烧成阶段期间，将砖维持在最高温度小于五分钟，以便防止材料的过度软化或变形。在第二烧成阶段中，该砖达到了低于3%的孔隙率，这是施釉的玻璃化的缸器的特性。在第二烧成阶段中，获得了优异的抵抗性特性例如，在3毫米厚的砖中通过两次烧成(包覆砖)获得了通常使用7-8毫米厚的砖所实现的抵抗性水平。总之，所述方法允许获得一种很薄的砖(低于3毫米)，其具有使用传统两次烧成在所述厚度下不能达到的抵抗性；消除了运输和施釉困难，所述困难对用于一次烧成的很薄的未烧成砖是存在的；
允许使用大量的釉料以便获得所需的技术和装饰效果；以所有移动设施、已知的施釉和装饰来处理该材料，包括在纹路化的载体上。
权利要求
1.一种制备很薄的瓷砖的方法，其特征在于其包括以下阶段在模具中压制混合物以获得具有所需厚度的未烧成砖，该混合物包括通常用于通过挤压而成型的塑性粘土质成分；在低于玻璃化温度的温度下对该砖进行第一烧成；在第一烧成后对该砖施釉；在玻璃化温度下对施釉的砖进行第二烧成。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于使用具有至少llKg/cm2生坯断裂模量和至少40Kg/cm2干断裂模量的粘土进行该压制阶段。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于该压制阶段在500-650Kg/cm2的特定压制压力下进行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于通过使未烧成砖达到800°C-100(TC温度进行第一烧成阶段，而烧成周期为20-35分钟。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于在第一烧成阶段期间将该砖维持在最高温度小于五分钟。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在1150°C-120(TC温度下进行第二烧成阶段，而烧成周期为20-30分钟。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于在第二烧成阶段中将砖维持在最高温度小于五分钟。
全文摘要
本发明涉及一种制备很薄的瓷砖的方法。该方法包括以下阶段在模具中压制混合物，所述混合物包括湿断裂模量至少11Kg/cm2并且干断裂模量至少40Kg/cm2的塑性粘土质成分。该砖的第一烧成在800℃-1000℃温度下进行。在第一烧成后采用已知方法施釉，并在1150℃-1200℃温度下进行砖的第二烧成。
文档编号C04B33/00GK102476945SQ201010557549
公开日2012年5月30日 申请日期2010年11月24日 优先权日2010年11月24日
发明者M·博内兹 申请人:奥托创建有限责任公司