一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置的制作方法

本实用新型是一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，属于晶圆切割技术领域。

背景技术：

晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，是制造半导体芯片的基本材料，硅晶板经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，将硅片与板分离，即成为集成电路工厂的芯片原料。

现有晶圆切割装置加工时直接将晶圆放于台面上，切割后芯片原料分离，容易被加工过程中产生的作用力而发生位移现象，影响了原料的切割完整性。

技术实现要素：

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，以解决现有晶圆切割装置加工时直接将晶圆放于台面上，切割后芯片原料分离，容易被加工过程中产生的作用力而发生位移现象，影响了原料的切割完整性的问题。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，其结构包括机仓、导轨、电控盒、增压平衡器、切割头、加工腔、检视板、支撑架，所述机仓上设内嵌式电控盒，所述电控盒接线相连一字型导轨，所述导轨上设有可直线位移的切割头，所述切割头设于加工腔内部之中，所述加工腔由机仓凹槽一体构成，所述机仓前壁装配有支撑架，所述加工腔内底部装设有增压平衡器。

进一步地，所述增压平衡器包括置料板、转轴、磁性环、磁性块、动力轴、增压涡轮、进风口、出气管，所述置料板安装在加工腔内底部表面上，且底槽配设垂立式转轴，所述转轴卡设穿接磁性环、动力轴中心凹槽，所述动力轴装设在对应两边进风口的中部位置处，所述进风口相连通增压涡轮气流层，所述增压涡轮下槽相径接出气管，所述出气管上口相垂对应间隔置料板表面，所述磁性块设在进风口对应表面两边的位置上，且与磁性环同性相斥。

进一步地，所述支撑架相嵌接检视板。

进一步地，所述切割头位于检视板靠内侧间隔处。

进一步地，所述检视板活动覆设在加工腔前槽壁面处。

进一步地，所述电控盒装配相导接支撑架。

进一步地，所述磁性环两边带有排列固定的磁片。

进一步地，所述进风口开设于置料板内部凹槽之中。

有益效果

本实用新型一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，机仓作为晶圆切割的工作体，将晶圆放在增压平衡器表面置料板上，通电后凹槽中的动力轴带动磁性环、转轴同向运动，磁片转至对应磁性块位置时同性相斥，使其位移产生空气，压涡轮内部叶轮把进风口空气强制吸进，并经叶片的旋转压缩后，再进入管径越来越大的扩压通道排入出气管中，经压缩的空气被喷向置料板表面实现气动平稳目的，能够有效提高晶圆切割后的加工完整性。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置的结构示意图；

图2为本实用新型的增压平衡器装配结构示意图。

图中：机仓-1、导轨-2、电控盒-3、增压平衡器-4、置料板-29、转轴-30、磁性环-41、磁性块-52、动力轴-63、增压涡轮-74、进风口-85、出气管-96、切割头-5、加工腔-6、检视板-7、支撑架-8。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

请参阅图1-图2，本实用新型提供一种技术方案：一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，其结构包括机仓1、导轨2、电控盒3、增压平衡器4、切割头5、加工腔6、检视板7、支撑架8，所述机仓1上设内嵌式电控盒3，所述电控盒3接线相连一字型导轨2，所述导轨2上设有可直线位移的切割头5，所述切割头5设于加工腔6内部之中，所述加工腔6由机仓1凹槽一体构成，所述机仓1前壁装配有支撑架8，所述加工腔6内底部装设有增压平衡器4，所述增压平衡器4包括置料板29、转轴30、磁性环41、磁性块52、动力轴63、增压涡轮74、进风口85、出气管96，所述置料板29安装在加工腔6内底部表面上，且底槽配设垂立式转轴30，所述转轴30卡设穿接磁性环41、动力轴63中心凹槽，所述动力轴63装设在对应两边进风口85的中部位置处，所述进风口85相连通增压涡轮74气流层，所述增压涡轮74下槽相径接出气管96，所述出气管96上口相垂对应间隔置料板29表面，所述磁性块52设在进风口85对应表面两边的位置上，且与磁性环41同性相斥，所述支撑架8相嵌接检视板7，所述切割头5位于检视板7靠内侧间隔处，所述检视板7活动覆设在加工腔6前槽壁面处，所述电控盒3装配相导接支撑架8，所述磁性环41两边带有排列固定的磁片，所述进风口85开设于置料板29内部凹槽之中。

本专利所说的增压涡轮74内部叶轮把进风口85空气强制吸进，并经叶片的旋转压缩后，再进入管径越来越大的扩压通道排入出气管96中，经压缩的空气被喷向置料板29表面实现气动平稳目的。

例如：在进行使用时，机仓1作为晶圆切割的工作体，将晶圆放在增压平衡器4表面置料板29上，通电后凹槽中的动力轴63带动磁性环41、转轴30同向运动，磁片转至对应磁性块52位置时同性相斥，使其位移产生空气，压涡轮74内部叶轮把进风口85空气强制吸进，并经叶片的旋转压缩后，再进入管径越来越大的扩压通道排入出气管96中，经压缩的空气被喷向置料板29表面实现气动平稳目的，能够有效提高晶圆切割后的加工完整性。

本实用新型解决的问题是现有晶圆切割装置加工时直接将晶圆放于台面上，切割后芯片原料分离，容易被加工过程中产生的作用力而发生位移现象，影响了原料的切割完整性，本实用新型通过上述部件的互相组合，经压缩的空气被喷向置料板表面实现气动平稳目的，能够有效提高晶圆切割后的加工完整性。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点，对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

技术特征：

1.一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，其结构包括机仓(1)、导轨(2)、电控盒(3)、增压平衡器(4)、切割头(5)、加工腔(6)、检视板(7)、支撑架(8)，其特征在于：

所述机仓(1)上设内嵌式电控盒(3)，所述电控盒(3)接线相连一字型导轨(2)，所述导轨(2)上设有可直线位移的切割头(5)，所述切割头(5)设于加工腔(6)内部之中，所述加工腔(6)由机仓(1)凹槽一体构成，所述机仓(1)前壁装配有支撑架(8)，所述加工腔(6)内底部装设有增压平衡器(4)。

2.根据权利要求1所述的一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，其特征在于：所述增压平衡器(4)包括置料板(29)、转轴(30)、磁性环(41)、磁性块(52)、动力轴(63)、增压涡轮(74)、进风口(85)、出气管(96)，所述置料板(29)安装在加工腔(6)内底部表面上，且底槽配设垂立式转轴(30)，所述转轴(30)卡设穿接磁性环(41)、动力轴(63)中心凹槽，所述动力轴(63)装设在对应两边进风口(85)的中部位置处，所述进风口(85)相连通增压涡轮(74)气流层，所述增压涡轮(74)下槽相径接出气管(96)，所述出气管(96)上口相垂对应间隔置料板(29)表面，所述磁性块(52)设在进风口(85)对应表面两边的位置上，且与磁性环(41)同性相斥。

3.根据权利要求1所述的一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，其特征在于：所述支撑架(8)相嵌接检视板(7)。

4.根据权利要求1所述的一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，其特征在于：所述切割头(5)位于检视板(7)靠内侧间隔处。

5.根据权利要求1所述的一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，其特征在于：所述检视板(7)活动覆设在加工腔(6)前槽壁面处。

6.根据权利要求1所述的一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，其特征在于：所述电控盒(3)装配相导接支撑架(8)。

技术总结
本实用新型公开了一种基于磁极增压原理气动平稳的半导体晶圆切割装置，其结构包括机仓、导轨、电控盒、增压平衡器、切割头、加工腔、检视板、支撑架，本实用新型的机仓作为晶圆切割的工作体，将晶圆放在增压平衡器表面置料板上，通电后凹槽中的动力轴带动磁性环、转轴同向运动，磁片转至对应磁性块位置时同性相斥，使其位移产生空气，压涡轮内部叶轮把进风口空气强制吸进，并经叶片的旋转压缩后，再进入管径越来越大的扩压通道排入出气管中，经压缩的空气被喷向置料板表面实现气动平稳目的，能够有效提高晶圆切割后的加工完整性。

技术研发人员：李春琼
受保护的技术使用者：福建省速卖通电子商务有限公司
技术研发日：2020.03.27
技术公布日：2020.11.24