硅片的切割方法与流程

本公开涉及硅片切割工艺，具体地，涉及一种硅片的切割方法。

背景技术：

1、随着太阳能硅片的发展，为提高硅片单位面积的发电量，太阳能硅片的直径也越来越大。硅片切割时，金刚线网能够将硅棒切割成多个平行排列的硅片。切割完成后，金刚线网位于硅片根部靠近树脂板的一侧，为完整取出硅片，需要将硅片向上提起从而使金刚线网撤出。

2、硅片加工技术中，在硅片尺寸加大、厚度变薄、金刚线细线化的趋势下，硅片向上提起时硅片表面划痕的问题愈加突出，严重影响了硅片的表面质量。

技术实现思路

1、本公开的目的是提供一种硅片的切割方法，以解决提料时硅片表面划痕的技术问题。

2、为了实现上述目的，本公开提供一种硅片的切割方法，包括以下步骤：

3、s1：用胶水将晶棒粘接在晶托上；

4、s2：将所述晶托安装在切割机上；

5、s3：根据所述晶棒的长度在所述切割机上布设金刚线网；

6、s4：设定所述切割机的工艺程序；

7、s5：所述切割机向所述金刚线网与所述晶棒的接触区域喷淋第一预设温度的切割液；

8、s6：所述切割机带动所述金刚线网将所述晶棒切割为硅片；

9、s7：所述切割机向所述硅片喷淋加热至第二预设温度的切割液，其中，所述第二预设温度高于所述第一预设温度；

10、s8：将所述硅片与所述金刚线网分离。

11、可选地，所述第二预设温度至少高于所述第一预设温度50％。

12、可选地，在步骤s5中，所述第一预设温度为15℃至20℃，在步骤s7中，所述第二预设温度为30℃至60℃。

13、可选地，所述切割机还包括用于加热所述切割液的加热装置，所述切割方法还包括步骤s7’：通过所述加热装置将所述切割液加热至所述第二预设温度。

14、可选地，步骤s7’在步骤s7之前。

15、可选地，所述加热装置包括具有加热和保温功能的加热箱或加热罐。

16、可选地，步骤s7’与步骤s7同时进行。

17、可选地，所述加热装置包括陶瓷加热器，或者红外线加热器，或者电磁加热器，或者微波加热器，或者电阻丝加热器。

18、可选地，在步骤s3中，组成所述金刚线网的金刚线的直径为20μm至60μm，所述硅片的厚度为60μm至170μm，所述硅片的尺寸为150mm至300mm。

19、可选地，在步骤s8中，所述硅片向上提起的速度为50mm/min至70mm/min，所述金刚线网的线速度为0.02m/min至0.06m/min。

20、通过上述技术方案，在本公开所提供的硅片的切割方法中，在将金刚线网与硅片分离之前，先向硅片喷淋加热至第二预设温度的切割液，以通过加热的切割液将热量传导给硅片，硅片温度升高而发生膨胀，从而使硅片之间的间隙增大，能够改善硅片与硅片之间的吸附现象，便于金刚线网通过硅片之间的缝隙，减少提料过程中金刚线网与硅片之间的摩擦而产生的硅片表面划痕。

21、本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

技术特征：

1.一种硅片的切割方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的硅片的切割方法，其特征在于，所述第二预设温度至少高于所述第一预设温度50％。

3.根据权利要求2所述的硅片的切割方法，其特征在于，在步骤s5中，所述第一预设温度为15℃至20℃，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的硅片的切割方法，其特征在于，所述切割机还包括用于加热所述切割液的加热装置，

5.根据权利要求4所述的硅片的切割方法，其特征在于，步骤s7’在步骤s7之前。

6.根据权利要求5所述的硅片的切割方法，其特征在于，所述加热装置包括具有加热和保温功能的加热箱或加热罐。

7.根据权利要求4所述的硅片的切割方法，其特征在于，步骤s7’与步骤s7同时进行。

8.根据权利要求7所述的硅片的切割方法，其特征在于，所述加热装置包括陶瓷加热器，或者红外线加热器，或者电磁加热器，或者微波加热器，或者电阻丝加热器。

9.根据权利要求1所述的硅片的切割方法，其特征在于，在步骤s3中，组成所述金刚线网的金刚线的直径为20μm至60μm，所述硅片的厚度为60μm至170μm，所述硅片的尺寸为150mm至300mm。

10.根据权利要求1所述的硅片的切割方法，其特征在于，在步骤s8中，所述硅片向上提起的速度为50mm/min至70mm/min，所述金刚线网的线速度为0.02m/min至0.06m/min。

技术总结
本公开涉及一种硅片的切割方法，包括如下步骤：S1：用胶水将晶棒粘接在晶托上；S2：将所述晶托安装在切割机上；S3：根据所述晶棒的长度在所述切割机上布设金刚线网；S4：设定所述切割机的工艺程序；S5：所述切割机向所述金刚线网与所述晶棒的接触区域喷淋第一预设温度的切割液；S6：所述金刚线网将所述晶棒切割为硅片；S7：所述切割机向所述硅片喷淋加热至第二预设温度的切割液，其中，所述第二预设温度高于所述第一预设温度；S8：将所述硅片与所述金刚线网分离。通过上述技术方案，本公开提供的硅片的切割方法能够解决提料时硅片表面划痕的问题。

技术研发人员：管辉,成路,迪大明,杨浩,张璟,党朋飞,冯少辉,冯亚波,贾勇杰
受保护的技术使用者：隆基绿能科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17