碳化硅衬底片剥离装置的制作方法

1.本实用新型涉及碳化硅衬底片加工技术领域，具体涉及一种碳化硅衬底片剥离装置。


背景技术：

2.现有技术中，碳化硅衬底片的切割方式，主要分为线切割以及激光切割，在同样厚度的晶碇切出相同厚度的碳化硅衬底片的情况下，由于激光切割在切割过程中损失的晶碇材料较少，所以可产出较多的碳化硅衬底片，因此激光切割的成本相对具有优势。激光切割完还需要进行晶碇与衬底片的剥离，如公开编号为tw201926452a的中国台湾专利公开了一种从形成剥离层的晶棒剥离圆晶的剥离装置，其主要利用超声波振荡的方式达到分离的目的，这种剥离方式所需时间较长，且剥离衬底片时产生的应力会造成衬底片的翘曲较大。因此，本领域技术人员亟需一种在碳化硅衬底片剥离过程中，能够缩短加工时间以及减少剥离产生应力的剥离装置。


技术实现要素：

3.本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种碳化硅衬底片剥离装置，提高了碳化硅衬底片剥离的效率，降低了剥离产生的应力。
4.本实用新型的技术方案为：
5.碳化硅衬底片剥离装置，包括固定机构，固定机构包括上真空吸附台和下真空吸附台，碳化硅衬底片置于上真空吸附台和下真空吸附台之间；上真空吸附台连接有第一升降机构和第一转动机构，下真空吸附台连接有第二转动机构；固定机构侧边设置有剥离机构，剥离机构包括刮刀，刮刀安装在第二升降机构上，第二升降机构安装在水平移动机构上，通过水平移动机构调节刮刀与碳化硅衬底片之间的距离；第二升降机构上位于刮刀一侧还安装有水刀喷嘴。
6.优选地，所述上真空吸附台和下真空吸附台均为中空结构，上真空吸附台的下表面以及下真空吸附台的上表面分别设有若干个真空吸附孔，上真空吸附台和下真空吸附台分别连接有抽真空装置。
7.优选地，所述第一升降机构采用直线模组，直线模组的滑块上连接有升降板；第一转动机构采用第一电机，第一电机安装在升降板上且输出轴向下穿过升降板后连接在上真空吸附台的中心处。
8.优选地，所述第二转动机构采用第二电机，第二电机的输出轴向上连接在下真空吸附台的中心处。
9.优选地，所述剥离机构设置有两个，分别设置在固定机构的相对两侧。
10.本实用新型与现有技术相比，具有以下有益效果：
11.本实用新型利用下真空吸附台和上真空吸附台固定住碳化硅衬底片，实现衬底片的全部面积固定，使得在剥离时衬底片的每一处受力都相同，藉此降低剥离产生的应力。同
时，本实用新型利用水刀喷嘴将碳化硅衬底片侧面喷出缝隙，接着将刮刀伸入到缝隙中，上真空吸附台和下真空吸附台同时进行缓慢地同向旋转，使刮刀沿着衬底片边缘进行剥离，提高了碳化硅衬底片剥离的效率。
附图说明
12.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
13.图1是本实用新型的结构示意图。
14.图中，1、上真空吸附台；2、下真空吸附台；3、碳化硅衬底片；4、第一升降机构；5、刮刀；6、第二升降机构；7、水平移动机构；8、喷嘴；9、升降板。
具体实施方式
15.为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型中的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。
16.如图1所示，本实用新型提供了一种碳化硅衬底片剥离装置，包括固定机构，固定机构包括上真空吸附台1和下真空吸附台2，碳化硅衬底片3置于上真空吸附台1和下真空吸附台2之间，下真空吸附台2吸附住晶碇，上真空吸附台1吸附住衬底片。其中，上真空吸附台1和下真空吸附台2可采用现有的真空吸附台结构，优选地，本实施例中，上真空吸附台1和下真空吸附台2均为中空结构，上真空吸附台1的下表面以及下真空吸附台2的上表面分别设有若干个真空吸附孔，上真空吸附台1和下真空吸附台2分别连接有抽真空装置（图中未示出）。
17.上真空吸附台1连接有第一升降机构4和第一转动机构（图中未示出），下真空吸附台2连接有第二转动机构（图中未示出）。第一升降机构4采用直线模组，直线模组的滑块上连接有升降板9；第一转动机构采用第一电机，第一电机安装在升降板9上且输出轴向下穿过升降板9后连接在上真空吸附台1的中心处。第二转动机构采用第二电机，第二电机的输出轴向上连接在下真空吸附台2的中心处。
18.固定机构侧边设置有剥离机构，剥离机构包括刮刀5，刮刀5安装在第二升降机构6上，第二升降机构6安装在水平移动机构7上，通过水平移动机构7调节刮刀5与碳化硅衬底片3之间的距离；第二升降机构6上位于刮刀5一侧还安装有水刀喷嘴8。进一步地，所述剥离机构设置有两个，分别设置在固定机构的相对两侧。其中，第二升降机构6和水平移动机构7可采用现有结构设计，只要能够实现刮刀5和水刀喷嘴8的高度及与碳化硅衬底片3之间的距离调节即可。优选地，可采用十字滑台来实现第二升降机构6和水平移动机构7的功能。其中，刮刀5可选用超声波刮刀（如型号为wc40000f25w 的wondercutter超声波切割刀）。
19.工作原理：
20.将经过激光切割的碳化硅衬底片3放到下真空吸附台2上，启动直线模组使上真空
吸附台1高度下降，开启抽真空装置将待剥离的碳化硅衬底片3固定在下真空吸附台2和上真空吸附台1之间。随后通过第二升降机构6和水平移动机构7将刮刀5移动至碳化硅衬底片3的预剥离位置，启动第一电机和第二电机，带动上真空吸附台1和下真空吸附台2转动，开启水刀，通过喷嘴8在转动的碳化硅衬底片3边缘切割出缝隙。当缝隙长度能够使刮刀5插入其中时，关闭水刀、第一电机和第二电机，通过水平移动机构7将刮刀5向缝隙方向移动，直至刮刀5插入缝隙内一定深度。随后继续启动第一电机和第二电机使碳化硅衬底片3缓慢转动，藉由刮刀5对碳化硅衬底片3进行边缘剥离。旋转一圈后，关闭第一电机和第二电机，通过水平移动机构7将刮刀5继续向缝隙内深入，随后再进行剥离；再旋转一圈后，关闭第一电机和第二电机，通过水平移动机构7将刮刀进一步向缝隙内深入，进行最后的剥离。
21.尽管通过参考附图并结合优选实施例的方式对本实用新型进行了详细描述，但本实用新型并不限于此。在不脱离本实用新型的精神和实质的前提下，本领域普通技术人员可以对本实用新型的实施例进行各种等效的修改或替换，而这些修改或替换都应在本实用新型的涵盖范围内/任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。


技术特征：
1.碳化硅衬底片剥离装置，其特征在于，包括固定机构，固定机构包括上真空吸附台（1）和下真空吸附台（2），碳化硅衬底片（3）置于上真空吸附台（1）和下真空吸附台（2）之间；上真空吸附台（1）连接有第一升降机构（4）和第一转动机构，下真空吸附台（2）连接有第二转动机构；固定机构侧边设置有剥离机构，剥离机构包括刮刀（5），刮刀（5）安装在第二升降机构（6）上，第二升降机构（6）安装在水平移动机构（7）上，通过水平移动机构（7）调节刮刀（5）与碳化硅衬底片（3）之间的距离；第二升降机构（6）上位于刮刀（5）一侧还安装有水刀喷嘴（8）。2.如权利要求1所述的碳化硅衬底片剥离装置，其特征在于，所述上真空吸附台（1）和下真空吸附台（2）均为中空结构，上真空吸附台（1）的下表面以及下真空吸附台（2）的上表面分别设有若干个真空吸附孔，上真空吸附台（1）和下真空吸附台（2）分别连接有抽真空装置。3.如权利要求1所述的碳化硅衬底片剥离装置，其特征在于，所述第一升降机构（4）采用直线模组，直线模组的滑块上连接有升降板（9）；第一转动机构采用第一电机，第一电机安装在升降板（9）上且输出轴向下穿过升降板（9）后连接在上真空吸附台（1）的中心处。4.如权利要求1所述的碳化硅衬底片剥离装置，其特征在于，所述第二转动机构采用第二电机，第二电机的输出轴向上连接在下真空吸附台（2）的中心处。5.如权利要求1所述的碳化硅衬底片剥离装置，其特征在于，所述剥离机构设置有两个，分别设置在固定机构的相对两侧。

技术总结
本实用新型公开了一种碳化硅衬底片剥离装置，属于碳化硅衬底片加工技术领域。其技术方案为：包括固定机构，固定机构包括上真空吸附台和下真空吸附台，碳化硅衬底片置于上真空吸附台和下真空吸附台之间；上真空吸附台连接有第一升降机构和第一转动机构，下真空吸附台连接有第二转动机构；固定机构侧边设置有剥离机构，剥离机构包括刮刀，刮刀安装在第二升降机构上，第二升降机构安装在水平移动机构上，通过水平移动机构调节刮刀与碳化硅衬底片之间的距离；第二升降机构上位于刮刀一侧还安装有水刀喷嘴。本实用新型提高了碳化硅衬底片剥离的效率，降低了剥离产生的应力。降低了剥离产生的应力。降低了剥离产生的应力。


技术研发人员：郭正富 林育圣 庄裕峯 许仙薇 蔡国基
受保护的技术使用者：青岛嘉展力拓半导体有限责任公司
技术研发日：2022.09.29
技术公布日：2023/3/21