用于切割衬底元件的方法与流程

本公开总体上涉及用于切割衬底(例如，玻璃衬底或半导体衬底或光学衬底)的方法。

背景技术：

1、由于切割线可以在垂直方向上形成，将衬底切割为矩形衬底元件相对简单。然而，将衬底切割成具有其他形状(诸如具有五个或更多个侧面的形状)的衬底元件更加复杂。用于获得具有非矩形形状的衬底元件的当前方法使用布线操作。然而，这样的方法耗时且成本高昂，并且在布线之后获得的精度并不总是足够的。这样的方法在可获得的角部角度方面也缺乏通用性，并且导致相对大量的衬底面积被浪费。

2、需要相对快速的方法，以相对低的成本和相对高的通用性获得呈现非矩形形状的衬底元件。

3、需要解决已知方法的全部或部分缺点。

技术实现思路

1、一个实施例提供了一种方法，包括：提供衬底元件，每个衬底元件具有在角点处相交的第一侧面和第二侧面；拾取并放置衬底元件，以将它们在支撑设备上对准；沿着具有共有第一方向并与衬底元件中的每一个的第一侧面和第二侧面交叉的切割线来切割所述衬底元件中的每个衬底元件，以在每个衬底元件上创建第三侧面，每个衬底元件的第三侧面在对应角点处与第一侧面和第二侧面相交。

2、根据一个实施例，在拾取和放置期间，所述衬底元件被定向为使得衬底元件的第一侧面在支撑设备上平行，和/或使得衬底元件的第二侧面在支撑设备上平行。

3、根据一个实施例，所述衬底元件的切割沿着第二切割线来实现，该第二切割线具有所有衬底元件共有的第二方向，该第二方向不同于或平行于第一方向，并与衬底元件中的每一个的第一侧面和/或第二侧面和/或另一侧面交叉。

4、根据一个实施例，第二方向垂直于第一方向。

5、根据一个实施例，所述支撑设备被配置为在进行衬底元件的切割时，将所述衬底元件保持在适当位置。

6、根据一个实施例，衬底元件包括玻璃或光伏材料或半导体材料，例如硅、碳化硅、锗、铟和镓的合金或蓝宝石。

7、根据一个实施例，衬底元件具有第四侧面，第一侧面或第二侧面在另一角点处与第四侧面相交；并且在衬底元件的第三侧面被创建之后，衬底元件被拾取，并且被放置为在支撑设备上或另一支撑设备上对准；然后衬底元件的另一切割沿着另一切割线而被实现，该另一切割线具有所有衬底元件共有的第三方向，并且与衬底元件中的每个衬底元件的第一侧面或第二侧面和第四侧面交叉，以为每个衬底元件至少创建第五侧面，该第五侧面在对应角点处与第一侧面或第二侧面和第四侧面相交。

8、一个实施例提供了一种方法，包括：利用第一切割工具，将被布置在保持设备上的衬底切割为衬底元件，每个衬底元件具有在角点处相交的第一侧面和第二侧面；旋转切割工具并切割衬底元件，以为每个衬底元件创建至少第三侧面，第三侧面在对应的角点处与第一侧面和第二侧面相交。

9、根据一个实施例，沿着至少两个平行切割线来实现衬底元件的切割。

10、根据一个实施例，当切割衬底时，实现两次相同的切割操作以分离两个相邻的衬底元件。

11、根据一个实施例，衬底元件布置为行或列，其中相邻列之间具有间隙，相邻行之间具有间隙。

12、根据一个实施例，衬底元件各自包括相同的特征布置，特征布置在交替的衬底元件之间被旋转180°，使得在交替的衬底元件上切割相对的角部。

13、根据一个实施例，至少一个切割步骤通过锯切或激光切割来执行。

14、根据一个实施例，提供衬底元件的步骤包括将被放置在初始支撑件的衬底切割为衬底元件。

技术特征：

1.一种方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述拾取和所述放置期间，所述多个衬底元件被定向为使得所述支撑设备上的所述衬底元件的所述第一侧面彼此平行。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述拾取和所述放置期间，所述多个衬底元件被定向为使得所述支撑设备上的所述衬底元件的所述第二侧面彼此平行。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：沿着第二切割线来切割所述衬底元件中的每个衬底元件，所述第二切割线具有所述多个衬底元件共有的第二方向。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二方向不同于所述第一方向，并且被配置为仅与所述第一侧面和所述第二侧面中的一个侧面交叉。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二方向不同于所述第一方向，并且被配置为与除了所述第一侧面和所述第二侧面之外的侧面交叉。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二方向垂直于所述第一方向，并且被配置为仅与所述第一侧面和所述第二侧面中的一个侧面交叉。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二方向平行于所述第一方向，并且从所述第一方向偏移，并且被配置为与除了所述第一侧面和所述第二侧面以外的侧面交叉。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述支撑设备被配置为：在进行所述多个衬底元件的切割时，将所述多个衬底元件保持在适当位置。

10.根据权利要求1所述的方法，其中每个衬底元件由选自包括以下项的组的材料制成：玻璃材料、光伏材料、半导体材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述半导体材料选自包括以下项的组：硅、碳化硅、锗、铟和镓的合金或蓝宝石。

12.根据权利要求10所述的方法，其中每个衬底元件包括球栅阵列或有机陆栅阵列中的一种阵列。

13.根据权利要求1所述的方法，其中每个衬底元件具有第四侧面，所述第四侧面在另一角点处与所述第一侧面和所述第二侧面中的一个侧面相交；并且

14.根据权利要求1所述的方法，其中切割包括执行锯切或激光切割中的一种。

15.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述多个衬底元件包括：将被放置在初始支撑件上的衬底切割为所述衬底元件。

16.一种方法，包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中沿着至少两个平行切割线实现所述衬底的切割。

18.根据权利要求16所述的方法，其中切割所述衬底包括：执行两次相同的切割操作以分离两个相邻的衬底元件。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述多个衬底元件被布置为列，其中相邻列之间具有间隙。

20.根据权利要求16所述的方法，其中所述多个衬底元件被布置为行，其中相邻行之间具有间隙。

21.根据权利要求16所述的方法，其中每个衬底元件包括相同的特征布置，所述相同的特征布置在交替的衬底元件之间被旋转180°，使得当切割所述多个衬底元件以创建所述第三侧面时，在交替的衬底元件上切割相对的角部。

22.根据权利要求16所述的方法，其中切割所述衬底和切割所述多个衬底元件中的至少一者通过锯切或激光切割中的一者来执行。

技术总结
本公开的实施例涉及用于切割衬底元件的方法。在一种方法中，提供衬底元件，其中每个衬底元件具有在角点处相交的第一侧面和第二侧面。拾取衬底元件，并且然后被对准地放置在支撑设备上。然后执行切割操作，其中衬底元件中的每个衬底元件沿着具有共有第一方向的切割线来切割，该共有第一方向与衬底元件中的每个衬底元件的第一侧面和第二侧面交叉，以在每个衬底元件上创建第三侧面。衬底元件中的每个衬底元件的第三侧面在对应的角点处与第一侧面和第二侧面相交。

技术研发人员：M·查佩龙,W·哈利迪,J·加尼厄
受保护的技术使用者：意法半导体(R&D)有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15