用于半导体生产的切割控制方法及系统与流程

本公开涉及半导体加工技术，并且更具体地，涉及一种用于半导体生产的切割控制方法及系统。

背景技术：

1、半导体切割加工是指使用刀片等方式将含有很多芯片的晶圆切割成多个晶片颗粒的方法，是芯片制造过程中的关键环节，切割的质量和效率直接影响芯片的质量和生产成本。

2、现有的半导体切割装置在进行晶圆切割时，通常是按照固定的切割控制参数进行切割，并没有根据晶圆材料、设计需求等实际情况选择适配的切割控制参数，导致切割控制参数与待切割晶圆的适配度较低，造成晶圆切割品质较差，影响了芯片生产的效率和质量。

3、现有的半导体切割方法存在的不足之处在于：由于切割控制参数设置不准确导致半导体切割品质较差。

技术实现思路

1、因此，为了解决上述技术问题，本公开的实施例采用的技术方案如下：

2、用于半导体生产的切割控制方法，所述方法应用于一用于半导体生产的切割控制装置，所述装置包括设计信息采集工站、基材分析工站、控制参数优化工站和切割控制工站，包括以下步骤：通过设计信息采集工站，采集待进行切割的半导体基材的材料信息以及用于进行生产的芯片的设计信息；通过基材分析工站，根据所述材料信息和设计信息，构建切割控制函数、切割控制条件；根据所述材料信息、设计信息以及切割控制函数，映射匹配获取所述半导体基材的切割控制数据库、适应度数据库以及切割控制参数空间；通过控制参数优化工站，在所述切割控制数据库内，进行所述半导体基材的切割控制参数的一次寻优，其中，根据所述切割控制函数，在一次寻优内计算切割控制参数的适应度，所述切割控制函数包括根据切割后的尺寸、端面角度、切边垂直度和崩碎坑尺寸，计算切割适应度，并将大于所述适应度数据库内最小适应度的切割适应度更新至适应度数据库内；根据所述适应度数据库，计算获取所述半导体基材切割的适应度阈值，在一次寻优内的多个适应度未满足所述适应度阈值时，在所述切割控制参数空间内，对一次寻优内的多个切割控制参数进行更新，获得更新切割控制数据库；继续在更新切割控制数据库内进行所述半导体基材的切割控制参数的寻优，直到获得满足所述适应度阈值的最优切割控制参数，所述最优切割控制参数包括最优切割转速和最优进给速度；通过切割控制工站，采用所述最优切割控制参数进行所述半导体基材的切割。

3、用于半导体生产的切割控制系统，所述系统包括一用于半导体生产的切割控制装置，所述装置包括设计信息采集工站、基材分析工站、控制参数优化工站和切割控制工站，包括：信息采集模块，所述信息采集模块用于通过设计信息采集工站，采集待进行切割的半导体基材的材料信息以及用于进行生产的芯片的设计信息；切割控制函数构建模块，所述切割控制函数构建模块用于通过基材分析工站，根据所述材料信息和设计信息，构建切割控制函数、切割控制条件；切割控制信息获取模块，所述切割控制信息获取模块用于根据所述材料信息、设计信息以及切割控制函数，映射匹配获取所述半导体基材的切割控制数据库、适应度数据库以及切割控制参数空间；切割适应度更新模块，所述切割适应度更新模块用于通过控制参数优化工站，在所述切割控制数据库内，进行所述半导体基材的切割控制参数的一次寻优，其中，根据所述切割控制函数，在一次寻优内计算切割控制参数的适应度，所述切割控制函数包括根据切割后的尺寸、端面角度、切边垂直度和崩碎坑尺寸，计算切割适应度，并将大于所述适应度数据库内最小适应度的切割适应度更新至适应度数据库内；切割控制参数更新模块，所述切割控制参数更新模块用于根据所述适应度数据库，计算获取所述半导体基材切割的适应度阈值，在一次寻优内的多个适应度未满足所述适应度阈值时，在所述切割控制参数空间内，对一次寻优内的多个切割控制参数进行更新，获得更新切割控制数据库；最优切割控制参数获得模块，所述最优切割控制参数获得模块用于继续在更新切割控制数据库内进行所述半导体基材的切割控制参数的寻优，直到获得满足所述适应度阈值的最优切割控制参数，所述最优切割控制参数包括最优切割转速和最优进给速度；半导体基材切割模块，所述半导体基材切割模块用于通过切割控制工站，采用所述最优切割控制参数进行所述半导体基材的切割。

4、由于采用了上述技术方法，本公开相对于现有技术来说，取得的技术进步有如下几点：

5、可以解决现有的半导体切割方法由于切割控制参数设置不准确导致半导体切割品质较差的技术问题，首先，获取待切割半导体基材的材料信息和芯片设计信息；根据材料信息和芯片设计信息构建切割控制函数和切割控制条件；然后根据所述材料信息、所述设计信息和所述切割控制函数，匹配获得切割控制数据库、适应度数据库，并进一步根据切割控制参数的调整范围确定切割控制参数空间；然后在所述切割控制数据库内，对切割控制参数进行一次寻优，根据所述切割控制函数，计算一次寻优内的多个遍历切割控制参数的适应度，并根据遍历切割适应度对适应度数据库进行更新，获得更新完成的适应度数据库；在更新完成的适应度数据库内，计算获取适应度阈值，并根据适应度阈值对一次寻优的多个适应度进行判断；当一次寻优内的多个适应度未满足所述适应度阈值时，在切割控制参数空间内，对一次寻优内的多个切割控制参数进行更新，获得更新切割控制数据库；继续在更新切割控制数据库内进行切割控制参数寻优，获得满足所述适应度阈值的最优切割控制参数；最后根据最优切割控制参数进行半导体基材的切割。可以提高半导体切割控制参数设置的准确性，从而提高半导体的切割品质。

技术特征：

1.用于半导体生产的切割控制方法，其特征在于，所述方法应用于一用于半导体生产的切割控制装置，所述装置包括设计信息采集工站、基材分析工站、控制参数优化工站和切割控制工站，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

8.用于半导体生产的切割控制系统，其特征在于，用于执行权利要求1-7中所述的用于半导体生产的切割控制方法中任意一项方法的步骤，所述系统包括一用于半导体生产的切割控制装置，所述装置包括设计信息采集工站、基材分析工站、控制参数优化工站和切割控制工站，所述系统包括：

技术总结
本公开提供了一种用于半导体生产的切割控制方法及系统，涉及半导体加工技术，方法包括：采集半导体基材的材料信息、芯片设计信息；构建切割控制函数、控制条件；获取切割控制数据库、适应度数据库、切割控制参数空间；在切割控制数据库内，进行切割控制参数的一次寻优，将大于适应度数据库内最小适应度的切割适应度更新至适应度数据库；在一次寻优内的多个适应度未满足适应度阈值时，获得更新切割控制数据库；在更新切割控制数据库内进行寻优，获得最优切割控制参数。能够解决现有的半导体切割方法由于切割控制参数设置不准确导致半导体切割品质较差的技术问题，可以提高半导体切割控制参数设置的准确性，从而提高半导体的切割品质。

技术研发人员：梅力
受保护的技术使用者：江苏盟星智能科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15